技術總結
一種MEMS器件，包括：基底；多晶埋層，位于所述基底上，所述多晶埋層圖形化一個或多個多晶圖形；犧牲層，位于所述多晶埋層上，所述犧牲層中具有空腔，所述多晶圖形的至少一部分位于所述空腔內(nèi)；運動質(zhì)量塊層，所述運動質(zhì)量塊層的至少一部分由所述多晶埋層支撐，所述運動質(zhì)量塊層包括位于所述空腔上方的運動質(zhì)量塊，所述運動質(zhì)量塊朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突點；防粘附層，位于所述多晶埋層與所述運動質(zhì)量塊層之間的裸露表面上。本實用新型能夠減小運動質(zhì)量塊與基底和/或多晶埋層之間的接觸面積，以及由于防粘附層的疏水性和低表面粘附力，可以有效地減少或防止粘連。

技術研發(fā)人員：聞永祥;季鋒;劉琛;覃耀慰;張小麗
受保護的技術使用者：杭州士蘭集成電路有限公司
文檔號碼：201620714829
技術研發(fā)日：2016.06.30
技術公布日：2017.03.15