技術特征：

技術總結
本公開揭示了一種微米級半導體傳感器及其制備方法。本公開所述的微米級半導體傳感器采用三電極結構，將硅板刻蝕到設計的形狀之后，對收集電極內表面以及提取電極兩面進行Ti/Ni/Au膜的鍍膜加工，放電陰極表面直接采取ICP刻蝕工藝，加工出微米級硅柱體，在硅柱體表面鍍膜，形成微米級金屬電極，起放電作用。所述納米級傳感器制備方法包括如下步驟：在硅板上涂光刻膠，在光刻膠上覆蓋掩膜版，曝光，去除掩膜版，顯影，得到曝光完成的硅板；采用刻蝕劑對得到的硅板進行刻蝕，然后去除光刻膠；再在光刻硅板表面鍍金屬膜，即得。本公開的微米級半導體傳感器電極的制備方法加工精度高，而且該方法加工效率高，適合于大規(guī)模生產。

技術研發(fā)人員：王小華;呂品雷;楊愛軍;褚繼峰;王大偉;劉定新;榮命哲
受保護的技術使用者：西安交通大學
技術研發(fā)日：2017.02.24
技術公布日：2017.07.28