本發(fā)明涉及流量調(diào)節(jié)裝置，特別是一種磁控調(diào)檔裝置。

背景技術(shù)：

永磁控制閥是指永久磁體控制全封閉的閥門，其主要優(yōu)點是無需傳統(tǒng)的桿、軸和閥門所必需且易損的動密封件等，杜絕了閥門的泄漏。

中國發(fā)明專利申請CN102278521A公開了一種永磁直接控制閥及其應(yīng)用，包括：“閥座、閥蓋、永磁體組件，還有在閥內(nèi)僅裝有的閥栓組件，閥栓組件用來直接關(guān)閉或打開閥口”。該申請同時公開其可應(yīng)用于水龍頭、三角閥、液位閥等多種閥門。但是使用上述技術(shù)的閥門都有一個共同的缺陷，即：閥門的狀態(tài)只有開、關(guān)兩種狀態(tài)，無法應(yīng)用于需要對流量進(jìn)行階梯控制的場景。而傳統(tǒng)閥門所采用的桿帶動密封方式，很難控制流量的具體大小，需要具體控制時，需要加入電子控制系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，或者加入專業(yè)測量裝置，人工調(diào)節(jié)，不方便，而且電子部件容易失靈、損壞，維修麻煩。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是針對背景技術(shù)中存在的缺點和問題加以改進(jìn)和創(chuàng)新，提供一種方便對流量進(jìn)行調(diào)檔控制的磁控調(diào)檔裝置。

本發(fā)明的技術(shù)方案是構(gòu)造一種磁控調(diào)檔裝置，包括閥體、調(diào)節(jié)板，其中：所述的閥體包括進(jìn)氣室、出氣室，所述進(jìn)氣室和出氣室之間設(shè)置有兩個以上的通氣口，每個所述通氣口下方設(shè)置有可上下活動的磁體，使得每個所述通氣口可以被設(shè)置在其下方的磁體蓋住，所述調(diào)節(jié)板設(shè)置在所述閥體的上部，并且可以沿通氣口排列方向移動，使得當(dāng)所述調(diào)節(jié)板位于所述磁體上方時，可以將所述磁體吸引住，覆蓋所述通氣口。

在其中一個實施例中，所述的通氣口單列分布，所述通氣口大小相等或者成比例，所述調(diào)節(jié)板為長條形，可覆蓋所有通氣口。

在其中一個實施例中，所述的通氣口和磁體數(shù)量為四個，所述通氣口的大小比例為1:2:3:4。

在其中一個實施例中，每個所述通氣口底部設(shè)置有密封環(huán)。

更優(yōu)地，所述的通氣口和磁體數(shù)量為三個，所述通氣口的大小比例為3:5:12。

更優(yōu)地，所述的通氣口和磁體數(shù)量為二個，所述通氣口的大小比例為3:7。

在其中一個實施例中，所述磁控調(diào)檔裝置還包括變孔嵌入塊，所述變孔嵌入塊設(shè)置有上下貫通的通孔，所述變孔嵌入塊可以安裝在所述通氣口內(nèi)，所述出氣室的底部對應(yīng)于所述磁體的位置設(shè)置有可拆卸的密封堵頭，所述密封堵頭拆下時可以將所述磁體和變孔嵌入塊取出。

更優(yōu)地，所述變孔嵌入塊的數(shù)量為二個以上，所述每個變孔嵌入塊上的通孔可以大小不一。

更優(yōu)地，所述的變孔嵌入塊數(shù)量為三個，所述通孔的大小比例為3:5:12。

更優(yōu)地，所述的變孔嵌入塊數(shù)量為二個，所述通孔的大小比例為3:7。

本發(fā)明的優(yōu)點和有益效果：

本發(fā)明采用控制多通氣口的開關(guān)來控制總體流量的大小，只需移動調(diào)節(jié)板位置即可實現(xiàn)不同檔位轉(zhuǎn)換，按比例調(diào)節(jié)流量大??；

在需要燃?xì)?、壓力空氣進(jìn)行風(fēng)氣聯(lián)動時，將兩套本發(fā)明分別接入燃?xì)馔ǖ篮涂諝馔ǖ?，也可方便實現(xiàn)燃?xì)馀c空氣的最佳配比；

不同變孔嵌入塊可以相互替換，使得通氣口的實際通氣能力可以調(diào)節(jié)；

沒有電子部件，穩(wěn)定可靠，安裝維護(hù)簡單。

附圖說明

圖1是實施例1的一個使用狀態(tài)示意圖。

圖2是實施例1的一個使用狀態(tài)示意圖。

圖3是實施例2的一個使用狀態(tài)示意圖。

圖4是實施例2的一個使用狀態(tài)的剖視圖。

圖5是實施例3的一個使用狀態(tài)示意圖。

圖6是圖5中的A部分放大圖。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的首選實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容更加透徹全面。

需要說明的是，當(dāng)元件被認(rèn)為是“設(shè)置”在另一個元件上，它可以是直接設(shè)置或連接在另一個元件上或者可能同時存在居中元件。

除非另有定義，本文中所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施目的，不是旨在限制本發(fā)明。

實施例1

如圖1~2所示，一種磁控調(diào)檔裝置，包括閥體1、調(diào)節(jié)板2，其中：所述的閥體1包括進(jìn)氣室11、出氣室12，所述進(jìn)氣室11設(shè)置在所述出氣室12的上方，所述進(jìn)氣室11和出氣室12之間設(shè)置有四個大小相等的通氣口13，每個所述通氣口13下方設(shè)置有可上下活動的磁體14，使得每個所述通氣口13可以被設(shè)置在其下方的磁體14蓋住，所述調(diào)節(jié)板2為長條形，設(shè)置在所述閥體1的上部，并且可以沿通氣口13排列方向移動，使得當(dāng)所述調(diào)節(jié)板2位于所述磁體14上方時，可以將所述磁體14吸引住，覆蓋所述通氣口13，當(dāng)所述調(diào)節(jié)板2離開所述磁體14上方時，所述磁體14可以在重力或流體壓力作用下落下，打開所述通氣口。

實施例2

如圖3~4所示，與實施例1相比，本實施例中所述的通氣口13大小為1:2:3:4，所述通氣口13的底部設(shè)置有密封環(huán)15，當(dāng)所述磁體14覆蓋所述通氣口13時，可以起到加強密封的效果。

實施例3

如圖5~6所示，與實施例1相比，本實施例中每個所述的通氣口13內(nèi)各活動設(shè)置有一個變孔嵌入塊16，所述變孔嵌入塊16設(shè)置有上下貫通的且大小不等的通孔17，所述出氣室12的底部對應(yīng)于所述磁體14的位置設(shè)置有可拆卸的密封堵頭18，所述密封堵頭18拆下時可以將所述磁體14和變孔嵌入塊16取出，方便更換所述變孔嵌入塊16。

下面結(jié)合實施例1和實施例2和實施例3對本發(fā)明的工作原理進(jìn)行進(jìn)一步的闡述：

在實施例1中，所述四個通氣口大小相等，當(dāng)所述調(diào)節(jié)板（鐵質(zhì)）從右向左（附圖中的方向）靠近并覆蓋最右邊的通氣口時，該通氣口下方的磁體被吸引住，并且覆蓋住該通氣口，此時，本發(fā)明控制流經(jīng)其中的流體的流量為總流量的3/4；當(dāng)所述調(diào)節(jié)板繼續(xù)向左移動，覆蓋住第二個通氣口時，該通氣口下方的磁鐵被吸引住，并且覆蓋住該通氣口，此時，本發(fā)明控制流經(jīng)其中的流體的流量為總流量的1/2；當(dāng)所述調(diào)節(jié)板繼續(xù)向左移動，覆蓋住第三個通氣口時，該通氣口下方的磁鐵被吸引住，并且覆蓋住該通氣口，此時，本發(fā)明控制流經(jīng)其中的流體的流量為總流量的1/4；當(dāng)所述調(diào)節(jié)板繼續(xù)向左移動，覆蓋住第四個通氣口時，該通氣口下方的磁鐵被吸引住，并且覆蓋住該通氣口，此時，本發(fā)明閥門關(guān)閉。

同樣，在實施例2中，假設(shè)所述通氣口從左至右大小比例為1:2:3:4，則從右至左關(guān)閉一個通氣口、關(guān)閉兩個通氣口、關(guān)閉三個通氣口所述方式移動調(diào)節(jié)板，流量比例分別為3/5、3/10、1/10。或者所述通氣口從左至右大小比例為4:3:2:1，則從右至左關(guān)閉一個通氣口、關(guān)閉兩個通氣口、關(guān)閉三個通氣口所述方式移動調(diào)節(jié)板，流量比例分別為9/10、7/10、2/5。

同樣，通氣孔的數(shù)量和通氣孔的大小比例可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定，在實施例3，通過簡單更換不同大小通孔的變孔嵌入塊，可以方便對通氣口的通氣能力進(jìn)行調(diào)節(jié)。這樣就可實現(xiàn)對流量的高精度控制，相對于傳統(tǒng)旋鈕精度難以把握和電子式的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案可以最簡單易操作的情況下實現(xiàn)高精度，具有很好的應(yīng)用前景。

本發(fā)明所述的實施例僅僅是對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行的描述，并非對本發(fā)明構(gòu)思和范圍進(jìn)行限定，在不脫離本發(fā)明設(shè)計思想的前提下，本領(lǐng)域中工程技術(shù)人員對本發(fā)明的技術(shù)方案做出的各種變型和改進(jìn)，均應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明請求保護(hù)的技術(shù)內(nèi)容，已經(jīng)全部記載在權(quán)利要求書中。