專利名稱：一種防漏氮碳化硅磚的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種鋁電解糟內(nèi)側(cè)的氮碳化硅磚，尤其是能防止鋁水 滲漏的一種防漏氮碳化硅磚。
背景技術(shù)：
目前，公知的鋁電解槽內(nèi)側(cè)所貼的氮化硅結(jié)合碳化硅磚的表面是平整 的，這種構(gòu)造的氮碳化硅磚耐高溫，其不足之處是連接氮碳化硅磚與槽內(nèi) 伸腿的冷搗糊容易和氮碳化硅磚分離，使冷搗糊與氮碳化硅磚之間出現(xiàn)縫 隙導(dǎo)致鋁水的滲漏而造成陰極的損壞。 發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有的鋁電解槽內(nèi)側(cè)所貼氮碳化硅磚表面平整容易造成冷搗 糊與其分離出現(xiàn)縫隙的不足，本實(shí)用新型提供一種防漏氮碳化硅磚，該防 漏氮碳化硅磚不但耐高溫，而且冷搗糊與其接觸面不易分離產(chǎn)生縫隙使鋁 水滲漏，保護(hù)陰極不受損壞。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是在與冷搗糊接觸的 氮碳化硅磚面上設(shè)置上槽和下槽兩組磚面槽，上槽槽口開(kāi)口向下，下槽槽 口開(kāi)口向上，當(dāng)將冷搗糊壓到磚面時(shí)，冷搗糊壓入上下磚面槽，改變了兩 者的吻合方式,進(jìn)一步加固了兩者的接觸，使冷搗糊與磚面之間不易分離產(chǎn) 生縫隙滲漏鋁水，損壞下部的陰極。
本實(shí)用新型的有益效果是耐高溫，能進(jìn)一步加固冷搗糊與氮碳化硅磚 的接觸，加大兩者之間的吻合度，使兩者不易分離產(chǎn)生縫隙。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。


圖1是本實(shí)用新型的外觀構(gòu)造圖。
圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的側(cè)視構(gòu)造圖。 圖中1，上槽，2，下槽。
具體實(shí)施方式
在
圖1中，氮碳化硅磚的磚面上有上槽(1)和下槽(2)。 在圖2所示的實(shí)施例中，上槽(1)開(kāi)口向下，下槽(2)開(kāi)口向上。
權(quán)利要求1.一種防漏氮碳化硅磚，磚面上有上槽(1)和下槽(2)，其特征是上槽(1)開(kāi)口向下，下槽(2)開(kāi)口向上。
專利摘要一種能防止貼在鋁電解槽內(nèi)側(cè)的氮碳化硅磚和冷搗糊之間分離而出現(xiàn)縫隙的一種防漏氮碳化硅磚，它是在磚面上設(shè)置上槽和下槽兩組磚面槽，上槽開(kāi)口向下，下槽開(kāi)口向上。將冷搗糊加固在磚面上，由于磚面上有磚面槽，所以，冷搗糊與磚面之間增加了吻合部位，加大了兩者的吻合度，從而使氮碳化硅磚磚面與冷搗糊的接觸面之間不易分離造成縫隙，防止鋁水滲漏損壞電解槽下部的陰極。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，耐高溫。
文檔編號(hào)C25C3/08GK201193247SQ20082011677
公開(kāi)日2009年2月11日 申請(qǐng)日期2008年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月20日
發(fā)明者黎政江 申請(qǐng)人:黎政江