1.一種用于電解器(100)的層系統(tǒng)(1)，其中，所述層系統(tǒng)(1)包括基底層堆疊(10)，所述基底層堆疊具有以下按給定順序的層：
2.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述第一間隔裝置(32a、32b、32c)鄰接所述第一穿孔層(20)，和/或其中，所述第二間隔裝置(34a、34b、34c)鄰接所述第二穿孔層(40)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，從所述第一雙極層(30)的所述第一表面(31)測(cè)量的所述第一間隔裝置(32a、32b、32c)的最大高度對(duì)應(yīng)于從所述第一雙極層(30)的所述第二表面(33)測(cè)量的所述第二間隔裝置(34a、34b、34c)的最大高度乘以落入0.2至0.8、優(yōu)選為0.3至0.7、并且進(jìn)一步優(yōu)選為0.4至0.6的范圍內(nèi)的值。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述第一間隔裝置(32a、32b、32c)和/或所述第二間隔裝置(34a、34b、34c)包括與所述第一雙極層(30)一體地形成的多個(gè)突起，其中優(yōu)選地，所述突起包括球形段、截錐體、肋形和/或銷形，其中進(jìn)一步優(yōu)選地，所述突起被布置為規(guī)則圖案，其中更進(jìn)一步優(yōu)選地，所述突起形成沿所述第一雙極層(30)的流動(dòng)通道。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述層系統(tǒng)(1)包括
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述第一雙極層(30)具有落入1mm至2mm、優(yōu)選為1.3mm至1.7mm、并且進(jìn)一步優(yōu)選為1.4mm至1.6mm的范圍內(nèi)的厚度。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述第一穿孔層(20)、所述第二穿孔層(40)和/或所述第一雙極層(30)分別由片狀金屬制成，其中優(yōu)選地，所述片狀金屬選自鍍鎳碳鋼、不銹鋼316l、合金200、合金201和/或合金59。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述第一穿孔層(20)和/或所述第二穿孔層(40)為電極涂覆，和/或其中，所述第一雙極層(30)為鎳涂覆。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述第一雙極層(30)不具有附接到其上的單獨(dú)的和/或圓周的金屬框架。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述第一雙極層(30)包括與所述第一雙極層(30)的所述第一表面(31)流體連接的第一氣體出口(35)、以及與所述第一雙極層(30)的所述第二表面(33)流體連接的第二氣體出口(36)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述第一雙極層(30)、所述第一穿孔層(20)和/或所述第二穿孔層(40)基本上是矩形的。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述層系統(tǒng)(1)包括彼此疊置的兩個(gè)基底層堆疊(10)，膜(60)在兩個(gè)相鄰穿孔層之間。
13.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述層系統(tǒng)(1)還包括布置在所述兩個(gè)相鄰穿孔層之間使得這些層之間的空間被橫向密封的第三圓周墊圈(53)，其中優(yōu)選地，所述兩個(gè)相鄰穿孔層通過所述第三圓周墊圈作為橡膠襯墊的方式層壓在一起，其中進(jìn)一步優(yōu)選地，所述兩個(gè)相鄰穿孔層具有基本相同的形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述膜(60)可以包括氧化鎳隔膜、固體聚合物電解質(zhì)膜、陶瓷膜、陰離子交換膜、陽離子交換膜和/或復(fù)合膜。
15.一種電解器(100)，包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的層系統(tǒng)(1)，其中，所述電解器(100)優(yōu)選為堿性電解器，其中進(jìn)一步優(yōu)選地，所述堿性電解器包括koh或naoh。