專利名稱：導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置與測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于晶圓層次(wafer level)的凸塊(bumps)測(cè)試相關(guān)技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種用于測(cè)試半導(dǎo)體構(gòu)件上導(dǎo)電凸塊(conductive bump)的測(cè)試裝置與測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品的覆晶(flip-chip)封裝是將電子構(gòu)件的主動(dòng)面朝下而直接電性連結(jié)于一基板，例如陶瓷基板、電路板或采用導(dǎo)電凸塊接墊載具(carrier)的基板。覆晶技術(shù)已迅速地取代采用焊線(wire)連結(jié)晶片朝上主動(dòng)面內(nèi)接墊的傳統(tǒng)打線接合技術(shù)。
覆晶封裝技術(shù)通常通過放置焊錫凸塊(solder bumps)于硅晶圓上的制程所達(dá)成。焊錫凸塊覆晶制程通常包括四道連續(xù)制程步驟，包括(1)準(zhǔn)備用于形成焊錫凸塊的晶圓；(2)形成并設(shè)置焊錫凸塊于上述晶圓上；(3)將晶圓上形成有焊錫凸塊的晶片貼附于一基板、一電路板或一載具(carrier)上；(4)通過一封底膠(underfill)形成其間的粘附并結(jié)束封裝。
覆晶封裝所使用的凸塊具有數(shù)種功能。當(dāng)凸塊上粘著有晶片時(shí)，凸塊提供了晶片至基板的導(dǎo)電途徑(conductive path)。此外，凸塊亦提供了一熱傳導(dǎo)路徑，以將來自晶片的熱能傳導(dǎo)至基板處。上述凸塊亦有助于晶片與基板的粘著。
當(dāng)今形成凸塊的方法包括蒸鍍(evaporation)、電鍍(electroplating)、無電電鍍(electroless plating)、濺鍍(sputtering)以及印刷法(stencil printing)。然而，形成于半導(dǎo)體構(gòu)件上凸塊品質(zhì)為于覆晶封裝后影響半導(dǎo)體晶片可靠度主要因素之一。不良的凸塊品質(zhì)可能造成半導(dǎo)體晶片無法通過后續(xù)測(cè)試，特別是可靠度(reliability)測(cè)試。
然而，目前形成于半導(dǎo)體構(gòu)件上凸塊僅可于半導(dǎo)體構(gòu)件的覆晶封裝完成后得到測(cè)試。
圖1與圖2圖示了現(xiàn)有用于判定凸塊(bump)品質(zhì)的菊花圈連線(daisy chain)測(cè)試法。請(qǐng)參照?qǐng)D1，如此的菊花圈連線測(cè)試法首先于一半導(dǎo)體基板(未圖示)的一測(cè)試晶片(test die)10上通過前述任何的凸塊形成方法以形成包括多個(gè)凸塊12的一凸塊陣列(bumparray)。每?jī)蓚€(gè)凸塊12則通過形成于測(cè)試晶片10表面上的一片段(segment)14連結(jié)，以形成一凸塊組(bump section)16。片段14具有導(dǎo)電性，因此可于測(cè)試晶片10上形成多個(gè)互為電性隔離的凸塊組16。接著，為了繞線(line routing)目的，于測(cè)試晶片10上可形成片段18以適當(dāng)?shù)剡B結(jié)兩特定的凸塊組16，其亦具有導(dǎo)電性。片段14、片段18例如為形成于測(cè)試晶片10表面的一短金屬片、一金屬導(dǎo)線(metal trace/conductive line)、或一焊墊(bondingpad)，其材料例如為鋁或鋁合金的導(dǎo)電材料。
如圖2所示，接著將圖1中具有多個(gè)凸塊組16的測(cè)試晶片10組裝至測(cè)試基板20上，測(cè)試基板20上則形成有多個(gè)片段22與錫球24。片段22與錫球24皆具有導(dǎo)電性。于測(cè)試晶片10上，各凸塊組16是對(duì)應(yīng)地設(shè)置于鄰近兩片段22的一位置，因此于測(cè)試晶片10完成封裝后可形成單一導(dǎo)電途徑(未圖示)。接著通過如預(yù)燒腳座(burn-in socket)的測(cè)試裝置，針對(duì)測(cè)試基板20與凸塊12進(jìn)行如阻抗測(cè)試(impedance test)的測(cè)試，以便檢驗(yàn)凸塊12以及形成此些凸塊12的凸塊制程。然而，如此的現(xiàn)有菊花圈連線檢測(cè)法需要花費(fèi)許多人工且較為耗時(shí)。再者，上述菊花圈連線檢測(cè)法僅用于評(píng)估一凸塊制程與其制程參數(shù)時(shí)使用，并不適用于當(dāng)今集成電路工業(yè)的產(chǎn)品晶片(product dies)測(cè)試與評(píng)估。
如此，便需要一種可即時(shí)檢測(cè)導(dǎo)電凸塊的裝置。于US2003/0141883號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案中，Mitchell等人揭露了一種探針卡(probe card)的測(cè)試裝置，其包括一對(duì)平行且肩并肩排列(side by side)的探針，以便于采用Kelvin技術(shù)時(shí)接觸單一導(dǎo)電凸塊或接觸點(diǎn)時(shí)，改善污染層的絕緣阻抗電壓下降(IR voltagedrops)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的就是提供一種測(cè)試裝置，通過測(cè)試其與形成于半導(dǎo)體構(gòu)件上的多個(gè)導(dǎo)電凸塊所形成的單一導(dǎo)電途徑，可即時(shí)掌握形成此些導(dǎo)電凸塊的凸塊制程品質(zhì)以及所形成的導(dǎo)電凸塊的電性表現(xiàn)。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，適用于測(cè)試多個(gè)導(dǎo)電凸塊，包括一支撐基板；以及分別設(shè)置于該支撐基板內(nèi)的一第一探針、一第二探針以及多個(gè)雙探針組，其中各個(gè)雙探針組包括電性連結(jié)的兩第三探針。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，該支撐基板包括陶瓷材料、環(huán)氧樹脂、樹脂、聚酰亞胺、FR4玻璃纖維或聚合物。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，該第一探針與該第二探針包括鎢-錸合金、鎢、鋨、鈀、鈹-銅合金、鈀-鉑-銀-銅合金或鈀-鉑-銀-金-銅-鋅合金等的材質(zhì)的探針。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，該雙探針組包括為一導(dǎo)電片段所連結(jié)的兩第三探針。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，該第三探針包括鎢-錸合金、鎢、鋨、鈀、鈹-銅合金、鈀-鉑-銀-銅合金或鈀-鉑-銀-金-銅-鋅合金等的材質(zhì)的探針。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，該導(dǎo)電片段為一金屬片或一焊墊。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，更包括一接觸孔，位于至少一雙探針組內(nèi)的該導(dǎo)電片段上。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，更包括一檢測(cè)器，分別耦接于該第一探針與該第二探針的一突出部，以測(cè)試該些導(dǎo)電凸塊，其中該第一探針與該第二探針的該些突出部分別突出于該支撐基板的一上表面。
除此之外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，包括下列步驟提供一基板，該基板上的一區(qū)內(nèi)形成有多個(gè)凸塊，其中每?jī)赏箟K間是為電性連結(jié)，以于該基板上形成多個(gè)凸決組；提供一測(cè)試板，該測(cè)試板上具有一第一探針、一第二探針以及多個(gè)雙探針組，其中各雙探針組是位于面對(duì)兩凸塊組的一對(duì)應(yīng)位置；將該測(cè)試板接觸該基板，以連結(jié)該些凸塊組與該第一探針、該第二探針以及該些雙探針組，以形成一單一導(dǎo)電途徑；以及耦接具有電源供應(yīng)器的一檢測(cè)器至該第一探針與該第二探針，提供該單一導(dǎo)電途徑一電壓，以測(cè)試該些凸塊。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，該測(cè)試板包括陶瓷材料、環(huán)氧樹脂、樹脂、聚酰亞胺、FR4玻璃纖維或聚合物。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，該雙探針組包括為一導(dǎo)電片段所連結(jié)的兩第三探針。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，該第一探針、該第二探針該些第三探針包括鎢-錸合金、鎢、鋨、鈀、鈹-銅合金、鈀-鉑-銀-銅合金或鈀-鉑-銀-金-銅-鋅合金等的材質(zhì)的探針。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，每?jī)赏箟K是為一金屬片或一焊墊電性連結(jié)，進(jìn)而形成該凸塊組。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，該區(qū)為一周邊區(qū)或一主動(dòng)區(qū)。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，該單一導(dǎo)電途徑的測(cè)試用以判定一凸塊制程是否合格。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，該單一導(dǎo)電途徑的測(cè)試用以判定一阻抗測(cè)試是否合格。
本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置與測(cè)試方法，可于凸塊形成后立即應(yīng)用，以便即時(shí)檢驗(yàn)所形成的凸塊品質(zhì)以及所應(yīng)用的凸塊制程。


圖1與圖2為示意圖，用以說明現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電凸塊的測(cè)試方法；圖3至圖6為一系列示意圖，用以說明依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電凸塊的測(cè)試裝置，其中圖4A至圖4C示出了該測(cè)試裝置的可能俯視情形；圖7為一流程圖，用以說明依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的導(dǎo)電凸塊的測(cè)試方法。
具體實(shí)施例方式
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下本發(fā)明的實(shí)施例將圖3至圖7作一詳細(xì)敘述如下。圖3至圖6為一系列示意圖，用以說明依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，而圖7為一流程圖，用以說明依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖示了測(cè)試導(dǎo)電凸塊的裝置100。在此，裝置100包括一支撐基板(support substrate)102，其內(nèi)形成有多個(gè)測(cè)試探針。支撐基板102包括如陶瓷材料、環(huán)氧樹脂、樹脂、聚酰亞胺(polyimide)、FR4玻璃纖維或聚合物的絕緣材料。測(cè)試探針則包括一第一探針106、一第二探針108以及一或多個(gè)雙探針組(dual-probe set)120，此些測(cè)試探針是依照一既定方式排列設(shè)置，以于測(cè)試凸塊時(shí)形成單一導(dǎo)電途徑。
第一探針106與第二探針108是突出于支撐基板102的上表面并分別露出其突出部112與114。設(shè)置于支撐基板102內(nèi)的雙探針組120則分別包括為形成于支撐基板102內(nèi)的第一導(dǎo)電片段118所連結(jié)的兩第三探針110。第一導(dǎo)電片段118可為一短金屬片，而于數(shù)個(gè)或所有雙探針組120上可更設(shè)置有接觸孔122，以分別露出第一導(dǎo)電片段118的一部分，以便于凸決陣列內(nèi)檢測(cè)故障或無效凸塊時(shí)作為額外的測(cè)試點(diǎn)之用。
圖4A至圖4C則顯示了依據(jù)本實(shí)施例中裝置100的可能俯視情形。如圖4A所示，第一探針106與第二探針108大體設(shè)置于支撐基板102的最遠(yuǎn)兩端，但并非以此情形加以限定本發(fā)明，在此僅繪示出其突出于支撐基板的突出部112與114而表示。而一或多個(gè)雙探針組120(未圖示)是設(shè)置于支撐基板102內(nèi)并分別露出其內(nèi)的接觸孔122。圖4B與圖4C則顯示了于支撐基板102內(nèi)的探針的其他可能設(shè)置情形。于圖4B中，第一探針以及第二探針是大體對(duì)角地設(shè)置于支撐基板102內(nèi)。另外，如圖4C所示，第一探針與第二探針之一亦可大體設(shè)置于支撐基板102的中心處。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，顯示了裝置100與位于一半導(dǎo)體基底200上的一對(duì)應(yīng)測(cè)試區(qū)150的剖面情形。在此，裝置100的第一探針106與第二探針108是以設(shè)置于支撐基板102的最遠(yuǎn)兩端的情形顯示，而于其間則設(shè)置有多個(gè)雙探針組120。然而，如圖5所示的探針排列情形并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)所對(duì)應(yīng)凸塊排列而適度修改圖5所示的探針設(shè)置情形。
如圖5所示，凸塊202是形成于覆蓋于半導(dǎo)體基底200上的一絕緣層204表面。為了施行凸塊測(cè)試的目的，裝置100是擺設(shè)于一測(cè)試區(qū)150上，測(cè)試區(qū)150內(nèi)具有由多個(gè)凸塊202所形成的一凸塊陣列。測(cè)試區(qū)150可為形成于一半導(dǎo)體基底200上通過如切割道(scribe line)的一無效區(qū)(dummy region)210所定義出的一產(chǎn)品晶片(product die)的周邊區(qū)(periphery region)或?yàn)橐粶y(cè)試晶片(test die)。凸塊202可通過如蒸鍍、電鍍、無電電鍍、濺鍍或印刷法等方式形成。于圖5中，每?jī)蓚€(gè)凸塊202分別為形成于絕緣層204內(nèi)的一第二導(dǎo)電片段206所電性連結(jié)，因此于測(cè)試區(qū)150內(nèi)形成多個(gè)凸塊組(bump section)208。此些凸塊組208是電性獨(dú)立且分別為絕緣層204所隔離。在此，第二導(dǎo)電片段206可為一短金屬片或一導(dǎo)電焊墊，其材質(zhì)例如為鋁或鋁合金的導(dǎo)電材料。上述探針106、108以及110例如為鎢-錸(W-Re)合金、鎢、鋨(osmium)、鈀(palladium)、鈹-銅(Be-Cu)合金等材質(zhì)的探針或Paliney探針，例如是Paliney-6探針(材質(zhì)為Pd-Pt-Ag-Cu合金)或Paliney-7探針(材質(zhì)為Pd-Pt-Au-Ag-Cu-Zn合金)。
圖6為一剖面圖，部分顯示了依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，于測(cè)試凸塊時(shí)裝置100與測(cè)試區(qū)150的相對(duì)情形。于測(cè)試凸塊時(shí)，通過如機(jī)械手臂的一握把或CNC自動(dòng)控制方式(皆未圖示)將裝置100朝向半導(dǎo)體基底200移動(dòng)，使得所有探針同時(shí)接觸于測(cè)試區(qū)150內(nèi)所有凸塊，如此形成一單一導(dǎo)電途徑(single conductivepath)，其中雙探針組120內(nèi)的各探針接觸兩鄰近凸塊組208其中凸塊之一，而第一探針106與第二探針108則通常分別接觸最遠(yuǎn)兩端的兩凸塊。接著提供將含有電源供應(yīng)器(未圖示)的檢測(cè)器(detector)300，并將之耦接于高于支撐基板102的突出部112與114，以便提供一既定電壓至上述導(dǎo)電途徑。如此，便可于凸塊形成后立即施行如阻抗測(cè)試(impedance test)、缺陷部位分析(defectsite diagnosis)、缺陷分布分析(defect distribution analysis)以及評(píng)估導(dǎo)電凸塊202的類似測(cè)試等晶圓層次(wafer level)測(cè)試。
倘若上述導(dǎo)電途徑可達(dá)到符合特定晶圓層次測(cè)試的規(guī)范值并得到可接受的測(cè)試結(jié)果時(shí)，便可確保所形成的凸塊以及形成此些凸塊的制程的品質(zhì)。倘若上述導(dǎo)電途徑無法達(dá)成符合該項(xiàng)晶圓層次測(cè)試的規(guī)范值的一可接受的測(cè)試結(jié)果時(shí)，將暫停形成此些凸塊的凸塊制程，并透過檢測(cè)器300以電性接觸于第一探針106、第二探針108其中之一以及為接觸孔122露出的雙探針阻120之一，以便檢測(cè)形成于產(chǎn)品晶片或測(cè)試晶片上的凸塊問題，并借此找出故障或無效的凸塊，以便進(jìn)行缺陷分析或缺陷分布分析。
圖7為一流程圖，用以說明依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電凸塊的測(cè)試方法。于步驟S1中，首先提供其上形成有多個(gè)凸塊的一基板，例如一半導(dǎo)體晶圓或一半導(dǎo)體晶片。所形成的凸塊可能依照特定陣列方式排列，且每?jī)赏箟K之間是通過一導(dǎo)電片段相連結(jié)而形成一凸塊組。于步驟S2中，接著提供一測(cè)試板(test plate)，例如為圖5所示的裝置100。測(cè)試板包括一第一探針、一第二探針以及至少一雙探針組。此些探針分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)于兩凸塊組的一位置。于步驟S3中，將測(cè)試板上的所有探針同時(shí)接觸基板上的所有凸塊。如此，以便形成單一導(dǎo)電途徑。于步驟S4中，接著耦接具有電源供應(yīng)器的一檢測(cè)器于第一探針與第二探針，并提供此單一導(dǎo)電途徑一既定電壓以便測(cè)試此些凸塊。于步驟S5中，接著判定所得到測(cè)試結(jié)果，例如為一阻抗量測(cè)值，是否符合測(cè)試規(guī)范。如果測(cè)試結(jié)果符合測(cè)試規(guī)范，于一半導(dǎo)體基底的產(chǎn)品晶片或測(cè)試晶片上形成此些凸塊的凸塊制程便通過上述晶圓層次的測(cè)試。如步驟S6所示，便可接著繼續(xù)后續(xù)的凸塊制程或后續(xù)覆晶封裝。如果測(cè)試結(jié)果不符合測(cè)試規(guī)范，上述基板便可能包含有故障凸塊或者形成此些凸決的凸塊制程可能有問題。如步驟S7所示，接著可應(yīng)用本發(fā)明的凸塊檢測(cè)方法，通過采用形成于各雙探針組上的接觸孔作為一測(cè)試點(diǎn)，并采用第一探針或第二探針作為另一個(gè)測(cè)試點(diǎn)，借以檢測(cè)的其他凸塊直到找出故障凸塊的區(qū)域。
本發(fā)明的裝置包括形成于一絕緣基板內(nèi)的兩單一探針以及一或多個(gè)雙探針組，其異于美國(guó)專利申請(qǐng)公開案第2003/0141833號(hào)內(nèi)所揭露于采用Kelvin技術(shù)時(shí)用于接觸單一導(dǎo)電凸塊或接觸點(diǎn)，以達(dá)到改善污染層的絕緣組抗電壓流失(IR voltage drops)的目的的包括一對(duì)平行且肩并肩(side by side)排列探針的探針卡(probecard)測(cè)試裝置。
于本發(fā)明中的探針是對(duì)應(yīng)地設(shè)置于形成于半導(dǎo)體基板內(nèi)凸塊的互補(bǔ)位置，并可透過兩者間所形成的單一導(dǎo)電途徑而達(dá)成多個(gè)凸塊的檢測(cè)。如此的單一導(dǎo)電途徑可應(yīng)用于任何晶圓層次的測(cè)試，其得到的測(cè)試結(jié)果便可顯示出所形成凸塊的表現(xiàn)。
本發(fā)明提供了一種用于測(cè)試導(dǎo)電凸塊的測(cè)試裝置以及相關(guān)的測(cè)試方法。本發(fā)明的測(cè)試裝置與測(cè)試方法可于凸塊形成后立即應(yīng)用，以便即時(shí)檢驗(yàn)所形成的凸塊品質(zhì)以及所應(yīng)用的凸塊制程。
雖然本發(fā)明已通過較佳實(shí)施例說明如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各種更改和補(bǔ)充，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下10測(cè)試晶片12凸塊14、18、22片段16凸塊組20測(cè)試基板24錫球100裝置
102支撐基板106第一探針108第二探針110第三探針112第一探針的突出部114第二探針的突出部118第一導(dǎo)電片段120雙探針組122接觸孔150測(cè)試區(qū)200半導(dǎo)體基底202凸塊204絕緣層206第二導(dǎo)電片段208凸塊組210無效區(qū)300檢測(cè)器
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，適用于檢測(cè)多個(gè)導(dǎo)電凸塊，其特征在于，所述導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置包括一支撐基板；以及一第一探針、一第二探針以及多個(gè)雙探針組分別設(shè)置于該支撐基板內(nèi)，其中各雙探針組包括兩電性連結(jié)的第三探針。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，其特征在于，該支撐基板包括陶瓷材料、環(huán)氧樹脂、樹脂、聚酰亞胺、FR4玻璃纖維或聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，其特征在于，該第一探針與該第二探針包括鎢-錸合金、鎢、鋨、鈀、鈹-銅合金、鈀-鉑-銀-銅合金或鈀-鉑-銀-金-銅-鋅合金的材質(zhì)的探針。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，其特征在于，該雙探針組包括為一導(dǎo)電片段所連結(jié)的兩第三探針。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，其特征在于，該第三探針包括鎢-錸合金、鎢、鋨、鈀、鈹-銅合金、鈀-鉑-銀-銅合金或鈀-鉑-銀-金-銅-鋅合金的材質(zhì)的探針。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，其特征在于，該導(dǎo)電片段為一金屬片或一焊墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，其特征在于，更包括一接觸孔，位于至少一雙探針組內(nèi)的該導(dǎo)電片段上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，其特征在于，更包括一檢測(cè)器，分別耦接于該第一探針與該第二探針的一突出部，以測(cè)試該導(dǎo)電凸塊，其中該第一探針與該第二探針的該突出部分別突出于該支撐基板的一上表面。
9.一種導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，其特征在于，所述導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法包括下列步驟提供一基板，該基板上的一區(qū)內(nèi)形成有多個(gè)凸塊，其中每?jī)赏箟K間是形成有電性連結(jié)，以于該基板上形成多個(gè)凸塊組；提供一測(cè)試板，該測(cè)試板上具有一第一探針、一第二探針以及多個(gè)雙探針組，其中各雙探針組是位于對(duì)應(yīng)兩凸塊組的一位置；將該測(cè)試板接觸該基板，以連結(jié)該凸塊組與該第一探針、該第二探針以及該雙探針組，以形成一單一導(dǎo)電途徑；以及耦接具有電源供應(yīng)器的一檢測(cè)器至該第一探針與該第二探針，提供該單一導(dǎo)電途徑一電壓以測(cè)試該凸塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，其特征在于，該測(cè)試板包括陶瓷材料、環(huán)氧樹脂、樹脂、聚酰亞胺、FR4玻璃纖維或聚合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，其特征在于，該雙探針組包括為一導(dǎo)電片段所連結(jié)的兩第三探針。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，其特征在于，該第一探針、該第二探針該第三探針包括鎢-錸合金、鎢、鋨、鈀、鈹-銅合金、鈀-鉑-銀-銅合金或鈀-鉑-銀-金-銅-鋅合金的材質(zhì)的探針。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，其特征在于，每?jī)赏箟K是為一金屬片或一焊墊電性連結(jié)，進(jìn)而形成該凸塊組。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，其特征在于，該區(qū)為一周邊區(qū)或一主動(dòng)區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，其特征在于，該單一導(dǎo)電途徑的測(cè)試用以判定一凸塊制程是否合格。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試方法，其特征在于，該單一導(dǎo)電途徑的測(cè)試用以判定一阻抗測(cè)試是否合格。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置與測(cè)試方法，所述導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置，適用于測(cè)試多個(gè)導(dǎo)電凸塊，包括一支撐基板；以及分別設(shè)置于該支撐基板內(nèi)的一第一探針、一第二探針以及多個(gè)雙探針組，其中各雙探針組包括兩電性連結(jié)的第三探針。本發(fā)明所述的導(dǎo)電凸塊測(cè)試裝置與測(cè)試方法，可于凸塊形成后立即應(yīng)用，以便即時(shí)檢驗(yàn)所形成的凸塊品質(zhì)以及所應(yīng)用的凸塊制程。
文檔編號(hào)G01R31/26GK1779935SQ200510117350
公開日2006年5月31日 申請(qǐng)日期2005年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月2日
發(fā)明者郭彥良 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司