專利名稱：接觸器及利用接觸器的測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種接觸器，特別是在如半導(dǎo)體器件這樣的電子元件的特性測試中利用的接觸器，以及關(guān)于利用該接觸器的測試方法。
背景技術(shù)：
近年來，對便攜式通信終端、移動(dòng)電話、數(shù)碼照相機(jī)等電子產(chǎn)品的小型化、輕量化的要求越來越高。與此相伴，對于在這些電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體器件等的電子元件，也期望小型化、輕量化。
作為滿足這種要求的半導(dǎo)體器件，常使用封裝為與IC芯片大致相同的的尺寸的、稱作芯片級封裝(CSPChip Size Package)的半導(dǎo)體器件。作為CSP的代表，例如可以舉出FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array，細(xì)間距球柵格陣列)、FLGA(Fine-pitch Land Grid Array，細(xì)間距平面柵格陣列)等。
另一方面，在如CPU(Central Processing Unit，中央處理器)這種計(jì)算機(jī)的中央運(yùn)算裝置中，隨著其集成度的提高，外部連接端子的數(shù)量也會(huì)不斷增加。其結(jié)果，與上述CSP不同，CPU的外形在增大，而且外部連接端子(電極)的管腳的數(shù)量在減少。作為使用在CPU.中的IC芯片，可以舉出BGA(Ball Grid Array，球柵格陣列封裝)，LGA(Land Grid Array，平面柵格陣列封裝)等。
如上述，半導(dǎo)體器件的形狀及外部連接端子的形狀、大小大有所不同，在市場中充斥著非常多種類的半導(dǎo)體器件，但所有半導(dǎo)體器件都在力求小型化、輕量化、提高集成度，并且力求電極的微小化及減少電極的管腳。
對于這類半導(dǎo)體器件，在其制造工程中需進(jìn)行特性測試，而在特性測試時(shí)半導(dǎo)體器件的外部連接端子需要暫時(shí)性的電性導(dǎo)通。為了使半導(dǎo)體器件與測試電路電連接，通常使用接觸器。如上述，隨著半導(dǎo)體器件的外部連接端子的微小化、以及管腳的減少，接觸器也應(yīng)該隨之變得微小且管腳減少。
這里，

圖1表示現(xiàn)有的接觸器的一個(gè)例子。圖1所示的接觸器2用于BGA型的半導(dǎo)體器件4的特性測試，具有多個(gè)接觸針6。各接觸針6具有與半導(dǎo)體器件4的外部連接端子4a接觸的接觸部、以及與測試用電路基板8的電極部8a連接的接觸部。當(dāng)從上方按壓半導(dǎo)體器件4時(shí)，接觸針6折曲，從而對半導(dǎo)體器件4的外部連接端子4a以及測試電路基板8的電極部8a施加適當(dāng)?shù)慕佑|壓力。
作為與本發(fā)明的背景技術(shù)相關(guān)的文獻(xiàn)，可以舉下列專利文獻(xiàn)。
專利文獻(xiàn)1JP特開平7-72212號公報(bào)專利文獻(xiàn)2JP特開平7-94249號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題在使用如上所述現(xiàn)有的接觸器進(jìn)行半導(dǎo)體器件的特性測試時(shí)，特別是在高頻設(shè)備的特性測試方面，有時(shí)接觸針的長度會(huì)產(chǎn)生電感(inductance感應(yīng)系數(shù))，并且在實(shí)施高頻率特性測試時(shí)成為噪聲發(fā)生源，導(dǎo)致很難充分進(jìn)行特性測試。
即，現(xiàn)有的接觸針(接觸件)的一端被電子元件按壓，該按壓力使接觸針彎曲，因該彎曲所而產(chǎn)生的負(fù)荷會(huì)使接觸針的相反側(cè)接觸并按壓測試電路基板的端子，從而在電子元件與測試電路基板之間形成導(dǎo)通路徑。這種現(xiàn)有的接觸針被用于測試?yán)缒M類的高頻設(shè)備的接觸器時(shí)，接觸針的長度便會(huì)產(chǎn)生電感(inductance感應(yīng)系數(shù))，而成為產(chǎn)生噪聲及交叉干擾等的主要原因。
因此，為了縮短接觸針的長度、縮短接觸件的導(dǎo)電路徑的長度，提出有各種形狀接觸器，但是在每年不斷提高的高頻率帶的狀況下，使用現(xiàn)有的接觸針難以進(jìn)行特性測試的情況越來越多。另外，導(dǎo)電路徑縮短，會(huì)出現(xiàn)如下的問題，即，不能充分地確保接觸器的彎曲量(stroke行程)，從而不能適用于量產(chǎn)時(shí)的自動(dòng)運(yùn)送裝置(test handler測試分選機(jī))等。
用于解決問題的方法本發(fā)明的主要的目的是，提供一種能夠解決上述問題的、改良的、有用的接觸器。
本發(fā)明的具體的目的在于，提供一種接觸器以及使用該接觸器的測試方法，該接觸器可以縮短從要接觸的電子元件的外部連接端子到測試電路基板的傳送距離，從而在高頻率特性測試中也能夠進(jìn)行特性測試。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種接觸器，用于將電子元件的端子與外部電路電連接，其特征在于，具有接觸器基板，其具有多個(gè)孔；多個(gè)接觸件，其由導(dǎo)電性材料形成，而且分別插入在該接觸器基板的各個(gè)孔，并且一部分從該孔突出而延伸；導(dǎo)電部，其形成在各個(gè)孔的內(nèi)壁面上，各個(gè)接觸件具有第一接觸部和第二接觸部，并通過該第二接觸部與上述外部電路電連接，其中，該第一接觸部與對應(yīng)的電子元件的一個(gè)端子接觸，而且，在上述接觸件的中間部分，該第二接觸部與上述導(dǎo)電部相接觸。
在本發(fā)明的接觸器中，優(yōu)選上述接觸件的第一端部形成上述第一接觸部，而且，上述接觸件的第一端部的相反側(cè)的第二端部呈大致V字狀，該第一端部與該第二端部之間的中間部分彎曲，并在該中間部分設(shè)置有與上述導(dǎo)電部相接觸的第二接觸部。
另外，上述接觸器基板可以包括與上述外部電路相連接的第一電路基板、以及由絕緣材料形成的絕緣基板，該第一電路基板與該絕緣基板相層疊，上述孔貫通該第一電路基板而延伸至該絕緣基板，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上述第一電路基板的上述孔的內(nèi)壁面上。
并且，上述接觸件的上述第二端部設(shè)置在上述絕緣基板的上述孔內(nèi)，上述接觸件的上述第二端部的前端與上述絕緣基板的上述孔的內(nèi)壁面相接觸。
另外，在上述接觸件的上述第一端部和上述中間部分之間設(shè)置有彎曲部，該彎曲部與上述孔的內(nèi)壁面的與上述第二接觸部相反的一側(cè)相接觸。
在本發(fā)明的接觸器中，上述接觸器基板可以具有第一電路基板、由絕緣材料形成的絕緣基板、以及第二電路基板，該第一電路基板、該絕緣基板以及該第二絕緣基板相層疊，上述孔貫通該第一電路基板以及該絕緣基板而延伸，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上述第一電路基板的上述孔的內(nèi)壁面上，上述第二電路基板在對應(yīng)于上述孔的底部的位置具有端子，上述接觸件的上述第二端部具有與該端子相接觸的第三接觸部。此時(shí)，上述接觸件的上述第二端部可以配置在上述絕緣基板的上述孔內(nèi)，上述第二端部的前端可以與上述絕緣基板的上述孔的內(nèi)壁面相接觸。另外，在上述接觸件的上述第一端部和上述中間部分之間可以設(shè)置有彎曲部，該彎曲部與上述孔的內(nèi)壁面的與上述第二接觸部相反的一側(cè)相接觸。
在上述的接觸器中，連接于上述第一電路基板的外部電路可以是傳送速度快的信號的處理電路，連接于上述第二電路基板的外部電路可以是與該處理電路相比傳送速度慢的電路。或者，上述第一電路基板和上述第二電路基板可以設(shè)定成相同電位，上述第一電路基板和第二電路基板基于開爾文連接方式相連接。
另外，在本發(fā)明的接觸器中，上述接觸器基板可以具有多個(gè)第一電路基板、由絕緣材料形成的多個(gè)絕緣基板、以及第二電路基板，該多個(gè)第一電路基板與該多個(gè)絕緣基板相層疊，上述孔貫通該第一電路基板以及該絕緣基板而延伸至該第二電路基板，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上述第一電路基板的上述孔的內(nèi)壁面上，上述第二電路基板在對應(yīng)于上述孔的底部的位置具有端子，上述接觸件的上述第二端部具有與該端子相接觸的第三接觸部。此時(shí)，上述接觸件的上述第二接觸部可以有選擇地設(shè)置在與上述導(dǎo)電膜相接觸的位置上，上述導(dǎo)電膜形成在上述多個(gè)第一電路基板中的其中之一。另外，上述接觸件的上述第二端部可以設(shè)置在上述絕緣基板的上述孔內(nèi)，上述第二端部的前端與上述絕緣基板的上述孔的內(nèi)壁面相接觸。
另外，在本發(fā)明的接觸器中，上述接觸器基板可以具有多個(gè)第一電路基板、由導(dǎo)電材料形成的多個(gè)導(dǎo)電基板、以及第二電路基板，該第一電路基板與該導(dǎo)電基板相層疊，上述孔貫通該第一電路基板以及該絕緣基板而延伸到該第二電路基板，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上述第一電路基板的上述孔的內(nèi)壁面上，在上述導(dǎo)電基板的上述孔的內(nèi)壁面上設(shè)置有由介電材料形成的絕緣部。此時(shí)，上述接觸件的上述第二端部可以配置在上述導(dǎo)電基板的上述孔內(nèi)，上述第二端部的前端與上述導(dǎo)電基板的上述絕緣部相接觸。另外，在上述接觸件的上述第一端部和上述中間部分之間可以設(shè)置有彎曲部，該彎曲部與上述孔的內(nèi)壁面的與上述第二接觸部相反的一側(cè)相接觸。
并且，在本發(fā)明的接觸器中，上述第一電路基板還可以具有焊盤部，該焊盤部從上述孔的內(nèi)壁面的上述導(dǎo)電部延伸而形成在上述第一電路基板的平面上，上述接觸件的上述第二端部的前端與該焊盤部相接觸。
另外，在本發(fā)明的接觸器中，上述接觸件的第一端部呈大致V字狀，而且形成上述第一接觸部，該第一端部和該第一端部的相反側(cè)的第二端部之間的中間部分彎曲，與上述導(dǎo)電部相接觸的第二接觸部設(shè)置在該中間部分，上述第一接觸部的前端與焊盤部相接觸，該焊盤部從上述導(dǎo)電部延伸而形成在上述接觸器基板的平面上。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種利用接觸器的測試方法，其特征在于，將電子元件的電極按壓在從基板的孔突出的接觸件的第一端部，通過按壓力使該接觸件彎曲，使得上述接觸件的上述第一端部與上述第一端部的相反側(cè)的第二端部之間的中間部分接觸到導(dǎo)電部，上述導(dǎo)電部設(shè)置在該基板的該孔的內(nèi)壁面上，將上述電子元件與該電路基板電連接，并進(jìn)行測試。
發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，按壓接觸件的一端而使其在中間部分彎曲，使彎曲的部分作為接觸點(diǎn)導(dǎo)通，從而接觸件的一端與中間部分的接觸點(diǎn)之間成為導(dǎo)通路徑。因此，導(dǎo)通路徑的長度比接觸件的兩端之間的間距短，從而可以減少因電感而產(chǎn)生的噪聲及交叉干擾。
附圖的簡單說明圖1是表示現(xiàn)有的接觸器的一個(gè)例子的剖視圖。
圖2是表示接觸器整體的立體圖。
圖3是圖2所示的接觸器的剖視圖。
圖4是設(shè)置有本發(fā)明第一實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖視圖。
圖5是表示圖4所示接觸件的變形例的剖視圖。
圖6是設(shè)置有本發(fā)明第二實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖視圖。
圖7是表示圖6所示的接觸器的導(dǎo)電路徑的剖視圖。
圖8是表示圖6所示的接觸器的導(dǎo)電路徑的剖視圖。
圖9是表示設(shè)置有將圖6中所示的絕緣基板替換為導(dǎo)電基板的接觸器的接觸件的局部剖視圖。
圖10是設(shè)置有本發(fā)明第三實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖視圖。
圖11是設(shè)置有本發(fā)明第四實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖視圖。
圖12是設(shè)置有本發(fā)明第五實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖視圖。
附圖標(biāo)記的說明12接觸器
14殼體14a開口部16，16A，16B，16C，16D，16D，16F接觸件18，18A，18C，18D接觸器基板18a孔20半導(dǎo)體器件22a外部連接端子22定位板24第一測試電路基板24a貫通孔24b導(dǎo)電膜24c焊盤部26，28，34，38絕緣基板26a，32a，36a，38a孔30第二測試電路基板30a端子32導(dǎo)電基板32b絕緣部36測試電路基板具體實(shí)施方式
首先，針對本發(fā)明的接觸器的整體結(jié)構(gòu)，參照圖2和圖3進(jìn)行說明。圖2是表示接觸器整體的立體圖，圖3是圖2所示接觸器的剖視圖。
如圖2所示，接觸器12由機(jī)殼14和接觸器基板18構(gòu)成，其中，該機(jī)殼14具有可插入半導(dǎo)體器件的開口部14a，該接觸器基板18設(shè)置有多個(gè)接觸件(接觸針)16。接觸件16的端部從開口部14a內(nèi)部露出。使作為被測試體的電子元件例如LSI(大規(guī)模集成電路)等半導(dǎo)體器件的外部連接端子接觸并按壓接觸件6，從而通過接觸件16使半導(dǎo)體器件的外部連接端子和包含在接觸器基板18內(nèi)的電路基板的端子電連接。
如圖3中具體表示，半導(dǎo)體器件20的內(nèi)面設(shè)置有多個(gè)例如焊球、凸點(diǎn)這樣的外部連接端子20a，半導(dǎo)體器件20以外部連接端子20a朝向下方的狀態(tài)設(shè)置于殼體14的開口部14a內(nèi)。這樣，外部連接端子20a與從開口部14a內(nèi)部突出來的接觸件16的前端相接觸。
各接觸件16分別設(shè)置于接觸器基板18的孔內(nèi)。在半導(dǎo)體器件20的外部連接端子20a與接觸件16的前端相接觸的狀態(tài)下，當(dāng)殼體14的蓋(未圖示)關(guān)閉時(shí)，半導(dǎo)體器件20被按壓，接觸件16因該壓力而彎曲，從而得到適當(dāng)?shù)慕佑|壓力。
此外，在接觸器基板18的上側(cè)配置有定位板22，在該定位板22上設(shè)置有接觸件16的定位孔。在接觸件16插入接觸器基板18的孔內(nèi)的狀態(tài)下，由定位板22的孔來保持其突出的前端，從而使得其維持直立的狀態(tài)。此外，如果可以將接觸件16獨(dú)自直立的設(shè)置于接觸器基板18的孔18a內(nèi)，則不一定需要定位板22。
接著，針對本發(fā)明的第一實(shí)施例中的接觸器，參照圖4進(jìn)行說明。圖4是設(shè)置有本發(fā)明的第一實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖面圖。
在圖4中，接觸件16設(shè)置于接觸器基板18的孔18a內(nèi)，且其前端部從孔18a突出。接觸件16的前端在第一接觸部A處與半導(dǎo)體器件20的外部連接端子20a相接觸。
接觸器基板18包括測試電路基板24、絕緣基板26及28。測試電路基板24具有貫通孔24a，該貫通孔24a作為接觸器基板18的孔18a的一部分，在該孔中配置有接觸件16；在貫通孔24a的內(nèi)壁面覆蓋例如鍍銅膜一樣的導(dǎo)電膜24b而形成有導(dǎo)電部。測試電路基板24是多層布線基板，且上述的貫通孔24a的內(nèi)壁面上的導(dǎo)電膜24b與形成于測試電路基板24的內(nèi)部的樣本(pattern)電路相連接。并且，印制電路連接至用于進(jìn)行半導(dǎo)體器件20的電氣特性測試的測試回路，從而進(jìn)行半導(dǎo)體器件20的測試。
絕緣基板26由絕緣性材料所形成，具有作為接觸器基板18的孔18a一部分的孔26a。另外，絕緣基板28是為了形成接觸器基板的孔18a的底面而設(shè)置的，并且與絕緣基板26同樣由絕緣材料形成。雖然在本實(shí)施例中，做成使絕緣基板26和絕緣基板28互相層疊的結(jié)構(gòu)，但也可以在一張絕緣性材料的板上形成具有底面的孔，從而做成一張絕緣基板。
接觸件16可以是細(xì)長的板狀或棒狀的導(dǎo)電材料，例如由銅形成；并且具有直線延伸的第一端部、彎曲的中間部分、在第一端部的相反側(cè)彎曲為大致V字形的第二端部。
在如上所述的結(jié)構(gòu)的接觸器中，配置在接觸器基板18的孔18a內(nèi)的接觸件16具有第一接觸部A，在該第一接觸部A，從孔18a突出的第一端部的前端與半導(dǎo)體器件20的外部連接端子20a相接觸。并且，彎曲的中間部分與測試電路基板24的貫通孔24a的內(nèi)壁面相接觸，該部分成為第二接觸部。即，接觸件16在長軸方向上的兩端(第一端部和第二端部)之間的中間部分具有電性觸點(diǎn)(第二接觸部B)。
在本實(shí)施例中，雖然彎曲為大致V字狀的接觸件16的第二端部形成有第三接觸部C，但其并不發(fā)揮電性觸點(diǎn)的作用。第二端部彎曲為大致V字狀，從而在接觸件16被按壓而彎曲(變形)時(shí)，第二接觸部的相反側(cè)與孔18a(孔26a)的內(nèi)壁面相抵接，使接觸件16的第二端部不會(huì)在孔18a內(nèi)移動(dòng)，從而防止第二端部在橫向移動(dòng)致使接觸件16傾倒。
如上所述，在本實(shí)施例中，接觸件16的第一端部的第一接觸部A、與該中間部分的第二接觸部B之間成為導(dǎo)通路徑，且比現(xiàn)有的接觸件的導(dǎo)通路徑短。因此，從半導(dǎo)體器件20的外部連接端子20a到測試電路基板24的傳送距離縮短，從而可在良好的狀態(tài)下進(jìn)行高頻率的特性測試。而且，還可以減少混入噪聲及產(chǎn)生交叉干擾。
此外，在圖4中，省略了支撐接觸件16的第一端部的定位板22(參照圖3)。而且，如圖5所示，也可以不設(shè)置定位板22，取而代之使接觸件16的第一端部變得更加彎曲，并且通過使其與接觸孔18a的內(nèi)壁面的與第二接觸部相反的一側(cè)相接觸，從而將接觸件16A自身直立配置在孔18a內(nèi)。此時(shí)，接觸件16A的導(dǎo)通路徑比接觸件16更短。此外，該接觸件16A的形狀也可以用于以下說明的其他實(shí)施例中。
接著，針對本發(fā)明的第二實(shí)施例的接觸器，參照6進(jìn)行說明。圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖視圖。在圖6中，對于與圖4所示的結(jié)構(gòu)元件相同的元件標(biāo)注以相同的附圖標(biāo)記，省略其說明。
本發(fā)明的第二實(shí)施例的接觸器，在上述的第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，將構(gòu)成接觸器基板18的絕緣基板28替換為測試電路基板30，除此之外與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。從而，本實(shí)施例的接觸器的接觸器基板18A具有測試電路基板24(以下稱為第一測試電路基板)、絕緣基板26、以及測試電路基板30(以下稱為第二測試電路基板)。
第二測試電路基板30在對應(yīng)于接觸器基板18的孔18a的底面的部分具有端子30a。端子30a與在第二測試電路基板30內(nèi)形成的印制電路30b相連接，且通過印制電路30b與測試電路相連接。
圖7是表示圖6所示的接觸器的導(dǎo)電路徑的剖面圖。如圖7所示，例如，在第一測試電路基板24上組裝有信號類電路，不但形成通過高頻率信號的短的導(dǎo)電路徑，而且在第二測試電路基板30上還形成工作頻率不高的路徑(例如，電源路徑及接地路徑)。即，優(yōu)選短導(dǎo)電路徑的信號路徑通過第二接觸部B而形成在第一測試電路基板24上，即使導(dǎo)電路徑長也無關(guān)緊要的信號路徑通過第三接觸點(diǎn)C而形成在第二測試電路基板30上，且連接至電源或接地電路。
或者，如圖8所示，也可以將第一測試電路基板24和第二測試電路基板30置為相同電位，通過第一測試電路基板24而連接至測量電路，也可以通過第二測試電路基板30而連接至激勵(lì)電路。由此，能夠通過開爾文(kelvin)式測定(4點(diǎn)式測定)進(jìn)行測試。
另外，通過將上述的接觸器基板18的絕緣基板26替換為導(dǎo)電基板，能夠降低噪聲的發(fā)生和交叉干擾。圖9是表示設(shè)置有將圖6中所示的絕緣基板26替換為導(dǎo)電基板的接觸器的接觸件的局部剖視圖。
取代絕緣基板26而設(shè)置的導(dǎo)電基板32由導(dǎo)電材料形成，該導(dǎo)電材料形成由銅、銅合金、不銹鋼等金屬構(gòu)成，與絕緣材料26同樣具有用于收納接觸件的孔32a。孔32a的內(nèi)壁面被由絕緣材料構(gòu)成的絕緣部32b所覆蓋。作為該電介質(zhì)材料，優(yōu)選使用例如以用于同軸電纜等的PTFE(Poly Tetra FluoroEthylene，聚四氟乙烯)等含氟樹脂為代表的低介電常數(shù)材料。
使用上述結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電基板32來形成接觸器基板18B，通過將導(dǎo)電基板32與第一測試電路基板24或第二測試電路基板30的接地端子或者電源端子相連接，能夠?qū)⒔佑|件16的周圍做成同軸結(jié)構(gòu)。由此，可以謀求接觸件16的阻抗匹配，且而還可以減少產(chǎn)生噪聲以及產(chǎn)生交叉干擾。對于工作頻率高的信號的設(shè)備、例如模擬信號等的情況下，通過輸入信號等而使其工作的時(shí)，有時(shí)會(huì)因接觸件之間的干涉等而會(huì)產(chǎn)生噪聲，但如上述用絕緣材料32b包住孔32a的內(nèi)壁面，可以防止接觸件之間的干涉，而且也可以減少產(chǎn)生噪聲以及產(chǎn)生交叉干擾。
此外，絕緣部32b的材料不僅限于上述的含氟樹脂，而可以選擇符合測試特性的各種絕緣材料。
接下來，針對本發(fā)明的第三實(shí)施例，參照圖10進(jìn)行說明。圖10是設(shè)置有本發(fā)明的第三實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖面圖。此外，在圖10中，表示有形狀各異的3種接觸件16B、16C、16D，但并不必要全部使用，只要選擇適當(dāng)使用即可。
圖10所示的接觸器基板18C，在圖6所示的接觸器基板18A的基礎(chǔ)上還設(shè)置有絕緣基板34及測試電路基板36。絕緣基板34與圖6所示的絕緣基板26結(jié)構(gòu)相同，測試用電路基板36也與圖6所示的測試孔電路基板24結(jié)構(gòu)相同。
在圖10中，左側(cè)所示的接觸件16B的中間部分長，在第二接觸部B處與在上側(cè)的測試基板36的孔36a的內(nèi)壁面形成的導(dǎo)電膜36b相接觸，且第三接觸部C中的大致V字狀的端部與測試電路基板30的端子30a相接觸。
另一方面，中間所示的接觸件16C的端部長，在第二接觸部B處與下方的測試基板24相接觸，在第三接觸部C處大致V字狀的端部與測試電路基板30的端子30a相接觸。右側(cè)所示的接觸件16D在其中間部分沒有彎曲部，因此也就沒有第二接觸部B。即，接觸件16D的上端與半導(dǎo)體器件20的外部連接端子20a相接觸，且其相反側(cè)的端部與測試電路基板30的端子30a相接觸。
通過適當(dāng)?shù)剡x擇使用上述接觸件16B、16C、16D，可以將外部連接端子20a連接至測試電路基板24、30、36。由此，例如不必對每一種半導(dǎo)體器件20都要制造相應(yīng)的接觸器基板，從而可實(shí)現(xiàn)接觸器基板的通用化。
此外，將接觸器基板18C以分別獨(dú)立形成各基板并將各基板層疊粘合的方式形成也可，或者將一個(gè)基板制作成多層的基板也可。
接下來，針對本發(fā)明的第四實(shí)施例，參照圖11進(jìn)行說明。圖11是設(shè)置有本發(fā)明第四實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖視圖。在圖11中，對于與圖6所示結(jié)構(gòu)元件相同的元件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并且省略其說明。
本實(shí)施例中的接觸器，雖然接觸件16E的大致V字形端部的前端是發(fā)揮第四接觸部D的作用點(diǎn)，但是與圖6所示的接觸器不同。為了設(shè)置第四接觸部D，接觸件16E的大致V字形端部比圖6所示的接觸件16的大致V字形端部更大。由此，接觸件16E的大致V字形端部，與作為測試電路基板24的導(dǎo)電膜24b的延長部分而形成的焊盤部24c相接觸。該部分成為第四接觸部D。使絕緣基板38的孔38a大于圖6所示的絕緣基板26的孔26a，從而使得接觸件16E的大致V字形端部的前端能夠在測試電路基板24與絕緣基板36之間接觸到焊盤部24c。
如上所述，通過設(shè)置第四接觸部D，能夠使其與測試電路基板更可靠的接觸，從而能夠提高測試的可靠性。
接下來，針對本發(fā)明的第五實(shí)施例，參照圖12進(jìn)行說明。圖12是設(shè)置有本發(fā)明第五實(shí)施例的接觸器的接觸件的局部放大剖視圖。在圖12中，對于與圖11所示的結(jié)構(gòu)元件相同的元件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，且省略其說明。
在本實(shí)施例當(dāng)中，將圖11所示的接觸件16E替換為不同形狀的接觸件16F，其它部分的結(jié)構(gòu)與圖11所示結(jié)構(gòu)的相同。接觸件16F的形狀為將圖11所示的接觸件16E的上下顛倒過來的形狀，且其與半導(dǎo)體器件20的外部連接端子20a相接觸的部分成為大致V字形端部。因此，大致V字形端部的前端與測試電路基板24的焊盤部24c相接觸，形成第四接觸部D。
如上所述，通過設(shè)置第四接觸部D，能夠使其更加可靠地與測試電路基板相接觸，從而能夠提高測試的可靠性。此外，在本實(shí)施例中，第一接觸部A與第四接觸部D之間的間距，比第一接觸部A與第二接觸部B之間的間距短，因此可形成更短的導(dǎo)電路徑。
本發(fā)明并不僅限于具體公開的實(shí)施例，而可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)構(gòu)成多種變形例和改良例。
產(chǎn)業(yè)中利用的可能性如上述說明，本發(fā)明適用于，在對使用高頻率信號的半導(dǎo)體器件那樣的電子元件進(jìn)行特性測試時(shí)實(shí)現(xiàn)電性接觸的接觸器。
權(quán)利要求
1.一種接觸器，用于將電子元件的端子與外部電路電連接，其特征在于，具有接觸器基板，其具有多個(gè)孔；多個(gè)接觸件，其由導(dǎo)電性材料形成，而且分別插入在該接觸器基板的各個(gè)孔，并且一部分從該孔突出而延伸；導(dǎo)電部，其形成在各個(gè)孔的內(nèi)壁面上，各個(gè)接觸件具有第一接觸部和第二接觸部，并通過該第二接觸部與上述外部電路電連接，其中，該第一接觸部與對應(yīng)的電子元件的一個(gè)端子接觸，而且，在上述接觸件的中間部分，該第二接觸部與上述導(dǎo)電部相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的接觸器，其特征在于，上述接觸件的第一端部形成上述第一接觸部，而且，上述接觸件的第一端部的相反側(cè)的第二端部呈大致V字狀，該第一端部與該第二端部之間的中間部分彎曲，并在該中間部分設(shè)置有與上述導(dǎo)電部相接觸的第二接觸部。
3.如權(quán)利要求2所述的接觸器，其特征在于，上述接觸器基板包括與上述外部電路相連接的第一電路基板、以及由絕緣材料形成的絕緣基板，該第一電路基板與該絕緣基板相層疊，上述孔貫通該第一電路基板而延伸至該絕緣基板，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上述第一電路基板的上述孔的內(nèi)壁面上。
4.如權(quán)利要求3所述的接觸器，其特征在于，上述接觸件的上述第二端部設(shè)置在上述絕緣基板的上述孔內(nèi)，上述接觸件的上述第二端部的前端與上述絕緣基板的上述孔的內(nèi)壁面相接觸。
5.如權(quán)利要求4所述的接觸器，其特征在于，在上述接觸件的上述第一端部和上述中間部分之間設(shè)置有彎曲部，該彎曲部與上述孔的內(nèi)壁面的與上述第二接觸部相反的一側(cè)相接觸。
6.如權(quán)利要求2所述的接觸器，其特征在于，上述接觸器基板具有第一電路基板、由絕緣材料形成的絕緣基板、以及第二電路基板，該第一電路基板、該絕緣基板以及該第二絕緣基板相層疊，上述孔貫通該第一電路基板以及該絕緣基板而延伸，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上述第一電路基板的上述孔的內(nèi)壁面上，上述第二電路基板在對應(yīng)于上述孔的底部的位置具有端子，上述接觸件的上述第二端部具有與該端子相接觸的第三接觸部。
7.如權(quán)利要求6所述的接觸器，其特征在于，上述接觸件的上述第二端部配置在上述絕緣基板的上述孔內(nèi)，上述第二端部的前端與上述絕緣基板的上述孔的內(nèi)壁面相接觸。
8.如權(quán)利要求7所述的接觸器，其特征在于，在上述接觸件的上述第一端部和上述中間部分之間設(shè)置有彎曲部，該彎曲部與上述孔的內(nèi)壁面的與上述第二接觸部相反的一側(cè)相接觸。
9.如權(quán)利要求6所述的接觸器，其特征在于，連接于上述第一電路基板的外部電路是傳送速度快的信號的處理電路，連接于上述第二電路基板的外部電路是與該處理電路相比傳送速度慢的電路。
10.如權(quán)利要求6所述的接觸器，其特征在于，上述第一電路基板和上述第二電路基板設(shè)定成相同電位，上述第一電路基板和第二電路基板基于開爾文連接方式相連接。
11.如權(quán)利要求2所述的接觸器，其特征在于，上述接觸器基板具有多個(gè)第一電路基板、由絕緣材料形成的多個(gè)絕緣基板、以及第二電路基板，該多個(gè)第一電路基板與該多個(gè)絕緣基板相層疊，上述孔貫通該第一電路基板以及該絕緣基板而延伸至該第二電路基板，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上述第一電路基板的上述孔的內(nèi)壁面上，上述第二電路基板在對應(yīng)于上述孔的底部的位置具有端子，上述接觸件的上述第二端部具有與該端子相接觸的第三接觸部。
12.如權(quán)利要求11所述的接觸器，其特征在于，上述接觸件的上述第二接觸部有選擇地設(shè)置在與上述導(dǎo)電膜相接觸的位置上，上述導(dǎo)電膜形成在上述多個(gè)第一電路基板中的其中之一。
13.如權(quán)利要求11所述的接觸器，其特征在于，上述接觸件的上述第二端部設(shè)置在上述絕緣基板的上述孔內(nèi)，上述第二端部的前端與上述絕緣基板的上述孔的內(nèi)壁面相接觸。
14.如權(quán)利要求2所述的接觸器，其特征在于，上述接觸器基板具有多個(gè)第一電路基板、由導(dǎo)電材料形成的多個(gè)導(dǎo)電基板、以及第二電路基板，該第一電路基板與該導(dǎo)電基板相層疊，上述孔貫通該第一電路基板以及該絕緣基板而延伸到該第二電路基板，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上述第一電路基板的上述孔的內(nèi)壁面上，在上述導(dǎo)電基板的上述孔的內(nèi)壁面上設(shè)置有由介電材料形成的絕緣部。
15.如權(quán)利要求14所述的接觸器，其特征在于，上述接觸件的上述第二端部配置在上述導(dǎo)電基板的上述孔內(nèi)，上述第二端部的前端與上述導(dǎo)電基板的上述絕緣部相接觸。
16.如權(quán)利要求14所述的接觸器，其特征在于，在上述接觸件的上述第一端部和上述中間部分之間設(shè)置有彎曲部，該彎曲部與上述孔的內(nèi)壁面的與上述第二接觸部相反的一側(cè)相接觸。
17.如權(quán)利要求6所述的接觸器，其特征在于，上述第一電路基板還具有焊盤部，該焊盤部從上述孔的內(nèi)壁面的上述導(dǎo)電部延伸而形成在上述第一電路基板的平面上，上述接觸件的上述第二端部的前端與該焊盤部相接觸。
18.如權(quán)利要求1所述的接觸器，其特征在于，上述接觸件的第一端部呈大致V字狀，而且形成上述第一接觸部，該第一端部和該第一端部的相反側(cè)的第二端部之間的中間部分彎曲，與上述導(dǎo)電部相接觸的第二接觸部設(shè)置在該中間部分，上述第一接觸部的前端與焊盤部相接觸，該焊盤部從上述導(dǎo)電部延伸而形成在上述接觸器基板的平面上。
19.一種利用接觸器的測試方法，其特征在于，將電子元件的電極按壓在從基板的孔突出的接觸件的第一端部，通過按壓力使該接觸件彎曲，使得上述接觸件的上述第一端部與上述第一端部的相反側(cè)的第二端部之間的中間部分接觸到導(dǎo)電部，上述導(dǎo)電部設(shè)置在該基板的該孔的內(nèi)壁面上，將上述電子元件與該電路基板電連接，并進(jìn)行測試。
全文摘要
由導(dǎo)電性材料形成的接觸件分別設(shè)置在接觸器基板上的多個(gè)孔內(nèi)。在各孔的內(nèi)壁面上形成有導(dǎo)電部。接觸件具有與電子元件的端子相接觸的第一接觸部、在中間部分與導(dǎo)電部相接觸的第二接觸部。當(dāng)?shù)谝唤佑|部被按壓而使接觸件彎曲時(shí)，第二接觸部與接觸器基板的導(dǎo)電部相接觸而能夠得到適當(dāng)?shù)慕佑|壓力。
文檔編號G01R1/073GK101061609SQ20048004442
公開日2007年10月24日 申請日期2004年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月16日
發(fā)明者小泉大輔, 小橋直人, 田代一宏, 熊田原巧 申請人:富士通株式會(huì)社