，從而提供到電極103的導(dǎo)電路徑。
[0024]在另一實(shí)施例中，緩沖塊104可以由可以限制MEMS致動(dòng)器101的運(yùn)動(dòng)且沒(méi)有介電質(zhì)充電問(wèn)題的合適的導(dǎo)電材料制成。
[0025]圖2示出MEMS裝置200的截面視圖的另一實(shí)施例。在此實(shí)施例中，MEMS裝置200示出為采用來(lái)自電極103的電氣連接，從而允許通過(guò)所述電氣連接施加電壓電位。在圖2中，導(dǎo)線(或“電氣連接”)107示出為連接到電極108，從而允許通過(guò)導(dǎo)線107將電壓電位施加到電極108。
[0026]在另一實(shí)施例中，經(jīng)由導(dǎo)線107到緩沖塊109的經(jīng)施加電壓電位與MEMS致動(dòng)器101相同的極性，在MEMS致動(dòng)器101和緩沖塊109之間的排斥力進(jìn)一步防止黏滯力。實(shí)質(zhì)上與MEMS致動(dòng)器101的電壓電位相同的電壓電位可以經(jīng)由導(dǎo)線107施加到電極108。涂覆有導(dǎo)電層105的緩沖塊109可以進(jìn)一步絕緣以防止在MEMS致動(dòng)器101與緩沖塊109進(jìn)行接觸時(shí)短路。
[0027]圖3示出MEMS裝置300的截面視圖的另一實(shí)施例。如圖3中示出，緩沖塊104在已經(jīng)涂覆有導(dǎo)電層105之后可以或者形成于電極103上，如還在圖1和2的實(shí)施例中示出，或者直接形成于襯底102上，所述襯底為半導(dǎo)電材料。
[0028]圖4示出緩沖塊400的截面視圖的又另一個(gè)實(shí)施例。在圖4的實(shí)施例中，覆蓋緩沖塊104的導(dǎo)電層105具有經(jīng)粗糙化的表面110。當(dāng)MEMS致動(dòng)器101的底部表面與導(dǎo)電層105的頂部表面進(jìn)行接觸時(shí)，經(jīng)粗糙化的表面110減小在MEMS致動(dòng)器101和緩沖塊104之間的接觸面積以進(jìn)一步減少黏滯力。減少黏滯力是因?yàn)榻?jīng)粗糙化的表面110的粗糙度導(dǎo)致與MEMS致動(dòng)器101的更少的接觸面積，因?yàn)轲εc接觸面積成比例。此外，由TiN或DLC制成的導(dǎo)電層105充當(dāng)潤(rùn)滑層。在一些實(shí)施例中，表面110的粗糙度為大致10到15納米且導(dǎo)電層105為大致多達(dá)50納米厚。
[0029]在本發(fā)明的一些方法和實(shí)施例中，經(jīng)粗糙化的表面110通過(guò)減法式方法形成，例如除其它已知方法外的干式蝕刻或濕式蝕刻。在本發(fā)明的一些方法和實(shí)施例中，經(jīng)粗糙化的表面110通過(guò)加法式方法形成，例如除其它已知方法外的化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積、蒸發(fā)或?yàn)R鍍。用于形成經(jīng)粗糙化的表面110的蝕刻過(guò)程的類型的選擇通常是基于用于制造導(dǎo)電層105的材料特性。
[0030]盡管已關(guān)于其特定實(shí)施例描述說(shuō)明書(shū)，但是這些特定實(shí)施例僅是說(shuō)明性的而非限制性的。
[0031]除非上下文另外明確規(guī)定，否則如在本文中的描述中和貫穿所附權(quán)利要求書(shū)所使用，“一(a)”、“一(an)”和“所述”包含復(fù)數(shù)個(gè)參考物。并且，除非上下文另外明確規(guī)定，否則如在本文中的描述中和貫穿所附權(quán)利要求書(shū)所使用，“在…中(in) ”的含義包括“在…中(in)”和“在…上(on)”。
[0032]因此，盡管本文中已描述特定實(shí)施例，但是在前述揭示內(nèi)容中既定修改、各種變化和替代的范圍，并且應(yīng)了解，在不脫離如所闡述的范圍和精神的情況下，在一些情況下將采用特定實(shí)施例的一些特征而不對(duì)應(yīng)地使用其它特征。因此，可以作出許多修改以使特定情況或材料適應(yīng)于必需的范圍和精神。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種減少M(fèi)EMS裝置的黏滯力的方法，其包括: 為在形成于襯底上的緩沖塊上收集的電荷提供導(dǎo)電路徑， 其中所述緩沖塊通過(guò)在所述襯底上沉積且圖案化介電材料形成， 此外其中所述導(dǎo)電路徑由沉積在所述緩沖塊上的第一導(dǎo)電層提供。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電層由氮化鈦、尖晶石鈦酸鋰、二氧化鈦或類金剛石碳(DLC)制成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，介電材料由二氧化硅、亞硝酸硅或氧化鋁制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第二導(dǎo)電層放置在所述緩沖塊和所述襯底之間。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電層的一部分是絕緣的。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法。其中將電壓電位施加到所述第一導(dǎo)電層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述電壓電位實(shí)質(zhì)上和與所述襯底相對(duì)的MEMS結(jié)構(gòu)相同。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述電壓電位和與所述襯底相對(duì)的MEMS結(jié)構(gòu)相同的極性。9.一種減少M(fèi)EM裝置的黏滯力的方法，其包括: 粗糙化在形成于襯底上的緩沖塊上的第一導(dǎo)電層以減少接觸面積， 其中所述緩沖塊通過(guò)在所述襯底上沉積且圖案化介電材料形成。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中粗糙化的步驟通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積、蒸發(fā)或?yàn)R鍍加法式地執(zhí)行。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述粗糙化的步驟通過(guò)干式蝕刻或濕式蝕刻減法式地執(zhí)行。12.一種MEMS裝置，其包括: MEMS致動(dòng)器； 與所述MEMS致動(dòng)器相對(duì)的襯底；以及 形成于所述襯底上以限制所述MEMS致動(dòng)器的運(yùn)動(dòng)的緩沖塊， 其中所述緩沖塊由介電材料形成且覆蓋有第一導(dǎo)電層以為在所述緩沖塊上收集的電荷提供導(dǎo)電路徑。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的MEMS裝置，其進(jìn)一步包括在所述襯底和所述緩沖塊之間的第二導(dǎo)電層。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS裝置，其中所述第二導(dǎo)電層是電極。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS裝置，其中所述第二導(dǎo)電層的一部分是絕緣的。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS裝置，其中所述第二導(dǎo)電層的一部分是絕緣的且將電壓電位應(yīng)用到所述第一導(dǎo)電層的部分。17.根據(jù)權(quán)利要求166所述的MEMS裝置，其中所述電壓電位實(shí)質(zhì)上與所述MEMS致動(dòng)器的電壓電位相同。18.根據(jù)權(quán)利要求166所述的MEMS裝置，其中所述電壓電位具有與所述MEMS致動(dòng)器的極性相同的極性。19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的MEMS裝置，其中所述第一導(dǎo)電層具有用于減少與所述MEMS致動(dòng)器的接觸面積的粗糙表面。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述襯底是半導(dǎo)體襯底。21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述襯底包含電氣組件。
【專利摘要】本發(fā)明的方法包含通過(guò)為在形成于襯底上的緩沖塊上收集的電荷提供導(dǎo)電路徑來(lái)減少M(fèi)EMS裝置的黏滯力。所述緩沖塊通過(guò)在所述襯底上沉積且圖案化介電材料形成，且所述導(dǎo)電路徑由沉積在所述緩沖塊上的導(dǎo)電層提供。所述導(dǎo)電層還可以經(jīng)粗糙化以減少黏滯力。
【IPC分類】B81B7/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105431374
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480032151
【發(fā)明人】席琳娜·張, 寧·提
【申請(qǐng)人】應(yīng)美盛股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2014年5月23日
【公告號(hào)】EP3003966A1, US9136165, US20140353774, US20150353353, WO2014197232A1