專利名稱:電沉積抗電侵蝕的復(fù)合鍍銀層的制作方法
本發(fā)明屬于低壓電器電觸點的制造。
目前，一般家用電器及小電流低壓器上的電觸點均采用純銀，銀合金或銅基復(fù)銀材料制造。這種制造方法耗銀量大，而且純銀的硬度低(HV為50)，不耐磨，不耐電浸蝕，銀合金雖然硬度較高，但電性能稍差，復(fù)銀觸點的制作工藝和設(shè)備均較復(fù)雜。
自本世紀六十年代以來，復(fù)合電沉積技術(shù)得到迅速發(fā)展，經(jīng)機檢WPI.1970-1984年的全部專利，未發(fā)現(xiàn)有關(guān)電沉積方法制造Ag-La2O3電觸點的報導。
本發(fā)明的特點是采用復(fù)合電沉積的方法在銅或其它金屬基體上沉積一層具有抗電浸蝕，耐磨的復(fù)合鍍銀層來制作電觸點，這種復(fù)合鍍銀層中彌散有占鍍層體積0.1-2%的，具有抗電浸蝕及耐磨性能的氧化鑭微粒，粒徑在0.5-20微米之間，這種復(fù)合鍍層作為電觸點的表面層具有優(yōu)良的電性能，其電阻率及接觸電阻與純銀相近，但耐電浸蝕性、耐磨性及顯微硬度均比純銀提高很多，HV達到90-100，100微米厚的這種復(fù)合鍍銀層觸點在電壓220V，電流5A，功率因數(shù)在0.6以上時，開關(guān)壽命在5萬次以上，與純銀觸點相比，采用銅基復(fù)合鍍銀觸點可節(jié)約白銀50-85%，有明顯的社會效益和經(jīng)濟效益。
本發(fā)明的復(fù)合鍍銀工藝條件如下氯化銀 35-40克/升氰化鉀 65-80克/升氧化鑭微粒(粒徑＜5微米) 0.1-50克/升鍍液溫度 15-30℃陰極電流密度 0.1-1安/分米2陽極為純限板，鍍液靠機械攪拌或鍍液循環(huán)使微粒充分懸浮。
采用本發(fā)明的復(fù)合鍍銀工藝，根據(jù)需要可獲得厚度10-200微米的復(fù)合銀鍍層。
權(quán)利要求
1.一種以銀為基的復(fù)合鍍層用于家用電器及小電流低壓電器的電觸點制造，其特征在于在復(fù)合鍍銀層中彌散有占鍍層體積0.1-2%的氧化鑭微粒，粒徑在0.5-20微米之間。
2.按照權(quán)利要求
1所述的復(fù)合鍍銀層是在添加有氧化鑭微粒的氰化鍍銀溶液中電沉積，氧化鑭的加入量為0.1-50克/升，粒徑為0.5-20微米。
專利摘要
采用復(fù)合電沉積的方法，在銅或其他金屬基體上沉積一層以銀為主，含有占鍍層體積0.1-2％，粒徑為0.5-20微米的氧化鑭微粒。這種復(fù)合銀鍍層具有較高的顯微硬度，HV達90-100，比純銀高得多的耐磨性和耐電侵蝕性，電氣性能與純銀相近，用來作電觸點的表面層可以節(jié)約50-85％的白銀。
文檔編號C25D3/56GK85102279SQ85102279
公開日1987年7月29日 申請日期1985年4月1日
發(fā)明者郭鶴桐, 唐志遠, 王兆勇, 姚素薇 申請人:天津大學導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan