專利名稱：電沉積鋁的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電沉積鋁用物質(zhì)組合物，電沉積用特定鋁鹽的用途，及電
沉積鋁的方法。
背景技術(shù)：
鋁是具有基于其優(yōu)良性能的高技術(shù)含量的金屬。特別是鋁涂層被用于許多 高科技技術(shù)。
鋁不可由水溶液進(jìn)行電沉積。至今電沉積鋁成功使用的電沉積鍍液(bath)
/液均被歸入如下三組之一
a) A1X3 (尤其X為Cl或Br)
b) AIH3 (尤其在醚中的LiAlH4或AlCl3)
c) A1R3 (尤其R為乙基或異丁基) 下面提到的是作為電沉積方法的實(shí)例
如今最普遍使用的方法是采用有機(jī)鋁電解質(zhì)的電沉積用鍍液。所用的電解 質(zhì)為溶解于芳香族(aromats)的三烷基鋁和堿性鹵化物的組合。SIGAL⑧一方 法(Siemens-GaJvanisch Aluminium)是采用如下通式的絡(luò)合物KF'2A1R3 (1: 2
絡(luò)合物)其中采用不同的烷基與烷基混合物鋁，(1: 2絡(luò)合物)優(yōu)于(1: 1絡(luò)
合物)。
電沉積鋁也可由DMSO (二甲亞砜)中的AJCl3和LiCl或由甲醇中的三氟 醋酸鋁(A1(TFA)3)獲得，效率達(dá)30%。
盡管以現(xiàn)有技術(shù)中通常使用的鋁有機(jī)化合物得到的鋁涂層質(zhì)量高，但另一 方面實(shí)施和管理相關(guān)工藝普遍相當(dāng)復(fù)雜并不無危險(xiǎn)。下面幾點(diǎn)列出了所有的問
題
-鋁有機(jī)化合物對(duì)濕度相當(dāng)敏感，會(huì)被微量水分解。而分解伴隨著劇烈的 水解，導(dǎo)致危險(xiǎn)氫的形成。
-所用鋁源在空氣中自燃。-鋁有機(jī)化合物與多種其它的化學(xué)品如氧化劑或醇類不能共存。 因此，現(xiàn)有技術(shù)中的這些方法必須于保護(hù)氣體的氛圍中在細(xì)致管理和嚴(yán)格監(jiān)
控下實(shí)施。
所有這些事實(shí)和缺點(diǎn)清楚表明非常需要對(duì)電沉積鋁技術(shù)領(lǐng)域的改善。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，是提供一種包含鍍液的電沉積鋁用物質(zhì)組合物， 該鍍液包含經(jīng)選擇的鋁鹽在基本無水有機(jī)溶劑中的溶液。優(yōu)選地，該鹽為鹵代 鋁醇化物。另--個(gè)方面是所選擇的鋁鹽用于電沉積的用途。有利地，使用鹵代 鋁醇化物。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，是提供一種由鍍液進(jìn)行電沉積鋁的方法， 該鍍液包含經(jīng)選擇的鋁鹽在基本無水有機(jī)溶劑中的溶液。
具體實(shí)施例方式
下面的詳細(xì)描述以本發(fā)明可實(shí)施的具體實(shí)施方案進(jìn)行示例性說明。理解為 可以采用其它的實(shí)施方案以及進(jìn)行結(jié)構(gòu)上或其它的變化而不背離本發(fā)明的范 圍。因此，下面的詳細(xì)描述無限制意義，本發(fā)明的范圍由附加的權(quán)利要求進(jìn)行限定。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種包含鍍液的電沉積鋁用物質(zhì)組合物，該 鍍液包含鋁鹽在基本無水有機(jī)溶劑中的溶液，該鋁鹽選自 鹵代鋁醇化物；或
具有帶強(qiáng)吸電子蓽團(tuán)的陰離子的鋁鹽。
物質(zhì)組合物及下面描述的其它方面表明，提供一種新的由鍍液電沉積鋁的 方式，而無需再必須嚴(yán)格監(jiān)控和管理一包括電解用密封槽一在現(xiàn)有技術(shù)的工藝 上顯示了較大的優(yōu)勢(shì)。本發(fā)明不同方面選擇的鋁鹽對(duì)濕度依然敏感，但它們既 不易于在空氣中自燃，也沒有顯示出任何毒性或與其它化學(xué)品如氧化劑的不相 共存。因此，該工藝可利用標(biāo)準(zhǔn)電沉積裝置于保護(hù)氣體氛圍中實(shí)施，而無需嚴(yán) 格監(jiān)控。
此處"基本無水有機(jī)翻ij"定義為通過標(biāo)準(zhǔn)Karl-Fischer-Titration測(cè)定的水
含量等于或小于1 %的有機(jī)翻1」。進(jìn)一步理解為基本無水有機(jī)翻1他可為不同的 基本無水有機(jī)溶劑的混合物。此處"鍍液"定義為容器和包含于該容器中的流體的組合，鋁存于流體中。 通過陰極和陽極將電流施加于流體，將鋁由鍍液電沉積由ltt^t選擇表面鍍鋁。
"醇化物"為鋁和醇的鹽，優(yōu)選同系醇， 卣代醇。實(shí)例包括甲醇鹽、乙 醇鹽、丙醇鹽或丁醇鹽，此處尤其是它們的離代衍生物。
"吸電子基團(tuán)"或EWG將電子從反應(yīng)中心拉開。實(shí)例包括五鹵代苯甲酸根， 取代的磺酸根陰離子或鹵代羧酸陰離子。
鋁鹽溶解于基本無水有機(jī)翻忡，以0.05—5mol/kg溶齊啲濃度，或者 也優(yōu)選以大于或等于0.1mol/kg溶劑的量。
根據(jù)本發(fā)明物質(zhì)組合物的一個(gè)實(shí)施方案中，鋁醇化物的醇根陰離子 (a)coholate anion)選自離代甲醇根(ha)ogenatedethanolate)、鹵代乙醇根、鹵代
異丙醇根、鹵代正丙醇根、鹵代異丁醇根、鹵代正丁醇根或鹵代叔丁醇根。
本發(fā)明物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，鹵代鋁醇化物的醇根陰離子為根 據(jù)iKla、 Ib、 Ic、 Id、 Ie、 If或Ig的任意一種的化合物。
<formula>formula see original document page 14</formula>其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R'2彼此獨(dú)立Jtil 自氫或鹵素，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R^中的至少
一個(gè)為鹵素。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)通式Ia—Ig的化合物中，任意給定 陰離子中的R'、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R2中的一半以
上為鹵素。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)通式Ia—Ig的化合物中，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R11禾卩R'2彼此鵬鵬自氫、氟或氯，優(yōu) 選為氟或氯，更優(yōu)選或者全部為氟或全部為氯；或
R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8和R9彼此獨(dú)立地選自氫、氟或氯，而 R10、 R"禾卩R'2為氫，雌R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 118和119彼此獨(dú)立地 選自氟或氯，而R'0、 R"和R'2為氫,更雌R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 W和I^或者全部為氟或全部為氯，而R'('、 R"和R^為氫。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案，在該組合物中鹵代鋁醇化物的醇根陰離子 為通式Ib的化合物。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)通式Ib的化合物中，R'、 R2、 R3、 R"和RU彼此獨(dú)立地選自氫、氟或氯，優(yōu)選為氟或氯，更im或者全部為氟或 全部為氯；或
R1、 R2和3彼此獨(dú)立ite自氫、氟或氯，而R"和R^為氫；^ilR1、 R2 和3彼此獨(dú)立ite自氟或氯，而R11和R12為氫；更雌R1 、 R2和R3或者全部 為氟或全部為氯，而R"和R^為氫。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，具有強(qiáng)吸電子基團(tuán)的陰離子選自
-五鹵j^甲酸根，it gC6F5COO^C6Cl5COO';
-取代的磺酸根陰離子，優(yōu)選選自通用結(jié)構(gòu)n的任意一種的磺酸根陰離子
<formula>formula see original document page 15</formula>其中R"選自任選至少單取代CM烷基，或甲苯甲酰(p^甲苯)；或-鹵f^酸陰離子，iJtM用結(jié)構(gòu)ffla、 nib、 mc或md，
r'
,32
r31
b32 r34
r'
33
0-
r'
■31.
0 ("la)
R32R34 R38
R33r36 o
(nib)
r'
■34
r3，-
r35-
R33R35&7 0
r37R3。
r32
R31
(IHd)
r
32
其中R31、 R32、 R33、 RM、 R35、 R^禾口R37彼此3teite自氫或囟素，R3'、 R33、 R\ R35、 ！^和R"中的至少一個(gè)，優(yōu)選至少一半為囟素。 此處"烷基"定義為由以任選支鏈排列的碳和氫原子組成的單價(jià)基團(tuán)。因 此"烷基"理解為尉旨飽和的直鏈戯鏈烴，其可為未取代或單取代或多取代。 其中CM烷基表示Cl-、 C2-、 C3-或C4-烷基，如甲基、乙基、丙基或丁基，如 果被取代也可為chf2、 cf3或ch2oh等
術(shù)語"取代"在本發(fā)明的上下文中理解為是指至少一個(gè)氫基團(tuán)被F、 Cl、 Br、 I、 NH2、 SH或OH取代，"多取代"(多次取代)理解為是指在不同的或相 同的原子上用相同的或不同的取代基進(jìn)行多次取代，例如三次取代在相同的碳
原子上，如CF3的情況，或在不同的位置，如-…ch(ohk:h2-ch2-chc12。"任
選至少單取代"是指或者"單取代"、"多取代"或一如果不符合該選項(xiàng)一 "未
取代"。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，在通用結(jié)構(gòu)(n)或(ma) — (nid)的
陰離子中，
-R"選自任選至少單取代的CH3、 CF3、 CC13、或甲苯甲酰(k甲苯)；或 -R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 RM和R"彼此^l^地選自氫、氟或氯，R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R,卩R^中的至少一半為氟或氯。 物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)溶劑選自非質(zhì)子有機(jī)溶劑，或與上
述鋁鹽不形成絡(luò)合物的有機(jī)溶劑，或具有30—10， 1尤選25 —12給體能力(donator
power)的有機(jī),(j，或可溶解上述鋁鹽的自IJ。應(yīng)理解為優(yōu)選使用的有機(jī)溶劑也可以一但不必須一具有上述提到性能的組 合。由于鋁鹽在翻l沖的穩(wěn)定性的原因，特別雌非質(zhì)子溶劑(不提供氫鍵)。 如果有機(jī)溶劑與上述鋁鹽不形成絡(luò)合物也是優(yōu)選的。這可由給體能力部分預(yù)測(cè)， 但一由于溶劑與鹽之間相互作用的復(fù)雜性一難以由該性能完全預(yù)測(cè)。無論如何， 這可由本領(lǐng)域某些技術(shù)人員利用簡單的試驗(yàn)方便地測(cè)定。測(cè)定鋁鹽可溶解的溶
劑也是可實(shí)現(xiàn)的。這些是雌的'駒U,特另提鋁鹽以較髙的濃度如5mol/kg,或 更4腿2.5脂I/kg或1 mo!/kg可完全溶解其中的那些。給體能力是'翻啲特征， 明確定義在文獻(xiàn)中(Gutmann V的The Donor-Acceptor Approach to Molecular Interactions, Plenum出版社，紐約1978年)。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)翻lj選自非質(zhì)子有機(jī)溶劑，或可溶 解鋁鹽的^U，優(yōu)選可溶解鋁鹽的非質(zhì)子有機(jī)，U。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，基本無水有機(jī)溶劑以不同的基本無水有 機(jī)溶劑混合物的形式提供。此為混合溶劑方法。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)溶劑具有低于1%， ttit等于或低 于0.5%，更優(yōu)選等于或低于0.25%，最優(yōu)選等于或低于0.15%的水含量。這可 使用標(biāo)準(zhǔn)Karl-Fischer-Titration法進(jìn)行測(cè)定。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī),(j選自
-乙腈、四氫呋喃(THF)、叔丁基-甲基醚；
-或碳酸酯，tt^自碳酸二甲酯、或丙二醇碳酸酯(4-甲基-l，3-二氧戊環(huán)
(dioxolan)"2-酮)；
-或羧酸酯；im選自乙酸乙酯。
物質(zhì)組合物的還一個(gè)實(shí)歸案中，鋁鹽以大于或等于0.1md/kg 、翻啲量， 或以0.05—5mol/kg翻ij的濃度存在于鈹液中。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，鍍液另外包含至少一種其它的電解質(zhì)， 優(yōu)選非水電解質(zhì)，更優(yōu)選磷酸鹽、烷基磺酸鹽、硼酸鹽、亞銻酸鹽或砷酸鹽； 最優(yōu)選電解質(zhì)選自六氟磷酸鹽、三(五氟乙基)三氟磷酸鹽、甲烷磺酸鹽、三 氟甲烷磺,、四氟硼酸鹽、二[草酸根合(2-)]硼船、二[甲硅烷根合(2-)] 硼酸鹽、二[l,2-苯二酚根合(2-) -O，O']硼酸鹽、六氟銻酸鹽、或六氟砷酸鹽； 或選自六氟磷酸鹽或四氟硼酸鹽。
此處"電解質(zhì)"定義為作為電導(dǎo)介質(zhì)包含自由離子的物質(zhì)。實(shí)例特別包括鹽，并包括非水電解質(zhì)，優(yōu)選在干電池組或干電池技術(shù)領(lǐng)域也公知的那些。實(shí) 例為磷酸鹽、烷基磺酸鹽、硼酸鹽、亞銻酸鹽或砷酸鹽。
物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，另外包含陽極和陰極；優(yōu)選可溶的鋁陽極。
"陽極"和"陰極"為這樣兩個(gè)電極，電流iiii它們流入極化的電裝置，
例如包含電解質(zhì)，如鋁鹽的溶液。
在物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，將陽極和陰極至少部分置于包含于鍍 液中的溶液內(nèi)，同時(shí)優(yōu)選沒有阻擋基本無水有機(jī)、溶劑在陰極和陽極之間流動(dòng)的 物理阻片或膜。
該實(shí)施方案被特別作為本發(fā)明物質(zhì)組合物的槽/鍍液的不可分割排布。 在物質(zhì)組合物的另一個(gè)實(shí)施方案中，該組合物還包含用于從鍍液，優(yōu)選從
鍍液或包含于鍍液內(nèi)的溶液表面排除氧或濕氣或兩者的手段；優(yōu)選以密封、或
覆蓋鍍液或包含于鍍液內(nèi)的溶液表面的罩的，或以用于將保護(hù)氣體弓l入到鍍液
或包含于鍍液內(nèi)的溶液表面的手段的形式；或它們的組合。
"罩"和"密封"指用于封閉包含鍍液，或更精確地，包含在本發(fā)明物質(zhì)組 合物的鍍液內(nèi)的溶劑表面區(qū)域，以防止氣體或如濕氣侵入的不同手段。特別是 這可理解為優(yōu)選提供封閉系統(tǒng)。另一方面為排除氧氣或濕氣的侵入另外通常使 用的方法是利用保護(hù)性氣體占據(jù)反應(yīng)混合物，例如包含于鍍液中的溶液表面之
h的空間。用于引進(jìn)保護(hù)性氣體的手段包括例如不同的閥或孔，M它們可施 加保護(hù)性氣體等，之后例如通過罩或密封優(yōu)選將保護(hù)性氣體限制到溶液之上的 空間，這也將隨之用于進(jìn)一步地排除氣體或濕氣的侵入。 另一方面是鋁鹽用于電沉積鋁的用途，該鋁鹽選自
卣代鋁醇化物；或
具有帶強(qiáng)吸電子基團(tuán)陰離子的鋁鹽。
所述用途的一個(gè)實(shí)施方案中，鋁醇化物的醇根陰離子選自鹵代甲醇根、鹵 代乙醇根、鹵代異丙醇根、鹵代正丙醇根、鹵代異丁醇根、鹵代正丁醇根或鹵
代叔丁醇根。
所述用途的另-個(gè)實(shí)施方案中，鹵代鋁醇化物的醇根陰離子為根據(jù)通式Ia、 Ib、 Ic、 Id、 Ie、 If或Ig的任意一種的化合物。<formula>formula see original document page 19</formula>
R"和R'2彼此獨(dú)立地選 R9、 R10、 R"和R'2中的至少
其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 自氫或鹵素，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、
-個(gè)為鹵素。
所述用途的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)通式(Ia)—(Ig)任一的化合物中，任意 給定陰離子中的R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R'2中的一
半以上為鹵素。
所述用途的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)通式(Ia)—(Ig)任一的化合物中，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R11和R'2彼此獨(dú)立地選自氫、氟或氯， 優(yōu)選為氟或氯，更優(yōu)選或者全部為氟或全部為氯；或
R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8和R9彼此獨(dú)立地選自氫、氟或氯，而 R10、 R"禾卩R'2為氫，雌R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、尺8和119彼此獨(dú)立地 選自氟或氯，而R10、 R"禾tlR'2為氫，更it^R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 RS和W或者全部為氟或全部為氯，而R， R"和R。為氫。
所述用途的另一個(gè)實(shí)施方案，鋁醇化物的醇根陰離子為根據(jù)通式Ib的化合物。在根據(jù)本發(fā)明用途的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案，根據(jù)通式(Ib)的化合物中，R1、 R2、 R3、 R"和R'2彼此3tei鵬自氫、氟或氯，雌為氟或氯，更,或者全 部為氟或全部為氯；或
R1、 R2和M皮此獨(dú)立鵬自氫、氟或氯，而R"和R'2為氫，雌R1、 R2 和3彼此獨(dú)立地選自氟或氯，而R"和I^為氫，更優(yōu)選R1、 W和RS或者全部 為氟或全部為氯，而R"和R^為氫。
所述用途的另一個(gè)實(shí)施方案中，具有強(qiáng)吸電子基團(tuán)的陰離子選自
-五鹵{ 甲酸根，tti^自C6F5COa或C6Cl5COO';
-取代的磺酸根陰離子，伏選選自通用結(jié)構(gòu)n的任意一種的磺酸根陰離子 o
<formula>formula see original document page 20</formula>(II)
其中R"選自任選至少單取代CM烷基，或甲苯甲酰([>甲苯)；或 -鹵代羧酸陰離子，i^3I用結(jié)構(gòu)ffla、 fflb、 lHc或ffld
<formula>formula see original document page 20</formula>其中R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R"卩R37彼此獨(dú)立鵬自氫或硫R31. R33、 R54、 R35、 R^和R"中的至少一個(gè)，雌至少一半為鹵素。
所述用途的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)通式(n)爽ma)至(nid)的化合物中，-1^選自任選至少單取代的043, CF3， CCI3，或甲苯甲酰(p"甲苯)；或
-R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R"口 R37彼此獨(dú)立地選自氫，氟或氯，R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R"和R37中的至少一半為氟或氯。
所述用途的另一個(gè)實(shí)施方案中，在導(dǎo)電表面電沉積鋁，導(dǎo)電表面ifci^自 金屬、金屬合金和導(dǎo)電聚合物。
"導(dǎo)電表面"在本發(fā)明的意思是其表面肖,傳導(dǎo)電流的物體表面。實(shí)例包括 如金屬涂覆的晶片表面(參考下面)。
所述用途的另一個(gè)實(shí)施方案中，在導(dǎo)電表面電沉積鋁，優(yōu)選導(dǎo)電表面選自 金屬、金屬合金和導(dǎo)電聚合物，更優(yōu)選在導(dǎo)電金屬的金屬表面，優(yōu)選金屬選自 Ag、 Au、 Cr、 Cu、 Fe、 Ge、 Ir、 Mn、 Mo、 Nb、 Ni、 Pd、 Pt、 Si、 Ta、 Ti、 V、 W、 Zn或In、 Pb、 Sb和Sn;更鶴Ag、 Au、 Cr、 Cu、 Fe、 Ge、 Ir、 Mn、 Mo、 Nb、 Ni、 Pd、 Pt、 S，、 Ta、 Ti、 V、 W或Zn;或這些金屬的合金。
所述用途的另一個(gè)實(shí)施方案中，電沉積鋁用于生成新的包裝材料，用于線 路電鍍(patternplating)或代替導(dǎo)電表面上的濺射，或產(chǎn)生導(dǎo)電表面，或用于防 腐蝕保護(hù)，或用于壓條(layering)—任選與其它金屬。
此處"濺射"定義為一種方法，在該方法中，由于高能離子對(duì)材料的轟擊， 固#|巴材料中的原子噴出射入氣相。該方法通常用于薄膜鍍，如用金屬濺射晶
片(參考下面)以形成導(dǎo)電表面。
另一個(gè)方面提供由鍍液電沉積鋁的方法，其中M將電^/陰極和陽極至少 部分置于鍍液內(nèi)，施加電流到鍍液，該鍍液包含在基本無水有機(jī)溶劑中的具有 陰離子鋁鹽的溶液，該鋁鹽選自
鹵代鋁醇化物；或
帶有強(qiáng)吸電子基團(tuán)陰離子的鋁鹽。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案，以直流電的連續(xù)方式如DC方法，或脈沖式
改變強(qiáng)度的方式如脈沖電鍍，施加電流。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，陽極為可溶性的鋁陽極。 所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，沒有阻擋有機(jī)溶劑在陰極和陽極之間流動(dòng)
的物理阻片或膜。
該實(shí)施方案被特別描繪成根據(jù)本發(fā)明方法的槽/鍍液(cell/bath)的不可分割排布。所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，從鍍液表面排除氧氣或濕氣或兩者；優(yōu)選 通過密封，或覆蓋鍍液或包含于鍍液中的溶液表面的罩，或?qū)⒈Ｗo(hù)氣體引入到 鍍液或包含于鍍液中的溶液表面的手段；或它們的組合。
所述方法的--個(gè)實(shí)施方案中，鋁醇化物的醇根陰離子選自卣代甲醇根、鹵 代乙醇根、鹵代異丙醇根、鹵代正丙醇根、鹵代異丁醇根、鹵代正丁醇根或鹵 代叔丁醇根。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，鋁醇化物的醇根陰離子為根據(jù)通式Ia、 Ib、 Ic、 Id、 Ie、 If或Ig的任意一種的化合物。
<formula>formula see original document page 22</formula>
其中R'、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9 自氫或鹵素，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8
一個(gè)為鹵素。
R'°、 R"和R'2彼此獨(dú)立;tM R9、 R10、 RU和RU中的至少所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)通式(Ia)—(Ig)的化合物中，任意給定 陰離子中的R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R^中的一半以
上為鹵素。
所述方法的另-寸實(shí)施方案，在根據(jù)通式(Ia)—(Ig)的化合物中，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R,0、 Rn禾口 R12彼此敝鵬自氫、氟或氯，優(yōu) 選為氟或氯，更優(yōu)選或者全部為氟或全部為氯；或
R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8和R9彼此獨(dú)立itt自氫、氟或氯，而 R〗0、 R"禾口R)2為氫，雌R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、尺8禾口尺9彼此獨(dú)立地 選自氟或氯，而R10、 R"和R'2為氫,更雌R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 W和I^或者全部為氟或全部為氯，而R， R"和R^為氫。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案，鹵代鋁醇化物的醇根陰離子為根據(jù)通式Ib的 化合物。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案，在通式(Ib)的化合物中，R1、 R2、 R3、 R"和 R^皮此獨(dú)立ite自氫、氟或氯，，為氟或氯，更 或者全部為氟或全部為
氯；或
R1、 R2和'M皮此獨(dú)立itt自氫、氟或氯，而R"禾卩R'2為氫，^繼R1、 R2 和3彼此獨(dú)立itt自氟或氯，而R"和W為氫，更4腿R'、 W和W或者全部 為氟或全部為氯，而R"和R^為氫。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，具有強(qiáng)吸電子基團(tuán)的陰離子選自
-五鹵jt^甲酸根，tti^自C6F5COO—或C6Cl5COO';
-取代的磺酸根陰離子，，選自通用結(jié)構(gòu)n的任意一種的磺酸根陰離子
<formula>formula see original document page 23</formula>其中R"選白任選.節(jié)少單取代C,-4烷堪，或甲苯甲酰(P"甲苯)；或
-鹵代羧酸陰離子，iM通用結(jié)構(gòu)ma、 nib、 mc或md<formula>formula see original document page 24</formula>
其中R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 1^和1137彼此獨(dú)立 自氫或卣素，R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R^和R"中的至少一個(gè)或皿至少一半為鹵素。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)通式(II)或通式(ffla)至(ind)的化合物巾.
-R"選自任選至少單取代的CH3， CF3， CC13，或甲苯甲酰(k甲苯)；或
-R3'、 R32、 R33、 R34、 R35、 R^禾口 R37彼此3^^1kJl自氣，氣或氣，R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R"和R"中的至少一半為氟或氯。
本發(fā)明方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)溶劑選自非質(zhì)子有機(jī)、,lj，或與Cr (n)或Cr (HI)或它們各自的鹽不形成絡(luò)合物的有機(jī)溶劑或具有30—10，優(yōu)選 25 — 12給體能力的有機(jī)溶劑，或鋁鹽可溶解其中的翻廿。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)翻l」選自非質(zhì)子有機(jī)翻lj，或鋁鹽可 溶解其中的、自lj。優(yōu)選鋁鹽可溶解其中的非質(zhì)子有機(jī)自lj。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，基本無水有機(jī)溶劑以不同的基本無水有機(jī) 溶劑混合物的形式提供。此為混合溶劑方法。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)溶劑具有低于％，優(yōu)選等于或低于 0.5%，更 等于或低于0.25%，最1腿等于或低于0.15%的水含量。
所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)溶劑選自 -乙腈、四氫呋喃(THF)、叔丁基-甲基醚；
-或碳酸酯，^ 自碳酸二甲酯、或丙二酉繊酸酯(4-甲基-I，3-二氧戊環(huán)
-2-酮)；
-或羧酸酯；優(yōu)選選自乙酸乙酯。所述方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，鍍液另外包含至少一種其它的電解質(zhì)，優(yōu) 選非水電解質(zhì)，更優(yōu)選磷酸鹽、垸基磺酸鹽、硼酸鹽、亞銻酸鹽或砷酸鹽；最 優(yōu)選電解質(zhì)選自六氟磷酸鹽、三(五氟乙基)三氟磷酸鹽、甲烷磺酸鹽、三氟 甲烷磺酸鹽、四氟硼酸鹽、二[草酸根合(2-)]硼酸鹽、二[甲硅烷根合(2-)] 硼酸鹽、二[l,2-苯二酚根合(2-) -O，O，]硼酸鹽、六氟銻酸鹽、或六氟砷酸鹽； 或選自六氟磷酸鹽或四氟硼酸鹽。
除了，列舉的部分用途，本發(fā)明的各方面可用于多種高實(shí)用價(jià)值的用途。 包括在晶片上的電沉積鋁。晶片 半導(dǎo)體材料，例如用于微電子的硅晶體的 薄片，于其上例如可通過各種方式構(gòu)造微電路。
鋁的用途可完全替換銅的用途。電沉積鋁似乎可以比濺射更經(jīng)濟(jì)。本發(fā)明 方面的電沉積鋁可形成較厚的鋁層。目前這些較厚的層M首先生成Cu ECD 的替代方法獲得。本發(fā)明一特別是其廉價(jià)的鋁層一在此可為更劃算的替代品。
鋁合金可ilil目標(biāo)壓條如Cu、 Ge進(jìn)行生產(chǎn)。甚至可生產(chǎn)具有不同層的夾 層結(jié)構(gòu)(例如Cu 100nm/Al 5 p m/Cu 100nm/Al 10 " m)。鋁合金具有改善的傳導(dǎo) 性或電子遷移性。甚至可實(shí)施線路電鍍從而得到厚鋁層構(gòu)造。
以、濺射作為對(duì)比，鋁層的經(jīng)濟(jì)和技術(shù)極限為5um。
通常鋁比銅有如下優(yōu)勢(shì)
-較小的壓力導(dǎo)致較低的晶片彎曲
-根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，鋁與Aluw/b、 Au w/b、和Cuw/b是可粘容的。 -鋁可fi鈍化且不容易產(chǎn)生氧化問題。
另外，通過本發(fā)明方面得到的電沉積鋁，還可用于生產(chǎn)新的包裝材料，其 中使用金屬帶代替線包裝。此處使用較厚的鋁是有利的。它可以 -易于構(gòu)造， -具有厚且經(jīng)濟(jì)的層 -和自鈍化。
另外，由本發(fā)明方面得到的電沉積鋁，還可用于電鍍精煉或作為腐蝕保護(hù)。 導(dǎo)電表面或優(yōu)選的金屬在上面已有所描述。
雖然此處舉例說明和描述了具體的實(shí)施方案，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解 各種替換和/或等效實(shí)施方案可以代替所給出的具體實(shí)施方案，而不背離本發(fā)明 的范圍。該申請(qǐng)意在覆蓋在此討論的具體實(shí)施方案的任意變通方法或變化。因此，這意味著本發(fā)明只受限于權(quán)利要求及其等效范圍。 實(shí)驗(yàn)部分
第一個(gè)試驗(yàn)制備溶液為基本無水乙腈中含0.3mol/kg Al(OCH2CF3)3的鍍 液，并于50匸通過陽極和陰極施加電流密度』為-0.2—0.81^ !12的電流。將鋁 電沉積于黃銅上。結(jié)果可參見

圖1一4。
第二^i式驗(yàn)制備溶液為基本^7K乙腈中含0.3mol/kg Al(OCH2CF3)3的鍍 液，并于50。C通過陽極和陰極施加電流密度j為-0.2—-0.5mA/cr^的電流。將鋁 電沉積于鉑上。結(jié)果可參見圖5。
圖1作為第一個(gè)試驗(yàn)黃銅上電沉積鋁的掃描電子顯微鏡總視圖。可以看到 不同的區(qū)(暗和明)，可能由于具有上部攪拌器和底部電極的浴/槽結(jié)構(gòu)。暗區(qū)與 明區(qū)相比，具有較厚的層，但也更脆弱并具有更多裂紋。明區(qū)的層較薄，更透 亮且更均勻。因此清楚表明通,擇合適的割?？梢垣@得不同形式的層。
圖2為黃銅上電沉積鋁的掃描電子顯微鏡視圖，限于，暗區(qū)(圖l)。
圖3為黃銅上電沉積鋁的掃描電子顯微鏡視圖，限于，明區(qū)(圖l)。
圖4為黃銅上電沉積鋁的掃描電子顯微鏡視圖，限于上述明區(qū)(圖l)。另 外顯示了明區(qū)的EDX (X—射線能量分布)。由此，特定試樣的元素可通過X— 射線激發(fā)原子進(jìn)行測(cè)定，并測(cè)量被激發(fā)粒子的能量。該EDX顯示了所形成層的 純度和質(zhì)量，其中氟來自于醇化物。
圖5作為第二個(gè)i式驗(yàn)在鉑上電沉積鋁的掃描電子顯微鏡總視圖。另外顯示 了EDX (X—射線能量分布)。由此，特定i辦的元素可通過X—射線、麟原子 謝亍測(cè)定，并測(cè)量被激發(fā)粒子的能量。該EDX顯示了所形成層的純度和質(zhì)量， 其中氟來自于醇化物。
權(quán)利要求
1. 一種包含鍍液的電沉積鋁用物質(zhì)組合物，該鍍液包含鋁鹽在基本無水有機(jī)溶劑中的溶液，該鋁鹽選自鹵代鋁醇化物；或具有帶強(qiáng)吸電子基團(tuán)陰離子的鋁鹽。
2、 如權(quán)利要求l的組合物，其中所述鋁醇化物的醇根陰離子選自離代甲醇 根、鹵代乙醇根、鹵代異丙醇根、鹵代正丙醇根、鹵代異丁醇根、鹵代正丁醇 根或鹵代叔丁醇根。
3、 如權(quán)利要求l的組合物，其中所述鹵代鋁醇化物的醇根陰離子為根據(jù)通 式Ia、 Ib、 Ic、 Id、 Ie、 If或Ig的任意一種的化合物，<formula>formula see original document page 2</formula>其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R'2彼此3te鵬 自氫或鹵素，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R^中的至少一個(gè)為鹵素。
4、 如權(quán)利要求3的組合物，其中任意給定陰離子中的R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R^中的一半以上為卣素。
5、 如權(quán)利要求3的組合物，其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R1Q、 R"和R^皮此獨(dú)立鵬自氫、氟或氯，雌為氟或氯，更雌或者全部為 氟或全部為氯；或其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 118和119彼此獨(dú)立地選自 氫、氟或氯，而R10、 R"禾卩R'2為氫，優(yōu)選其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 RS和R"皮此^U^ik^自氟或氯，而R1。、 R"和R^為氫，更雌其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 RS和W或者全部為氟或全部為氯，而R10、 R"和R^為
6、 如權(quán)利要求3的組合物，其中所述卣代鋁醇化物的醇根陰離子為通式Ib的化合物。
7、 如權(quán)利要求6的組合物，其中R1、 R2、 R3、 R"和R"皮此獨(dú)立地選自氫、 氟或氯，優(yōu)選為氟或氯，更1^或者全部為氟或全部為氯；或其中R1、 ^和R3 彼此獨(dú)立;tte自氫、氟或氯，而R"和R^為氫，鵬其中R1、 W和RS彼啦蟲 立i鵬自氟或氯，而R11和R12為氫，更,其中R1 、 R2和R3或者全部為氟或 全部為氯，而R"和W為氫。
8、 如權(quán)利要求l的組合物，其中所述具有強(qiáng)吸電子基團(tuán)的陰離子選自 五鹵{球甲酸根，ifei^自C^COO—或C6Cl5COO—; 取代的磺酸根陰離子， 選自通用結(jié)構(gòu)II的任意一種的磺酸根陰離子<formula>formula see original document page 3</formula>其中R"選自任選至少單取代Cw烷基或甲苯甲酰(1>甲苯)；或鹵代羧酸陰離子，it^il用結(jié)構(gòu)IDa、 fflb、 fflc或ffld，<formula>formula see original document page 4</formula> ("la)<formula>formula see original document page 4</formula>(IIIb)<formula>formula see original document page 4</formula>(IIlc)<formula>formula see original document page 4</formula><ind)其中R31、 R32、 R33、 R34、 R"、 R"和R37彼此a^t鵬自氫或鹵素，R31、 R32、 R"、 R34、 R35、 R"PR37中的至少-一個(gè)，雌至少一半為鹵素。
9、 如權(quán)利要求8的組合物，其中R"選自任選至少單取代的CH3、 CF3、 CC13、或甲苯甲酰(!>甲苯)；或 R31、 R32、 R33、 RM、 R35、 ！^和R"彼此獨(dú)立他選自氫、氟或氯，R31、 R32、 R33、 R54、 R35、 R"和R"中的的至少一半為氟或氯。
10、 如權(quán)利要求1的組合物，其中所述有機(jī)溶劑選自非質(zhì)子有機(jī)、MU，或 與權(quán)利要求l-9的鋁鹽不形成絡(luò)合物的有機(jī)翻ij，或具有30-10，優(yōu)選25-12給 體能力的有機(jī)溶劑，或權(quán)利要求卜9的鋁鹽可溶解其中的溶劑。
11、 如權(quán)利要求l的組合物，其中所述有機(jī)溶劑具有低于1%，優(yōu)選等于或 低于0.5%，更 等于或低于0.25%，最雌等于或低于0.15%的水含量。
12、 如權(quán)利要求l的組合物，其中所述有機(jī)溶劑選自 乙腈、四氫呋喃(THF)、叔丁募甲基醚；或碳酸酯，優(yōu)選選自碳酸二利旨、或丙二醇碳酸酯(4-甲基-U-二氧戊環(huán) -2-酮)；或羧酸酯；im選G乙酸乙酯。
13、 如權(quán)利要求l的組合物，其中所述鋁鹽以大于或等于0.1mol/kg'翻啲 量，或以0.05—5mol/kg翻啲濃度存在于鍍液中。
14、 如權(quán)利要求1的組合物，其中所述鍍液另外包含至少一種其它的電解質(zhì)，優(yōu)選非水電解質(zhì)，更優(yōu)選磷酸鹽、烷基磺酸鹽、硼酸鹽、亞銻酸鹽或砷酸 鹽；最優(yōu)選的電解質(zhì)選自六氟磷酸鹽、三(五氟乙基)三氟磷酸鹽、甲烷磺酸 鹽、三氟甲烷磺酸鹽、四氟硼酸鹽、二[草酸根合(2-)]硼酸鹽、二[甲硅烷根合 (2-)卿酸鹽、二[l，2-苯二酚根合(2-) -O，O，卿酸鹽、六氟銻酸鹽、或六氟砷酸 鹽；或選自六氟磷酸鹽或四氟硼酸鹽。
15、 如權(quán)利要求1的組合物，其中另夕卜包含陽極和陰極；雌可溶的鋁陽極。
16、 如權(quán)利要求1的組合物，其中所述組合物還包含用于從鍍液，優(yōu)選從 鍍液或包含于鈹液內(nèi)的溶液的表面排除氧或濕氣或兩者的手段；優(yōu)選以密封、 或覆蓋鍍液或包含于鍍液內(nèi)的溶液表面的罩，或用于將保護(hù)氣體弓l入到鍍液或 包含于鍍液內(nèi)的溶液表面的手段的形式或它們的組合。
17、 鋁鹽用于電沉積鋁的用途，該鋁鹽選自 鹵代鋁醇化物；或 具有帶強(qiáng)吸電子基團(tuán)陰離子的鋁鹽。
18、 如權(quán)利要求17的用途，其中所述鋁醇化物的醇根陰離子選自鹵代甲醇 根、卣代乙醇根、鹵代異丙醇根、鹵代正丙醇根、鹵代異丁醇根、鹵代正丁醇 根或鹵代叔丁醇根。
19、 如權(quán)利要求17的用途，其中所述鹵代鋁醇化物的醇根陰離子為根據(jù)通 式la、 Ib、 Ic、 Id、 Ie、 lf或Ig的任意一種的化合物，<formula>formula see original document page 6</formula>其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R11和1112彼此獨(dú)立地選 自氫或鹵素，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R"中的至少一個(gè)為鹵素。
20、 如權(quán)利要求19的用途，其中任意給定陰離子中的R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R,0、 R"和R^中的一半以上為鹵素。
21、 如權(quán)利要求19的用途，其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 RK)、 R"和R"彼此獨(dú)立J:ik^自氫、氟或氯，1雄為氟或氯，更雌或者全部為 氟或全部為氯；或其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、尺8和119彼此獨(dú)立地選自 氫、氟或氯，而R, R"和I^為氫，優(yōu)選其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 W和Ry彼此獨(dú)立地選自氟或氯，而R'"、 R"和R^為氫，更雌其中R1、 R2、R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8和R9或者全部為氟或全部為氯，而R10、 R"和R^為
22、 如權(quán)利要求19的用途，其中所述鋁醇化物的醇根陰離子為通式Ib的化合物。
23、 如權(quán)利要求22的用途，其中R1、 R2、 R3、 R11和R'M皮此3tei鵬自氫、 氟或氯，優(yōu)選為氟或氯，更優(yōu)選或者全部為氟或全部為氯；或其中R1、 ^和R3 彼此獨(dú)立i雌自氫、氟或氯，而R"和R^為氫，鵬其中R1、 W和W彼則蟲 立i:te自氟或氯，而R"和R"為氫，更，其中R1、 W和W或者全部為氟或 全部為氯，而R"和R's為氫。
24、 如權(quán)利要求17的用途，其中所述具有強(qiáng)吸電子基團(tuán)的陰離子選自 五鹵4珠甲酸根，^i^自QF5COO'或C6Cl5COO—; 取代的磺酸根陰離子， ^自通用結(jié)構(gòu)11的任意一種的磺酸根陰離子0<formula>formula see original document page 7</formula>R(I工)其中R"選自任選至少爭(zhēng)取代的CM烷基，或甲苯甲酰(1>甲苯)；或鹵代羧酸陰離子，優(yōu)選通用結(jié)構(gòu)iiJa、 uib、 inc或md，<formula>formula see original document page 7</formula>其中R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R^和R37彼此^izm自氮或卣素，R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R"和r37中的至少一個(gè)，優(yōu)選至少一半為卣素。
25、 如權(quán)禾腰求24的用途，其中R"選自任選至少單取代的CH3、 CF3、 CC13、或甲苯甲酰(1>甲苯)；或 R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 ！^和R37彼此獨(dú)立地選自氫、氟或氯，R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 1^6和&37中的至少--半為氟或氯。
26、 如權(quán)利要求17的用途，其特征在于鋁被電沉積在導(dǎo)電表面，優(yōu)選導(dǎo)電 表面選自金屬、金屬合金和導(dǎo)電聚合物，更優(yōu)選在導(dǎo)電金屬的金屬表面， 金屬選自Ag、 Au、 Cr、 Cu、 Fe、 Ge、 1r、 Mn、 Mo、 Nb、 Ni、 Pd、 Pt、 Si、 Ta、 Ti、 V、 W、 Zn或In、 Pb、 Sb和Sn;更ifci^自Ag、 Au、 Cr、 Cu、 Fe、 Ge、 Ir、 Mn、 Mo、 Nb、 Ni、 Pd、 Pt、 Si、 丁a、 Ti、 V、 W、或Zn;鵡自這鰷屬的合金。
27、 如權(quán)利要求n的用途，其特征在于電沉積鋁用于生成新的包裝材料，用于線路電鍍或代替導(dǎo)電表面上的濺射，或產(chǎn)生導(dǎo)電表面，或用于防腐蝕保護(hù)， 或用于壓條一任選與其它金屬。
28、 由鍍液電沉積鋁的方法，其中通過將電極和陽極至少部分置于鍍液內(nèi)， 施加電流到鍍液，該鈹液包含在基本無水有機(jī)溶劑中的帶有陰離子的鋁鹽的溶 液，該鋁鹽選自卣代鋁醇化物；或 具有帶強(qiáng)吸電子基團(tuán)陰離子的鋁鹽。
29、 如權(quán)利要求28的方法，其中所述陽極為可溶性鋁陽極。
30、 如權(quán)利要求28的方法，其中沒有P且擋有機(jī)M贓陰極和陽極之間流動(dòng) 的物理阻片或膜。
31、 如權(quán)利要求28的方法，其中從鍍液表面排除氧氣或濕氣或兩者； 通過密封，或覆蓋鍍液或包含于鍍液中的溶液表面的罩，或?qū)⒈Ｗo(hù)氣體引入到 鍍液或包含于鍍液中的溶液表面的手段；或它們的組合。
32、 如權(quán)利要求28的方法，其中所述鋁醇化物的醇根陰離子選自離代甲醇 根、卣代乙醇根、鹵代異丙醇根、鹵代正丙醇根、鹵代異丁醇根、鹵代正丁醇 根或卣代叔丁醇根。
33、 如權(quán)利要求28的方法，其中所述鋁醇化物的醇根陰離子為根據(jù)通式Ia、Ib、 Ic、 Id、 Ie、 If或Ig的任意--種的化合物， <formula>formula see original document page 9</formula>其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R11和R'2彼此3拉ife^ 自氫或鹵素，R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 R"和R^中的至少- 一個(gè)為鹵素。
34、 如權(quán)利要求33的方法，其中任意給定陰離子中的R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 RH和R'2中的--半以上為離素。
35、 如權(quán)利要求33的方法，其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R1Q、 R"和R"彼此獨(dú)立J:鵬自氫、氟或氯， 為氟或氯，更鵬或者全部為 氟或全部為氯；或其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、尺8和119彼此獨(dú)立地選自 氫、氟或氯，而R'q、 R"和R"2為氫，優(yōu)選其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8和R9彼此3te地選自氟或氯，而R， R"和R^為氫，更優(yōu)選其中R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8和R9或者全部為氟或全部為氯，而R0、 R"和R^為
36、如權(quán)利要求33的方法，其中所述鹵代鋁醇化物的醇根陰離子為通式Ib
37、 如權(quán)利要求36的方法，其中R1、 R2、 R3、 R1'和R'M皮此獨(dú)立i雌自氫、 氟或氯，優(yōu)選為氟或氯，更優(yōu)選或者全部為氟或全部為氯；或其中R'、 W和R3 彼此獨(dú)立ite自氫、氟或氯，而R"和W為氫，雌其中R1、 W和RM皮啦蟲 立itt自氟或氯，而R"和R^為氫，更雌R'、 W和RS或者全部為氟或全部 為氯，而R"和R^為氫。
38、 如權(quán)禾腰求28的方法，其中所述具有強(qiáng)吸電子基團(tuán)的陰離子選自五卣f^甲酸根，it^自C6F5Coa或C6CisCoa;取代的磺酸根陰離子， 選自通用結(jié)構(gòu)II的任意一種的磺酸根陰離子<formula>formula see original document page 10</formula>其中R"選自任選至少單取代的CM烷基，或甲苯甲酰(1>甲苯)；或鹵代羧酸陰離子，優(yōu)選通用結(jié)構(gòu)ma、 mb、 nic或ind，R<formula>formula see original document page 10</formula>其中R31、 R32、 R33、 R34、 R35、 R^和R"彼此獨(dú)立地選自氫或離素，R3)R32、 R33、 R34、 R35、 R^和r37中的至少一個(gè)，或1MM少一半為離素。
39、 如權(quán)利要求38的方法，其中R"選自任選至少爭(zhēng)取代的CH3、 CF3、 CC13、或甲苯甲酰(!>甲苯)；或 R31、 R32、 R33、 RM、 R35、 R"和R37彼此獨(dú)立地選自氫、氟或氯，R31、 R32、 R33、 RM、 R35、 R36和R37中的至少一半為氟或氯。
40、 如權(quán)利要求28的方法，其中所述有機(jī),ij選自非質(zhì)子有機(jī)溶劑，或與 Cr(n)或Cr(nD或其各自鹽不形成絡(luò)合物的有機(jī),1」，或具有30-10， ,25-12給體能力的有機(jī)mu，或鋁鹽可溶解其中的gij。
41、 如權(quán)利要求28的方法，其中所述有機(jī)溶劑具有低于1%，優(yōu)選等于或 低于0.5%，更 等于或低于0.25%,最 等于或低于0.15%的水含量。
42、 如權(quán)利要求28的方法，其中所述有機(jī)溶劑選自 乙腈、四氫呋喃(THF)、叔丁基-甲基醚；或碳酸酯，tt^自碳酸二甲酯、或丙二醇碳酸酯(4-甲基l,3-二氧戊環(huán)-2-酮)；1 酸酯；tt^自乙酸乙酯。
43、 如權(quán)利要求28的方法，其中所述鍍液另外包含至少--種其它的電解質(zhì)， 非水電解質(zhì)，更^JI磷酸鹽、烷基磺酸鹽、硼酸鹽、亞銻SM或砷酸鹽； 最優(yōu)選的電解質(zhì)選自六氟磷酸鹽、三(五氟乙基)三氟磷酸鹽、甲烷磺酸鹽、 三氟甲烷磺船k、四氟硼魁fe、 二[草酸根合(2-)]硼酸鹽、二[甲硅烷根合(2-)] 硼酸鹽、二[l,2-苯二酚根合(2-) -O，O，]硼酸鹽、六氟銻酸鹽、或六氟砷酸鹽； 或選自六氟磷酸鹽或四氟硼酸鹽。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包含鍍液的電沉積鋁用物質(zhì)組合物，該鍍液包含經(jīng)選擇的鋁鹽在基本無水有機(jī)溶劑中的溶液，涉及特定鋁鹽用于電沉積的用途，以及涉及電沉積鋁的方法。
文檔編號(hào)C25C3/18GK101289753SQ200810109260
公開日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2008年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月19日
發(fā)明者E·里德爾, J·洛德邁耶, W·羅布爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份公司