技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及封裝方法及相關的封裝結構。本發(fā)明提供一種封裝方法，其包括提供第一半導體襯底；在所述第一半導體襯底上形成接合區(qū)，其中所述第一半導體襯底的所述接合區(qū)包括第一接合金屬層與第二接合金屬層；提供具有接合區(qū)的第二半導體襯底，其中所述第二半導體襯底的所述接合區(qū)包括第三接合金屬層；以及通過使所述第一半導體襯底的所述接合區(qū)接觸所述第二半導體襯底的所述接合區(qū)，將所述第一半導體襯底接合到所述第二半導體襯底；其中所述第一與第三接合金屬層包括銅(Cu)，且所述第二接合金屬層包括錫(Sn)。本發(fā)明還提供一種相關的封裝結構。

技術研發(fā)人員：陳志明;謝元智;喻中一
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.11.02
技術公布日：2017.08.11