專(zhuān)利名稱(chēng)：利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激光探測(cè)器，特別涉及一種利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器。
背景技術(shù)：
對(duì)于激光能量、功率、脈寬和波形的探測(cè)，不僅對(duì)激光器件和科學(xué)研究是非常重要的，而且在軍事、國(guó)防、生產(chǎn)和生活中也有非常廣泛的應(yīng)用。盡管人們已發(fā)展了如熱電、光電、熱釋電等多種不同類(lèi)型的激光探測(cè)器，但對(duì)于新型激光探測(cè)器的工作仍是人們感興趣和一直在進(jìn)行的工作，本申請(qǐng)人也在這方面獲得以下幾項(xiàng)激光探測(cè)器的專(zhuān)利，例如專(zhuān)利號(hào)ZL89202869.6；專(zhuān)利號(hào)ZL89220541.5；專(zhuān)利號(hào)ZL90202337.3，專(zhuān)利號(hào)ZL90205920.3；但是上述幾項(xiàng)專(zhuān)利的探測(cè)器均采用壓電材料制作的，該探測(cè)器光響應(yīng)還不夠快，響應(yīng)波段也還不夠?qū)挕?br> 對(duì)于摻雜錳酸鑭材料的磁電阻特性人們已研究很多，近來(lái)人們也觀測(cè)到摻雜錳酸鑭薄膜的光電特性(如文獻(xiàn)1、Time dependence of laser-inducedthermoelectric voltages in La1-xCaxMnO3and YBa2Cu3O7-δthin films，P.X.Zhanget al.，Appl.Phys.Lett.，Vol.84，No.21，4026(2002))，但其光響應(yīng)的脈寬是ms量級(jí)，因此無(wú)法用于探測(cè)和測(cè)量激光脈沖寬度小于ms的脈沖激光波形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述探測(cè)器光響應(yīng)速度慢和響應(yīng)波段窄的缺陷；提供一種當(dāng)光照射后直接產(chǎn)生電壓信號(hào)，不需要任何輔助的電源和電子電路；可以探測(cè)激光的能量、功率和波形，其響應(yīng)波段從紫外到遠(yuǎn)紅外，可響應(yīng)飛秒脈寬的激光脈沖，產(chǎn)生電壓脈沖的半寬度可小于2ns，脈沖全寬度可達(dá)幾個(gè)ns的、利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明提供的利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，包括外殼，摻鈮鈦酸鍶單晶為襯底1，在其上外延生長(zhǎng)一光響應(yīng)材料層2作成的芯片，第一電極3、第二電極4和引線6；其特征在于所述的光響應(yīng)層2為一由在摻鈮鈦酸鍶單晶襯底1上外延生長(zhǎng)的摻雜錳酸鑭薄膜層2，形成摻鈮鈦酸鍶-摻雜錳酸鑭氧化物異質(zhì)結(jié)；或者在摻鈮鈦酸鍶單晶襯底1上外延生長(zhǎng)一絕緣層7，摻雜錳酸鑭薄膜2外延生長(zhǎng)在絕緣層7上，形成摻鈮鈦酸鍶-絕緣層-摻雜錳酸鑭氧化物異質(zhì)結(jié)；第一電極3設(shè)置在摻雜錳酸鑭薄膜2上，第二電極4設(shè)置在摻鈮鈦酸鍶單晶襯底1上，兩根電極引線6的一端分別與第一電極3和第二電極4連接，電極引線6的另一端是信號(hào)輸出端；或?qū)⑵浒惭b在一個(gè)金屬外殼內(nèi)，金屬外殼對(duì)外界的電磁干擾起屏蔽作用。
還包括一電阻5，該電阻5的兩端分別和兩根電極引線6的輸出端連接，其阻值為0.01～1MΩ。所述的電阻5，主要是為了提高響應(yīng)速度，由于異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)具有電容特性，因此電阻5對(duì)激光照射后產(chǎn)生的電壓起放電作用。
所述的摻鈮鈦酸鍶SrNbxTi1-xO3單晶襯底1，其x為0.005～0.1。
所述的絕緣層7包括鋁酸鑭(LaAlO3)、鈦酸鍶(SrTiO3)、鈦酸鋇(BaTiO3)、氧化鋯(ZrO2)、錳酸鑭(LaMnO3)或氧化鎂(MgO)，絕緣層的厚度為1nm～500nm。所述的摻雜錳酸鑭薄膜層2是R1-xAxMnO3，摻雜錳酸鑭薄膜層2的厚度為0.8nm～2μm；其中R包括La、Pr、Nd或Sm；其中A包括Sr、Ca、Ba、Pb、Sn、Te、Nb、Sb、Ta、Ce或Pr；其x值為0.05～0.4。
所述的電極3可以是一個(gè)點(diǎn)，可以是一條線，也可以是圍繞摻雜錳酸鑭薄膜邊緣的一個(gè)圈。第二電極4可以連接在摻鈮鈦酸鍶的任何部位，可以是點(diǎn)或線或面。第一電極3和第二電極4可以用銦或焊錫直接焊接，也可以用真空鍍膜或磁控濺射等方法蒸鍍金、銀或鋁電極。
無(wú)論是摻鈮鈦酸鍶-摻雜錳酸鑭兩層結(jié)構(gòu)的激光探測(cè)器，還是摻鈮鈦酸鍶-絕緣層-摻雜錳酸鑭三層結(jié)構(gòu)的激光探測(cè)器，對(duì)于探測(cè)激光的效果是一致的。當(dāng)脈沖激光照射到摻雜錳酸鑭薄膜的表面時(shí)，摻雜錳酸鑭薄膜吸收激光脈沖后，就會(huì)在摻鈮鈦酸鍶1和摻雜錳酸鑭2之間產(chǎn)生電壓信號(hào)，此效應(yīng)稱(chēng)之為光生伏特效應(yīng)。無(wú)論是兩層結(jié)構(gòu)還是三層結(jié)構(gòu)，在摻鈮鈦酸鍶和摻雜錳酸鑭之間都存在一個(gè)結(jié)電容，因此在摻鈮鈦酸鍶1和摻雜錳酸鑭2之間并聯(lián)一個(gè)電阻5，起放電作用，減小放電時(shí)間和消除結(jié)電容對(duì)響應(yīng)速度的影響。如果不考慮脈沖激光所產(chǎn)生脈沖電壓信號(hào)的寬度，也可以不連接電阻5。
本發(fā)明提供的利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，其優(yōu)點(diǎn)在于，可以用激光分子束外延、脈沖激光沉積、磁控濺射和粘膠法等制膜方法，把摻雜錳酸鑭和絕緣層與摻雜錳酸鑭直接外延生長(zhǎng)在摻鈮鈦酸鍶襯底上，制備方法簡(jiǎn)單。該激光探測(cè)器均為光生伏特型光電探測(cè)器，當(dāng)光照射后直接產(chǎn)生電壓信號(hào)，不需要任何輔助的電源和電子電路?？梢蕴綔y(cè)激光能量、激光功率、激光脈沖波形等多種激光參數(shù)。其響應(yīng)波段從紫外到遠(yuǎn)紅外，是一種快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器。探測(cè)過(guò)程是一個(gè)超快過(guò)程，光生伏特所產(chǎn)生脈沖電壓信號(hào)的前沿小于1.5ns，半寬度小于2ns，脈沖全寬度僅為幾個(gè)ns，不僅可探測(cè)飛秒脈寬的激光能量，而且可探測(cè)ns脈寬的激光波形。一個(gè)mJ的激光脈沖可產(chǎn)生上百mV的電壓信號(hào)，具有很高的靈敏度。因此本發(fā)明提供的摻鈮鈦酸鍶和摻雜錳酸鑭氧化物異質(zhì)結(jié)激光探測(cè)器，在軍事、國(guó)防、科研、生產(chǎn)和生活等方面均有廣泛的應(yīng)用。


圖1.摻鈮鈦酸鍶-摻雜錳酸鑭兩層結(jié)構(gòu)的激光探測(cè)器。
圖2.摻鈮鈦酸鍶-絕緣層-摻雜錳酸鑭三層結(jié)構(gòu)的激光探測(cè)器。
圖3.用500兆示波器儲(chǔ)存記錄的La0.7Sr0.3MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3兩層結(jié)構(gòu)激光探測(cè)器，測(cè)量YAG激光器輸出波長(zhǎng)1.06μm、脈寬25ps激光脈沖所產(chǎn)生的電壓信號(hào)。
圖4.用500兆示波器儲(chǔ)存記錄的La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/SrNb0.01Ti0.99O3三層結(jié)構(gòu)激光探測(cè)器，測(cè)量YAG三倍頻激光器輸出波長(zhǎng)355nm、脈寬15ps激光脈沖所產(chǎn)生的電壓信號(hào)。
圖面說(shuō)明如下1-摻鈮鈦酸鍶襯底；2-光響應(yīng)材料層； 3-第一電極；4-第二電極； 5-電阻； 6-電極引線；7-絕緣層。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1參考圖1，制備摻鈮鈦酸鍶-摻雜錳酸鑭兩層結(jié)構(gòu)的激光探測(cè)器，下面結(jié)合具體制過(guò)程備，來(lái)對(duì)本發(fā)明利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明選用激光分子束外延設(shè)備，基底為1×1cm2的SrNb0.01Ti0.99O3摻鈮鈦酸鍶1，在其直接外延生長(zhǎng)300nm厚的La0.7Sr0.3MnO3光響應(yīng)材料層2，形成La0.7Sr0.3MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3兩層氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品，用1×0.5cm2的La0.7Sr0.3MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3樣品做探測(cè)器芯；用銦在摻鈮鈦酸鍶表面焊接約為φ2mm的第二電極4，用銦在La0.7Sr0.3MnO3薄膜一個(gè)角的表面焊接約為φ1mm的第一電極3；用兩根φ0.1mm的銅線作電極引線6，并用銦把兩根φ0.1mm銅電極引線6的一端分別焊接在第一電極3和第二電極4上；選用2Ω的電阻作電阻5，并將其兩端分別與兩根電極引線6的輸出端焊接；這樣探測(cè)器芯就制備完成，把探測(cè)器芯裝入一個(gè)鋁探測(cè)器外殼內(nèi)，用同軸電纜接頭引出輸出端。
選用500兆示波器，用上述的La0.7Sr0.3MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3兩層氧化物異質(zhì)結(jié)激光探測(cè)器，測(cè)量YAG激光器輸出波長(zhǎng)1.06μm、脈寬25ps的激光脈沖，圖3是用示波器儲(chǔ)存記錄探測(cè)器一個(gè)激光脈沖，所產(chǎn)生的電壓信號(hào)波形。
電壓信號(hào)的前沿上升時(shí)間僅為～1.5ns，半寬度僅為～2ns，1mJ的激光能量可上百mV的電壓信號(hào)。因此，該探測(cè)器不僅是一個(gè)超快過(guò)程，而且具有很高的靈敏度。
實(shí)施例2選用激光分子束外延設(shè)備，在直徑φ25mm的SrNb0.1Ti0.9O3襯底1上直接外延生長(zhǎng)100nm厚的La0.7Sr0.3MnO3薄膜光響應(yīng)材料層2，制備出La0.7Sr0.3MnO3/SrNb0.1Ti0.9O3兩層異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品作為芯片，用直徑φ25mm的樣品做芯片，用磁控濺射在La0.7Sr0.3MnO3薄膜2的外圓制備寬度為0.5mm的銀電極3，SrNb0.1Ti0.9O3襯底1的中心制備φ10mm的圓形銀電極4，在組裝同實(shí)施例1制備兩層結(jié)構(gòu)的激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例3選用激光分子束外延裝置，按實(shí)施例1制作，在1×1cm2的SrNb0.005Ti0.995O3襯底1上外延生長(zhǎng)800nm厚的La0.95Ba0.05MnO3薄膜光響應(yīng)材料層2，形成La0.95Ba0.05MnO3/SrNb0.005Ti0.995O3兩層異質(zhì)結(jié)構(gòu)芯片，在La0.95Ba0.05MnO3薄膜層上的一個(gè)邊緣用真空蒸鍍0.5mm寬的白金第一電極3，其余同按實(shí)施例1制備的利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例4選用激光分子束外延裝置，在1×1cm2的SrNb0.07Ti0.93O3襯底1上外延生長(zhǎng)800nm厚La0.6Ca0.4MnO3薄膜光響應(yīng)材料層2，形成La0.6Ca0.4MnO3/SrNb0.07Ti0.93O3兩層異質(zhì)結(jié)構(gòu)芯片，在La0.6Ca0.4MnO3薄膜層的一個(gè)邊緣用磁控濺射裝置，濺射0.5mm寬的銀第一電極3，在SrNb0.07Ti0.93O3襯底1上面的中心位置用磁控濺射制備直徑φ5mm的銀第二電極4，其余同實(shí)施例1制備的利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例5選用激光分子束外延設(shè)備，在1×1cm2的SrNb0.07Ti0.93O3襯底1上直接外延生長(zhǎng)100nm厚La0.7Ce0.3MnO3薄膜光響應(yīng)材料層2，制備出La0.7Ce0.3MnO3/SrNb0.07Ti0.93O3兩層異質(zhì)結(jié)構(gòu)芯片樣品，其余結(jié)構(gòu)按實(shí)施例1制備的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例6選用激光分子束外延設(shè)備，在3×3cm2的SrNb0.01Ti0.99O3襯底1上外延生長(zhǎng)800nm厚La0.75Pr0.25MnO3薄膜光響應(yīng)材料層2，制備出La0.75Pr0.25MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3兩層異質(zhì)結(jié)構(gòu)芯片，用市場(chǎng)購(gòu)買(mǎi)的1K的電阻作電阻5，其余同實(shí)施例1制備的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例7選用激光分子束外延設(shè)備，在2英寸2的SrNb0.1Ti0.9O3襯底1上直接外延生長(zhǎng)10nm厚La0.34Pr0.33Ca0.33MnO3薄膜光響應(yīng)材料層2，La0.34Pr0.33Ca0.33MnO3/SrNb0.1Ti0.9O3兩層異質(zhì)結(jié)構(gòu)芯片，不連接電阻5，其余同實(shí)施例1制備的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例8參考圖2，制備摻鈮鈦酸鍶-絕緣層-摻雜錳酸鑭三層結(jié)構(gòu)的激光探測(cè)器，按下面結(jié)合具體制備過(guò)程對(duì)本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明，選用激光分子束外延設(shè)備，在2cm×2cm的SrNb0.1Ti0.9O3襯底1上先外延1nm厚的SrTiO3作絕緣層7，再在SrTiO3上外延生長(zhǎng)300nm厚的La0.7Sr0.3MnO3薄膜光響應(yīng)材料層2，形成La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/SrNb0.1Ti0.9O3三層異質(zhì)結(jié)構(gòu)芯片，將其切割成尺寸為1×0.5cm2的探測(cè)器芯；用銦在SrNb0.1Ti0.9O3襯底1表面焊接約為φ2mm的第二電極4，用銦在La0.7Sr0.3MnO3薄膜層2一個(gè)角表面處焊接約為φ1mm的第一電極3；用兩根φ0.2mm的銅線作電極引線6，并用銦把兩根φ0.1mm銅電極引線6的一端分別焊接在第一電極3和第二電極4上；選用0.01Ω的導(dǎo)線作電阻5，并將其兩端分別與兩根電極引線6的輸出端焊接；這樣探測(cè)器芯就制備完備，把探測(cè)器芯裝入一個(gè)銅探測(cè)器外殼內(nèi)，用同軸電纜接頭引出輸出端。
選用500兆示波器，用上述的La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/SrNb0.1Ti0.9O3三層結(jié)構(gòu)激光探測(cè)器，測(cè)量YAG三倍頻激光器輸出波長(zhǎng)355nm、脈寬15ps的激光脈沖。圖4是用示波器儲(chǔ)存記錄探測(cè)器一個(gè)激光脈沖，所產(chǎn)生的電壓信號(hào)波形。從圖4可看出，脈沖激光所產(chǎn)生電壓信號(hào)的前沿上升時(shí)間僅為～1ns，半寬度僅為～2ns，1mJ的激光能量可上百mV的電壓信號(hào)。因此，三層結(jié)構(gòu)的探測(cè)器和兩層結(jié)構(gòu)的探測(cè)器一樣，不僅是一個(gè)超快過(guò)程，而且具有很高的靈敏度。
實(shí)施例9按實(shí)施例8制作，其絕緣層7為L(zhǎng)aAlO3，其厚度為500nm，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例8的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例10按實(shí)施例8制作，用BaTiO3作絕緣層7，其厚度為100nm，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例8的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例11按實(shí)施例8制作，用ZrO3作絕緣層7，其厚度為50nm，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例8的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例12按實(shí)施例8制作，用MgO作絕緣層7，其厚度為100nm，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例8的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例13按實(shí)施例1制作，La0.7Sr0.3MnO3光響應(yīng)材料層2的厚度為2μm，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例1的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例14按實(shí)施例1制作，使用脈沖激光制備的樣品，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例1的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器結(jié)構(gòu)一樣。
實(shí)施例15按實(shí)施例1制作，使用磁控濺射制備的樣品，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例1。
實(shí)施例16按實(shí)施例1制作，使用粘膠法制備的樣品，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例1。
實(shí)施例17按實(shí)施例8制作，使用脈沖激光制備的樣品，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例8。
實(shí)施例18按實(shí)施例1制作，電阻5采用1M電阻，其余結(jié)構(gòu)同實(shí)施例1。
實(shí)施例19按實(shí)施例1制作，用La0.6Sn0.4MnO3做光響應(yīng)材料層2，其余同實(shí)施例1相同。
實(shí)施例20按實(shí)施例8制作，用La0.95Ba0.05MnO3做光響應(yīng)材料層2，其余同實(shí)施例8相同。
權(quán)利要求
1.一種利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，包括一由在摻鈮鈦酸鍶單晶襯底(1)上，外延生長(zhǎng)的光響應(yīng)材料層(2)作成的芯片，第一電極(3)、第二電極(4)和引線(6)；其特征在于所述的光響應(yīng)層為外延生長(zhǎng)在摻鈮鈦酸鍶單晶襯底(1)上的摻雜錳酸鑭薄膜層(2)；第一電極(3)設(shè)置在摻雜錳酸鑭薄膜(2)上，第二電極(4)設(shè)置在摻鈮鈦酸鍶單晶襯底(1)上，兩根電極引線(6)的一端分別與第一電極(3)和第二電極(4)連接，電極引線(6)的另一端是信號(hào)輸出端。
2.按權(quán)利要求1所述的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，其特征在于所述的光響應(yīng)層為在摻鈮鈦酸鍶單晶襯底(1)上外延生長(zhǎng)一絕緣層(7)，摻雜錳酸鑭薄膜(2)外延生長(zhǎng)在絕緣層(7)上。
3.按權(quán)利要求1或2所述的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，其特征在于還包括一電阻(5)，其阻值為0.01～1MΩ；電阻(5)的兩端分別和兩根電極引線(6)的信號(hào)輸出端連接。
4.按權(quán)利要求1、2、或3所述的任一項(xiàng)利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，其特征在于所述的摻鈮鈦酸鍶SrNbxTi1-xO3單晶襯底(1)，其x為0.005～0.1。
5.按權(quán)利要求1、2、或3所述的任一項(xiàng)利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，其特征在于所述的摻雜錳酸鑭薄膜層是R1-xAxMnO3，其中R包括La、Pr、Nd或Sm；A包括Sr、Ca、Ba、Pb、Sn、Te、Nb、Sb、Ta、Ce或Pr；其x值為0.05～0.4；，其摻雜錳酸鑭薄膜(2)的厚度為0.8nm～2μm。
6.按權(quán)利要求2所述的利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，其特征在于所述的絕緣層(7)包括鋁酸鑭、鈦酸鍶、鈦酸鋇、氧化鋯、錳酸鑭或氧化鎂；絕緣層(7)的厚度為10nm～500nm。
7.按權(quán)利要求1、2、或3所述的任意一項(xiàng)利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，其特征在于所述的第一電極(3)包括用銦或焊錫直接焊接，或用真空鍍膜或磁控濺射方法作成一個(gè)點(diǎn)、一條線，或是圍繞摻雜錳酸鑭薄膜邊緣的一個(gè)圈的金、銀或鋁電極。
8.按權(quán)利要求1、2、或3所述的任意一項(xiàng)利用異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，其特征在于所述的第二電極(4)設(shè)置在硅片的任何部位，第二電極(4)是銦或焊錫直接焊接形成的一個(gè)點(diǎn)、一條線或面；或用真空鍍膜或磁控濺射方法蒸鍍金、銀或鋁的電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及利用氧化物異質(zhì)結(jié)材料制作的快響應(yīng)寬頻段激光探測(cè)器，包括一摻鈮鈦酸鍶襯底上，和在其上外延生長(zhǎng)的摻雜錳酸鑭薄膜層，形成摻鈮鈦酸鍶—摻雜錳酸鑭氧化物異質(zhì)結(jié)；或者在摻鈮鈦酸鍶單晶襯底上外延生長(zhǎng)一絕緣層，摻雜錳酸鑭薄膜外延生長(zhǎng)在絕緣層上，形成摻鈮鈦酸鍶—絕緣層—摻雜錳酸鑭氧化物異質(zhì)結(jié)；第一電極設(shè)在摻雜錳酸鑭薄膜上，第二電極設(shè)在底上，兩根電極引線的一端分別與第一電極和第二電極連接，電極引線的另一端是信號(hào)輸出端。當(dāng)光照射激光探測(cè)器后直接產(chǎn)生電壓信號(hào)，不需要任何輔助的電源和電子電路。其響應(yīng)波段從紫外到遠(yuǎn)紅外，可響應(yīng)飛秒脈寬的激光脈沖，激光脈沖產(chǎn)生電壓脈沖的前沿小于1.5ns，半寬度小于2ns，脈沖全寬度僅為幾個(gè)ns。
文檔編號(hào)G01J11/00GK1724983SQ200410069100
公開(kāi)日2006年1月25日 申請(qǐng)日期2004年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月20日
發(fā)明者呂惠賓, 黃延紅, 何萌, 劉立峰, 周岳亮, 金奎娟, 陳正豪, 程波林, 楊國(guó)楨 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院物理研究所