專利名稱：用于連桿的位移傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種位移傳感器，特別是一種用于連桿的位移傳SI。
2、 技術(shù)問題
為了產(chǎn)生例如作用于流體的壓力或使流體流動的機械功，活塞包括能夠在 腔室中線性移動的裝置。此外，活塞旨^)多響應于將流體引入腔室或者從腔室排 出而移動。結(jié)果，活塞廣泛地用于將流體運動轉(zhuǎn)換成活塞的機械運動以及將活 塞的機械運動轉(zhuǎn)換成流體運動。
活塞廣泛地用于工業(yè)應用中?；钊糜谑沽黧w運動?；钊糜陂y門裝置中 來控制流體包括液體和氣體的流動。由于這些用途，經(jīng)常需要知道活塞連桿的 精確和瞬時位移。 解決方法
根據(jù)本發(fā)明的實施例提供一種位移傳感器。位移傳感器包括具有不規(guī)則f茲 性分級區(qū)域的連桿以及接近該不規(guī)則磁性分級區(qū)域定位的磁性傳感器。磁性傳 感器產(chǎn)生與不規(guī)則磁性分級區(qū)域相對于磁性傳感器的位置有關(guān)的位置信號。
根據(jù)本發(fā)明的實施例提供一種位移傳感器。位移傳感器包括具有不規(guī)則磁 性分級區(qū)域的連桿以及接近該不規(guī)則磁性分級區(qū)域定位的磁性傳感器。磁性傳 感器包括耦合元件，該耦合元件具有兩個支柱和一個頂端；固定到耦合元件的 兩個支柱的底部支柱端的兩個磁鐵；以及固定到耦合元件的頂端的霍爾效應傳 感器。霍爾效應傳感器與兩個磁鐵磁性連接。磁性傳感器產(chǎn)生與不規(guī)則磁性分 級區(qū)域相對于磁性傳感器的位置有關(guān)的位置信號。
根據(jù)本發(fā)明的實施例提供一種位移傳感器。位移傳感器包括具有不規(guī)則磁 性分級嵌入物的連桿以及接近該不規(guī)則磁性分級^A物定位的磁性傳感器。磁 性傳感器產(chǎn)生與不規(guī)則磁性分級嵌入物相對于該磁性傳感器的位置有關(guān)的位置 信號。
根據(jù)本發(fā)明的實施例提供一種位移傳感器。位移傳感器包括具有分級腔室部分的實質(zhì)上磁性的連桿以及接近該分級腔室部分定位的磁性傳,。磁性傳 自產(chǎn)生與分級腔室部分相對于該磁性傳感器的位置有關(guān)的位置信號。
根據(jù)本發(fā)明的實施例提供一種位移傳感器。位移傳感器包括具有不規(guī)則磁 性分級區(qū)域的實質(zhì)上磁性的連桿，以及接近該不規(guī)貝,性分級區(qū)域定位的磁性 傳感器。磁性傳感器產(chǎn)生與不規(guī)則磁性分級區(qū)域相對于該磁性傳感器的位置有 關(guān)的位置信號。

發(fā)明內(nèi)容
在位移傳感器的一個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域至少部分地位于連桿內(nèi)。
在位移傳感器的另一個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上完全位于連 桿內(nèi)。
在位移傳感器的又一個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上在軸向上以 連桿為中心。
在位移傳感器的又一個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域包括分級磁性響應
在位移傳感器的又一個實施例中，連桿包括空心部分，不規(guī)則磁性分級區(qū) 域包括位于該空心部分中的分級磁性響應嵌入物。
在位移傳感器的又一個實施例中，連桿實質(zhì)上是磁性的，不規(guī)則磁性分級 區(qū)域包括分級空腔部分。
在位移傳感器的又一個實施例中，連桿實質(zhì)上是磁性的，不規(guī)則磁性分級 區(qū)域由連桿形成。
在位移傳感器的另一個實施例中，磁性傳感器包括耦合元件，該耦合元件 具有兩個支柱和一個頂端；固定于耦合元件的兩個支柱的底部支柱端的兩個磁 鐵；以及固定于耦合元件的頂端的霍爾效應傳感器，其中霍爾效應傳感器與兩 個磁鐵磁性連接。
在位移傳感器的又一個實施例中，兩個磁鐵實質(zhì)上沿著與連桿表面相應的 弧線設置。
在位移傳感器的又一個實施例中，兩個磁鐵包括兩個實質(zhì)上相反的磁體。


在所有附圖中，相同的附圖標記代表相同的元件。應當理解，附圖沒必要是成比例的。
附圖1表示根據(jù)本發(fā)明實施例的磁性傳感器。 附圖2表示根據(jù)本發(fā)明實施例的活塞位移傳感器。 附圖3表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿。 附圖4表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿。
附圖5表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿。 附圖6表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿。 附圖7表示活塞連桿，其中部分插入不規(guī)則磁性分級^A物。 附圖8表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿。 附圖9表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿。
具體實施例方式
附圖1-9和下面的描述描繪了教導本領(lǐng)域技術(shù)人員制造和使用本發(fā)明的最 佳方式的特例。為了教導發(fā)明的原理，簡化或省略了一些常規(guī)方面。本領(lǐng)域技 術(shù)人員根據(jù)這些例子可以理解落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的變型。本領(lǐng)域技術(shù)人員應 當理解，可以將下述的技術(shù)特征以不同的方法組合以形成本發(fā)明的多種變型。 結(jié)果，本發(fā)明不限于下述特例，本發(fā)明僅由權(quán)禾腰求及其等價物限定。
附圖1表示根據(jù)本發(fā)明實施例的磁性傳感器110。磁性傳感器110是位移傳 感器IOO (參見附圖2)的組件。位移傳感器100在下文的活塞連桿中論述。然 而，應當理解，任何實施例的位移傳感器100都可以與任何樣式的可替換的連 桿或元件一起使用。
磁性傳感器110包括兩W禹合元件111，該耦合元件包括兩個支柱112a和 112b。支柱112a和112b接收兩個相應的磁鐵114a和114b。 *支柱112都有 頂端120，其中霍爾效應傳感器116在兩個頂端120a和120b之間接收?；魻栃?應傳感器116可以僅定位在兩個頂端120a和120b之間或者可以以一些方式固 定、粘結(jié)或夾緊在兩個頂端120a和120b之間?？商鎿Q地，耦合元件111可以 具有一個包括多個支柱112的零件。
在這個實施例中，磁鐵114實質(zhì)上沿弧線(參見虛線)設置。該弧線對應 于活塞連桿表面(參見附圖2)。這樣，磁鐵114的M^tt面區(qū)域接近活塞連桿 103和不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105方燈。因此，提升了磁鐵114和不規(guī)則磁性分級 區(qū)域105之間的相互作用。在一個實施例中，兩個磁鐵114a和114b在不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105周圍 的位置實質(zhì)上是相對的(例如，間隔180度)。這樣，可以使磁路最佳生效。然 而，應當理解，當4柳多個磁鐵時，它們可以位于不規(guī)貝ij磁性分級區(qū)域105周
圍任何需要的位置或者布局。
附圖2表示根據(jù)本發(fā)明實施例的活塞位移傳 100?；钊灰苽鞲衅?00 包括作為活塞連桿103 —部分的不規(guī)則磁性分級區(qū)域105，以及接近不規(guī)則磁性 分級區(qū)域105 (接近活塞連桿103)的磁性傳感器IIO。然而，應當理解，可以 Mil任何移動連桿103的方式使用位移傳感器IOO，而不限于應用于活塞。
磁性傳感器110不需要接觸活塞連桿103。替代地，磁性傳，110維持其 與不規(guī)則磁性分級區(qū)域105之間的工作間隙G (參見附圖9)。在一些實施例中， 由于活塞連桿103相對于磁性傳感器110軸向移動，因而改變工作間隙G的大 小。還應當理解，在一些實施例中，在磁性傳感器110和活塞連桿103之間維 持固定間隙，而不依賴于工作間隙G。
磁性傳感器110產(chǎn)生與不規(guī)則磁性分級區(qū)域105的位置有關(guān)的位置信號， 這是因為磁阻依賴于磁性傳感器110和不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105的位置。位置 信號是由磁性傳感器110和不規(guī)則磁性分級區(qū)域105之間的磁性相互作用如霍 爾效應而產(chǎn)生的。不規(guī)則磁性分級區(qū)域105實際上形成了用于磁性傳感器110 的磁路。工作間隙G的大小控制磁路的效力。因此，可以ffiii增加工作間隙G 減少由磁性傳感器110接收并且測量的磁通量。如果活塞連桿103向附圖左側(cè) 移動，則磁性傳感器110領(lǐng)糧到劍氐水平的磁通量。相反，當活塞連桿103向 附圖右側(cè)移動時，工作間隙G減小，磁性傳感器110測量到較高水平的磁通量。
不規(guī)則磁性分級區(qū)域105可以包括以一些方式響應于磁通量的任何材料。 不規(guī)則磁性分級區(qū)域105能夠傳導或傳遞 量。例如，如果不規(guī)則磁性分級 區(qū)域105具有高磁滲透性，則不規(guī)則磁性分級區(qū)域105育g夠傳導磁通量。因此， 磁性傳感器110能夠接收和檢測更多的磁通量?？商鎿Q地，不規(guī)則磁性分級區(qū) 域105能夠支配磁性水平使其大于或小于圍繞活塞連桿103的磁性。因此，由 于不規(guī)則磁性分級區(qū)域105是磁性不規(guī)則的，磁性傳 110獸^I多檢測不同的 位置信號，從而確定活塞連桿103的位置。
在一個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域105包括1tA物，其鑄A^者插入 活塞連桿103中(還參見附圖4和6-8)。可替換地，不規(guī)則磁性分級區(qū)域105可以是插入并位于空心部分102中的嵌入物。不規(guī)則磁性分級區(qū)域105可以包 括實心嵌入物，例如磁響應金屬、金屬化合物、磁響應陶瓷或陶瓷化合物?？?替換地，不規(guī)則磁性分級區(qū)域105可以包括填充有磁響應流體的空心容器。在 另一個替換方案中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域105包括活塞連桿103中的分級腔室 部分105 (參見附圖3)，其中腔室或成型區(qū)域與磁性傳感器110相互作用。在 又一個實施例中，不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105包括由活塞連桿103形成的不規(guī)則 磁性分級區(qū)域105 (參見附圖5)。
在活塞位移傳感器100的一個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域105至少部 分地位于活塞連桿103中。在另一個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域105實質(zhì) 上完全位于活塞連桿103中。在又一個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域105實 質(zhì)上軸向上以活塞連桿103為中心。
不規(guī)則磁性分級區(qū)域105以一些方式分級。在所示的實施例中，不規(guī)則磁 性分級區(qū)域105實質(zhì)上是錐形的。然而，也可以f頓其它形狀(參見附圖6-8)。 因此，磁性傳感器110育彌產(chǎn)生相對于不規(guī)則磁性分級區(qū)域105變化的位置信 號。當磁性傳感器110位于不規(guī)則磁性分級區(qū)域105較大的一端時，在一個實 施例中，不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105將傳導更多的磁通量，因此增加了位置信號。 相反，當磁性傳感器110位于較小的一端時，由于更多的磁通量M3i耦合元件 1U傳導到霍爾效應傳感器116，因而增加了位置信號。
本發(fā)明的一個好處在于可以通過位置信號確定活塞的絕對位置。由于不 規(guī)則磁性分級區(qū)域105上的分級，即使活塞沒有移動，或者在相關(guān)的外部控制 器或處理器復位或失去電力之后，也可以確定絕對位置。
本發(fā)明的另一個好處在于可以精確地確定活塞的運動方向。運動方向可 以M位置信號的信號水平來確定，其中信號水平隨著不規(guī)貝i臓性分級區(qū)域105 的分級大小的增大或減小而改變。
本發(fā)明的又一個好處在于可以提供活塞的速度和加速度。速度和加速度
可以根據(jù)位置信號隨時間的變化來確定。
磁性傳感器110具有霍爾效應傳,116和相關(guān)的線束117、包括兩個支柱 的耦合單元lll，以及對應于該兩個支柱的兩個磁鐵114。應當理解，可以使用 兩個以上的支柱和磁鐵。可以將^^磁性傳感器110和不規(guī)則磁性分級區(qū)域105 裝入活塞或閥門的內(nèi)部。耦合元件111包括軟磁或磁導材料。例如，耦合元件111可由鐵，鋼或鐵 素體鋼形成。然而，也可以使用其它的磁導材料。結(jié)果，由一個或多^H1鐵114
產(chǎn)生的磁通量通過耦合元件m傳導到霍爾效應傳感器i16。同時，如果磁性傳
110接近，則一個或多個磁鐵114與不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105相互作用。 當一個或多個磁鐵114 ft^不規(guī)貝i臓性分級區(qū)域105時(即當工作間隙G較小 時)，磁路較強，耦合元件111將大量的磁通量從一個或多個磁鐵114傳導到霍 爾效應傳 116。當一個或多個磁鐵114遠離時(即工作間隙G較大)，不規(guī) 則磁性分級區(qū)域105將從一個或多個磁鐵114傳導非常少的M量，其中減少 了由耦合元件111傳遞到霍爾效應傳感器116的磁性量。這樣，霍爾效應傳感 器116能夠產(chǎn)生與磁響應嵌入物相對于磁性傳感器110的位置有關(guān)的位置信號。 在這個實施例中，活塞連桿103包括空心部分102，不規(guī)貝臓性分級區(qū)域 105具有不規(guī)則磁性分級^A物105。不規(guī)則磁性分級i^A物105位于空心部分 102中。空心部分102可以是任何所需的尺寸或開沐。在一個實施例中，不規(guī)則 磁性分級嵌入物105膠合或粘結(jié)在空心部分102中?？商鎿Q地，不規(guī)則磁性分
級i^A物105能夠通過壓配合自擦配合保持，或者能夠aM子或其它密封
裝置(未在附圖中表示)卩膝。為此，不規(guī)則磁性分級^A物105可以包括圓 柱形部分107。圓柱形部分107旨^I多在空心部分102中提供摩擦配合，或者提供 用于在空心部分102中粘結(jié)不規(guī)貝臓性分級^A物105的區(qū)域。
在一個實施例中，可以將磁性傳離110插入非磁響應材料本體130中。 本體130可以包括任何非導磁材料，例如塑料。本體130可以用于將磁性傳感 器110的組件作為一個單元保持。此外，本體130可以用于將磁性傳感器100 安裝或固定到附近的結(jié)構(gòu)。另外，本體130可以用于保護和/或密封磁性傳感器 110。
附圖3表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿103。在這個實施例中，活 塞連桿103實質(zhì)上是磁性的?；钊B桿103包括直的腔室部分104和分級的腔 室部分105。分級的空腔部分105包括磁性減小的分級區(qū)域。因此，如前所述， 分級的空腔部分105與磁性傳感器110相互作用，以便產(chǎn)生位置信號。因此， 位置信號與分級腔室部分105相對于磁性傳感器110的位置有關(guān)。
附圖4表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿103。在這個實施例中，不 規(guī)貝i臓性分級區(qū)域105實質(zhì)上軸向插入活塞連桿103。在這個實施例中，在插入?yún)^(qū)域108中，活塞連桿103的直徑不是均勻的?？商娲兀钊B桿103的直 徑在插入?yún)^(qū)域108的一端較大，其中在不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105周圍，活塞連 桿103具有實質(zhì)上均勻的活塞連桿材料的橫截面積。結(jié)果，這個實施例不會遭 受插入?yún)^(qū)域108中 威少的連桿強度。
附圖5表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿103。在這個實施例中，活 塞連桿103實質(zhì)上是磁性的，并且包括由活塞連桿103形成的不規(guī)則磁性分級 區(qū)域105。在這個實施例中，不規(guī)則磁性分級區(qū)域105可以任何方式形成，例如 鑄造^m械加工。不規(guī)則磁性分級區(qū)域105可以具有小于活塞連桿103的標準 直徑D的直徑。不規(guī)則磁性分級區(qū)域105可以具有大于活塞連桿103的標準直 徑D的直徑。此外，如圖所示，不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105可以從小于標準直徑 D的直徑向大于標準直徑D的直徑張開。不規(guī)則磁性分級區(qū)域105與磁性傳感 器110相互作用，以產(chǎn)生位置信號。因此，位置信號與不規(guī)則磁性分級區(qū)域105 相對于磁性傳感器110的位置有關(guān)。
附圖6表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿103。在這個實施例中，不 規(guī)則磁性分級區(qū)域105包括楔形itA物105。楔形^A物105可以實質(zhì)上是矩形 輪廓，或者可以包括任何分級的楔形。如圖所示，楔形^A物105可部分插入 活塞連桿103，或者全插入活塞連桿103。當然，該圖(以及附圖7-8)的楔形 駄物要求限制活塞連桿103的旋轉(zhuǎn)，從而使磁性傳麟110正確和有效地運 行。
附圖7表示了活塞連桿103，其中部分插入不規(guī)貝臓性分級^A物105。結(jié) 果，在本實施例中，不規(guī)則磁性分級^A物105從活塞連桿103延伸。
附圖8表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞連桿103。在這個實施例中，不 規(guī)則磁性分級區(qū)域105包括包含多個臺階106的階梯狀i^A物105。臺階106 可以具有任何需要的形狀或大小。如圖所示，階梯狀^A物105可完全插入活 塞連桿103中，或者也可以部分插入。
附圖9表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的活塞位移傳感器100。在這一實施例 中，不規(guī)貝臓性分級區(qū)域105包括彎曲的圓錐形。因此，不規(guī)則磁性分級區(qū)域 105包括實質(zhì)上凸出的或凸起的圓錐形。在本實施例中，可促使該形狀實質(zhì)上線 性化工作間隙中磁場強度的依賴性。結(jié)果，霍爾傳感器116的磁場在絕對直邊 的圓錐形中不會快速下降。
權(quán)利要求
1、一種位移傳感器(100)，包括具有不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)的連桿(103)；以及接近所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)定位的磁性傳感器(110)，其中磁性傳感器(110)產(chǎn)生與所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)相對于所述磁性傳感器(110)的位置有關(guān)的位置信號。
2、 如權(quán)利要求1所述的位移傳 (100)，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105) 至少部分地位于所,桿(103)內(nèi)。
3、 如權(quán)利要求1所述的位移傳,OOO)，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105) 實質(zhì)上完全位于所述連桿(103)內(nèi)。
4、 如權(quán)利要求1所述的位移傳感器(IOO)，所述不規(guī)貝臓性分級區(qū)域(105) 實質(zhì)上軸向上以所述連桿(103)為中心。
5、 如權(quán)利要求1所述的位移傳感器(IOO)，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105) 包括分級磁性響應嵌^物(105)
6、 如權(quán)禾腰求1所述的位移傳感器(100)，所述連桿(103)包括空心部 分(102)，所述不規(guī)則的磁性分級區(qū)域(105)包括位于所述空心部分(102) 中的分級磁性響應I^A物(105)。
7、 如權(quán)利要求1所述的位移傳感器(100)，所述連桿(103)實質(zhì)上是磁 性的，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)包括分級的腔室部分(105)。
8、 如權(quán)利要求1所述的位移傳感器(100)，所述連桿(103)實質(zhì)上是磁 性的，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)由所述連桿(103)形成。
9、 如權(quán)利要求1所述的位移傳麟(100),所述磁性傳感器(110)包括 耦合元件(1)，所述耦合元件(111)具有兩個支柱(112)和一個頂端(120);固定于所述耦合元件(111)的兩個支柱(112)的底部支柱端的兩個磁鐵(114);以及固定于所述耦合元件(111)的頂端(120)的霍爾效應傳感器(116)，其 中所述霍爾效應傳繊(116)與所述兩個磁鐵(114)磁性連接。
10、 如權(quán)利要求9所述的位移傳 (100)，所述耦合元件(111)包括兩個頂端(120)和接收兩個相應的磁鐵(114)的兩個支柱部分(112),所述霍 爾傳繊(116)固定在所述兩個頂端(120)之間，其中所述兩個磁鐵(114) 實質(zhì)上沿著對應于連桿表面的弧線設置。
11、 如權(quán)利要求9所述的位移傳感器(100)，所述兩個磁鐵(114)包括兩個實質(zhì)上相反的磁鐵。
12、 一種位移傳自(100)，包括 包括不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)的連桿(103);以及 接近所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)定位的磁性傳感器(110)，所述磁性傳感器(110)包括耦合元件(111)，所述耦合元件(111)包括兩個支柱(112)和一個頂端(120);固定于所述耦合元件(111)的兩個支柱(112)的底部支柱端的兩個磁鐵(114);以及固定于所述耦合元件(111)的頂端(120 )的霍爾效應傳感器(116)， 其中所述霍爾效應傳感器(116)與所述兩個磁鐵(114)磁性連接。其中，所述磁性傳感器(110)產(chǎn)生與所述不規(guī)貝臓性分級區(qū)域(105)相 對于所述磁性傳感器(110)的位置有關(guān)的位置信號。
13、 如權(quán)利要求12所述的位移傳感器(100)，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域 (105)至少部分地位于所述連桿(103)內(nèi)。
14、 如權(quán)利要求12所述的位移傳感器(100)，所述不規(guī)貝臓性分級區(qū)域 (105)實質(zhì)上完全位于所述連桿(103)內(nèi)。
15、 如權(quán)利要求12所述的位移傳感器(100)，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域 (105)實質(zhì)上軸向上以所述連桿(103)為中心。
16、 如權(quán)禾腰求12所述的位移傳感器(100)，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域 (105)包括分級磁性響應"KA物(105)。
17、 如權(quán)利要求12所述的位移傳感器(100)，所述連桿(103)包括空心 部分(102)，所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)包括位于所述空心部分(102) 中的分級磁性響應駄物(105)。
18、 如權(quán)禾腰求12所述的位移傳感器(100)，所述連桿(103)實質(zhì)上是 磁性的，所述不規(guī)貝臓性分級區(qū)域(105)包括分級的腔室部分(105)
19、 如權(quán)利要求12所述的位移傳麟(100)，所艇桿(103)實質(zhì)上是 磁性的，所述不規(guī)貝嵫性分級區(qū)域(105)由所縱桿(103)形成。
20、 如權(quán)利要求12所述的位移傳自(100)，所述兩個磁鐵(114)實質(zhì)上沿著對應于連桿表面的弧線設置。
21、 如權(quán)禾腰求12所述的位移傳繊(100)，所述兩個磁鐵(114)包括兩個實質(zhì)上相反的磁鐵。
22、 一種位移傳 (100)，包括 包括不規(guī)則磁性分級嵌入物(105)的連桿(103);以及 接近所述不規(guī)則磁性分級^A物(105)定位的磁性傳自(110)，其中所述磁性傳感器(110)產(chǎn)生與所述不規(guī)貝l爐性分級嵌入物(105)相對于所述磁 性傳感器(110)的位置有關(guān)的位置信號。
23、 如權(quán)禾腰求22所述的位移傳繊(100)，所述不規(guī)貝臓性分級嵌入物 (105)至少部分地位于所述連桿(103)內(nèi)。
24、 如權(quán)禾腰求22所述的位移傳感器(100)，所述不規(guī)則磁性分級嵌入物 (105)實質(zhì)上完全位于所述連桿(103)內(nèi)。
25、 如權(quán)利要求22所述的位移傳感器(100)，所述不規(guī)則磁性分級i^A物 (105)實質(zhì)上軸向上以所,桿(103)為中心。
26、 如權(quán)利要求22所述的位移傳殿l (100)，所述連桿(103)包括空心 部分(102)，所述不規(guī)貝ij磁性響應分級嵌入物(105)位于所述空心部分(102) 中。
27、 如權(quán)利要求22所述的位移傳感器(100)，所述磁性傳,(110)包括耦合元件(111)，所述耦合元件(111)包括兩個支柱(112)和一個頂端(120); 固定于所述耦合元件(111)的兩個支柱(112)的底部支柱端的兩個磁鐵(114);以及固定于所述耦合元件011)的頂端(120)的霍爾效應傳感器(116)，其 中所述霍爾效應傳感器(116)與所述兩個磁鐵(114)磁性連接。
28、 如權(quán)利要求27所述的位移傳感器(100)，所述兩個磁鐵(114)實質(zhì) 上沿著對應于連桿表面的弧線設置。
29、 如權(quán)利要求27所述的位移傳感器(100)，所述兩個磁鐵(114)包括兩個實質(zhì)上相反的磁鐵。
30、 一種位移傳自(100)，包括具有分級腔室部分(105)的實質(zhì)上磁性的連桿(103);以及 接近所述分級腔室部分(105)定位的磁性傳麟(110)，其中所述磁性傳感器(110)產(chǎn)生與所述分級腔室部分(105)相對于所i^磁性傳感器(110)的位置有關(guān)的位置信號。
31、 如權(quán)利要求30所述的位移傳感器(100)，所述磁性傳SI (110)包括耦合元件(1U)，所述耦合元件(111)包括兩個支柱(112)和一個頂端(120); 固定于所述耦合元件(111)的兩個支柱(112)的底部支柱端的兩個磁鐵(114);以及固定于所述耦合元件(111)的頂端(120)的霍爾效應傳感器(116)，其 中所述霍爾效應傳感器(116)與所述兩個磁鐵(114)磁性連接。
32、 如權(quán)利要求30所述的位移傳感器(100)，所述兩個磁鐵(114)實質(zhì)上沿著對應于連桿表面的弧線設置。
33、 如權(quán)利要求31所述的位移傳感器(100)，所述兩個磁鐵(114)包括兩個實質(zhì)上相反的磁鐵。
34、 一種位移傳,(100)，包括實質(zhì)上磁性的連桿(103)，包括由所述連桿(103)形成的不規(guī)則磁性區(qū)域 (105);以及接近所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)定位的磁性傳感器(110)，其中所述 磁性傳感器(110)產(chǎn)生與所述不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)相對于^f述磁性傳 感器(110)的位置有關(guān)的位置信號。
35、 如權(quán)利要求34所述的位移傳感器(100)，所述磁性傳感器(110)包括耦合元件(111)，所述耦合元件(111)包括兩個支柱(112)和一個頂端(120); 固定于所述耦合元件(111)的兩個支柱(112)的底部支柱端的兩個磁鐵 (114);以及固定于所述耦合元件(111)的頂端(120)的霍爾'效應傳感器(116)，其 中所述霍爾效應傳感器(116)與所述兩個磁鐵(114)磁性連接。
36、 如權(quán)利要求34所述的位移傳麟(100)，其中所述兩個磁鐵(114)實質(zhì)上沿著對應于連桿表面的弧線設置。
37、 如權(quán)禾腰求35所述的位移傳麟(100)，所述兩個磁鐵(114)包括兩個實質(zhì)上相反的磁鐵。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種位移傳感器(100)。位移傳感器(100)包括具有不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)的連桿(103)，接近不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)定位的磁性傳感器(110)。該磁性傳感器(110)產(chǎn)生與不規(guī)則磁性分級區(qū)域(105)相對于該磁性傳感器(110)的位置有關(guān)的位置信號。
文檔編號F15B15/00GK101427106SQ200680054019
公開日2009年5月6日 申請日期2006年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月28日
發(fā)明者J·西伯特, M·魯斯特, O·托德 申請人:諾格倫有限責任公司