技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本揭露是關(guān)于一種制造微機電系統(tǒng)封裝的方法，通過將排氣元件引入空腔中，透過排氣以調(diào)整空腔內(nèi)的壓力。于部分實施例中，形成排氣元件于互補式金屬氧化物半導(dǎo)體基板的鈍化層內(nèi)。形成排氣阻層以覆蓋排氣元件。移除覆蓋在排氣元件上方的排氣阻層。連接微機電系統(tǒng)基板至互補式金屬氧化物半導(dǎo)體基板的前側(cè)，以將第一微機電系統(tǒng)元件封閉至第一空腔中，并將第二微機電系統(tǒng)元件封閉至第二空腔中，其中在移除排氣阻層后，排氣元件釋放氣體至第二空腔內(nèi)以增加第二空腔內(nèi)的第二壓力，使第二壓力大于第一空腔內(nèi)的第一壓力。

技術(shù)研發(fā)人員：程世偉;許希丞;陳信宇;蔣季宏;翁睿均;吳威鼎;吳毓瑞;胡景翔;陳明聰
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.12
技術(shù)公布日：2017.07.25