技術總結
本發(fā)明涉及利用離子阻性離子可穿透元件電鍍金屬的裝置和方法。在一個方面，一種用于利用改善的電鍍均勻性在半導體襯底上電鍍金屬的裝置包括：電鍍室，其被配置成容納電解液和陽極；襯底支架，其配置成保持所述半導體襯底；以及離子阻性離子可穿透元件，其包括基本上平坦的面對襯底的表面和相反的表面，其中所述元件在電鍍期間使得離子流能朝向所述襯底流動，并且其中所述元件包括具有變化的局部電阻率的區(qū)域。在一個實施例中，元件的電阻率可通過改變元件的厚度而變化。在一些實施方式中，元件的厚度從元件的邊緣沿徑向方向到中心逐漸減小。所提供的裝置和方法對于在WLP凹陷特征內電鍍金屬是特別有用的。

技術研發(fā)人員：布哈努丁·卡加伊瓦拉;布萊恩·L·巴卡柳;蔡李鵬;亞倫·貝爾克;羅伯特·拉什;史蒂文·T·邁耶
受保護的技術使用者：朗姆研究公司
文檔號碼：201610318396
技術研發(fā)日：2016.05.13
技術公布日：2016.11.23