專利名稱：一種表面貼裝電容器的測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)于電容器的測(cè)試裝置，尤其涉及對(duì)表面貼裝電容器的測(cè)試裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，電信設(shè)備和計(jì)算機(jī)外設(shè)等高端電子產(chǎn)品的功能越來越強(qiáng)，然而它們的尺寸和重量卻在不斷縮減，這是通過元器件和系統(tǒng)基底的集成化和小型化才能得以實(shí)現(xiàn)。在這種情形下，SOC技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。SOC(System On Chip)技術(shù)即系統(tǒng)單芯片技術(shù)，是將一個(gè)完整的電子系統(tǒng)集成在單一的芯片上，以達(dá)到提高系統(tǒng)集成度及穩(wěn)定性，將低成本的目的。實(shí)現(xiàn)SOC技術(shù)的關(guān)鍵除了不斷的提高芯片的集成度以外，如何將某些外圍電路也集成在一起也是一個(gè)重要的技術(shù)難點(diǎn)。SMT就是解決外圍電路集成的一個(gè)工藝的方案。SMT(Surface Mount Technology)即表面貼裝技術(shù)，具有組裝密度高、電子產(chǎn)品體積小、重量輕、可靠性高、抗振能力強(qiáng)、高頻特性好等特點(diǎn)。同樣的，由于SMT技術(shù)的這些特點(diǎn)，對(duì)于SMT產(chǎn)品的測(cè)試技術(shù)就顯得尤為重要。
而現(xiàn)行的SMT測(cè)試技術(shù)如AOI(Automated OpticalInspection)，ICT(In-Circuit Test)，AXI(Automated X-ray Inspection)等無一例外的需要大型的，昂貴的設(shè)備。這些設(shè)備對(duì)于在基片上的簡(jiǎn)單的分立元件來說實(shí)在是顯得大材小用。不論是從成本還是效率上考慮都顯得不太合適。
實(shí)用新型內(nèi)容因此，本實(shí)用新型的目的即在于提供一種表面貼裝電容器的測(cè)試裝置，該裝置可以對(duì)表面貼裝置元件中的電容器進(jìn)行測(cè)試，其具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)上述目的，本實(shí)用新型提供的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置包括RC振蕩電路，包括電阻器和555門電路，其中，將待測(cè)電容構(gòu)成該RC振蕩電路中的電容器；脈沖計(jì)數(shù)器，與所述RC振蕩電路相邊，對(duì)RC振蕩電路產(chǎn)生的振蕩脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)；基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)有待測(cè)電容器的基準(zhǔn)值；和比較器，與所述脈沖計(jì)數(shù)器與所述基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器相連，將所述脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值與所述基準(zhǔn)存儲(chǔ)器的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果。
如上所述的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置，所述脈沖數(shù)器、所述基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器和所述比較器用單片機(jī)來實(shí)現(xiàn)。
如上所述的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置，所述基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器存儲(chǔ)了待測(cè)電容器電容值容許范圍內(nèi)的上限值和下限值。
如上所述的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置，還包括兩個(gè)發(fā)光色不同的發(fā)光二極管，與所述比較器相連；如果所述比較器的比較結(jié)果是所述脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值超出此上限值和下限值的范圍，則所述比較器驅(qū)動(dòng)與之相連的兩個(gè)發(fā)光二極管之一發(fā)光；如果所述比較器的比較結(jié)果是所述脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值在此上限值和下限值的范圍內(nèi)，則所述比較器驅(qū)動(dòng)與之相連的兩個(gè)發(fā)光二極管之另一發(fā)光。
如上所述，本實(shí)用新型具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制成本低廉的優(yōu)點(diǎn)，克服了目前大型設(shè)備的高成本。


圖1是本實(shí)用新型的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置的方框圖；圖2是圖1中的RC振蕩電路的電路圖；圖3是圖1中的脈沖計(jì)數(shù)器、基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器和比較器的電路圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參見圖1，圖1示出了本實(shí)用新型的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置的方框圖。如圖1所示，本實(shí)用新型的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置包括RC振蕩電路10、脈沖計(jì)數(shù)器20、基準(zhǔn)值存儲(chǔ)順30和比較器。
RC振蕩電路10可以采用標(biāo)準(zhǔn)的RC振蕩電路，該振蕩電路10的振蕩頻率由電路中的電阻器和電容器的值決定。在本實(shí)用新型中，把待測(cè)電容器作為RC振蕩電路10的一部分，如此，通過檢測(cè)出該RC振蕩電路10產(chǎn)生的振蕩頻率即可得出該待測(cè)電容器的電容值。
圖2示出了圖1中的RC振蕩電路10的一個(gè)具體電路圖。如圖2所示，該RC振蕩電路由一個(gè)NE555門電路U3和電容器C和電阻器R構(gòu)成。待測(cè)電容器CN與電容器C并聯(lián)，共同構(gòu)成影響RC振蕩電路振蕩頻率的因素。其振蕩周期T＝0.7R(C+CN)，振蕩信號(hào)由門電路U3的腳3輸出，集成電路U2(型號(hào)為4013)接收該振蕩信號(hào)，其輸出端腳1在該振蕩信號(hào)的一個(gè)周期T內(nèi)輸出一定數(shù)量的脈沖信號(hào)P。
再回到圖1所示，脈沖計(jì)數(shù)器20與RC振蕩電路10相連接，用于對(duì)RC振蕩電路10產(chǎn)生的脈沖信號(hào)P進(jìn)行計(jì)數(shù)。
基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器30存儲(chǔ)有待測(cè)電容器的基準(zhǔn)值。例如，要求待測(cè)電容器CN所對(duì)應(yīng)的脈沖數(shù)為1000個(gè)，同時(shí)，允許其容許范圍為正負(fù)1％，則在基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器30中存儲(chǔ)有1010脈沖數(shù)作為上限值，990脈沖數(shù)作為下限值。
比較器40分別與脈沖計(jì)數(shù)器20和基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器30相連，將兩者的數(shù)值進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果。如果脈沖計(jì)數(shù)器20的計(jì)數(shù)值超出了基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器30中存儲(chǔ)的上、下限值，則表示待測(cè)電容器CN的電容值不正確，比較器40輸出表示電容值不正確的信號(hào)；如果脈沖計(jì)數(shù)器20的計(jì)數(shù)值在基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器30中存儲(chǔ)的上、下限值內(nèi)，則表示待測(cè)電容器CN的電容值正確，比較器40輸出表示電容值正確的信號(hào)。
圖3示出了圖1中的脈沖計(jì)數(shù)器20、基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器30和比較器40的具體電路圖。在本實(shí)施例中，主要由單片機(jī)通過編程來實(shí)現(xiàn)這些部件的上述功能。單片機(jī)U1接收RC振蕩電路10輸出的脈沖信號(hào)P，并計(jì)數(shù)，然后將該計(jì)數(shù)值與基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的基準(zhǔn)上限值和基準(zhǔn)下限值進(jìn)行如上的比較。比較的結(jié)果，例如表示電容值正確的信號(hào)和表示電容值不正確的信號(hào)可以輸出到其它設(shè)備，例如顯示設(shè)備或者型號(hào)為SMART-1 Open/Short Tester(一個(gè)表面貼裝元件的斷路/短路測(cè)試機(jī))中，進(jìn)行處理。在本實(shí)施例中，也可以設(shè)置簡(jiǎn)單的顯示元件，例如，可以分別設(shè)置一個(gè)紅色發(fā)光二極管和一個(gè)綠色發(fā)光二極管。如果比較器的比較結(jié)果是脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值超出基準(zhǔn)上限值和下限值的范圍，則比較器驅(qū)動(dòng)與之相連的紅色發(fā)光二極管發(fā)光；如果比較器的比較結(jié)果是脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值在此基準(zhǔn)上限值和下限值的范圍內(nèi)，則比較器驅(qū)動(dòng)與之相連的綠色發(fā)光二極管發(fā)光。當(dāng)然這里的紅色發(fā)光二極管和綠色發(fā)光二極管是人為規(guī)定的，也可以根據(jù)實(shí)際需要和使用習(xí)慣改用其它顏色的發(fā)光二極管。
以上以一個(gè)具體的實(shí)施例詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置。但應(yīng)當(dāng)理解，上述的描述只是一個(gè)具體的實(shí)施例而已。本領(lǐng)域技術(shù)人員，根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，可以作出多種變化，例如，RC振蕩電路也可以有許多其它的電路形式；脈沖計(jì)數(shù)器、比較器等也可以采用分立元件實(shí)現(xiàn)，而這些變化利用目前的已有技術(shù)都是可以實(shí)現(xiàn)的。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不應(yīng)受此具體實(shí)施例的限制。
權(quán)利要求1.一種表面貼裝電容器的測(cè)試裝置，包括RC振蕩電路，包括電阻器和555門電路，其中，將待測(cè)電容構(gòu)成該RC振蕩電路中的電容器；脈沖計(jì)數(shù)器，與所述RC振蕩電路相邊，對(duì)RC振蕩電路產(chǎn)生的振蕩脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)；基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)有待測(cè)電容器的基準(zhǔn)值；和比較器，與所述脈沖計(jì)數(shù)器與所述基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器相連，將所述脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值與所述基準(zhǔn)存儲(chǔ)器的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果。
2.如權(quán)利要求1所述的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置，其特征在于，所述脈沖數(shù)器、所述基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器和所述比較器用單片機(jī)來實(shí)現(xiàn)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置，其特征在于，所述基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器存儲(chǔ)了待測(cè)電容器電容值容許范圍內(nèi)的上限值和下限值。
4.如權(quán)利要求3所述的表面貼裝電容器的測(cè)試裝置，其特征在于，還包括兩個(gè)發(fā)光色不同的發(fā)光二極管，與所述比較器相連；如果所述比較器的比較結(jié)果是所述脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值超出此上限值和下限值的范圍，則所述比較器驅(qū)動(dòng)與之相連的兩個(gè)發(fā)光二極管之一發(fā)光；如果所述比較器的比較結(jié)果是所述脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值在此上限值和下限值的范圍內(nèi)，則所述比較器驅(qū)動(dòng)與之相連的兩個(gè)發(fā)光二極管之另一發(fā)光。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種表面貼裝電容器的測(cè)試裝置。傳統(tǒng)的表面貼裝電容器的測(cè)試采用大型設(shè)備來進(jìn)行，對(duì)于這類簡(jiǎn)單的分立元件的測(cè)試來說，顯得大材小用，成本較高。本實(shí)用新型提供一種表面貼裝電容器的測(cè)試裝置包括RC振蕩電路，包括電阻器和555門電路，其中，將待測(cè)電容構(gòu)成該RC振蕩電路中的電容器；脈沖計(jì)數(shù)器，與所述RC振蕩電路相邊，對(duì)RC振蕩電路產(chǎn)生的振蕩脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)；基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)有待測(cè)電容器的基準(zhǔn)值；和比較器，與所述脈沖計(jì)數(shù)器與所述基準(zhǔn)值存儲(chǔ)器相連，將所述脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值與所述基準(zhǔn)存儲(chǔ)器的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果。
文檔編號(hào)G01R27/26GK2706770SQ200420019700
公開日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2004年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月19日
發(fā)明者鄭忠林 申請(qǐng)人:威宇科技測(cè)試封裝有限公司