專利名稱：可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法
技術領域：
本發(fā)明是垂直式探針卡微孔導板的有關，更詳而言的是指一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法。
背景技術：
一般用以測試電子組件電性的垂直式探針卡1(如圖1)所示，具有若干微孔導板2，該微孔導板2內具有若干個微孔3，可分別用以供若干的垂直式探針4分別穿置，以通過由該微孔3導板限制該垂直式探針4的側向空間移動，并提供該垂直式探針4能于各該微孔3內以其深度方向移動，而達測試電子組件5電性的目的。
然，現(xiàn)有制造垂直式探針卡微孔導板2的方法眾多其一，如美國專利6,417,684號專利案，是利用傳統(tǒng)精密加工鉆孔的方式形成微孔，即在一陶瓷、工程塑料、玻璃或半導體材料上，以逐一鉆孔的方式形成微孔；但，此種方法不僅其微孔的定位精度及各微孔間的間隔均有其極限的限制存在定位精度的誤差將大于15μm，而微孔間的間隔(pitch)將大于25μm，且其制造成本亦將隨著微孔的數(shù)量而相對增加，早已不符現(xiàn)今科技的需求。其二，如美國第6,297,657B1號專利案，是利用金屬加上介電材料或絕緣材料作為導板的材料，而其微孔則是通過由激光加工的方式在導板上形成，但然其定位精度可較傳統(tǒng)鉆孔方式來得精確，但以激光逐一加工的方式亦導致加工費用及加工時程會隨著微孔孔數(shù)而相對增加。其三，如美國專利第6,404,211號專利案，其是利用若干金屬層堆棧的方式加以形成導板，并且通過由蝕刻技術(Etching technology)在各金屬層上形成出若干微孔；但，由于蝕刻金屬時因其蝕刻特性而無法制作出高深度比的微孔，因此必須通過由堆棧若干金屬層方能滿足導板微孔的功能；如此一來，不僅將使得制造程序過于繁瑣、浪費過多的時間在于堆棧金屬層上，且堆棧金屬層的平面度亦不容易控制。
發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的是提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其可批次制造以節(jié)省制程所需的時間及程序，以降低制造成本。
本發(fā)明的另一目的是提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其微孔的加工精度較佳。
本發(fā)明的另一目的乃在提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其微孔的孔徑可更縮小。
本發(fā)明的又一目的乃在提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其各微孔間的間距可更縮小。
本發(fā)明的再一目的乃在提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，是可制造大面積的微孔導板。
本發(fā)明的再一目的乃在提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，是可制造具有溫度補償效益的微孔導板。
緣是，為達上述目的，本發(fā)明所提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，包含有以下步驟取一非金屬材料的薄板；于該薄板上沉積一蝕刻阻擋層；于該蝕刻阻擋層上，布設一具備預定態(tài)樣開口的遮蔽層；利用反應性離子蝕刻蝕去位在對應該遮蔽層開口位置的蝕刻阻擋層，使該蝕刻阻擋層形成出若干對應于該開口的開孔；去除遮蔽層；利用非等向性濕蝕刻將對應該開孔位置的薄板加以蝕去，而形成出若干的微孔；去除蝕刻阻擋層；即可得微孔導板。
為使貴審查委員，能對本發(fā)明的特征及目的有更進一步的了解與認同，茲列舉以下較佳的實施例，并配合圖式說明于后
圖1是一般垂直探針卡的示意圖；圖2A至圖2J是本發(fā)明第一較佳實施例的制造流程示意圖；圖3A至圖3H是本發(fā)明第二較佳實施例的制造流程示意圖；圖4A至圖4I是本發(fā)明第三較佳實施例的制造流程示意圖；圖5A至圖5L是本發(fā)明第四較佳實施例的制造流程示意圖；圖6A至圖6K是本發(fā)明第五較佳實施例的制造流程示意圖。
主要組件符號說明「第一較佳實施例」薄板11 第一面111第二面112微孔113第一蝕刻阻擋層121開孔123第二蝕刻阻擋層122遮蔽層13開口131 垂直式探針卡微孔導板10座體14「第二較佳實施例」
薄板21 第一面211第二面212 盲孔213微孔214遮蔽層22開孔221垂直式探針卡微孔導板20座體23「第三較佳實施例」薄板31 第一面311第二面312 微孔313第一氧化物層321通孔323第二氧化物層322遮蔽層33開口331垂直式探針卡微孔導板30「第四較佳實施例」薄板41 第一面411第二面412 第一氧化物層421第二氧化物層422第一遮蔽層43開口431氮化物層44第二遮蔽層45 穿孔451盲孔46 微孔47垂直式探針卡微孔導板40「第五較佳實施例」薄板51 第一面511第二面512 凹陷區(qū)513第一氧化物層521第二氧化物層522通孔523沉孔524第一氮化物層531第二氮化物層532
第一遮蔽層54開口541第二遮蔽層55穿孔551第三遮蔽層56盲孔57垂直式探針卡微孔導板50微孔58具體實施方式
請參閱圖2A至圖2J，是本發(fā)明一較佳實施例一種微孔導板是提供垂直探針于側向空間限制，使垂直探針于微孔深度方向移動，以達探測特定位置的電子組件測試點的電性目的；本發(fā)明可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其步驟包含有步驟A如圖2A所示，取一由非金屬材料所制成的薄板11。其中該薄板11可為硅(Si)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、銦化磷(InP)或其它適用于以非等向性蝕刻(Anisotropic etching)技術制作的半導體材料；該薄板11亦可為玻璃(Glass)、陶瓷(Ceramics)或其它適用于以非等向性蝕刻技術制作的非導體材料。于本實施例中該薄板11是由硅(Si)材料所制成，該薄板11可界定出一第一面111及一與該第一面111相背的第二面112。
步驟B如圖2B所示，以低壓化學氣相沉積(Low PressureChemical Vapor Deposition，LPCVD)的方式，于該薄板11的第一面111及第二面112上分別沉積一第一蝕刻阻擋層121及一第二蝕刻阻擋層122。
步驟C如圖2C所示，于該第一蝕刻阻擋層121上，以黃光微影(Lithography)技術布設一具備預定態(tài)樣開口131的遮蔽層13(該遮蔽層一般為光阻(Photo Resist，PR))。由于黃光微影技術為現(xiàn)有技術，容不此多加贅述。
步驟D如圖2D所示，利用反應性離子蝕刻(Reactive IonEtching，RIE)加以蝕去位在對應該遮蔽層13開口131位置的第一蝕刻阻擋層121，使該第一蝕刻阻擋層121形成出若干對應于該開口131的開孔123。
步驟E如圖2E所示，去除遮蔽層13。
步驟F如圖2F所示，利用非等向性濕蝕刻(Anisotropic)的方式，加以將對應該開孔123位置的薄板11加以蝕去直至接觸該第二蝕刻阻擋層122為止，使該薄板11受非等向性濕蝕刻的位置，此時形成出若干的微孔113。其中該非等向性濕蝕刻(Anisotropic)所采用的蝕刻液可為氫氧化鉀(KOH)、乙二胺鄰苯二酚(EthylenediaminePyrocatechol，EDP、四甲基氫氧化銨Tetramethyl ammoniumhydroxide，TMAH)、聯(lián)胺(Hydrazine)等其一。
步驟G如圖2G所示，去除第一蝕刻阻擋層121及第二蝕刻阻擋層122。如此一來，即可在該薄板11上形成出若干的微孔113，以構成本發(fā)明的微孔導板10。
通過由上述的制造流程，即可以批次制造同一制造程序中的方式非多次堆棧方式形成出具有精密定位與微孔間距微小的微孔導板，而由于微孔數(shù)量并不會造成制造程序的增加即無論微孔數(shù)量多寡，各微孔皆是于同一步驟中所形成請參閱步驟F，將可使得制造成本大幅降低，更可用以制造出大面積的微孔導板。接著，由于本較佳實施例的微孔導板是采用硅材料所制成，與用以待測試物的材料相同，因此更具有溫度補償?shù)男в谩?br>
另外，如上列步驟中所制造的微孔導板為較大的面積時，則可再增加下列的步驟，以使該微孔導板能被切割成若干的小型微孔導板，而加以使用步驟H如圖2H及圖2I所示，將步驟G所形成的微孔導板10利用切割的方式，分割成若干預定大小的塊狀該圖2I為圖2H的頂視圖。
步驟J如圖2J所示，將已進行切割后的微孔導板10連結于一座體14上。
另外，亦可在該微孔導板上披覆絕緣材料如二氧化硅(Si)O2、氧化鋁Al2O3、氧化鈦TiO2或其它適合的介電材料，使該微孔導板增加其絕緣性。
再者，亦可于該微孔導板上披覆高分子材料如聚酸亞胺polyimide或其它適合的高分子材料，使該微孔導板的結構韌性增強，或增進微孔內的潤滑性。
請參閱圖3A至圖3H，是本發(fā)明第二較佳實施例所提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其步驟包含有步驟A如圖3A所示，取一由非金屬材料所制成的薄板21，于本實施例中該薄板21是由硅(Si)材料所制成，該薄板21可界定出一第一面211及一與該第一面211相背的第二面212。
步驟B如圖3B所示，于該薄板21的第一面211上布設一遮蔽層22。
步驟C如圖3C所示，利用黃光微影技術于該遮蔽層22上，形成出若干呈預定態(tài)樣并與該薄板21相通的開孔221。
步驟D如圖3D所示，利用非等向性干蝕刻(Anisotropic dryetching)的方式，對相對應于該開孔221位置的薄板21蝕刻出呈預定深度的盲孔213。其中非等向性干蝕刻(Anisotropic dry etching)可通過由誘導耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)蝕刻(etching)、電漿蝕刻(Plasma etching)、離子式蝕刻(Ion beametching)、深反應性離子蝕刻(Deep Reactive Ion Etching，DRIE)、聚焦離子束蝕刻(Focus Ion Beam etching)等其一方式所達成。
步驟E如圖3E所示，利用背面薄化(back side thinning)技術，研磨薄板21的第二面212至與該盲孔相通，使該盲孔成為貫通該第一面211及該第二面212的微孔214。
步驟F如圖3F所示，去除該遮蔽層22，如此一來便完成微孔導板20的制程。
當然，如上述的制程所制出是為大面積的微孔導板，則可再利用下列的步驟將大面積的微孔導板切割成小面積的微孔導板步驟G如圖3G所示，將步驟F所形成的微孔導板20利用切割的方式，分割成若干預定大小的塊狀。
步驟H如圖3H所示，將已進行切割后的微孔導板20連結于一座體23上。
另外，亦可在該微孔導板上披覆絕緣材料如二氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)或其它適合的介電材料，使該微孔導板增加其絕緣性。
再者，亦可于該微孔導板上披覆高分子材料如聚酸亞胺(polyimide)或其它適合的高分子材料，使該微孔導板的結構韌性增強，或增進微孔內的潤滑性。
請參閱圖4A至圖4I所示，是本發(fā)明第三較佳實施例所提供的一種可批次制造微孔導板的方法，其步驟包含有步驟A如圖4A所示，取一由非金屬材料所制成的薄板31，于本實施例中該薄板31是由硅(Si)材料所制成，該薄板31可界定出一第一面311及一與該第一面311相背的第二面312。
步驟B如圖4B所示，以電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)的方式于該薄板31的第一面311及第二面312上分別沉積一第一氧化物層321(oxide，OX)及一第二氧化物層322(oxide，OX)(于本實施例中其氧化物是采用二氧化硅(SiO2))。
步驟C如圖4C所示，于該第一氧化物層321上布設一遮蔽層33該遮蔽層為一光阻。
步驟D如圖4D所示，利用黃光微影技術，于該遮蔽層33上形成出若干呈預定態(tài)樣的開口331。
步驟E如圖4E所示，以反應性離子蝕刻RIE將位于該開口331對應位置的第一氧化物層321蝕去，使該第一氧化物層321形成出若干與該開口331相對的通孔323。
步驟F如圖4F所示，以誘導耦合電漿蝕刻的方式將位在對應該通孔323位置的薄板31被蝕刻去除直至該第二氧化物層322，使該薄板31形成出若干微孔313。
步驟G如圖4G所示，去除遮蔽層33。
步驟H如圖4H所示，去除第一氧化物層321及第二氧化物層322。即可得由薄板及微孔所構成的微孔導板30如需將該步驟H所形成的微孔導板30加以切割至預定的大小以利使用時，則可通過由一切割程序加以完成，如圖4I所示。
另外，亦可在該微孔導板上披覆絕緣材料如二氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)或其它適合的介電材料，使該微孔導板增加其絕緣性。
再者，亦可于該微孔導板上披覆高分子材料如聚酸亞胺(polyimide)或其它適合的高分子材料，使該微孔導板的結構韌性增強，或增進微孔內的潤滑性。
請參閱圖5A至圖5L，是本發(fā)明第四較佳實施例所提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其步驟包含有步驟A如圖5A所示，取一由非金屬材料所制成的薄板41，于本實施例中該薄板41是由硅(Si)材料所制成，該薄板41可界定出一第一面411及一與該第一面411相背的第二面412。
步驟B如圖5B所示，于該薄板41的第一面411及第二面412上，分別布設一第一氧化物層421及一第二氧化物層422。其中該氧化物為二氧化硅(SiO2)。
步驟C如圖5C所示，于該第一氧化物層421上布設一第一遮蔽層43。其中該第一遮蔽層43為由光阻材料(Photo Resist，PR)所構成。
步驟D如圖5D所示，利用黃光微影技術于該第一遮蔽層43上形成出若干呈預定態(tài)樣的開口431，且該開口431是連通該第一遮蔽層43的頂面及第一氧化物層421。
步驟E如圖5E所示，利用蝕刻制程將位于該開口431內的第一氧化物層421部分加以蝕去。
步驟F如圖5F所示，利用誘導耦合電漿(Inductively CoupledPlasma，ICP)蝕刻(etching)或其它非等向性干蝕刻技術(Anisotropicdry etching)(如電漿蝕刻Plasma etching)、離子式蝕刻(Ion beametching)、深反應性離子蝕刻(Deep Reactive Ion Etching，DRIE)、聚焦離子束蝕刻(Focus Ion Beam etching)等加以將對應于該開口431位置的薄板41蝕刻出小于總預定深度的深、寬度的盲孔46。
步驟G如圖5G所示，以低壓化學氣相沉積(LPVCD)的方式，于該第一遮蔽層43的頂面及該開口43內的底面及壁面上沉積一氮化物層(Nitride)44。
步驟H如圖5H所示，于該第一遮蔽層43的上方布設一第二遮蔽層45，且該第二遮蔽層45并利用黃光微影的技術，于對應該第一遮蔽層43開口431的位置形成出若干的穿孔451。
步驟I如圖5I所示，利用反應性離子蝕刻(RIE)技術，將位于該開口431底部的氮化物層44蝕去；即，使得位在該開口431內的薄板41位置直接與外界連通。
步驟J如圖5J所示，利用誘導耦合電漿(ICP)蝕刻技術，將位在該開口431底部的薄板41盲孔46加深其深度直至與第二氧化物層422上。
步驟K如圖5K所示，去除第一遮蔽層43及第二遮蔽層45。
步驟L如圖5L所示，去除第一氧化物層421、第二氧化物層422及該氮化物層44。如此一來，即可得本發(fā)明具有若干微孔47的微孔導板40。
另外，亦可在該微孔導板上披覆絕緣材料如二氧化硅(SiO2、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)或其它適合的介電材料，使該微孔導板增加其絕緣性。
再者，亦可于該微孔導板上披覆高分子材料(如聚酸亞胺(polyimide))或其它適合的高分子材料，使該微孔導板的結構韌性增強，或增進微孔內的潤滑性。
請參閱圖6A至圖6K，是本發(fā)明第五較佳實施例所提供一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其步驟包含有步驟a如圖6A所示，取一由非金屬材料所制成的薄板51，于本實施例中該薄板51是由硅(Si)材料所制成，該薄板51可界定出一第一面511及一與該第一面511相背的第二面512。
步驟B如圖6B所示，于該薄板51的第一面511及第二面512上，分別布設一第一氧化物層521及一第二氧化物層522，并于該第一氧化物層521及該第二氧化物層522上，分別以低壓化學氣相沉積(LPVCD)的方式布設一第一氮化物層531及一第二氮化物層532。
步驟C如圖6C所示，于該第二氮化物層532上布設一第一遮蔽層54，并通過由黃光微影技術于該第一遮蔽層54形成出一預定范圍及位置的開口541，再利用反應性離子蝕刻RIE蝕去位在該開口541內的第二氮化物層532及位在該開口541內的第二氧化物層522，使位在該開口541內的薄板51位置與外界連通。
步驟D如圖6D所示，利用氫氧化鉀(KOH)蝕刻液或其它非等向性濕蝕刻(Anisotropic)所采用的蝕刻液，對位在該開口541內的薄板51進行預定深度及寬度的蝕刻去除，使該薄板51由其第二面512形成出一凹陷區(qū)513；接著，去除該第一遮蔽層54及該第一、二氮化物層531、532。
步驟E如圖6E所示，利用黃光微影的制程以反應性離子蝕刻(RIE)蝕去部分位置的第一氧化物層521，使該第一氧化物層521形成出若干呈預定態(tài)樣的通孔523，且該通孔523并與該薄板51的第一面512連通，且該第一氧化物層521的兩外側處并分別形成出一較大孔徑的貫孔524。
步驟F如圖6F所示，于該第一氧化物層521上布設一第二遮蔽層55，并于該第二遮蔽層55上形成出若干與該通孔523及沉孔524連通的穿孔551，并于該沉孔524的側壁上同時布設有預定厚度的第三遮蔽層56，但該第三遮蔽層56并未完全阻隔該薄板51的第一面512與沉孔524相通。
步驟G如圖6G所示，對于該通孔523及沉孔524內的薄板51，以誘導耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)蝕刻(etching)或其它非等向性干蝕刻技術(Anisotropic dry etching)如電漿蝕刻(Plasma etching)、離子式蝕刻(Ion beam etching)、深反應性離子蝕刻(Deep Reactive Ion Etching，DRIE)、聚焦離子束蝕刻(Focus Ion Beametching)等將對應于該通孔523及沉孔524位置的薄板51蝕刻出預定的深、寬度的盲孔57。
步驟H如圖6H所示，去除第二遮蔽層55及第三遮蔽層56。
步驟I如圖6I所示，利用誘導耦合電漿(ICP)蝕刻或其它非等向性干蝕刻技術，蝕刻位在該通孔523及沉孔524內的薄板51，使其盲孔加深其深度至形成微孔58。
步驟J如圖6J所示，去除第一氧化物層521及第二氧化物層522。使可得本發(fā)明的垂直式探針卡微孔導板50，且本實例是將于后制作業(yè)中的基座亦一體形成于微孔導板50上，且形成有較大孔徑的連接孔58可供與一外物連接的用。其中圖6K是圖6J的頂視圖。
綜上所陳，上述本發(fā)明的五個較佳實施例，其共同的技術，是提供一種非等向性蝕刻技術，于垂直式探針卡微孔導板上成型出微孔，可批次制造以節(jié)省制程所需的時間及程序，以降低制造成本；同時微孔的加工精度較佳，可使微孔的孔徑及間距可更縮小，亦適合制造大面積的微孔導板及可制造具有溫度補償效益的微孔導板，使得本發(fā)明達到最大的經濟附加價值。
權利要求
1.一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，包含有以下步驟步驟1取一非金屬材料的薄板；步驟2于該非金屬薄板上布設一具備預定態(tài)樣及數(shù)量開口的遮蔽層；步驟3以非等向性蝕刻方法，于非金屬材料的薄板上成型出多數(shù)個微孔。該微孔導板是提供垂直探針于側向空間限制，使垂直探針于微孔深度方向移動，以達探測特定位置的電子組件測試點的電性目的。
2.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該薄板是由硅、氮化鎵、砷化鎵或銦化磷其中之一材料所制成。
3.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該薄板是由適用于以非等向性蝕刻技術制作的半導體材料所制成。
4.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該薄板為由玻璃或陶瓷材料所制成。
5.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該薄板是由適用于以非等向性蝕刻技術制作的非導體材料所制成。
6.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該遮蔽層是由光阻材料所制成。
7.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該遮蔽層是通過由黃光微影技術而形成開口。
8.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，于步驟3后，披覆絕緣材料于該微孔導板上。
9.依據(jù)權利要求6所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該絕緣材料為二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦其中之一種。
10.依據(jù)權利要求1所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，于步驟3后，披覆高分子材料于該微孔導板上。
11.依據(jù)權利要求8所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述高分子材料為聚酸亞胺。
12.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該微孔導板可再進行切割成適用的大小。
13.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述步驟2更包含有以下步驟于該薄板上沉積一蝕刻阻擋層；于該蝕刻阻擋層上，布設一具備預定態(tài)樣開口的遮蔽層；利用反應性離子蝕刻蝕去位在對應該遮蔽層開口位置的蝕刻阻擋層，使該蝕刻阻擋層形成出若干對應于該開口的開孔；去除遮蔽層；其中，步驟3更包含有以下步驟利用非等向性濕蝕刻將對應該開孔位置的薄板加以蝕去，而形成出若干的微孔；去除蝕刻阻擋層；即可得微孔導板。
14.依據(jù)權利要求13所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該薄板可界定出一第一面及一與該第一面相背的第二面；該薄板的第一面及第二面上分別沉積有一第一蝕刻阻擋層及一第二蝕刻阻擋層；該遮蔽層是布設于該第一蝕刻阻擋層上，該開孔是形成于該第一蝕刻阻擋層上。
15.依據(jù)權利要求13所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該非等向性濕蝕刻是采用氫氧化鉀、乙二胺鄰苯二酚、四甲基氫氧化銨或聯(lián)胺蝕刻液。
16.依據(jù)權利要求13所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該蝕刻阻擋層是氮化硅，該氮化硅層是以低壓化學氣相沉積的方式所沉積而成。
17.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述步驟3更包含有以下步驟利用非等向性干蝕刻將對應該開孔位置的薄板加以蝕去，而形成出若干的微孔；即可得微孔導板。
18.依據(jù)權利要求17所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述步驟3更包含有以下步驟以非等向性干蝕刻將對應該開孔位置的薄板蝕刻出預定深度的盲孔；利用背面薄化技術研磨薄板，使其盲孔成為貫通的微孔；即可得微孔導板。
19.依據(jù)權利要求17所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述非等向性干蝕刻為誘導耦合電漿蝕刻、電漿蝕刻、離子式蝕刻、深反應性離子蝕刻或聚焦離子束蝕刻。
20.依據(jù)權利要求17所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該薄板可界定出一第一面及一與該第一面相背的第二面；該遮蔽層是布設于該第一面上。
21.依據(jù)權利要求17所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述步驟2更包含有以下步驟于該薄板上沉積一氧化物層；于該氧化物層上布設一具有若干呈預定態(tài)樣開口的遮蔽層；以反應性離子蝕刻將位于該開口對應位置的氧化物層蝕去，使該氧化物層形成出若干與該開口相對的通孔。
22.依據(jù)權利要求21所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該氧化物層是由二氧化硅材料所制成。
23.依據(jù)權利要求17所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述步驟3更包含有以下步驟利用非等向性干蝕刻將對應于該開口位置的薄板蝕刻出預定深、寬度的盲孔；于該第一遮蔽層的頂面及該開口內面上沉積一氮化物層；于該第一遮蔽層上方布設一第二遮蔽層，且該第二遮蔽層對應該第一遮蔽層開口的位置形成有穿孔；利用反應性離子蝕刻技術，將位于該開口底部的氮化物層蝕去；利用非等向性干蝕刻技術將位在該開口底部的薄板盲孔加深其深度；去除第一遮蔽層及第二遮蔽層；去除該氮化物層；即可得微孔導板。
24.依據(jù)權利要求23所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該薄板可界定出一第一面及一與該第一面相背的第二面；該薄板的第一面及第二面上分別沉積有一第一氧化物層及一第二氧化物層；該第一遮蔽層是布設于該第一氧化物層上。
25.依據(jù)權利要求24所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述該氮化物層是以低壓化學氣相沉積的方式沉積而成。
26.依據(jù)權利要求1所述可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，其特征在于，所述步驟2及步驟3更包含有以下步驟該薄板可界定出一第一面及一與該第一面相背的第二面；于該薄板的第一面及第二面上分別布設一第一氧化物層及一第二氧化物層，并于該第一氧化物層及該第二氧化物層上布設一第一氮化物層及一第二氮化物層；于該第二氮化物層上布設一具有一開口的第一遮蔽層，再利用反應性離子蝕刻蝕去位在該開口內的第二氮化物層及位在該開口內的第二氧化物層；以非等向性濕蝕刻對位在該開口內的薄板進行預定深度及寬度的蝕刻去除，而形成出一凹陷區(qū)；去除該第一遮蔽層及該第一、二氮化物層；以反應性離子蝕刻蝕去部分位置的第一氧化物層，使該第一氧化物層形成出若干呈預定態(tài)樣的通孔及沉孔；于該第一氧化物層上布設一第二遮蔽層，且該第二遮蔽層形成有若干與該通孔及沉孔連通的穿孔；以非等向性干蝕刻將該通孔及沉孔內的薄板，蝕刻出具有預定的深、寬度的盲孔；去除第二遮蔽層；以非等向性干蝕刻蝕刻位在該通孔及沉孔內的薄板，使其盲孔加深深度。去除第一氧化物層及第二氧化物層；即可得含有連結座體的微孔導板。
27.一種可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，是應用于垂直式探針卡，用以提供探針側向的空間限制，并提供探針于微孔深度方向移動者，其特征在于，包含有一非金屬薄板，是利用非等向性蝕刻技術于該薄板上形成若干貫穿的微孔。
28.依據(jù)權利要求27所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該薄板是由硅、氮化鎵、砷化鎵或銦化磷其一材料所制成。
29.依據(jù)權利要求27所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該薄板是由適用于以非等向性蝕刻技術制作的半導體材料所制成。
30.依據(jù)權利要求27所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該薄板為由玻璃或陶瓷其一材料所制成。
31.依據(jù)權利要求27所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該薄板是由適用于以非等向性蝕刻技術制作的非導體材料所制成。
32.依據(jù)權利要求27所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該非等向性蝕刻為非等向性濕蝕刻。
33.依據(jù)權利要求32所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該非等向性濕蝕刻是采用氫氧化鉀、乙二胺鄰苯二酚、四甲基氫氧化銨或聯(lián)胺其中一蝕刻液。
34.依據(jù)權利要求27所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該非等向性蝕刻為非等向性干蝕刻。
35.依據(jù)權利要求34所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該非等向性干蝕刻為誘導耦合電漿蝕刻、電漿蝕刻、離子式蝕刻、深反應性離子蝕刻或聚焦離子束蝕刻其中一種。
36.依據(jù)權利要求27所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該微孔導板上披覆有絕緣材料。
37.依據(jù)權利要求36所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該絕緣材料為二氧化硅、氧化鋁或氧化鈦其中一種。
38.依據(jù)權利要求27所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述該微孔導板上披覆有高分子材料。
39.依據(jù)權利要求38所述可批次制造的垂直式探針卡微孔導板，其特征在于，所述高分子材料為聚酸亞胺。
全文摘要
本發(fā)明是一種可批次制造垂直式探針卡微孔導板的方法，包含有以下步驟取一非金屬材料的薄板；于該薄板上布設一具備預定態(tài)樣及數(shù)量開孔的遮蔽層；以非等向性干蝕刻將對應該開孔位置的薄板蝕刻出預定深度的盲孔；利用背面薄化技術研磨薄板，使其盲孔成為貫通的微孔；去除該遮蔽層；即可得微孔導板。
文檔編號G01R31/28GK1979176SQ200510129020
公開日2007年6月13日 申請日期2005年11月29日 優(yōu)先權日2005年11月29日
發(fā)明者程智勇, 范宏光, 陳志忠, 林信宏 申請人:旺矽科技股份有限公司