技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于單晶硅外延封腔工藝的電容式微電子氣壓傳感器及其制備方法,具體是一種基于MEMS微加工技術(shù)的電容式氣壓傳感器,由于外延單晶硅工藝成熟,其所形成的硅微結(jié)構(gòu)機(jī)械性能良好,尤其利用外延單晶硅所形成的腔體結(jié)構(gòu)密封性能十分優(yōu)異。由此形成的電容式氣壓傳感器電容值主要由薄膜體厚度決定,并受環(huán)境溫度及壓力影響?;诮殡娚炜s效應(yīng)原理,電容介電材料介電常數(shù)值隨所受壓力的變化而變化,并且呈現(xiàn)明顯的單調(diào)性,該特性可以實(shí)現(xiàn)壓力或者氣壓等數(shù)據(jù)檢測(cè)。結(jié)合MEMS微加工技術(shù),該電容式氣壓傳感器體積小,功耗低,響應(yīng)時(shí)間短。
技術(shù)研發(fā)人員:蔡春華;朱念芳;齊本勝;談俊燕;華迪;曹元;王海濱
受保護(hù)的技術(shù)使用者:河海大學(xué)常州校區(qū)
文檔號(hào)碼:201710016949
技術(shù)研發(fā)日:2017.01.11
技術(shù)公布日:2017.05.31