磁流變阻尼器的閉合組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本公開涉及一種磁流變阻尼器的閉合組件。
【背景技術(shù)】
[0002]磁流變(MR)阻尼器正越來越多地被用在車輛上，以連續(xù)地控制用于在任何駕駛條件下適當?shù)伛{駛和處理的阻尼特性。磁流變流體通常包含具有懸浮顆粒的清澈載體或基液(例如，聚α烯烴)。當顆粒受到磁場的作用而帶電時，這些顆粒排列起來并改變流體的粘度，這進而可以被用于控制阻尼力。
[0003]MR阻尼器的閉合系統(tǒng)或組件通常包含針對阻尼器的活塞桿的主密封件和軸承面。已知的閉合組件使用一個主密封件和干燥的陽極氧化的軸承面，因此閉合組件在阻尼器能夠處理的側(cè)負荷的量上受到限制。其它已知的閉合組件通過使用兩個密封件和多孔不銹鋼桿引導件來包含濕式軸承。桿引導件能夠從MR流體中過濾出顆粒，使得僅清澈基液對軸承和主密封件進行潤滑。然而，由于金屬顆粒污染靠近軸承和密封件的載液，即使對MR顆粒進行過濾的閉合組件也易于受到隨著時間的推移而增加的摩擦力的影響。另外，MR流體的載液可能不具備用于對密封件和軸承進行恰當潤滑的理想的潤滑能力。因此，仍然需要能夠更好地處理隨著阻尼器的長期使用而增加的摩擦力的改進的MR阻尼器閉合組件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本公開提供這樣一種阻尼器的閉合組件，其包括環(huán)形殼體，該環(huán)形殼體沿著中心縱向軸線從頂端向底端延伸并且限定在軸向上延伸穿過該環(huán)形殼體的具有內(nèi)表面的通孔。引導件限定在軸向上延伸穿過該引導件的中心開口，并且具有頂部和底部，該引導件設(shè)置在所述通孔中，用于引導所述阻尼器的活塞桿。上密封件設(shè)置在所述通孔中，與所述引導件的所述頂部呈間隔關(guān)系，用于接觸所述活塞桿并且對所述活塞桿進行密封。下密封件設(shè)置在所述通孔中，與所述引導件的所述底部呈間隔關(guān)系，用于接觸所述活塞桿并且對所述活塞桿進行密封。所述引導件具有限定了多個縱向延伸的通道的外部，該多個縱向延伸的通道在周向上圍繞所述引導件以間隔關(guān)系設(shè)置。所述引導件的所述頂部、所述上密封件和所述通孔的所述內(nèi)表面限定第一腔室。所述引導件的所述底部、所述下密封件和所述通孔的所述內(nèi)表面限定第二腔室，該第二腔室通過所述多個通道與所述第一腔室流體連通，用于隔開并維持一定量的隔離油來對所述引導件、所述上密封件和所述下密封件進行潤滑。
[0005]本公開還提供一種阻尼器的閉合組件，其包括環(huán)形殼體，該環(huán)形殼體沿著中心縱向軸線從頂端向底端延伸且限定在軸向上延伸通過該環(huán)形殼體的具有內(nèi)表面的通孔。引導件限定中心開口并且具有頂部和底部，該引導件設(shè)置在所述通孔中，用于引導所述阻尼器的活塞桿。上密封件設(shè)置在所述通孔中，與所述引導件的所述頂部呈間隔關(guān)系，用于接觸所述活塞桿并且對所述活塞桿進行密封。板限定在軸向上延伸通過該板的通路，并且被設(shè)置在所述通孔中，與所述引導件的所述底部呈間隔關(guān)系。下密封件被設(shè)置在所述板的所述通路中，用于接觸所述活塞桿并且對所述活塞桿進行密封。所述引導件具有限定了多個縱向延伸的通道的外部，該多個縱向延伸的通道在周向上圍繞所述引導件以間隔關(guān)系設(shè)置。所述引導件的所述頂部、所述上密封件和所述通孔的所述內(nèi)表面限定第一腔室。所述引導件的所述底部、所述板和所述通孔的所述內(nèi)表面限定第二腔室，該第二腔室通過所述多個通道與所述第一腔室流體連通，用于隔開并維持一定量的隔離油來對所述引導件、所述上密封件和所述下密封件進行潤滑。
[0006]因此，閉合組件的一個或更多個方面的多個優(yōu)點在于，該閉合組件將阻尼器的頂部密封，以在提供與活塞桿的減少的摩擦力的同時防止阻尼器流體(例如，磁流變流體)的泄漏并且防止阻尼器流體被外部的污染物污染。閉合組件將磁流變(MR)流體與該閉合組件內(nèi)包含的潤滑油隔開，以提供閉合組件的密封件和引導件的最佳潤滑，導致摩擦力的降低。
【附圖說明】
[0007]本公開的這些及其它方面、特征和優(yōu)點將容易理解，因為通過參考下面結(jié)合附圖考慮的詳細描述，本公開的這些及其它方面、特征和優(yōu)點變得更容易理解，其中:
[0008]圖1是根據(jù)本公開的第一可實現(xiàn)實施方式構(gòu)造的閉合組件的分解圖；
[0009]圖2是圖1的閉合組件的橫截面視圖；
[0010]圖3是例示了針對本公開的第一可實現(xiàn)實施方式的(以限制阻尼效果的測試速度的)摩擦力的改進與測試周期的關(guān)系的曲線圖；
[0011]圖4是例示了針對本公開的第一可實現(xiàn)實施方式的(以原始設(shè)備制造商的所要求的測試速度的)摩擦力的改進與測試周期的關(guān)系的曲線圖；
[0012]圖5是根據(jù)本公開的第二可實現(xiàn)實施方式構(gòu)造的閉合組件的分解圖；
[0013]圖6是圖5的閉合組件的橫截面視圖；
[0014]圖7是例示了針對本公開的第二可實現(xiàn)實施方式的(以限制阻尼效果的測試速度的)摩擦力的改進與測試周期的關(guān)系的曲線圖；以及
[0015]圖8是例示了針對本發(fā)明的第二可實現(xiàn)實施方式的(以原始設(shè)備制造商的所要求的測試速度的)摩擦力的改進與測試周期的關(guān)系的曲線圖。
【具體實施方式】
[0016]參照附圖，其中，貫穿全部這些視圖，相同的數(shù)字指示相應(yīng)的部件，公開了根據(jù)題述發(fā)明構(gòu)造的磁流變(MR)阻尼器的閉合組件20。本公開所屬類型的阻尼器通常填充有MR流體，該MR流體包括載液以及當MR流體被暴露于磁場時能夠?qū)е翸R流體的表觀粘度增加的懸浮微顆粒。閉合組件20旨在被用在MR阻尼器的頂部，以在對MR阻尼器的頂部進行密封的同時提供對延伸通過MR阻尼器的活塞桿(未示出)的潤滑，以防止MR流體的泄漏并且防止MR流體被諸如灰塵、污垢或其它流體這樣的外部污染物污染。
[0017]如圖1和圖2中所例示的，閉合組件20的第一可實現(xiàn)實施方式包括沿著中心縱向軸線A從底端24向頂端26延伸的環(huán)形殼體22。殼體22具有外表面并且限定在軸向上延伸通過該殼體22的具有內(nèi)表面的通孔28，并且該通孔28以共軸的方式與縱向軸線A對齊。通孔28被配置為接受阻尼器的活塞桿。殼體22的外表面限定第一環(huán)形凹槽(grOOVe)30(即二次固定凹槽(secondary retaining groove))和被設(shè)置在第一環(huán)形凹槽30的軸向下方并且與第一環(huán)形凹槽30呈間隔關(guān)系的第二環(huán)形凹槽32。第一 O形環(huán)34被設(shè)置在第一環(huán)形凹槽30中并具有雙重目的，其一:提供體積填充以減少從針對二次固定凹槽或第一環(huán)形凹槽30的自動填充過程中殘留的MR流體，其二:用于對阻尼器的柱形管35進行密封和接合。第二O形環(huán)36被設(shè)置在第二O型特定環(huán)形凹槽或第二環(huán)形凹槽32中，用于對阻尼器的柱形管35進行密封和接合。
[0018]通孔28的內(nèi)表面限定如下所述的多個具有增加的直徑的第一沉孔38、第二沉孔40、第三沉孔44、第四沉孔46、第五沉孔48和第六沉孔50。第一沉孔38在徑向上向外延伸并具有第一直徑，并且被鄰近頂端26設(shè)置。具有第二直徑的第二沉孔40和具有第三直徑的第三沉孔44都在徑向上向外延伸并且位于與頂端26相鄰的桿出口孔的下方(S卩，在縱向上在第一沉孔38的下方)，以形成用于容納主密封件64的組件防錯臺階狀壓蓋(gland)，下面將更加詳細地進行論述。第四沉孔46在徑向上向外延伸，并且具有明顯大于第二沉孔40的第二直徑和第三沉孔