1.一種在銅基底上制備微同軸金屬結構的方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：
在銅基底上涂覆一層厚度約為50μm的KMPR光刻膠；將涂覆KMPR負性光刻膠的銅基片置于玻璃材質、厚度為3mm的鍍鉻掩膜版下，使用波長約為365納米的紫外光曝光；將銅基片浸沒在TMAH顯影液中顯影，得到微同軸金屬結構的金屬底層的膠膜結構；將膠膜結構置于由9080g無水硫酸銅、1283ml硫酸、4ml鹽酸以及76g十二水硫酸鋁鉀混合配制的電鑄液中，在32.2℃的電鑄溫度下進行微電鑄，得到微同軸金屬結構的微電鑄銅金屬底層；用PG去膠劑完全去除銅基片上的KMPR膠膜，獲得微同軸金屬結構的最底層(或第一層)銅底層；
在銅底層上涂覆一層30μm厚的SU-8光刻膠；將涂覆SU-8光刻膠的銅基片置于刻有支撐體圖案、玻璃材質、厚度為3mm的鍍鉻掩膜版下，用波長約為365nm的紫外光曝光；將銅基片浸沒在PGMEA顯影液內超聲顯影，獲得SU-8支撐體；在SU-8支撐體上涂覆50μm厚的KMPR負性光刻膠，將涂覆KMPR負性光刻膠的銅基片置于刻有內軸圖案、玻璃材質、厚度為3mm的鍍鉻掩膜版下，使用波長約為365nm的紫外光曝光；將基片浸沒在TMAH中顯影，得到內軸的膠膜結構；將銅基片置于由9080g無水硫酸銅、1283ml的硫酸、4ml鹽酸以及76g十二水硫酸鋁鉀混合配制的電鑄液中，在32.2℃的電鑄溫度下進行微電鑄，得到微同軸金屬結構的微電鑄銅金屬內軸；
將銅金屬基底上所有的KMPR負性光刻膠用PG去膠劑完全剝離，獲得三層微結構，即從下至上依次為銅底層、SU-8支撐體和銅內軸；在包含三層微結構的銅基片上涂覆210微米厚的KMPR負性光刻膠，將涂覆KMPR負性光刻膠的銅基片置于刻有U型銅外殼圖案、玻璃材質、厚度為3mm的鍍鉻掩膜版下，使用波長約為365nm的紫外光曝光；將銅基片浸沒在TMAH中顯影，得U型銅外殼的膠膜結構；將含有膠膜結構的銅基片置于由9080g無水硫酸銅、1283ml硫酸、4ml鹽酸以及76g十二水硫酸鋁鉀混合配制的電鑄液內，在32.2℃的電鑄溫度下進行微電鑄，得到微同軸金屬結構的U型銅外殼；用PG去膠劑完全去除銅基片上的KMPR膠膜，獲得U型銅外殼，即得到所需微同軸金屬結構。
2.根據(jù)權利要求1的在金屬基底上制備微同軸金屬結構的方法，其特征在于，在包含三層微結構的銅基片上涂覆210微米厚的KMPR負性光刻膠，將涂覆KMPR負性光刻膠的銅基片置于鍍鉻掩膜版下，鍍鉻掩膜版上為刻有U型銅外殼圖案并且厚度為3mm的玻璃材質，使用波長約為365nm的紫外光曝光；將銅基片浸沒在TMAH中顯影，得U型銅外殼的膠膜結構；將含有膠膜結構的銅基片置于由9080g無水硫酸銅、1283ml硫酸、4ml鹽酸以及76g十二水硫酸鋁鉀混合配制的電鑄液內，在32.2℃的電鑄溫度下進行微電鑄，得到微同軸金屬結構的U型銅外殼；用PG去膠劑完全去除銅基片上的KMPR膠膜，獲得U型銅外殼，即得到所需微同軸金屬結構。