專(zhuān)利名稱(chēng)：電鍍?cè)O(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電鍍的設(shè)備和電鍍的方法。
背景技術(shù)：
與電鍍有關(guān)的一個(gè)主要問(wèn)題是，特別是在試圖高速率沉積時(shí)沉積的不規(guī)律性。
另一個(gè)主要問(wèn)題是需要所有準(zhǔn)備電鍍的區(qū)域都要電連結(jié)。
為了利用電鍍法獲得均勻的電鍍沉積，需要的條件是給兩個(gè)由勻質(zhì)電阻介質(zhì)分開(kāi)的平行共軸的等電勢(shì)導(dǎo)電平面。如果在兩個(gè)平面之間存在電勢(shì)差，則將有電流在兩平面之間流動(dòng)并且以均勻的密度垂直于兩平面(見(jiàn)圖1)。如果分開(kāi)兩平面的介質(zhì)是一種成分中包含足夠的、將要被沉積的材料的離子的電解液，則在負(fù)電勢(shì)平面上將形成材料的均勻沉積。沉積量依據(jù)于材料的類(lèi)型和總電荷。
實(shí)際上，由于兩平面的表面粗糙度以及電解液均勻性的缺乏，上述條件不會(huì)達(dá)到。另外，對(duì)于某些或所有的靶平面表面，與實(shí)現(xiàn)平面間的真正平行和負(fù)(靶)平面導(dǎo)電表面的不規(guī)則圖案、以及電解液流的限制有關(guān)的實(shí)際困難增加了電解液中電流密度均勻性的缺乏。這導(dǎo)致靶表面上材料沉積的不規(guī)則性。
圖2表示由于靶(負(fù))表面的不規(guī)則性所致的電流畸變以及電流密度的分布。圖中未示出由于正表面的不規(guī)則性和電解液電阻的變化所致的畸變。
圖3表示由于不相等的電流密度分布所致的靶表面不規(guī)則性的明顯性。不等的電流密度和表面不規(guī)則性之間的相互作用可以看成相互遞進(jìn)的。
已經(jīng)采用了幾項(xiàng)技術(shù)來(lái)補(bǔ)償這種包括在靶表面使用電流轉(zhuǎn)向(橡膠條)的效果。這些技術(shù)只是部分地取得成功，它們有固有的不足。即使有的話(huà)，也很少有實(shí)用的技術(shù)來(lái)處理這樣的情形，即靶表面上需要電鍍的區(qū)域沒(méi)有電連結(jié)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括一種電鍍?cè)O(shè)備，該設(shè)備中具有使電解液直接到達(dá)靶的裝置，和控制選定的靶區(qū)域中離子的還原量和/或速率的裝置。
電鍍?cè)O(shè)備可以包括監(jiān)視靶的部分或所有區(qū)域中電流的裝置。
電鍍?cè)O(shè)備可以包括調(diào)節(jié)流到每個(gè)區(qū)域中的電流、使得每個(gè)區(qū)域的材料沉積率可以獨(dú)立改變的裝置。
方向裝置可以包括一個(gè)中空的細(xì)長(zhǎng)本體，電解液沿其內(nèi)部經(jīng)出口流出并流向靶，靶是一個(gè)相對(duì)于部分細(xì)長(zhǎng)本體處于負(fù)電壓的基底，靶由此形成一個(gè)陰極，部分細(xì)長(zhǎng)本體形成一個(gè)陽(yáng)極。細(xì)長(zhǎng)本體的陽(yáng)極部分可以由單一元素或多種電絕緣元素或棒形成。特別是在優(yōu)選實(shí)施例中，方向裝置包括多個(gè)中空管，電解液沿管的內(nèi)部向靶流動(dòng)。
電鍍?cè)O(shè)備可以包括下列任何一個(gè)或多個(gè)特征·控制裝置包括調(diào)節(jié)施加到靶的多個(gè)分隔區(qū)中每個(gè)上的電流的裝置。
·控制裝置包括調(diào)節(jié)施加到靶的多個(gè)分隔區(qū)中每個(gè)上的電流的大小和/或時(shí)間長(zhǎng)短的裝置。
·控制裝置包括測(cè)量流到靶的一個(gè)區(qū)域中的電流大小的裝置，和根據(jù)測(cè)量裝置的輸出控制施加到該區(qū)域中的電流的裝置。
·可操縱控制裝置在靶上提供一個(gè)厚度均勻的還原層。
·可操縱控制裝置在靶上提供一個(gè)厚度均勻的還原層，其中靶上不同的區(qū)域有預(yù)定的還原層厚度。
·可操縱控制裝置在選定的區(qū)域中提供一個(gè)有均勻的還原層厚度的靶。
·控制裝置包括控制流到每個(gè)區(qū)域的電流、使得每個(gè)區(qū)域的離子還原率可以獨(dú)立變化的裝置。
·控制裝置包括監(jiān)視靶的所有區(qū)域中電流的裝置。
·方向裝置包括一個(gè)中空的細(xì)長(zhǎng)本體，電解液沿細(xì)長(zhǎng)本體的內(nèi)部通過(guò)。
·單一元素的陽(yáng)極。
·由多個(gè)大體平行的固體棒形成的陽(yáng)極。
·由多個(gè)大體平行的管形成的陽(yáng)極，電解液流徑平行管。
·在與靶接觸的地點(diǎn)附近形成電解液旋渦的裝置。
·旋渦形成裝置包括細(xì)長(zhǎng)本體和/或出口的形狀，使得形成或增強(qiáng)渦系。
·陽(yáng)極前緣中的細(xì)齒。
電鍍?cè)O(shè)備可以包括在與靶接觸的區(qū)域中進(jìn)行電解液運(yùn)動(dòng)的裝置，由此增強(qiáng)電介質(zhì)和靶之間的沖擊，優(yōu)化離子的可用性，在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)本體和出口的形狀使得主要通過(guò)陽(yáng)極前緣中包含的細(xì)齒形成或增強(qiáng)了渦系。
本發(fā)明包括一種電鍍的方法，該方法包括將電解液導(dǎo)向靶并控制靶的選定區(qū)域中材料的沉積量和/或速率。
該方法可以包括監(jiān)視靶的部分或全部區(qū)域中的電流。
該方法還可以包括調(diào)節(jié)流到每個(gè)區(qū)域中的電流，使得可以獨(dú)立改變每個(gè)區(qū)域的材料沉積率。
該方法可以包括在與靶接觸的區(qū)域中進(jìn)行電解液運(yùn)動(dòng)，由此增強(qiáng)電解液和靶之間的沖擊，優(yōu)化離子的可用性。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)本體和出口的形狀使得主要通過(guò)陽(yáng)極前緣中包含的細(xì)齒形成或增強(qiáng)了渦系。
本發(fā)明還提供了一種可直接載入數(shù)字計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器中的計(jì)算機(jī)程序，包括軟件編碼部分，當(dāng)計(jì)算機(jī)運(yùn)行該程序時(shí)執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法步驟。
本發(fā)明還提供一種儲(chǔ)存在計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)程序，包括計(jì)算機(jī)可讀程序裝置，用于使計(jì)算機(jī)控制靶的選定區(qū)域中材料的沉積量和/或沉積速率。
本發(fā)明還提供如本發(fā)明限定的計(jì)算機(jī)程序的配置系統(tǒng)。
為了可以更容易地理解本發(fā)明，下面參考附圖舉例說(shuō)明本發(fā)明。其中圖1是兩個(gè)導(dǎo)電平面之間理想的電流簡(jiǎn)圖；圖2是兩個(gè)具有不規(guī)則表面的導(dǎo)電平面之間實(shí)際的電流簡(jiǎn)圖；圖3是兩個(gè)導(dǎo)電平面之間累積的峰值圖；圖4是具有不規(guī)則表面的兩個(gè)導(dǎo)電平面之間電流控制方法簡(jiǎn)圖；
圖5是本發(fā)明的簡(jiǎn)圖；圖6是本發(fā)明另一形式的簡(jiǎn)圖；圖7是本發(fā)明另一形式的簡(jiǎn)圖；圖8是本發(fā)明另一形式的簡(jiǎn)圖；圖9是圖8的改型。
具體實(shí)施例方式
均勻的電鍍沉積要求流入到靶的每個(gè)單位面積中的電流量相同。沉積開(kāi)始之前，單位面積越小，做為光潔度函數(shù)的表面光潔度的分辨率越高。靶的每個(gè)單位面積表面的合適離子的可用性必須足以支持選定的沉積率。
實(shí)現(xiàn)這些要求并校正初始不規(guī)則性的方法示于圖4。為了清楚起見(jiàn)，圖中只示出了一行和一列電極，并且只示出了能有效校正不規(guī)則性的電極。
實(shí)際上，有電極排列的陰極的相對(duì)面的接觸方法只在沒(méi)有用于支撐陰極材料的非導(dǎo)電襯底或基底時(shí)可行。
圖5示出了對(duì)具有非導(dǎo)電基底的情形的處理方法。在圖5中，當(dāng)透明基底4上的圖案通過(guò)陽(yáng)極和電解液時(shí)變?yōu)殛帢O。箭頭D表示基底材料的流動(dòng)方向。負(fù)電極16(在其它時(shí)候認(rèn)做陰極連結(jié)器)一般為0.5mm寬，1mm的間距，連結(jié)到印刷電路板17。
在圖4和圖5中，靶表面的每個(gè)單位面積通過(guò)其自身的獨(dú)立電極連結(jié)到更高的負(fù)電勢(shì)。每個(gè)電極中的電流一般通過(guò)電子裝置控制，使得每個(gè)單位面積收到相同的電荷。
供給的電解液在陽(yáng)極和靶表面之間流動(dòng)，其流動(dòng)方式使得流體靜力學(xué)、散射和其它阻擋層不會(huì)阻止適當(dāng)?shù)碾x子以某一速率、最好是遠(yuǎn)大于設(shè)置的電流密度所需的速率呈現(xiàn)在靶表面。
設(shè)備的幾何形狀以及電解液的配方、電流密度和電解液經(jīng)該機(jī)構(gòu)通過(guò)靶表面的速度都是限定還原速率的主要因素。
參考圖5圖解的本發(fā)明的實(shí)施例包括一個(gè)單輸送通道1，該通道位于內(nèi)壁2和擋板3之間并由內(nèi)壁2和擋板3形成。通道1具有100mm的高度，1m的寬度(即橫跨基底4寬度的延伸)和20mm的終端長(zhǎng)度(即沿基底4長(zhǎng)度的延伸)。電解液5被向上泵浦到通道5的內(nèi)部并導(dǎo)入到基底4上，基底4是一個(gè)相對(duì)于陽(yáng)極維持在-10V電壓的陰極，雖然已經(jīng)成功地采用陰極和陽(yáng)極之間小到2.5V的電勢(shì)差。通道1內(nèi)壁2的上部形成陽(yáng)極，使得電解液強(qiáng)制處于基底和陽(yáng)極6的水平上表面之間。設(shè)置第二擋板7以助于在電解液5與基底4沖擊之后的收集和清除，有可能用于再利用。
通過(guò)提供一種在通過(guò)通道1時(shí)有旋渦運(yùn)動(dòng)的電解液來(lái)優(yōu)化電解液5和基底4之間的接觸，由此通過(guò)基底增強(qiáng)液流沖擊時(shí)渦流系的形成，提高還原率。
圖5所示的設(shè)備舉例說(shuō)明了利用電流密度的線性沉積，其中該電流密度比傳統(tǒng)電鍍技術(shù)中考慮的最大電流密度大兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
與經(jīng)過(guò)電解液5具有較長(zhǎng)電流路徑的系統(tǒng)相比，陽(yáng)極6與基底4的接近、由此所得的大約1或2mm的短電流路徑以及在基底表面適當(dāng)離子的可用性給予基底表面單位面積更均勻的電流。從負(fù)電極到電解液的距離與相鄰負(fù)電極之間的距離之比定義圖4和圖5中所示配置的差分電流控制的分辨率。
圖5所示的本發(fā)明的實(shí)施例包括一個(gè)陽(yáng)極6，該陽(yáng)極是一根1m寬、100mm高和20mm長(zhǎng)的固體導(dǎo)電條10。在圖6的實(shí)施例中，陽(yáng)極由數(shù)根(圖中只顯示6根)直徑為3mm、高度為30mm的彼此平行分布成二維格柵結(jié)構(gòu)的固體導(dǎo)電棒，外圍之間間隔約1mm，或者彼此按幾何關(guān)系分布成有最迅速和最精確的離子沖擊和材料沉積，并維持所需的電流控制特征。
在圖7所示的實(shí)施例中，陽(yáng)極由數(shù)根彼此平行的外徑為3mm、內(nèi)徑為1mm、高度為30mm的毛細(xì)輸送管12形成，在基底1m的寬度上分布成二維格柵結(jié)構(gòu)，管12在它們的外圍之間有1mm的間隔。電解液5被泵浦通過(guò)條10(圖5)或棒11(圖6)或向上進(jìn)入管12(圖7)中并導(dǎo)入到形成陰極的基底4的靶表面。條10、棒11或管12視情況而定地形成陽(yáng)極，相對(duì)于陰極保持在+10V的電壓。擋板7設(shè)置在通道1的出口以助于在與基底4沖擊之后收集并清除電解液5，有可能用于再利用。
更具體地說(shuō)，圖6表示一種電鍍?cè)O(shè)備，其中陽(yáng)極由多個(gè)套裝在塑料殼中的隔離的棒11組成，每個(gè)棒中的電流按照與前述負(fù)電極相同的方式受到監(jiān)視和控制。因?yàn)殛?yáng)極的上表面比較接近發(fā)生離子還原的表面，因此從每個(gè)陽(yáng)極區(qū)到陰極的電流路徑較短，或者可以做得較短，比軸之間或陽(yáng)極區(qū)的水平間隔短，所以差分電流控制的區(qū)域分辨率相對(duì)于從圖3、4和5所示配置可得到的分辨率提高很多。
因?yàn)榭梢园磮D6所示的方法在陽(yáng)極單元電路中進(jìn)行電流監(jiān)視和調(diào)節(jié)，所以在負(fù)電極中監(jiān)視和控制電流不再是必須。在要達(dá)到最佳離子還原分解的地方可能出現(xiàn)情況，可能要采取陽(yáng)極和負(fù)電極電流監(jiān)視和控制。但是，在圖6所示方法中負(fù)電極的主要功能是提供負(fù)電勢(shì)和發(fā)生離子還原的部件之間的電連結(jié)。負(fù)電極關(guān)于陽(yáng)極和電解液的幾何形狀限定了可能發(fā)生離子還原的部件大小的分辨率。多個(gè)陽(yáng)極系統(tǒng)和控制離子還原的有關(guān)因素以及部件分辨率可以等同地應(yīng)用到?jīng)]有基底或?qū)щ娀椎膽?yīng)用中，并且負(fù)電極可以接觸到基底的反面或需要離子還原的陰極。
圖7表示圖6所示合成陽(yáng)極系統(tǒng)的一種改進(jìn)。在這種情形中，陽(yáng)極棒為中空管的形式，電解液經(jīng)管en路徑在箭頭E的方向被輸送到沉積表面?？贞?yáng)極原理通過(guò)采用電解液在兩個(gè)條之間流動(dòng)(見(jiàn)圖8和9)可以更容易實(shí)現(xiàn)。基底4表面的電解液5的流體靜力阻擋層依賴(lài)于電解液在平行于基底平面的方向上的速度。因此，此系統(tǒng)中電解液流的正確設(shè)計(jì)與通過(guò)“渦旋”法實(shí)現(xiàn)的情形相比，給予各種阻擋層進(jìn)一步的還原。還原由垂直于基底的初始電解液流導(dǎo)致，直到電解液沖擊到基底。這種系統(tǒng)的設(shè)計(jì)必須禁止電解液在基底表面任何區(qū)域的滯留發(fā)生。防止滯留可以通過(guò)引入渦旋實(shí)現(xiàn)。
為了利用圖5所示的配置實(shí)現(xiàn)最大的差分電流控制分辨率，從負(fù)電極到電解液的距離與相鄰負(fù)電極之間的距離的比值要盡可能地小。因此，圖5所示的配置要求從負(fù)電極接觸點(diǎn)到電解液的距離以及兩組電極之間電解液的寬度盡可能地小。
圖6和圖7所示的配置沒(méi)有這種限制，因?yàn)槭芸仉娏髀窂降拈L(zhǎng)度由基底到陽(yáng)極的距離限定，并且因此允許使用兩組負(fù)電極之間的尺寸較大的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)。這樣能夠有更快的基底轉(zhuǎn)運(yùn)時(shí)間或?qū)τ谙嗤霓D(zhuǎn)運(yùn)時(shí)間有更大的離子還原率。陽(yáng)極大小的限幅以及因此兩組負(fù)電極之間的距離是被沉積材料的部件的最小尺寸。
在不允許使用圖5、6和7所示負(fù)電極結(jié)構(gòu)的部件上需要沉積材料的時(shí)候，可以采取利用與圖5的陽(yáng)極相同形狀并與陽(yáng)極陣列摻合的負(fù)電極，或利用同心陽(yáng)極-陰極棒/管。在這兩種情況下，必須通過(guò)去離子水流或通過(guò)其它適當(dāng)?shù)姆椒ū苊怆娊庖哼M(jìn)入負(fù)電極與基底的接觸點(diǎn)，如同用于避免圖5、6和7中的負(fù)電極被電解液污染而采用去離子水流那樣。
圖6和圖7所示的棒和管平行。但是在改型中它們不平行，例如它們可以是上端比其余部分更接近的筆直或彎曲形，和/或它們中的一個(gè)或多個(gè)可以是螺線或螺旋形，由此使電解液進(jìn)行環(huán)流、渦流或旋流。
與每個(gè)區(qū)域相連的電極(正和/或負(fù))中的電流可以通過(guò)測(cè)量每個(gè)電極中的電流、比較該測(cè)量值與所需值并再增大或減小電流至所需值來(lái)控制。每個(gè)電極中的電流可以通過(guò)測(cè)量置于電極電路中的適當(dāng)電阻的兩端電壓來(lái)量化。每個(gè)電極電路中的電流可以利用模擬或數(shù)字技術(shù)來(lái)調(diào)節(jié)。
在其上將要沉積材料的圖案是隨時(shí)間或每個(gè)電極的距離重復(fù)電流輪廓的情況下可以預(yù)擬定最佳結(jié)果。電流輪廓的周期可以由與前述每個(gè)重復(fù)圖案重合的標(biāo)識(shí)起始。
圖8是一個(gè)部分電解液流與靶表面垂直的簡(jiǎn)單的中空陽(yáng)極系統(tǒng)。
圖8表示一種用于電鍍剛性或柔性基底21的電鍍?cè)O(shè)備20。設(shè)備20包括一個(gè)中空陽(yáng)極22，電解液23經(jīng)中空陽(yáng)極22的中心導(dǎo)入到在B方向移動(dòng)并沿側(cè)面通道24移去的部分基底21上。陰極25為梳狀，主要部分26帶有鋸齒27，從而在沖擊電解液23以確保有充分的材料沉積到基底21的所有所需部位上之前和之后確?；孜催B結(jié)的區(qū)域與陰極25電連結(jié)。
設(shè)置兩個(gè)帶有噴嘴29的清潔器28，在與陰極25接觸之前和之后將去離子水導(dǎo)入到基底20上。
圖9表示圖8所示設(shè)備的改型，其中基底21的兩側(cè)均被電鍍。
上述的陽(yáng)極為非犧牲型，由一種耐腐蝕的以便維持幾何整體性的材料制成。
電解液的成分可以通過(guò)加入適當(dāng)?shù)柠}或通過(guò)利用輔助犧牲性陽(yáng)極來(lái)維持。
無(wú)論采用什么系統(tǒng)，與傳統(tǒng)的方法相比，由于陽(yáng)極和陰極緊密的幾何關(guān)系，所需的功率都被減小。
權(quán)利要求
1.一種電鍍?cè)O(shè)備，具有使電解液到達(dá)靶的裝置，和控制選定的靶區(qū)域中離子的還原量和/或速率的裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于控制裝置包括調(diào)節(jié)施加到靶的多個(gè)分隔區(qū)的每個(gè)區(qū)域中的電流的裝置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于控制裝置包括調(diào)節(jié)施加到靶的多個(gè)分隔區(qū)的每個(gè)區(qū)域中的電流大小和/或時(shí)間長(zhǎng)短的裝置。
4.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于控制裝置包括測(cè)量流到靶的一個(gè)區(qū)域中的電流的裝置和依據(jù)于測(cè)量裝置的輸出控制施加到該區(qū)域中的電流的裝置。
5.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，包括控制裝置，可操縱該控制裝置在靶上提供一個(gè)厚度均勻的材料沉積層。
6.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，包括控制裝置，可操縱該控制裝置在靶上提供一個(gè)厚度均勻的還原層，其中靶上不同的區(qū)域有預(yù)定的還原層厚度。
7.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，包括控制裝置，可操縱該控制裝置在選定的區(qū)域中提供一個(gè)有均勻的還原層厚度的靶。
8.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于控制裝置包括控制流到每個(gè)區(qū)域的電流、使得每個(gè)區(qū)域的離子還原率可以獨(dú)立變化的裝置。
9.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于控制裝置包括監(jiān)視靶的所有區(qū)域中電流的裝置。
10.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于方向裝置包括一個(gè)中空的細(xì)長(zhǎng)本體，電解液沿細(xì)長(zhǎng)本體的內(nèi)部通過(guò)。
11.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，包括一個(gè)單一元件的陽(yáng)極。
12.如權(quán)利要求1～10任一所述的設(shè)備，包括一個(gè)由多個(gè)大體平行的固體棒形成的陽(yáng)極。
13.如權(quán)利要求1～10任一所述的設(shè)備，包括一個(gè)由多個(gè)大體平行的管形成的陽(yáng)極，電解液流徑平行管。
14.如前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，包括在與靶接觸的地點(diǎn)附近形成電解液旋渦的裝置。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其特征在于旋渦形成裝置包括設(shè)計(jì)細(xì)長(zhǎng)本體和/或出口的形狀，使得形成或增強(qiáng)渦系。
16.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，包括陽(yáng)極前緣中的細(xì)齒。
17.一種電鍍的方法，該方法包括將電解液導(dǎo)向靶并控制靶的選定區(qū)域中材料的沉積量和/或速率。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，包括調(diào)節(jié)施加到靶的多個(gè)分隔區(qū)中每個(gè)區(qū)的電流。
19.如權(quán)利要求17或18所述的方法，包括調(diào)節(jié)施加到靶的多個(gè)分隔區(qū)中每個(gè)區(qū)的電流大小和/或時(shí)間長(zhǎng)短。
20.如權(quán)利要求17至19任一所述的方法，包括測(cè)量流到靶的一個(gè)區(qū)域中的電流并依據(jù)于測(cè)量步驟的輸出控制施加到該區(qū)域中的電流。
21.如權(quán)利要求17至20任一所述的方法，包括一個(gè)控制階段，在靶上提供一個(gè)厚度均勻的材料沉積層。
22.如權(quán)利要求17至21任一所述的方法，包括一個(gè)控制步驟，在靶上提供一個(gè)材料沉積層，其中不同的區(qū)域有預(yù)定的厚度。
23.如權(quán)利要求17至22任一所述的方法，其特征在于控制階段給靶的選定區(qū)域提供一種厚度均勻的沉積。
24.如權(quán)利要求20至24任一所述的方法，其特征在于控制階段包括控制流到每個(gè)區(qū)域的電流，使得每個(gè)區(qū)域的離子還原率獨(dú)立的改變。
25.如權(quán)利要求17至24任一所述的方法，其特征在于控制階段包括監(jiān)視靶的所有區(qū)域中的電流。
26.如權(quán)利要求17至24任一所述的方法，其特征在于方向裝置包括一個(gè)中空的細(xì)長(zhǎng)本體，電解液沿細(xì)長(zhǎng)本體的內(nèi)部通過(guò)。
27.如權(quán)利要求17～26任一所述的方法，包括一個(gè)單一元件的陽(yáng)極。
28.如權(quán)利要求17～26任一所述的方法，包括一個(gè)由多個(gè)大體平行的固體棒形成的陽(yáng)極。
29.如權(quán)利要求17～26任一所述的方法，包括一個(gè)由多個(gè)大體平行的管形成的陽(yáng)極，電解液流經(jīng)平行管。
30.如權(quán)利要求17～28任一所述的方法，包括在與靶接觸的地點(diǎn)附近形成電解液旋渦。
31.如權(quán)利要求29所述的方法，包括通過(guò)設(shè)計(jì)細(xì)長(zhǎng)本體和/或出口的形狀而形成或增強(qiáng)渦系。
32.如權(quán)利要求29或30所述的方法，包括陽(yáng)極前緣中的細(xì)齒。
33.一種可直接載入數(shù)字計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器中的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括軟件編碼部分，當(dāng)計(jì)算機(jī)運(yùn)行該程序產(chǎn)品時(shí)執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求17～32的任一或多個(gè)方法的步驟。
34.一種儲(chǔ)存在計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)可讀程序裝置，用于使計(jì)算機(jī)將電解液導(dǎo)向靶；計(jì)算機(jī)可讀程序裝置，用于使計(jì)算機(jī)控制靶的選定區(qū)域中離子的沉積量和/或沉積速率。
35.一種如權(quán)利要求33或34所述的計(jì)算機(jī)程序的電子配置系統(tǒng)。
全文摘要
一個(gè)單輸送通道位于內(nèi)壁(2)和擋板(3)之間。電解液(5)被泵浦到通道(1)的內(nèi)部并導(dǎo)入到基底(4)上，基底(4)是一個(gè)相對(duì)于陽(yáng)極維持在－10V電壓的陰極。通道(1)內(nèi)壁(2)的上部形成陽(yáng)極，使得電解液強(qiáng)制處于基底和陽(yáng)極(6)的水平上表面之間。設(shè)置第二擋板(7)以助于在電解液(5)與基底(4)沖擊之后的收集和清除，有可能用于再利用。通過(guò)提供一種在通過(guò)通道(1)時(shí)有旋渦運(yùn)動(dòng)的電解液來(lái)優(yōu)化電解液(5)和基底(4)之間的接觸。陽(yáng)極(6)是一個(gè)固體導(dǎo)電條(10)，或者由固體棒(11)或管(12)形成。
文檔編號(hào)C25D7/12GK1426495SQ01808389
公開(kāi)日2003年6月25日 申請(qǐng)日期2001年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月13日
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