專利名稱：具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置及檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置及其檢測方法，特別是涉及一種利用測量電容值方式檢測反應(yīng)室狀態(tài)的化學(xué)氣相沉積裝置及其檢測方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)是利用化學(xué)反應(yīng)的方式，在反應(yīng)室內(nèi)將反應(yīng)物生成固態(tài)生成物，并沉積在芯片表面的一種薄膜沉積技術(shù)。經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，化學(xué)氣相沉積已經(jīng)成為目前半導(dǎo)體工藝中，最基本也是最重要的薄膜技術(shù)之一。
請參考圖1，圖1為一已知化學(xué)氣相沉積裝置10的示意圖。如圖1所示，已知化學(xué)氣相沉積裝置10包含有一反應(yīng)室12、一加熱支撐座(heatingholder)14設(shè)置于反應(yīng)室12內(nèi)，與一淋氣頭(shower head)16設(shè)置于反應(yīng)室12內(nèi)加熱支撐座14上方。其中，加熱支撐座14用于承載一晶片(圖未示)，且加熱支撐座14還包含有一設(shè)置于其下方的加熱板18，用來提供加熱支撐座14的加熱功能，藉以控制置于加熱支撐座14表面的晶片的反應(yīng)溫度。另外，加熱支撐座14是利用一固定于反應(yīng)室12底部的支撐軸(supportingshaft)20支撐。除此之外，化學(xué)氣相沉積裝置10還包含有多個頂針(pin)22設(shè)置于加熱支撐座14下方，以及一位于頂針22下方的平板24。平板24是與一升降軸(hoist shaft)26連接，并可受升降軸26的驅(qū)動上升，藉此于晶片加載反應(yīng)室12時將晶片自加熱支撐座14的表面頂起，以避免晶片與加熱支撐座14的溫差過大導(dǎo)致晶片破裂。
于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝時，反應(yīng)氣體會經(jīng)由淋氣頭16上表面的氣體通入口28注入淋氣頭16內(nèi)部，并經(jīng)由淋氣頭16下表面的多個孔洞30通入反應(yīng)室12，進(jìn)而沉積于晶片的表面。一般而言，淋氣頭16是由二盤狀結(jié)構(gòu)組合而成，因此淋氣頭16包含有至少一O型環(huán)(O-ring)(圖未示)，設(shè)置于淋氣頭16的內(nèi)側(cè)壁，用以防止反應(yīng)氣體經(jīng)由盤狀結(jié)構(gòu)的接合處泄露而影響化學(xué)氣相沉積工藝的成品率。
由于化學(xué)氣相沉積裝置10在經(jīng)過長期運(yùn)作下，容易由于無法預(yù)期的因素(例如O型環(huán)變形使反應(yīng)氣體泄露)，造成淋氣頭16的下表面或加熱支撐座14的上表面邊緣部分產(chǎn)生微粒附著，使反應(yīng)室12狀態(tài)產(chǎn)生變異(如淋氣頭16與加熱支撐座14的間距改變)，進(jìn)而影響化學(xué)氣相沉積工藝的成品率。已知技術(shù)對于化學(xué)氣相沉積裝置10的反應(yīng)室12狀態(tài)的檢測是對完成化學(xué)氣相沉積工藝的晶片進(jìn)行檢測，一旦發(fā)現(xiàn)晶片的薄膜成品率不佳是由于反應(yīng)室12狀態(tài)變異所造成，才會將化學(xué)氣相沉積裝置10停機(jī)并進(jìn)行檢測。在此情況下，于確認(rèn)反應(yīng)室12狀態(tài)產(chǎn)生變異直至將化學(xué)氣相沉積裝置10停機(jī)的期間內(nèi)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的晶片均會因成品率不佳而需報廢，因而造成生產(chǎn)成本的浪費(fèi)。
有鑒于此，申請人根據(jù)多年從事半導(dǎo)體制造經(jīng)驗(yàn)，提出一種具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置及其檢測方法，可實(shí)時檢測反應(yīng)室狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置及其檢測方法，以改善已知技術(shù)無法克服的難題。
根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，披露了一種化學(xué)氣相沉積裝置，其包含有一加熱支撐座設(shè)置于一反應(yīng)室內(nèi)，一淋氣頭平行設(shè)置于該加熱支撐座的上方，且該加熱支撐座與該淋氣頭構(gòu)成一電容，以及一反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置，分別與該加熱支撐座與該淋氣頭電連接，該反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置包含有一電阻，且該電阻與該電容串聯(lián)構(gòu)成一RC電路。
除此之外，配合上述化學(xué)氣相沉積裝置，本發(fā)明還披露了一種檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法。根據(jù)本發(fā)明的方法，首先將該加熱支撐座與該淋氣頭調(diào)整至一檢測位置。隨后，利用該反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置對該電容進(jìn)行充電與放電，并計算出一檢測值。最后，進(jìn)行一檢測程序以比較該檢測值與一理想值，若該檢測值與該理想值相同表示該反應(yīng)室的狀態(tài)正常，若該檢測值與該理想值不同表示該反應(yīng)室的狀態(tài)偏移，則中止工藝并進(jìn)行檢修。
由于反應(yīng)室的狀態(tài)會影響加熱支撐座與淋氣頭所構(gòu)成的電容上，因此利用本發(fā)明檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法配合使用本發(fā)明具有反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置的反應(yīng)化學(xué)氣相沉積裝置，于晶片加載前的極短時間即可有效經(jīng)由計算電容值的變化輕易掌握反應(yīng)室的狀態(tài)。
為了更近一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。然而所示附圖僅供參考與輔助說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制者。


圖1為一已知化學(xué)氣相沉積裝置的示意圖。
圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積裝置的示意圖。
圖3為本發(fā)明化學(xué)氣相沉積裝置的等效電路圖。
圖4為本發(fā)明檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法的流程圖。
圖5為一t與 的關(guān)系圖。
圖6為一t與 的關(guān)系圖。
附圖符號說明10 化學(xué)氣相沉積 12 反應(yīng)室裝置14 加熱支撐座 16 淋氣頭18 加熱板 20 支撐軸22 頂針 24 平板26 升降軸 28 氣體通入口30 孔洞 50 化學(xué)氣相沉積裝置52 反應(yīng)室 54 加熱支撐座56 淋氣頭 58 加熱板60 支撐軸 62 頂針64 平板 66 升降軸68 氣體通入口 70 孔洞72 反應(yīng)室狀態(tài)檢 74 電阻測裝置
76 電壓源78 切換開關(guān)80 電容 100，102，104，106，108，110 工藝步驟具體實(shí)施方式
請參考圖2，圖2為本發(fā)明一較實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積裝置50的示意圖。如圖2所示，本發(fā)明化學(xué)氣相沉積裝置50包含有一反應(yīng)室52、一加熱支撐座54設(shè)置于反應(yīng)室52內(nèi)，與一淋氣頭56設(shè)置于反應(yīng)室52內(nèi)加熱支撐座54上方，其中加熱支撐座54用于承載一晶片(圖未示)，且加熱支撐座54還包含有一設(shè)置于其下方的加熱板58，用來提供加熱支撐座54的加熱功能，藉以控制置于加熱支撐座54表面的晶片(圖未示)的反應(yīng)溫度。另外，加熱支撐座54是利用一固定于反應(yīng)室52底部的支撐軸60支撐。除此之外，氣相沉積裝置50還包含有多個頂針(pin)62設(shè)置于加熱支撐座54下方，以及一位于頂針62下方的平板64。平板64是與一升降軸66連接，并可受升降軸66的驅(qū)動上升，藉此于晶片(圖未示)載入反應(yīng)室52時將晶片(圖未示)自加熱支撐座54的表面頂起，以避免晶片(圖未示)與加熱支撐座54的溫差過大導(dǎo)致晶片(圖未示)破裂。另外，淋氣頭56還包含有至少一氣體通入口68設(shè)于淋氣頭56的上表面，用以將反應(yīng)氣體通入淋氣頭56內(nèi)部，以及多個孔洞70設(shè)于淋氣頭56的下表面，藉此將反應(yīng)氣體通入反應(yīng)室52，進(jìn)而沉積于晶片(圖未示)的表面。
除此之外，本發(fā)明化學(xué)氣相沉積裝置50還包含有一反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置72，分別與淋氣頭56與加熱支撐座54電連接，且反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置72包含有一電阻74、一電壓源76與一切換開關(guān)78。值得注意的是由于淋氣頭56是平行設(shè)置于加熱支撐座54的上方，且淋氣頭56與加熱支撐座54均是由導(dǎo)電材質(zhì)，如金屬，所構(gòu)成，因此當(dāng)反應(yīng)室狀態(tài)裝置72進(jìn)行充電或放電時，淋氣頭56與加熱支撐座54可視為一電容80，同時電容80是與電阻74串聯(lián)，因此構(gòu)成一RC電路。如前所述，由于化學(xué)氣相沉積裝置50的反應(yīng)室52于長期進(jìn)行反應(yīng)化學(xué)氣相沉積的情況下，常會于淋氣頭56的表面產(chǎn)生微粒而使反應(yīng)室52的狀態(tài)偏移，例如淋氣頭56與加熱支撐座54的間距改變，進(jìn)而導(dǎo)致反應(yīng)氣體的濃度不均或流量改變而影響化學(xué)氣相沉積工藝的成品率。由于淋氣頭56表面的微粒會造成電容80的改變，據(jù)此本發(fā)明化學(xué)氣相沉積裝置50即根據(jù)此一特性利用反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置72對電容80進(jìn)行充電與放電，藉此實(shí)時檢測反應(yīng)室52的狀態(tài)。
請參考圖3，圖3為本發(fā)明化學(xué)氣相沉積裝置50的等效電路圖。如圖3所示，電阻74、電壓源76、切換開關(guān)78，以及電容80組成一RC電路，且切換開關(guān)78可切換至一充電狀態(tài)或一放電狀態(tài)，當(dāng)切換開關(guān)78切換至一充電狀態(tài)時電容80即開始充電，反之，當(dāng)切換開關(guān)78切換至放電狀態(tài)時電容即開始放電。
配合上述化學(xué)氣相沉積裝置的設(shè)計，本發(fā)明同時提供一種檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，可藉由電容的變化實(shí)時檢測反應(yīng)室的狀態(tài)。請參考圖4，圖4為本發(fā)明檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法的流程圖。如圖4所示，本發(fā)明的方法包含有下列步驟步驟100將一晶片加載于反應(yīng)室中，并對晶片進(jìn)行一化學(xué)氣相沉積工藝處理；步驟102將晶片載出反應(yīng)室，并進(jìn)行一清洗工藝處理，以反應(yīng)室中通入清洗用的氣體；步驟104將加熱支撐座與淋氣頭調(diào)整至一檢測位置，并使反應(yīng)室維持于真空狀態(tài)；步驟106利用反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置對電容進(jìn)行充電與放電；步驟108計算出一檢測值并進(jìn)行一檢測程序以比較檢測值與一理想值，若檢測值與理想值相同表示反應(yīng)室的狀態(tài)正常，則將加熱支撐座與淋氣頭調(diào)回一反應(yīng)位置并重新進(jìn)行步驟100，若該檢測值與該理想值不同表示該反應(yīng)室的狀態(tài)因清洗工藝效果不佳或其它因素影響而有所偏移，則進(jìn)行步驟110；步驟110中止工藝處理并進(jìn)行檢修。
根據(jù)本發(fā)明的方法，當(dāng)化學(xué)氣相沉積裝置對至少一晶片進(jìn)行完化學(xué)氣相沉積工藝處理后，會通入氣體對反應(yīng)室進(jìn)行一清洗工藝處理，以去除反應(yīng)室內(nèi)壁與淋氣頭等表面殘留的微粒。然而由于清洗工藝往往無法完全去除微粒，因此本發(fā)明的方法還包含有進(jìn)行一檢測程序，以確認(rèn)反應(yīng)室的狀態(tài)。于進(jìn)行完清洗工藝后，調(diào)整加熱支撐座與淋氣頭的間距至一檢測位置并利用反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置于真空狀態(tài)下對電容進(jìn)行充電與放電，計算出一檢測值并與一理想值比較，若檢測值與理想值相同表示反應(yīng)室的狀態(tài)正常，則將加熱支撐座與淋氣頭調(diào)回反應(yīng)位置并重新進(jìn)行加載晶片進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，若該檢測值與該理想值不同表示該反應(yīng)室的狀態(tài)因清洗工藝效果不佳或其它因素影響而有所偏移，其中充電與放電的原理以及檢測值的計算方式如下詳述。
在RC電路的電容充電過程中，電容與充電時間的關(guān)系如下列方程式(a)所示Vc=ϵ(1-e-tRC)---(a)]]>其中t為充電時間、R為該電阻的電阻值、C為該電容的電容值、Vc為該電容的電壓值、ε為電容率(permittivity)。
方程式(a)經(jīng)由整理可得方程式(b)ϵ-Vc=ϵ·e-tRC---(b)]]>將方程式(b)取對數(shù)并加以整理可得方程式(c)t=RC0.434log[ϵϵ-Vc]---(c)]]>由方程式(c)可知理論上t與 呈線性關(guān)系，因此本發(fā)明的方法于進(jìn)行充電時利用量測可得到多組t與 的數(shù)據(jù)，再利用上述數(shù)據(jù)以最小平方法(least square)計算出一線性方程式，求得的線性方程式的斜率即為 而由于R為已知，因此可求得一電容檢測值。
利用上述計算所得的電容檢測值即代表在目前的反應(yīng)室狀態(tài)，而于反應(yīng)室狀態(tài)良好的狀態(tài)下亦可利用相同計算方式得出一理想電容值，故藉由比較電容檢測值與理想電容值即可檢測出目前的反應(yīng)室狀態(tài)是否良好。值得注意的是由于t與 為線性關(guān)系，本發(fā)明亦可直接利用測量所得的t與 數(shù)據(jù)計算出的直線的斜率，與一利用相同方式繪出的理想斜率比較以檢測出反應(yīng)室狀態(tài)。請參考圖5，圖5為一t與 的關(guān)系圖。如圖5所示，L0為反應(yīng)室于理想狀態(tài)下所求得出直線，而L1為反應(yīng)室于偏移狀態(tài)下所求得出直線。因此，一旦L1的斜率與L0的斜率不同即代表反應(yīng)室狀態(tài)偏移，而必須中止后續(xù)工藝并進(jìn)行檢修。
此外，除了利用對RC電路充電方式外，于RC電路放電過程中亦可利用相同原理檢測出反應(yīng)室的狀態(tài)。在RC電路的電容充電過程中，電容與放電時間的關(guān)系如下列方程式(d)所示Vc=ϵ·e-tRC---(d)]]>
其中t為放電時間、R為該電阻的電阻值、C為該電容的電容值、Vc為該電容的電壓值、ε為電容率。
將方程式(d)取對數(shù)并加以整理可得方程式(e)t=RC0.434log[ϵVc]---(e)]]>由方程式(e)可知理論上t與 呈線性關(guān)系，因此本發(fā)明的方法于進(jìn)行放電時利用量測可得到多組t與 的數(shù)據(jù)，再利用上述數(shù)據(jù)以最小平方法計算出一線性方程式，求得的線性方程式的斜率即為 而由于R為已知，因此可求得一電容檢測值。利用上述計算所得的電容檢測值即代表在目前的反應(yīng)室狀態(tài)，而于反應(yīng)室狀態(tài)良好的狀態(tài)下亦可利用相同計算方式得出一理想電容值，故藉由比較電容檢測值與理想電容值即可檢測出目前的反應(yīng)室狀態(tài)是否良好。同理，由于t與 為線性關(guān)系，本發(fā)明亦可直接利用測量所得的t與 數(shù)據(jù)繪出的直線的斜率，與一利用相同方式繪出的理想斜率比較以檢測出反應(yīng)室狀態(tài)。請參考圖6，圖6為一t與 的關(guān)系圖。如圖6所示，L0為反應(yīng)室于理想狀態(tài)下所求得出直線，而L1為反應(yīng)室于偏移狀態(tài)下所求得出直線。因此，一旦L1的斜率與L0的斜率不同即代表反應(yīng)室狀態(tài)偏移，而必須中止后續(xù)工藝并進(jìn)行檢修。一旦直線的斜率與理想斜率不同即代表反應(yīng)室狀態(tài)偏移，而必須中止后續(xù)工藝并進(jìn)行檢修。
相較于已知技術(shù)，由于反應(yīng)室的狀態(tài)會影響加熱支撐座與淋氣頭所構(gòu)成的電容上，因此利用本發(fā)明檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法配合使用本發(fā)明具有反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置的反應(yīng)化學(xué)氣相沉積裝置，于晶片加載前的極短時間即可有效經(jīng)由計算電容值的變化輕易掌握反應(yīng)室的狀態(tài)，故可有效提高化學(xué)氣相沉積工藝的成品率，并避免制造成本的浪費(fèi)。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明的權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置，其包含有一加熱支撐座，設(shè)置于一反應(yīng)室內(nèi)；一淋氣頭，平行設(shè)置于該加熱支撐座的上方，且該加熱支撐座與該淋氣頭構(gòu)成一電容；以及一反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置，分別與該加熱支撐座與該淋氣頭電連接，該反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置包含有一電阻，且該電阻與該電容串聯(lián)構(gòu)成一RC電路。
2.如權(quán)利要求1所述的具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置，其中于進(jìn)行檢測時該反應(yīng)室是處于一真空狀態(tài)下。
3.如權(quán)利要求1所述的具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置，其中該反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置是利用對該RC電路充電進(jìn)行檢測，以判斷該反應(yīng)室的狀態(tài)
4.如權(quán)利要求3所述的具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置，其中于對該電容進(jìn)行充電的過程中可計算出一檢測電容值，并利用比較該檢測電容值與一理想電容值判斷該反應(yīng)室的狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求3所述的具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置，其中于對該電容進(jìn)行充電的過程中可計算出一以t與 為變量的線性關(guān)系式t=RC0.434log[ϵϵ-Vc],]]>并利用比較該線性關(guān)系式的斜率與一理想斜率以判斷該反應(yīng)室的狀態(tài)，其中t為充電時間、R為該電阻的電阻值、C為該電容的電容值、Vc為該電容的電壓值、ε為電容率。
6.如權(quán)利要求1所述的具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置，其中該反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置是利用對該RC電路放電進(jìn)行檢測，以判斷該反應(yīng)室的狀態(tài)
7.如權(quán)利要求6所述的具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置，其中于對該電容進(jìn)行放電的過程中可計算出一檢測電容值，并利用比較該檢測電容值與一理想電容值判斷該反應(yīng)室的狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求6所述的具有檢測反應(yīng)室狀態(tài)功能的化學(xué)氣相沉積裝置，其中于對該電容進(jìn)行放電的過程中可計算出一以t與 為變量的線性關(guān)系式t=RC0.434log[ϵVc],]]>并利用比較該線性關(guān)系式的斜率與一理想斜率以判斷該反應(yīng)室的狀態(tài)，其中t為放電時間、R為該電阻的電阻值、C為該電容的電容值、Vc為該電容的電壓值、ε為電容率。
9.一種檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，該化學(xué)氣相沉積裝置至少包含有一加熱支撐座設(shè)于一反應(yīng)室內(nèi)、一淋氣頭平行設(shè)置于該加熱支撐座上方，且該加熱支撐座與該淋氣頭構(gòu)成一電容，以及一反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置分別與該加熱支撐座與該淋氣頭電連接，該反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置還包含有一電阻，該電阻與該電容串聯(lián)形成一RC電路，該方法包含有(a)將該加熱支撐座與該淋氣頭調(diào)整至一檢測位置；(b)利用該反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置對該電容進(jìn)行充電與放電，并計算出一檢測值；以及(c)進(jìn)行一檢測程序以比較該檢測值與一理想值，若該檢測值與該理想值相同表示該反應(yīng)室的狀態(tài)正常，若該檢測值與該理想值不同表示該反應(yīng)室的狀態(tài)偏移。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，其中步驟(b)是于一真空狀態(tài)下進(jìn)行。
11.如權(quán)利要求9所述的檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，其中該檢測值是于進(jìn)行充電過程中獲得。
12.如權(quán)利要求11所述的檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，其中該檢測值為一電容檢測值。
13.如權(quán)利要求11所述的檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，其中對該電容進(jìn)行充電的過程中可計算出一以t與 為變量的線性關(guān)系式t=RC0.434log[ϵϵ-Vc],]]>且該檢測值為該線性關(guān)式的一斜率，該檢測程序是利用比較該斜率與一理想斜率以判斷該反應(yīng)室的狀態(tài)，其中t為充電時間、R為該電阻的電阻值、C為該電容的電容值、Vc為該電容的電壓值、ε為電容率。
14.如權(quán)利要求9所述的檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，其中該檢測值是于進(jìn)行放電過程中獲得。
15.如權(quán)利要求14所述的檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，其中該檢測值為一電容檢測值。
16.如權(quán)利要求14所述的檢測化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室狀態(tài)的方法，其中對該電容進(jìn)行放電的過程中可計算出一以t與 為變量的線性關(guān)系式t=RC0.434log[ϵVc],]]>且該檢測值為該線性關(guān)式的一斜率，該檢測程序是利用比較該斜率與一理想斜率以判斷該反應(yīng)室的狀態(tài)，其中t為放電時間、R為該電阻的電阻值、C為該電容的電容值、Vc為該電容的電壓值、ε為電容率。
全文摘要
一種化學(xué)氣相沉積裝置，其包含有一加熱支撐座(heating holder)設(shè)置于一反應(yīng)室內(nèi)，一淋氣頭(shower head)平行設(shè)置于該加熱支撐座的上方，且該加熱支撐座與該淋氣頭構(gòu)成一電容，以及一反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置(chamber condition detector)，分別與該加熱支撐座與該淋氣頭電連接，該反應(yīng)室狀態(tài)檢測裝置包含有一電阻，且該電阻與該電容串聯(lián)構(gòu)成一RC電路。
文檔編號G01N27/00GK1789994SQ200410081939
公開日2006年6月21日 申請日期2004年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月16日
發(fā)明者賴建興 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司