1.將金屬電鍍?cè)谕该鲗?dǎo)電氧化物層上的方法，該方法包括如下步驟：
a)將鋅或氧化鋅的種子層直接電鍍?cè)谕该鲗?dǎo)電氧化物層上，以及
b)在該鋅或氧化鋅的種子層上電鍍一層或多層附加金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該透明導(dǎo)電氧化物層是從摻錫氧化銦、摻鋁氧化鋅、摻硼氧化鋅和摻氟氧化錫組成的群組中選出的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中將鋅或氧化鋅的種子層電鍍?cè)谕该鲗?dǎo)電氧化物層上的步驟包括使該透明導(dǎo)電氧化物層與鋅電鍍液接觸，該鋅電鍍液包含：
a.可溶性鋅鹽；
b.緩沖劑；和
c.第二金屬離子源。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中該可溶性鋅鹽是從硫酸鋅、甲磺酸鋅、硝酸鋅和鹵化鋅組成的群組中選出的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中該緩沖劑是硼酸。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中該鋅電鍍液的pH維持在約5.0至約6.0。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中該第二金屬離子源包括鈷離子源或鎳離子源。
8.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中該鋅電鍍液包含添加劑，并且其中該添加劑為聚亞烷基嵌段共聚物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中沉積在鋅層上的一層或多層附加層包括觸擊層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中該觸擊層包含從鈷觸擊鍍?cè)≈谐练e出的鈷。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中該鈷觸擊鍍?cè)“扇苄遭掻}和配位陰離子，并且其中該鈷觸擊鍍?cè)【S持約8.0的pH。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中該可溶性鈷鹽包含硫酸鈷，而該配位陰離子包含檸檬酸鹽。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，包括將金屬電鍍?cè)阱冧\的透明導(dǎo)電氧化物層上的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中該金屬為銅，并且其中該銅是從焦磷酸銅浴中沉積出來(lái)的。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中銅沉積物的厚度至少為約4微米。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中該銅沉積物的厚度為約4～約20微米。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該透明導(dǎo)電氧化物層沉積在玻璃或硅襯底上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中該透明導(dǎo)電氧化物層覆蓋該玻璃或硅襯底的至少一部分。
19.將金屬電鍍?cè)谕该鲗?dǎo)電氧化物層上的方法，該方法包括以下步驟：
a)將鋅或氧化鋅的種子層直接電鍍?cè)谕该鲗?dǎo)電氧化物層上，
b)在該鋅或氧化鋅的種子層上電鍍一鈷觸擊層，以及
c)在該鈷觸擊層上電鍍一銅層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中銅沉積物的厚度至少為約4微米。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中該銅沉積物的厚度為約4～約20微米。
22.將金屬電鍍?cè)谕该鲗?dǎo)電氧化物層上的方法，該方法包括以下步驟：
a)將種子層電鍍?cè)谕该鲗?dǎo)電氧化物層上，該種子層包含從鐵、氧化鐵、鉻和氧化鉻組成的群組中選出的材料；
b)在該種子層上電鍍一層或多層附加金屬層。