專利名稱：一種新的全自動檢測泵失效的方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種半導體制造技術(shù)領域，尤其涉及一種用于對泵進行全自動檢測失效的方法。
背景技術(shù)：
泵是為工藝腔室提供一定的真空度，從而使硅片得以在工藝腔室的一定真空環(huán)境下進行工藝制成。如果泵發(fā)生失效，例如抽速不夠，會造成工藝腔室中有殘余氣體而對硅片產(chǎn)生顆粒影響；嚴重失效時，會使工藝腔室氣流倒灌，從而對工藝中的硅片產(chǎn)生嚴重的顆粒沾污導致硅片報廢。目前業(yè)界通用的泵的檢測方法是人工停機人工檢測，但頻率最多為每天一次。傳統(tǒng)的方法會帶來的人力資源消耗與機時的浪費，而且檢測頻率遠不能覆蓋產(chǎn)能所帶來的硅片風險。圖1為一種工藝周期過程的示意圖，請參見圖1所示。在現(xiàn)有的一次工藝周期1中通過執(zhí)行一次工藝制造菜單(wafer process recipe)和一腔室清潔菜單(chamber clean recipe)來進行制作過程。然后再繼續(xù)執(zhí)行下一次工藝周期2。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種新的全自動檢測泵失效的方法，通過在現(xiàn)有工藝程式結(jié)束前增加設定特定的條件步驟，用來自動檢測泵的底壓，從而避免人工停機人工檢測所帶來的資源消耗與機時的浪費，同時也解決傳統(tǒng)的檢測方法的頻率太低所帶來的產(chǎn)能風險。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為
一種新的全自動檢測泵失效的方法，其中，硅片是依次傳送至工藝腔室中以進行制造過程，并且泵是用于為工藝腔室抽取一定的真空度，其特征在于，在上一片硅片在工藝腔室中結(jié)束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前，增加泵的底壓檢測的步驟，用于檢測位于工藝周期中的泵的底壓狀態(tài)。本發(fā)明的進一步實施例中，上一片硅片結(jié)束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前為一次工藝周期，并且該一次工藝周期依次包括硅片制造步驟和腔室清潔步驟。本發(fā)明的進一步實施例中，在硅片制造步驟中，硅片位于工藝腔室中。本發(fā)明的進一步實施例中，在腔室清潔步驟中，硅片不在工藝腔室中。本發(fā)明的進一步實施例中，底壓檢測條件步驟具體為在上一片硅片結(jié)束制造后， 下一片硅片還沒有進入工藝腔室前，并且在腔室清潔步驟結(jié)束之前，插入對泵的底壓檢測步驟。本發(fā)明的進一步實施例中，若對腔室測出的氣壓底壓數(shù)值低于設定值，則檢測泵的功效符合要求，使得其他的硅片進入工藝腔室以完成下一個工藝周期。本發(fā)明的進一步實施例中，若對腔室測出的氣壓底壓數(shù)值高于或等于設定值，并在3秒鐘內(nèi)腔室測出的氣壓底壓數(shù)值仍高于或等于設定值，則設置系統(tǒng)報警，并且自動跳過檢測條件步驟，停止開始下一片硅片的制造過程。頁本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)，使之具有的積極效果是
通過在工藝程式結(jié)束前增加設定特定的條件步驟，用來自動檢測泵的底壓。檢測設置在上一片硅片結(jié)束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前。有效地實現(xiàn)泵的全自動底壓檢測，并防止由于泵失效產(chǎn)生的顆粒導致的硅片報廢。


圖1是一種工藝周期過程的示意圖2是一種新的全自動檢測泵失效的方法的示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖給出本發(fā)明一種新的全自動檢測泵失效的方法的具體實施方式
。圖2為一種新的全自動檢測泵失效的方法的示意圖，請參見圖2所示。本發(fā)明的一種新的全自動檢測泵失效的方法，硅片是依次傳送至工藝腔室中以進行制造過程，并且泵用于為工藝腔室抽取一定的真空度，在一次工藝周期1結(jié)束前，即在上一片硅片結(jié)束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前，增加一泵的底壓檢測條件步驟3，用來自動檢測位于工藝周期1中的泵的底壓狀態(tài)。本發(fā)明在上述基礎上還具有如下實施方式
一次工藝周期1具體包括有執(zhí)行一次硅片制造步驟(即通過選擇工藝制造菜單11)和一次腔室清潔步驟(即通過選擇腔室清潔菜單12)，同時，在硅片制造步驟中，硅片位于工藝腔室中；當硅片在腔室清潔步驟中，硅片不在工藝腔室中。然后對腔室進行底壓檢測，若腔室測出的氣壓底壓數(shù)值符合要求，將其他的硅片進入工藝腔室以完成下一次工藝周期2。本發(fā)明在上述基礎上采取的實施方式如下
使用底壓檢測條件步驟3進行檢測。在腔室清潔步驟結(jié)束之前，以10秒左右的時間讓泵以最大能力對工藝腔室抽真空，這時腔室中的氣壓即為泵能力的底壓。增加泵的底壓檢測的意義為對泵的底壓檢測步驟是通過對腔室氣壓的檢測來實現(xiàn)的，如果腔室氣壓低于設定值(例如SmTorr，該數(shù)值是預先根據(jù)實際需要所設定的，本申請所提供的具體數(shù)值并作為此發(fā)明的限制)，則認為泵的真空抽取能力是正常的，腔室氣壓滿足檢測合格，系統(tǒng)自動跳過檢測條件步驟，使得其他的硅片進入工藝腔室以完成下一次工藝周期2 ；如果腔室氣壓高于或等于設定值(例如SmTorr，該數(shù)值是預先根據(jù)實際需要所設定的，但是必須清楚的是，本申請所提供的具體數(shù)值并作為此發(fā)明的限制)，并且在3秒鐘內(nèi)(該數(shù)值是預先根據(jù)實際需要所設定的，具體數(shù)值并作為此發(fā)明的限制，該數(shù)值范圍還可以根據(jù)實際需要做其他的調(diào)整)腔室測出的氣壓底壓數(shù)值仍高于或等于設定值SmTorr，則認為泵的真空抽取能力是異常的，則設置系統(tǒng)產(chǎn)生報警，并且自動跳出檢測條件步驟，停止開始下一片硅片的制造過程。綜上所述，使用本發(fā)明一種新的全自動檢測泵失效的方法，通過在工藝程式結(jié)束前增加設定特定的條件步驟，用來自動檢測泵的底壓，有效地實現(xiàn)泵的全自動底壓檢測，并防止由于泵失效產(chǎn)生的顆粒導致的硅片報廢。從而避免人工停機人工檢測所帶來的資源消耗與機時的浪費，同時也解決傳統(tǒng)的檢測方法的頻率太低所帶來的產(chǎn)能風險。以上對本發(fā)明的具體實施例進行描述的上述內(nèi)容，具體涉及到一些壓力或時間設定的具體值，只為為了便于理解本發(fā)明，但并不構(gòu)成本發(fā)明的限制條件。
以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細描述的方法和處理過程應該理解為用本領域中的普通方式予以實施；本領域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種新的全自動檢測泵失效的方法，其中，硅片是依次傳送至工藝腔室中以進行制造過程，并且泵是用于為工藝腔室抽取一定的真空度，其特征在于，在上一片硅片在工藝腔室中結(jié)束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前，增加泵的底壓檢測的步驟，用于檢測位于工藝周期中的泵的底壓狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述新的全自動檢測泵失效的方法，其特征在于，上一片硅片結(jié)束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前為一次工藝周期，并且該一次工藝周期依次包括硅片制造步驟和腔室清潔步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述新的全自動檢測泵失效的方法，其特征在于，在硅片制造步驟中，硅片位于工藝腔室中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述新的全自動檢測泵失效的方法，其特征在于，在腔室清潔步驟中，硅片不在工藝腔室中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述新的全自動檢測泵失效的方法，其特征在于，底壓檢測條件步驟具體為在上一片硅片結(jié)束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前，并且在腔室清潔步驟結(jié)束之前，插入對泵的底壓檢測步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述新的全自動檢測泵失效的方法，其特征在于，若對腔室測出的氣壓底壓數(shù)值低于設定值，則檢測泵的功效符合要求，使得其他的硅片進入工藝腔室以完成下一個工藝周期。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述新的全自動檢測泵失效的方法，其特征在于，若對腔室測出的氣壓底壓數(shù)值高于或等于設定值，并在3秒鐘內(nèi)腔室測出的氣壓底壓數(shù)值仍高于或等于設定值，則設置系統(tǒng)報警，并且自動跳過檢測條件步驟，停止開始下一片硅片的制造過程。
全文摘要
本發(fā)明公開一種新的全自動檢測泵失效的方法，其中，硅片是依次傳送至工藝腔室中以進行制造過程，并且泵是用于為工藝腔室抽取一定的真空度，其特征在于，在上一片硅片在工藝腔室中結(jié)束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前，增加泵的底壓檢測的步驟，用于檢測位于工藝周期中的泵的底壓狀態(tài)。本發(fā)明一種新的全自動檢測泵失效的方法，通過在工藝程式結(jié)束前增加設定特定的條件步驟，用來自動檢測泵的底壓，有效地實現(xiàn)泵的全自動底壓檢測，并防止由于泵失效產(chǎn)生的顆粒導致的硅片報廢。從而避免人工停機人工檢測所帶來的資源消耗與機時的浪費，同時也解決傳統(tǒng)的檢測方法的頻率太低所帶來的產(chǎn)能風險。
文檔編號F04B51/00GK102418691SQ20111019414
公開日2012年4月18日 申請日期2011年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月12日
發(fā)明者張旭升, 陳建維, 顧梅梅 申請人:上海華力微電子有限公司