本發(fā)明水泵技術(shù)領(lǐng)域，特指一種應(yīng)用于水泵上的水流開關(guān)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中的水流開關(guān)大多由磁芯、復(fù)位彈簧、外殼和傳感器組成，水流推動(dòng)磁芯，傳感器檢測(cè)磁芯的動(dòng)作，該類型的水流開關(guān)必然會(huì)導(dǎo)致壓力損失。

另外，市場(chǎng)上也存在一些電磁流量計(jì)，電磁流量計(jì)根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)原理制作；當(dāng)導(dǎo)體在磁場(chǎng)中做切割磁力線運(yùn)動(dòng)時(shí)，在導(dǎo)體中會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)；同理，導(dǎo)電流體在磁場(chǎng)中做垂直方向流動(dòng)而切割磁感應(yīng)力線時(shí)，也會(huì)在管道兩邊的電極上產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E，檢測(cè)并處理該電動(dòng)勢(shì)信號(hào)即可獲得流體流速。

通過勵(lì)磁線圈將磁場(chǎng)施加給被測(cè)流體，被測(cè)流體在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，水流開關(guān)的管道兩邊的電極上產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E，感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E的大小由下式確定：E＝B*V*D*K

式中，

E——感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)；

B——磁感應(yīng)強(qiáng)度；

V——導(dǎo)電液體平均流速；

D——電極間距；

K——與磁場(chǎng)分布及軸向長(zhǎng)度有關(guān)的系數(shù)；

勵(lì)磁方式主要是低頻方波勵(lì)磁，即由恒流源給勵(lì)磁線圈供電，不斷地切換勵(lì)磁線圈中電流的方向，使得勵(lì)磁電流在正負(fù)恒定值之間周期地變化。

由于感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E的信號(hào)十分微弱，為減小工頻干擾，提高測(cè)量的穩(wěn)定性，其勵(lì)磁頻率，局限于工頻(通常為50Hz)的偶數(shù)倍分頻，如25Hz、12.5Hz、8.333Hz、6.25Hz等，其分頻倍數(shù)分別為2、4、6、8倍等。采用偶數(shù)倍可以減小工頻干擾的原理為：勵(lì)磁周期為20ms的偶數(shù)倍，使得正負(fù)勵(lì)磁半周期為20ms的整數(shù)倍，這樣正負(fù)勵(lì)磁時(shí)，工頻干擾相同，在運(yùn)算時(shí)，可以相抵。

在工頻為50Hz的情況下，例如對(duì)于口徑小于等于100mm的電磁流量計(jì)，推薦使用25Hz的勵(lì)磁頻率；對(duì)于口徑為100mm至200mm之間(例如125mm、150mm)的電磁流量計(jì)，推薦使用18.75Hz的勵(lì)磁頻率；對(duì)于口徑為200mm至300mm(例如200mm、250mm)的電磁流量計(jì)，推薦使用12.5Hz的勵(lì)磁頻率；對(duì)于口徑為300mm至500mm(例如300mm、450mm)的電磁流量計(jì)，推薦使用9.375Hz的勵(lì)磁頻率；對(duì)于大于等于500mm的電磁流量計(jì)，推薦使用6.25Hz的勵(lì)磁頻率。即，現(xiàn)有的電磁流量計(jì)的設(shè)計(jì)理念中：管道的口徑通常和勵(lì)磁頻率呈反比。

當(dāng)檢測(cè)管道的口徑在40mm以下且磁感應(yīng)強(qiáng)度B較小時(shí)，第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的獲得的信號(hào)極為微弱，且更易受到干擾，無法進(jìn)行下一步工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)上述問題，提供了一種不會(huì)導(dǎo)致壓力，使用方便準(zhǔn)確的水流開關(guān)。

本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種水流開關(guān)，包括殼體，殼體內(nèi)設(shè)置有前后貫通的水流通道，水流通道兩端分別設(shè)置有進(jìn)水接頭和出水接頭；殼體內(nèi)設(shè)置有至少一組檢測(cè)機(jī)構(gòu)，檢測(cè)機(jī)構(gòu)包括

一對(duì)磁極芯組件，布置在與水流通道的軸向相垂直的方向，并且使彼此相對(duì)；磁極芯組件上套裝有勵(lì)磁線圈；

一對(duì)檢測(cè)電極，布置在與所述一對(duì)磁極芯組件相垂直的方向，并且使其彼此相對(duì)，所述一對(duì)檢測(cè)電極的各級(jí)對(duì)著所述水流通道的內(nèi)部；

第一信號(hào)線，連接其中一檢測(cè)電極和線路板的第一接入端，

第二信號(hào)線，連接另一檢測(cè)電極和線路板的第二接入端，

線路板，其基于第一信號(hào)線及第二信號(hào)線得到的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，輸出與所述水流通道內(nèi)的液體流速相對(duì)應(yīng)的測(cè)定信號(hào)。

所述線路板包括

低通濾波電路，其用于接收所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的信號(hào)，并過濾超過設(shè)定臨界值的信號(hào)；

基本放大電路，其用于放大過濾之后的信號(hào)，并將信號(hào)傳遞至單片機(jī)；

單片機(jī)，其用于根據(jù)傳遞至的信號(hào)判斷水流通道中的液體流速；

勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)電路，其用于控制所述勵(lì)磁線圈的工作；

開關(guān)信號(hào)輸出，其用于輸送控制信號(hào)至外部執(zhí)行裝置；

電源電路，其用于給線路板上的各元件供電。

所述單片機(jī)為STM8系列單片機(jī)。

所述低通濾波電路包括電容C1、電容C4、電容C7、電阻R10、電容C16、電容C14、電容C11、電阻R15、電阻R11、電阻R5、電阻R17、電容C8、電阻R1、電阻R23、運(yùn)算放大器U1A、運(yùn)算放大器U1B、電阻R4、電阻R14、電阻R18、電容C5、電容C13、電阻R2、電阻R21、運(yùn)算放大器U1C、電阻R3、電阻R22，

接線端子P1的接腳1接電容C1、電容C4一端，電容C1的另一端接電阻R1、電阻R5的一端，R1的另一端接運(yùn)算放大器U1B的同相輸入端，

電容C4的另一端接電容C7、電阻R10的一端，電容C7、電阻R10的另一端接公共地GND；

電阻R5的另一端接電阻R11、電容C8和電阻R17的一端，電阻R11的另一端接1.65V電源；電容C8的另一端接公共地GND；

接線端子P1的接腳2接電容C16、電容C14一端，電容C16的另一端接電阻R23，電容C16的另一端同時(shí)與電阻R17的另一端連接，R23的另一端接運(yùn)算放大器U1A的同相輸入端，

電容C14的另一端接電容C11、電阻R15的一端，電容C11、電阻R15的另一端接公共地GND；

運(yùn)算放大器U1B的反相輸入端接電阻R4、電阻R14、電容C5一端，運(yùn)算放大器U1B的輸出端接電阻R4、電容C5的另一端，運(yùn)算放大器U1A的輸出端同時(shí)與電阻R2一端連接，電阻R2另一端接運(yùn)算放大器U1C的反相輸入端、電阻R3一端，電阻R3另一端接運(yùn)算放大器U1C的輸出端；

運(yùn)算放大器U1A的反相輸入端接電阻R18、電容C13的一端，運(yùn)算放大器U1A的反相輸入端同時(shí)與電阻R14另一端連接；運(yùn)算放大器U1A的輸出端接電阻R18、電容C13的另一端，運(yùn)算放大器U1A的輸出端同時(shí)與電阻R21連接，電阻R21另一端接電阻R22一端、運(yùn)算放大器U1C同相輸入端。

所述基本放大電路包括電阻R12、電容C6、電阻R13、電容C12、運(yùn)算放大器U2D、電容C9、電阻R19、運(yùn)算放大器U2A、電阻R6、電容C2、電阻R7、電容C10、電阻R20、運(yùn)算放大器U2B、電阻R8、電容C3、電阻R9、電阻R16、電容C15；

所述電阻R12的一端與運(yùn)算放大器U1C的輸出端連接，電阻R12的另一端接電容C6、電阻R13一端，電阻R13另一端接運(yùn)算放大器U2D的同相輸入端、電容C12的一端，電容C12的另一端接1.65V電源，電容C6的另一端接運(yùn)算放大器U2D的輸出端、運(yùn)算放大器U2D的反相輸入端；

運(yùn)算放大器U2D的輸出端同時(shí)接電容C9的一端，電容C9的另一端接電阻R20一端、運(yùn)算放大器U2A的同相輸入端，運(yùn)算放大器U2A的反相輸入端接電阻R6、電阻R7、電容C2的一端，電阻R6的另一端接1.65V電源，電阻R7、電容C2的另一端接運(yùn)算放大器U2A的輸出端；

運(yùn)算放大器U2A的輸出端同時(shí)接電容C10一端，電容C10另一端接電阻R20一端、運(yùn)算放大器U2B的同相輸入端，電阻R20的另一端接1.65V電源；運(yùn)算放大器U2B的反相輸入端接電阻R8、電阻R9、電容C3的一端，電阻R8的另一端接1.65V電源；電容C3、電阻R9的另一端接運(yùn)算放大器U2B的輸出端，運(yùn)算放大器U2B的輸出端同時(shí)接電阻R16的一端，電阻R16的另一端輸出信號(hào)，

電阻R16的另一端同時(shí)接電容C15，電容C15另一端接公共地GND。

所述單片機(jī)為STM8S003F3P6；所述勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)電路包括電阻R26、三極管Q2、電阻R25、電阻R24、P溝道MOS管Q1、電阻R29、電阻R30、N溝道MOS管Q3、電阻R35、三極管Q5、電阻R33、電阻R32、P溝道MOS管Q4、電阻R36、電阻R38、N溝道MOS管Q6；

電阻R26的一端接單片機(jī)STM8S003F3P6的針腳16，電阻R26的另一端接三極管Q2的基極，三極管Q2的發(fā)射極接公共地GND，三極管Q2的集電極接電阻R25一端，電阻R25的另一端接電阻R24一端、P溝道MOS管Q1的G極；電阻R24另一端接5V電源；P溝道MOS管Q1的S極接5V電源，P溝道MOS管Q1的D極接N溝道MOS管Q3的D極，N溝道MOS管Q3的S極接公共地GND，N溝道MOS管Q3的G極接電阻R29、電阻R30的一端，電阻R29的另一端接單片機(jī)STM8S003F3P6的針腳13，電阻R30的另一端接公共地GND，P溝道MOS管Q1的D極輸出電壓至P2接線端子的接腳1；

電阻R35的一端接單片機(jī)STM8S003F3P6的針腳17，電阻R35的另一端接三極管Q5的基極，三極管Q5的發(fā)射極接公共地GND，三極管Q5的集電極接電阻R33一端，電阻R33的另一端接電阻R32一端、P溝道MOS管Q4的G極；電阻R32另一端接5V電源；P溝道MOS管Q4的S極接5V電源，P溝道MOS管Q4的D極接N溝道MOS管Q6的D極，N溝道MOS管Q6的S極接公共地GND，N溝道MOS管Q6的G極接電阻R36、電阻R38的一端，電阻R36的另一端接單片機(jī)STM8S003F3P6的針腳14，電阻R38的另一端接公共地GND，P溝道MOS管Q4的D極輸出電壓至P2接線端子的接腳2；

P2接線端子的接腳1和接腳2分別連接至所述磁極芯組件的勵(lì)磁線圈。

所述殼體內(nèi)設(shè)置有左支架和右支架，左、右支架接合形成屏蔽套體，屏蔽套體圍設(shè)在水流通道的外部，所述磁極芯組件和檢測(cè)電極均安裝在屏蔽套體內(nèi)；所述檢測(cè)電極和磁極芯組件分別引出導(dǎo)線與所述電路板連接。

所述殼體的一端設(shè)置有進(jìn)水接頭，另一端設(shè)置有出水接頭，所述進(jìn)水接頭和出水接頭為不銹鋼或銅制件，進(jìn)水接頭和/或出水接頭通過金屬片與屏蔽套體連接。

所述水流通道的左、右兩側(cè)設(shè)置有貫穿至水流通道內(nèi)腔的檢測(cè)電極安裝位，檢測(cè)電極置入對(duì)應(yīng)的安裝位內(nèi)并密封，檢測(cè)電極的端頭與水流通道內(nèi)腔導(dǎo)通。

本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)突出且有益的技術(shù)效果是：

本發(fā)明通過水流經(jīng)過水流通道并在檢測(cè)電極上產(chǎn)生微弱電動(dòng)勢(shì)，并根據(jù)該微弱的電動(dòng)勢(shì)逐級(jí)放大并過濾噪聲信號(hào)，再將信號(hào)輸入單片機(jī)從而實(shí)現(xiàn)水泵的控制；實(shí)現(xiàn)了在水流通道管徑較小的情況下，通過電磁感應(yīng)原理實(shí)現(xiàn)水泵精確控制的效果；

本發(fā)明的過濾波電路并分別連接至兩級(jí)放大電路的兩個(gè)信號(hào)輸入端，兩級(jí)放大電路由的運(yùn)算放大器U1A、運(yùn)算放大器U1B為同相差分輸入方式，該設(shè)計(jì)使得抗干擾能力得到增強(qiáng)，使得水流通過時(shí)產(chǎn)生的微弱電動(dòng)勢(shì)能夠被有效檢測(cè)；不會(huì)收到外界干擾；

本發(fā)明采用逐級(jí)放大的原理，使得產(chǎn)品更為穩(wěn)定，同時(shí)節(jié)省了芯片的總體成本；

本發(fā)明的屏蔽套體能夠增強(qiáng)水流開關(guān)對(duì)外界磁場(chǎng)的抗干擾能力，使得水流通道的管徑較小時(shí)，檢測(cè)電極端的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不會(huì)收到外界干擾。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的原理框圖。

圖2是本發(fā)明的低通濾波放大電路(上部)和基本放大電路(下部)的電路圖。

圖3是本發(fā)明的單片機(jī)的示意圖。

圖4是本發(fā)明的3.3V電源的電路圖。

圖5是本發(fā)明的1.65V電源的電路圖。

圖6是本發(fā)明的基準(zhǔn)電壓的示意圖。

圖7是本發(fā)明的單片機(jī)的復(fù)位電路示意圖。

圖8是本發(fā)明的單片機(jī)的儲(chǔ)存電路的示意圖。

圖9是本發(fā)明的開關(guān)指示電路的示意圖。

圖10是本發(fā)明的勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)電路示意圖。

圖11是呈方形的水流開關(guān)示意圖。

圖12是方形的水流開關(guān)爆炸圖。

圖13是方形的水流開關(guān)內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖之一。

圖14是方形的水流開關(guān)內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖之二。

圖15是磁極芯組件的安裝方式之一。

圖16是圓柱形的水流開關(guān)示意圖。

圖17是圓柱形水流開關(guān)的爆炸圖。

圖18是圓柱形水流開關(guān)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖之一。

圖19是圓柱形水流開關(guān)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖之二。

圖中：1-鎖緊螺栓；2-出水接頭；3-殼體；4-進(jìn)水接頭；5-金屬片；6-電路板；7-左支架；8-磁極芯組件；9-右支架；10-磁極芯組件；11-檢測(cè)電極；12-密封圈；13-檢測(cè)電極；14-水流通道；15-勵(lì)磁線圈；16-鐵芯；17-鎖緊螺栓；18-繞線盤；19-底托板；20-導(dǎo)線穿口；21-進(jìn)水接頭；22-殼體；23-出水接頭；24-密封圈；25-右支架；26-通道主體；27-磁極芯組件；28-電路板；29-左支架；30-檢測(cè)電極安裝位；31-磁極芯組件；32-勵(lì)磁線圈；33-鐵芯；34-檢測(cè)電極；35-延伸定位板；141-檢測(cè)電極安裝位。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1：一種水流開關(guān)，包括殼體3，殼體內(nèi)設(shè)置有前后貫通的水流通道14，水流通道14兩端分別設(shè)置有進(jìn)水接頭4和出水接頭2；殼體內(nèi)設(shè)置有至少一組檢測(cè)機(jī)構(gòu)，檢測(cè)機(jī)構(gòu)包括

一對(duì)磁極芯組件8，10，布置在與水流通道的軸向相垂直的方向，并且使彼此相對(duì)；磁極芯組件上套裝有勵(lì)磁線圈15；

一對(duì)檢測(cè)電極11,13，布置在與所述一對(duì)磁極芯組件相垂直的方向，并且使其彼此相對(duì)，所述一對(duì)檢測(cè)電極的各級(jí)對(duì)著所述水流通道14的內(nèi)部；

第一信號(hào)線，連接其中一檢測(cè)電極和線路板的第一接入端，

第二信號(hào)線，連接另一檢測(cè)電極和線路板的第二接入端，

線路板，其基于第一信號(hào)線及第二信號(hào)線得到的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，輸出與所述水流通道內(nèi)的液體流速相對(duì)應(yīng)的測(cè)定信號(hào)。

所述線路板7包括

低通濾波電路，其用于接收所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的信號(hào)，并過濾超過設(shè)定臨界值的信號(hào)；

基本放大電路，其用于放大過濾之后的信號(hào)，并將信號(hào)傳遞至單片機(jī)；

單片機(jī)，其用于根據(jù)傳遞至的信號(hào)判斷水流通道中的液體流速；

勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)電路，其用于控制所述勵(lì)磁線圈的工作；

開關(guān)信號(hào)輸出，其用于輸送控制信號(hào)至外部執(zhí)行裝置；

電源電路，其用于給線路板上的各元件供電。

所述單片機(jī)為STM8系列單片機(jī)。

所述低通濾波電路包括濾波電路和兩級(jí)放大電路；第一信號(hào)線和第二信號(hào)線分別連接至接線端子P1的接腳1或接腳2，接腳1和接腳2接收到的信號(hào)經(jīng)過濾波電路并分別連接至兩級(jí)放大電路的兩個(gè)信號(hào)輸入端，兩級(jí)放大電路由的運(yùn)算放大器U1A、運(yùn)算放大器U1B為同相差分輸入方式，同相輸入可以大幅度提高電路的輸入阻抗，降低勵(lì)磁電路的對(duì)接線端子P1的信號(hào)干擾，減小電路對(duì)微弱輸入信號(hào)的衰減；差分輸入可以使電路只對(duì)差模信號(hào)放大，而對(duì)共模輸入信號(hào)只起跟隨作用，使得送到后級(jí)的差模信號(hào)與共模信號(hào)的幅值之比得到提高。這樣在以運(yùn)算放大器U1C為核心部件組成的差分放大電路中，可明顯降低對(duì)電阻R2和R21，R3和R22的精度匹配要求，從而使儀表放大器電路比簡(jiǎn)單的差分放大電路具有更好的共模抑制能力。

所述低通濾波電路具體是：包括電容C1、電容C4、電容C7、電阻R10、電容C16、電容C14、電容C11、電阻R15、電阻R11、電阻R5、電阻R17、電容C8、電阻R1、電阻R23、運(yùn)算放大器U1A、運(yùn)算放大器U1B、電阻R4、電阻R14、電阻R18、電容C5、電容C13、電阻R2、電阻R21、運(yùn)算放大器U1C、電阻R3、電阻R22，

接線端子P1的接腳1接電容C1、電容C4一端，電容C1的另一端接電阻R1、電阻R5的一端，R1的另一端接運(yùn)算放大器U1B的同相輸入端，

電容C4的另一端接電容C7、電阻R10的一端，電容C7、電阻R10的另一端接公共地GND；

電阻R5的另一端接電阻R11、電容C8和電阻R17的一端，電阻R11的另一端接1.65V電源；電容C8的另一端接公共地GND；

接線端子P1的接腳2接電容C16、電容C14一端，電容C16的另一端接電阻R23，電容C16的另一端同時(shí)與電阻R17的另一端連接，R23的另一端接運(yùn)算放大器U1A的同相輸入端，

電容C14的另一端接電容C11、電阻R15的一端，電容C11、電阻R15的另一端接公共地GND；

運(yùn)算放大器U1B的反相輸入端接電阻R4、電阻R14、電容C5一端，運(yùn)算放大器U1B的輸出端接電阻R4、電容C5的另一端，運(yùn)算放大器U1A的輸出端同時(shí)與電阻R2一端連接，電阻R2另一端接運(yùn)算放大器U1C的反相輸入端、電阻R3一端，電阻R3另一端接運(yùn)算放大器U1C的輸出端；

運(yùn)算放大器U1A的反相輸入端接電阻R18、電容C13的一端，運(yùn)算放大器U1A的反相輸入端同時(shí)與電阻R14另一端連接；運(yùn)算放大器U1A的輸出端接電阻R18、電容C13的另一端，運(yùn)算放大器U1A的輸出端同時(shí)與電阻R21連接，電阻R21另一端接電阻R22一端、運(yùn)算放大器U1C同相輸入端。

所述基本放大電路包括電阻R12、電容C6、電阻R13、電容C12、運(yùn)算放大器U2D、電容C9、電阻R19、運(yùn)算放大器U2A、電阻R6、電容C2、電阻R7、電容C10、電阻R20、運(yùn)算放大器U2B、電阻R8、電容C3、電阻R9、電阻R16、電容C15；

所述電阻R12的一端與運(yùn)算放大器U1C的輸出端連接，電阻R12的另一端接電容C6、電阻R13一端，電阻R13另一端接運(yùn)算放大器U2D的同相輸入端、電容C12的一端，電容C12的另一端接1.65V電源，電容C6的另一端接運(yùn)算放大器U2D的輸出端、運(yùn)算放大器U2D的反相輸入端；

運(yùn)算放大器U2D的輸出端同時(shí)接電容C9的一端，電容C9的另一端接電阻R20一端、運(yùn)算放大器U2A的同相輸入端，運(yùn)算放大器U2A的反相輸入端接電阻R6、電阻R7、電容C2的一端，電阻R6的另一端接1.65V電源，電阻R7、電容C2的另一端接運(yùn)算放大器U2A的輸出端；

運(yùn)算放大器U2A的輸出端同時(shí)接電容C10一端，電容C10另一端接電阻R20一端、運(yùn)算放大器U2B的同相輸入端，電阻R20的另一端接1.65V電源；運(yùn)算放大器U2B的反相輸入端接電阻R8、電阻R9、電容C3的一端，電阻R8的另一端接1.65V電源；電容C3、電阻R9的另一端接運(yùn)算放大器U2B的輸出端，運(yùn)算放大器U2B的輸出端同時(shí)接電阻R16的一端，電阻R16的另一端輸出信號(hào)，

電阻R16的另一端同時(shí)接電容C15，電容C15另一端接公共地GND。

所述單片機(jī)為STM8S003F3P6；所述勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)電路包括電阻R26、三極管Q2、電阻R25、電阻R24、P溝道MOS管Q1、電阻R29、電阻R30、N溝道MOS管Q3、電阻R35、三極管Q5、電阻R33、電阻R32、P溝道MOS管Q4、電阻R36、電阻R38、N溝道MOS管Q6；

電阻R26的一端接單片機(jī)STM8S003F3P6的針腳16，電阻R26的另一端接三極管Q2的基極，三極管Q2的發(fā)射極接公共地GND，三極管Q2的集電極接電阻R25一端，電阻R25的另一端接電阻R24一端、P溝道MOS管Q1的G極；電阻R24另一端接5V電源；P溝道MOS管Q1的S極接5V電源，P溝道MOS管Q1的D極接N溝道MOS管Q3的D極，N溝道MOS管Q3的S極接公共地GND，N溝道MOS管Q3的G極接電阻R29、電阻R30的一端，電阻R29的另一端接單片機(jī)STM8S003F3P6的針腳13，電阻R30的另一端接公共地GND，P溝道MOS管Q1的D極輸出電壓至P2接線端子的接腳1；

電阻R35的一端接單片機(jī)STM8S003F3P6的針腳17，電阻R35的另一端接三極管Q5的基極，三極管Q5的發(fā)射極接公共地GND，三極管Q5的集電極接電阻R33一端，電阻R33的另一端接電阻R32一端、P溝道MOS管Q4的G極；電阻R32另一端接5V電源；P溝道MOS管Q4的S極接5V電源，P溝道MOS管Q4的D極接N溝道MOS管Q6的D極，N溝道MOS管Q6的S極接公共地GND，N溝道MOS管Q6的G極接電阻R36、電阻R38的一端，電阻R36的另一端接單片機(jī)STM8S003F3P6的針腳14，電阻R38的另一端接公共地GND，P溝道MOS管Q4的D極輸出電壓至P2接線端子的接腳2；

P2接線端子的接腳1和接腳2分別連接至所述磁極芯組件的勵(lì)磁線圈。兩個(gè)勵(lì)磁線圈通過導(dǎo)線順序連接，且相鄰端的磁極不同。

所述殼體3內(nèi)設(shè)置有左支架7和右支架9，左、右支架接合形成屏蔽套體，屏蔽套體圍設(shè)在水流通道14的外部，所述磁極芯組件和檢測(cè)電極均安裝在屏蔽套體內(nèi)；所述檢測(cè)電極和磁極芯組件分別引出導(dǎo)線與所述電路板連接。

所述殼體的一端設(shè)置有進(jìn)水接頭，另一端設(shè)置有出水接頭，所述進(jìn)水接頭和出水接頭為不銹鋼或銅制件，進(jìn)水接頭和/或出水接頭通過金屬片5與屏蔽套體連接。

所述水流通道的左、右兩側(cè)設(shè)置有貫穿至水流通道內(nèi)腔的檢測(cè)電極安裝位141，檢測(cè)電極置入對(duì)應(yīng)的安裝位內(nèi)并密封，檢測(cè)電極的端頭與水流通道內(nèi)腔導(dǎo)通。

本實(shí)施例中，水流開關(guān)呈方形，所述左、右支架接合成的屏蔽套體為方形框體；左、右支架通過螺栓固定安裝在水流通道主體的外部；所述磁極芯組件8，10包括一繞線盤，繞線盤上設(shè)置有勵(lì)磁線圈15；繞線盤中央的筒體內(nèi)設(shè)置有鐵芯14。

下表為附圖2-10中各電子元件的數(shù)據(jù)：

本實(shí)施例中，P2端輸出頻率為6.25HZ；P1接收到的信號(hào)為2.5mv，6.25HZ(有噪聲信號(hào))；AIN4端的信號(hào)為2.5v，6.25HZ，放大了1000倍。

實(shí)施例2，本實(shí)施例與實(shí)施例1基本相同，其不同之處在于，所述水流開關(guān)呈圓柱形，水流通道主體26的兩側(cè)設(shè)置有延伸定位板35，勵(lì)磁線圈組件的骨架27貼合在水流通道主體外部，勵(lì)磁線圈組件的外緣恰好嵌入延伸定位板與水流通道主體之間，定位可靠。左、右支架29，25對(duì)接形成屏蔽套體。