別連接第6電阻另一端和高壓輸入端，所述第3 二極管正極分別連接第16三極管發(fā)射極和接地，所述第6三極管源極還連接第1 二極管負(fù)極。
[0031]所述低功耗驅(qū)動(dòng)裝置還包括:
[0032]低壓輸入端分別連接第2電阻一端和第2三極管源極，所述第2電阻另一端分別連接第4三極管柵極和第4三極管集電極，所述第2三極管漏極連接第2電容一端，所述第4三極管基極連接第12電阻一端，所述第12電阻另一端連接MCU控制端，所述第4三極管發(fā)射極分別連接第18電阻一端和接地，所述第18電阻另一端分別連接第19電阻一端和第2電容另一端，所述第19電阻另一端連接第8三極管基極，所述第8三極管集電極分別連接第7電阻一端和第7三極管柵極，所述第7三極管漏極分別連接第4 二極管正極和電磁閥控制端，所述第7三極管源極分別連接第7電阻另一端和高壓輸入端，所述第4 二極管負(fù)極分別連接第8極管發(fā)射極和接地。
[0033]所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)傳感器包括:醫(yī)用光電傳感器、醫(yī)用壓力傳感器和醫(yī)用溫度傳感器。
[0034]所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，優(yōu)選的，所述MCU為STM32F103ZET6。
[0035]所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，優(yōu)選的，所述第1三極管和第6三極管為 1RF48。
[0036]所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，優(yōu)選的，所述第11三極管和第16三極管為 2N3904。
[0037]所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，優(yōu)選的，所述電磁閥為N個(gè)電磁閥，每個(gè)電磁閥連接一個(gè)低功耗驅(qū)動(dòng)裝置，所述N大于等于1。
[0038]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是:
[0039]1.在電磁閥啟動(dòng)工作十個(gè)毫秒級(jí)別延遲后用低電壓進(jìn)行狀態(tài)維持，降低工作時(shí)所需能耗，
[0040]2.一個(gè)具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路可以驅(qū)動(dòng)1個(gè)或者多個(gè)電磁閥，電磁閥相互之間互不影響，
[0041]3.將狀態(tài)維持控制電壓控制在5V，在一定情況下減小電磁兼容干擾，降低電磁兼容的難度，
[0042]4.減小流進(jìn)電磁閥的電流大小，延長(zhǎng)電磁閥的使用壽命，
[0043]5.有過流保護(hù)，反向電路保護(hù)，
[0044]6.經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的通電和多次數(shù)啟動(dòng)，本裝置穩(wěn)定性良好，且對(duì)電磁閥自身工作無影響。
[0045]根據(jù)其他傳感器傳回STM32F103ZET6單片機(jī)的數(shù)據(jù)，經(jīng)過單片機(jī)的邏輯分析和運(yùn)算后發(fā)給具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路信號(hào)，然后由具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路控制電磁閥的打開或關(guān)閉。上述程序控制是本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到的。
[0046]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于在不影響電磁閥自身工作的同時(shí)，加入了低功耗、提高了電磁兼容性，延長(zhǎng)了電磁閥使用壽命，對(duì)外接口友好、方便，一根3.3V的數(shù)據(jù)線就可以達(dá)到控制電磁閥的目的了。
[0047]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0048]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，其特征在于，包括:低功耗驅(qū)動(dòng)裝置、電磁閥、MCU和數(shù)據(jù)傳感器； 所述電磁閥控制端連接低功耗驅(qū)動(dòng)裝置信號(hào)輸出端，所述低功耗驅(qū)動(dòng)裝置信號(hào)輸入端連接MCU控制信號(hào)輸出端，所述MCU數(shù)據(jù)交互端連接數(shù)據(jù)傳感器信號(hào)交互端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，其特征在于，所述低功耗驅(qū)動(dòng)裝置包括: 低壓輸入端分別連接第I電阻一端和第I三極管漏極，所述第I電阻另一端分別連接第I三極管柵極和第11三極管集電極，所述第I三極管源極分別連接第I電容一端和第I二極管正極，所述第11三極管基極連接第11電阻一端，所述第11電阻另一端連接MCU控制端，所述第11三極管發(fā)射極分別連接第16電阻一端和接地，所述第16電阻另一端分別連接第17電阻一端和第I電容另一端，所述第17電阻另一端連接第16三極管基極，所述第16三極管集電極分別連接第6電阻一端和第6三極管柵極，所述第6三極管源極分別連接第3 二極管負(fù)極和電磁閥控制端，所述第6三極管漏極分別連接第6電阻另一端和高壓輸入端，所述第3 二極管正極分別連接第16三極管發(fā)射極和接地，所述第6三極管源極還連接第I 二極管負(fù)極。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)傳感器包括:醫(yī)用光電傳感器、醫(yī)用壓力傳感器和醫(yī)用溫度傳感器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，其特征在于，所述MCU為STM32F103ZET6。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，其特征在于，所述第I三極管和第6三極管為1RF48。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，其特征在于，所述第11三極管和第16三極管為2N3904。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，其特征在于，所述電磁閥為N個(gè)電磁閥，每個(gè)電磁閥連接一個(gè)低功耗驅(qū)動(dòng)裝置，所述N大于等于I。
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種具有低功耗驅(qū)動(dòng)的電磁閥控制電路，包括：低功耗驅(qū)動(dòng)裝置、電磁閥、MCU和數(shù)據(jù)傳感器；所述電磁閥控制端連接低功耗驅(qū)動(dòng)裝置信號(hào)輸出端，所述低功耗驅(qū)動(dòng)裝置信號(hào)輸入端連接MCU控制信號(hào)輸出端，所述MCU數(shù)據(jù)交互端連接數(shù)據(jù)傳感器信號(hào)交互端。在電磁閥啟動(dòng)工作十個(gè)毫秒級(jí)別延遲后用低電壓進(jìn)行狀態(tài)維持，降低工作時(shí)所需能耗。
【IPC分類】F16K31/06
【公開號(hào)】CN105299299
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510909100
【發(fā)明人】蔡泳, 梁倉
【申請(qǐng)人】重慶南方數(shù)控設(shè)備有限責(zé)任公司
【公開日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年12月8日