專利名稱：制備二氧化鈦納米管陣列的裝置的制作方法
技術領域：
制備二氧化鈦納米管陣列的裝置技術領域[0001]本實用新型涉及納米材料制備領域，具體涉及一種制備二氧化鈦納米管陣列的裝置。
背景技術：
[0002]二氧化鈦納米管陣列具有獨特的有序規(guī)整結構和大的比表面積等特點，在光催化、敏化太陽能電池、傳感器、自清潔和生物學、醫(yī)學和微電子學等領域都有著廣闊的應用前景。電化學陽極氧化方法是一種操作簡單，實驗條件控制方便的二氧化鈦納米管陣列理想制備方法。陽極氧化法制備納米管陣列一般采用兩電極體系，陽極為鈦及其合金箔板，陰極為惰性電極，電解液采用含氟離子的水溶液或其它有機溶劑，溫度控制在0_25°C。反應裝置有傳統(tǒng)的兩電極平行直插式反應裝置和法蘭式反應裝置。[0003]現有的制備二氧化鈦納米管陣列的裝置電極腐蝕嚴重且設置在外部與電源連接的部分絕緣效果差，操作困難。實用新型內容[0004]本實用新型的目的是提供一種制備二氧化鈦納米管陣列的裝置，以解決目前現有的制備二氧化鈦納米管陣列的裝置電極腐蝕嚴重且設置在外部與電源連接的部分絕緣效果差，操作困難的問題。[0005]本實用新型為解決上述技術問題采取的技術方案是所述裝置包括電解池和恒溫槽，電解池裝在恒溫槽內，所述裝置還包括鈦電極、惰性電極、電極支架和電源，鈦電極、惰性電極和電極支架均設在電解池內，鈦電極和惰性電極平行設置且固裝在電極支架上，鈦電極上垂直設有一個用于與電源連接的第一表面絕緣端頭，惰性電極上垂直設有一個用于與電源連接的第二表面絕緣端頭。[0006]本實用新型具有以下有益效果本實用新型鈦電極和惰性電極上垂直各設有一個表面絕緣端頭，絕緣效果好且操作安全同時避免了制備二氧化鈦納米管陣列的裝置電極腐蝕嚴重的問題。


[0007]圖1是本實用新型的整體結構示意圖，圖2是圖1的AA剖視圖。
具體實施方式
[0008]具體實施方式
一結合圖1和圖2說明本實施方式，本實施方式的裝置包括電解池 1和恒溫槽2，電解池1裝在恒溫槽2內，所述裝置還包括鈦電極3、惰性電極4、電極支架5 和電源6，鈦電極3、惰性電極4和電極支架5均設在電解池1內，鈦電極3和惰性電極4平行設置且固裝在電極支架5上，鈦電極3上垂直設有一個用于與電源6連接的第一表面絕緣端頭3-1，惰性電極4上垂直設有一個用于與電源6連接的第二表面絕緣端頭4-1。[0009]具體實施方式
二 結合圖2說明本實施方式，本實施方式的電解池1為銅電解池， 電解池1的內壁設有一層絕緣層1-1，此結構防止銅參與反應同時能及時散去電解液產生的熱量。其它組成及連接關系與具體實施方式
一相同。
權利要求1.一種制備二氧化鈦納米管陣列的裝置，所述裝置包括電解池⑴和恒溫槽⑵，電解池(1)裝在恒溫槽O)內，其特征在于所述裝置還包括鈦電極(3)、惰性電極0)、電極支架 (5)和電源(6)，鈦電極(3)、惰性電極⑷和電極支架(5)均設在電解池⑴內，鈦電極(3) 和惰性電極(4)平行設置且固裝在電極支架( 上，鈦電極C3)上垂直設有一個用于與電源(6)連接的第一表面絕緣端頭(3-1)，惰性電極(4)上垂直設有一個用于與電源(6)連接的第二表面絕緣端頭(4-1)。
2.根據權利要求1所述制備二氧化鈦納米管陣列的裝置，其特征在于電解池(1)為銅電解池，電解池(1)的內壁設有一層絕緣層(1-1)。
專利摘要制備二氧化鈦納米管陣列的裝置，它涉及納米材料制備領域，具體涉及一種制備二氧化鈦納米管陣列的裝置。為了解決目前制備二氧化鈦納米管陣列的裝置電極腐蝕嚴重且設置在外部與電源連接的部分絕緣效果差，操作困難的問題。所述裝置包括電解池和恒溫槽，電解池裝在恒溫槽內，所述裝置還包括鈦電極、惰性電極、電極支架和電源，鈦電極、惰性電極和電極支架均設在電解池內，鈦電極和惰性電極平行設置且固裝在電極支架上，鈦電極上垂直設有一個用于與電源連接的第一表面絕緣端頭，惰性電極上垂直設有一個用于與電源連接的第二表面絕緣端頭。本實用新型用于制備二氧化鈦納米管陣列。
文檔編號C25D11/26GK202323075SQ20112049365
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月22日 優(yōu)先權日2011年11月22日
發(fā)明者劉嘉瑤, 劉艷, 姜艷麗, 李贊, 楊麗娟, 田玫 申請人:哈爾濱學院