本發(fā)明涉及建筑送風(fēng)技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種用于正壓送風(fēng)機(jī)泄壓控制器的控制接口電路。

背景技術(shù)：

正壓送風(fēng)機(jī)是指向逃生樓道里送風(fēng)的風(fēng)機(jī),它將室外風(fēng)壓送入室內(nèi)。當(dāng)建筑物發(fā)生火災(zāi)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量煙霧、一氧化碳等有毒氣體并遮擋視線，正壓送風(fēng)機(jī)的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量裝置回檢測(cè)到工作現(xiàn)場(chǎng)氣壓的異常，通過(guò)正壓送風(fēng)機(jī)給逃生的消防樓梯送風(fēng)，即泄壓，使室內(nèi)的煙霧不能抵達(dá)樓梯，給人們逃生創(chuàng)造條件。

正壓送風(fēng)機(jī)一般裝于建筑物頂，與各層的正壓風(fēng)閥聯(lián)動(dòng)?；馂?zāi)初期時(shí)打開(kāi)風(fēng)閥，啟動(dòng)正壓送風(fēng)機(jī)，使樓梯間、電梯廳處于正壓狀態(tài)(送風(fēng)狀態(tài))。

正壓送風(fēng)機(jī)泄壓控制裝置需要對(duì)送風(fēng)機(jī)氣壓測(cè)量裝置發(fā)出的信號(hào)做出迅速準(zhǔn)確的反應(yīng)，并保證高效穩(wěn)定的工作，需要控制接口處電路給予足夠的保證，現(xiàn)有的控制接口處電路反應(yīng)速度慢且容易損壞，易產(chǎn)生不良后果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種反應(yīng)速度快、壽命長(zhǎng)的用于正壓送風(fēng)機(jī)泄壓控制器的控制接口電路。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種用于正壓送風(fēng)機(jī)泄壓控制器的控制接口電路，其特征是：包括可控硅驅(qū)動(dòng)器U2、雙向可控硅U3和浪涌吸收電路，所述可控硅驅(qū)動(dòng)器U2連接雙向可控硅U3，所述浪涌吸收電路并聯(lián)雙向可控硅U3，還包括限流電阻，所述限流電阻連接可控硅控制器U2的輸入端，輸入信號(hào)依次經(jīng)過(guò)限流電阻、可控硅驅(qū)動(dòng)器U2、雙向可控硅U3和浪涌吸收電路輸出控制信號(hào)。

優(yōu)選地，所述可控硅驅(qū)動(dòng)器U2為MOC3061，雙向可控硅U3為BTA40。

優(yōu)選地，所述限流電阻為R12，電阻R12的一端接輸入信號(hào)，另一端連接可控硅控制器U2的1管腳，可控硅控制器的2管腳接地，6管腳接門極電阻R13的一端，4管腳分別連接電阻R16的一端和雙向可控硅U3的第一主電極，電阻R16的另一端連接雙向可控硅的第二主電極，門極電阻R13的另一端連接雙向可控硅U3的門極。

優(yōu)選地，所述浪涌電路包括串聯(lián)連接的電阻R14和電容C16。

優(yōu)選地，所述雙向可控硅U3的門極和第二主電極分別為控制輸出接口。

優(yōu)選地，所述電阻R12～R14、R16的阻值分別為1KΩ、300Ω、39Ω、300Ω，電容C16的電容值為100nF。

本發(fā)明的有益效果是：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的門極電阻R13能夠提高雙向可控硅U3的抗干擾能力；浪涌吸收電路，放置浪涌吸收電壓損壞雙向可控硅，延長(zhǎng)電路的使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明所述接口電路的電路圖。

具體實(shí)施方式

為能清楚說(shuō)明本方案的技術(shù)特點(diǎn)，下面通過(guò)具體實(shí)施方式，并結(jié)合其附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。

如圖1-2所示，本發(fā)明的一種用于正壓送風(fēng)機(jī)泄壓控制器的控制接口電路，其特征是：包括可控硅驅(qū)動(dòng)器U2、雙向可控硅U3和浪涌吸收電路，所述可控硅驅(qū)動(dòng)器U2連接雙向可控硅U3，所述浪涌吸收電路并聯(lián)雙向可控硅U3，還包括限流電阻，所述限流電阻連接可控硅控制器U2的輸入端，輸入信號(hào)依次經(jīng)過(guò)限流電阻、可控硅驅(qū)動(dòng)器U2、雙向可控硅U3和浪涌吸收電路輸出控制信號(hào)。

優(yōu)選地，所述可控硅驅(qū)動(dòng)器U2為MOC3061，雙向可控硅U3為BTA40。

優(yōu)選地，所述限流電阻為R12，電阻R12的一端接輸入信號(hào)，另一端連接可控硅控制器U2的1管腳，可控硅控制器的2管腳接地，6管腳接門極電阻R13的一端，4管腳分別連接電阻R16的一端和雙向可控硅U3的第一主電極，電阻R16的另一端連接雙向可控硅的第二主電極，門極電阻R13的另一端連接雙向可控硅U3的門極。

限流電阻R12使輸入可控硅驅(qū)動(dòng)器U2內(nèi)部紅外發(fā)光二極管電流為10mA?？煽毓栩?qū)動(dòng)器U2的驅(qū)動(dòng)能力有限，因此加入可控硅U2過(guò)電流能力強(qiáng)，換相性能高；當(dāng)雙向可控硅U3靈敏度較高時(shí)，門極電阻R13的阻抗也很高，可提高雙向可控硅U3抗干擾能力。電阻R16是觸發(fā)雙向可控硅U3的限流電阻，電阻R14和電容C16組成浪涌吸收電路，防止浪涌電壓損壞雙向可控硅。此控制電路具有反應(yīng)速度快，壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。

所述雙向可控硅U3的門極和第二主電極分別為控制輸出接口out1、out2。

優(yōu)選地，所述電阻R12～R14、R16的阻值分別為1KΩ、300Ω、39Ω、300Ω，電容C16的電容值為100nF。

以上所述只是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也被視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。