專利名稱：光譜分析用旋流氣室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種光譜分析用旋流氣室。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有對稀有難熔及稀土光譜分析中，通常采用的設(shè)備如圖3所示由火花放電光源裝置2’激勵電極3’產(chǎn)生電弧、火花，激發(fā)電極穴6’中被測物質(zhì)，產(chǎn)生的等離子體，可通過光譜分析儀4’對其進行拍攝、統(tǒng)計、分析，通過通入Ar氣(可由Ar氣瓶5’提供)使電弧、火花與外圍氧氣隔離，以在火花激發(fā)中用作防氧化氣氛保護。通常的做法是采用一上下直通式氣氛控制箱1’，直接由一口通入Ar氣，另一口出氣(圖中箭頭指示的為氣路走向)，而形成對火花的包圍，但相對來說，這種直通式氣氛控制箱耗氣量大，每分鐘用氣量為20升/分，且對電容火花放電保護效果不佳；且連續(xù)工作性差，每檢測一次需要停機更換電極穴中的被測物質(zhì)后再啟動。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種光譜分析用旋流氣室，采用該裝置與大電容火花光源聯(lián)合使用，可進一步提高分析靈敏度，降低大火花帶來的大背景輻射。
為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采取以下設(shè)計方案一種光譜分析用旋流氣室，包括帶有上下氣孔的氣氛控制室本體，在氣氛控制室的兩相對側(cè)各開一進氣口，切向進入Ar氣3-4升/分。
在氣氛控制室的非進氣口側(cè)設(shè)一石英窗。
本實用新型的優(yōu)點是Ar氣控制效果更佳，可進一步減小主體的影響，提高高激發(fā)電位雜質(zhì)的激發(fā)效率。一方面降低大電容火花帶來的大背景輻射，提高信-噪比及分析靈敏度，另一方面可降低電極溫度，提高濺射蒸發(fā)的程度及火花穩(wěn)定性。


圖1為本實用新型光譜分析用旋流氣室結(jié)構(gòu)示意圖圖2為圖1中A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖(圖中箭頭指示的為氣路走向)圖3為現(xiàn)有光譜分析中整體設(shè)備系統(tǒng)構(gòu)成示意圖具體實施方式
如圖1所示，本實用新型光譜分析用旋流氣室包括帶有上下氣孔101的氣氛控制箱本體1，在氣氛控制箱的兩相對側(cè)各開一進氣口21、22。
上述兩進氣口為管道式氣口，其中一管道式氣口與另一管道式氣口的延線夾角θ為12～18°。
在氣氛控制箱的非進氣口側(cè)設(shè)一石英窗3。該石英窗可制成磨口的扣蓋式，工作時，扣蓋301扣上，只起視窗作用，非工作狀態(tài)時，扣蓋301可拿下，以方便對氣氛控制箱清理。
采用本實用新型光譜分析用旋流氣室進行純Ar氣控制，其工作原理及過程是用渦流進氣，由電極周圍出氣，消除了以往直通式氣氛控制箱中流速大，氣壓小而引起周圍空氣的進入，從而控制氣氛效果好，并且對等離子體有熱箍束效應(yīng)，從而提高等離子體的溫度和激發(fā)效率。通過實驗測定，讓兩管道式氣口呈一定夾角會使氣氛控制效果更好。
權(quán)利要求1.一種光譜分析用旋流氣室，包括帶有上下氣孔的氣氛控制箱本體，其特征在于在氣氛控制箱的兩相對側(cè)各開一進氣口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜分析用旋流氣室，其特征在于兩進氣口為管道式氣口，其中一管道式氣口與另一管道式氣口的延線夾角θ為12～18°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜分析用旋流氣室，其特征在于在氣氛控制箱的非進氣口側(cè)設(shè)一石英窗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜分析用旋流氣室，其特征在于所述的石英窗帶有磨口的扣合蓋。
專利摘要本實用新型公開了一種光譜分析用旋流氣室，包括帶有上下氣孔的氣氛控制室本體，在氣氛控制室的兩相對側(cè)各開一進氣口切向進入Ar氣。在氣氛控制室的非進氣口側(cè)設(shè)一石英窗。采用該旋流氣室可將通入的Ar氣形成渦流進氣，由電極周圍出氣，消除了以往直通式氣氛控制箱的弊端，產(chǎn)生一種高效的氣氛控制效果。
文檔編號G01N21/62GK2769882SQ20042012010
公開日2006年4月5日 申請日期2004年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
發(fā)明者錢伯仁, 潘元海, 王長華 申請人:北京有色金屬研究總院