一種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器及其制造方法，以較為簡單的制作工藝提供熒光信號穩(wěn)定、靈敏度高的量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器。固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器包括玻片、帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層和量子點(diǎn)微陣列；量子點(diǎn)微陣列為若干水溶性量子點(diǎn)注入到玻片后孵育預(yù)定時(shí)間而成，量子點(diǎn)微陣列的排列方式與帶有通孔通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層通孔的排列方式相同；帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層不可逆鍵合在玻片上，并且量子點(diǎn)微陣列的每個量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的幾何中心與聚二甲基硅氧烷薄膜層的每個通道的幾何中心對應(yīng)對齊。本發(fā)明提供的固態(tài)量子點(diǎn)芯片傳感器具有熒光信號穩(wěn)定、靈敏度較高，極大地?cái)U(kuò)大了量子點(diǎn)傳感器在生物醫(yī)學(xué)中的應(yīng)用。
【專利說明】—種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及生物醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域，具體涉及一種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來研究人員開發(fā)了不同種類的生物傳感器，在生物醫(yī)藥，食品工業(yè)以及在環(huán)境監(jiān)測方面發(fā)揮了很大的作用，大量基于光學(xué)、聲學(xué)和電化學(xué)信號的傳感器被報(bào)道，其中，最具應(yīng)用前景的是基于熒光信號的生物傳感器應(yīng)用于無標(biāo)記目標(biāo)分析物，例如，基于分子信標(biāo)技術(shù)的熒光信號猝滅和恢復(fù)DNA的檢測。在生物醫(yī)學(xué)及DNA檢測過程中，對生物傳感器提出了以下新的要求:(I)大規(guī)模同時(shí)檢測多種目標(biāo)分析物；(2)信號響應(yīng)穩(wěn)定，采集信號簡單易行；(3)組建方法簡單，可大規(guī)模應(yīng)用。因此，具備高效檢測的傳感器的研究十分必要。目前報(bào)道的基于熒光信號響應(yīng)的傳感器比較有前景的是基于量子點(diǎn)特異熒光特性，如耐光漂，一元激發(fā)多元發(fā)射等的傳感器。所謂量子點(diǎn)，是一種新型無機(jī)熒光納米顆粒，具有寬激發(fā)，窄發(fā)射；一元激發(fā)，多元發(fā)射；耐光漂；尺寸可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]作為新型的熒光材料，量子點(diǎn)可以提供穩(wěn)定且多元化的熒光信號，特別是在同一激發(fā)光下，不同尺寸的量子點(diǎn)發(fā)射不同波長的熒光，且熒光強(qiáng)度穩(wěn)定耐光漂，其典型應(yīng)用是應(yīng)用于微流控芯片技術(shù)。微流控芯片技術(shù)具有試劑樣品消耗量少、分析檢測靈敏度高、高通量等優(yōu)點(diǎn)。在微流控芯片內(nèi)組裝固態(tài)量子點(diǎn)微陣列傳感器，可充分發(fā)揮二者的優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)基于量子點(diǎn)熒光信號響應(yīng)的大規(guī)模并行檢測的目標(biāo)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)提供的量子點(diǎn)在生物醫(yī)藥中應(yīng)用比較廣泛的是基于液相中量子點(diǎn)熒光信號的傳感，主要是在玻片或聚二甲基娃氧燒(poly dimethyl siloxane, PDMS)組裝油溶性量子點(diǎn)。然而，這種方式導(dǎo)致量子點(diǎn)分布不均勻，熒光信號不均一，在液相環(huán)境中只能用一種量子點(diǎn)檢測一種目標(biāo)分析物的信號響應(yīng)，不能實(shí)現(xiàn)混合組分目標(biāo)物同時(shí)檢測，同時(shí)不能實(shí)現(xiàn)高通量檢測，因而限制了量子點(diǎn)傳感器在生物醫(yī)學(xué)及DNA檢測的應(yīng)用，無法進(jìn)一步應(yīng)用到生物醫(yī)藥高效檢測中。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種固態(tài)量子點(diǎn)芯片傳感器及其制造方法，以較為簡單的制作工藝提供熒光信號穩(wěn)定、靈敏度高的量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器。
[0006]一種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器，所述固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器包括玻片、帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層和量子點(diǎn)微陣列；所述量子點(diǎn)微陣列為若干水溶性量子點(diǎn)通過帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層注入到所述玻片上孵育預(yù)定時(shí)間而成，所述量子點(diǎn)微陣列中量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的數(shù)量與所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層中通孔的數(shù)量相等，所述量子點(diǎn)微陣列中量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的排列方式與所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層中通孔的排列方式相同；所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層不可逆鍵合在所述玻片上，并且所述量子點(diǎn)微陣列的每個量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的幾何中心與所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層的每個通道的幾何中心對應(yīng)對齊。
[0007]—種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法，所述方法包括如下次序的工藝步驟:
[0008]在微陣列柱模板表面旋涂第一聚二甲基硅氧烷薄膜層；
[0009]將帶有多通道的第二聚二甲基硅氧烷薄膜層按照所述微陣列柱的每一微柱都位于所述對應(yīng)通道中間位置的標(biāo)準(zhǔn)貼合到所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜層之上；
[0010]將所述具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜層和第二聚二甲基硅氧烷薄膜層的微陣列柱模板置于烘箱中以70°C至90°C烘烤20分鐘至30分鐘后取出，得到帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層；
[0011]將所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層可逆鍵合至玻片；
[0012]向所述通孔注入水溶性量子點(diǎn)孵育預(yù)定時(shí)間后，將所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層從所述玻片上剝離，得到量子點(diǎn)微陣列；
[0013]將帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層按照所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層的通道的幾何中心與所述量子點(diǎn)微陣列的量子點(diǎn)陣列的幾何中心對齊的標(biāo)準(zhǔn)，不可逆鍵合在所述玻片上。
[0014]從上述本發(fā)明實(shí)施例可知，制造固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的工藝流程簡單，相對于現(xiàn)有液態(tài)量子點(diǎn)傳感器只能檢測單一組分目標(biāo)分析物和不能實(shí)現(xiàn)高通量檢測的不足，本發(fā)明實(shí)施例提供的固態(tài)量子點(diǎn)芯片傳感器，充分結(jié)合了微流控芯片高通量的優(yōu)勢和量子點(diǎn)耐光漂，一元激發(fā)多元發(fā)射等熒光特性，具有熒光信號穩(wěn)定、靈敏度較高，特別是基于分子信標(biāo)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)同時(shí)無標(biāo)記檢測多種目標(biāo)分析物，極大地?cái)U(kuò)大了量子點(diǎn)傳感器在生物醫(yī)學(xué)及DNA檢測過程中的應(yīng)用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法基本工藝流程流程示意圖；
[0016]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的微陣列柱模板示意圖；
[0017]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的微陣列柱模板表面旋涂了第一聚二甲基硅氧烷薄膜層后的不意圖；
[0018]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的第二聚二甲基硅氧烷薄膜層示意圖；
[0019]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的帶有通孔的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層可逆鍵合至玻片后的不意圖；
[0020]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供一種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法，所述方法包括如下次序的工藝步驟:在微陣列柱模板表面旋涂第一聚二甲基硅氧烷薄膜層；將帶有多通道的第二聚二甲基硅氧烷薄膜層按照所述微陣列柱的每一陣列柱都位于所述對應(yīng)通道中間位置的標(biāo)準(zhǔn)貼合到所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜層之上；將所述具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜層和第二聚二甲基硅氧烷薄膜層的微陣列柱模板置于烘箱中以70°C至90°C烘烤20分鐘至30分鐘后取出，得到帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層；將所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層可逆鍵合至玻片；向所述通孔注入水溶性量子點(diǎn)孵育預(yù)定時(shí)間后，將所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層從所述玻片上剝離，得到量子點(diǎn)微陣列；將帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層按照所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層的通道的幾何中心與所述量子點(diǎn)微陣列的量子點(diǎn)陣列的幾何中心對齊的標(biāo)準(zhǔn)，不可逆鍵合在所述玻片上。本發(fā)明實(shí)施例還提供相應(yīng)的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法基本工藝流程可參考圖1，主要包括步驟SlOl至步驟S106:
[0023]S101，在微陣列柱模板表面旋涂第一聚二甲基硅氧烷薄膜層。
[0024]在本發(fā)明實(shí)施例中，微陣列柱模板是通過在硅片表面采用光刻的方法制作而成，即在娃片表面光刻尺寸為20微米的負(fù)性光刻膠SU-82050微陣列柱模板,其中，微陣列柱模板的每個微柱高可以為50微米，頂端可以為正方形，邊長可以為20微米。微陣列柱模板的示意圖如附圖2所示，其中，標(biāo)記為201的為微柱，標(biāo)記為202的為硅片。
[0025]作為本發(fā)明一個實(shí)施例，第一聚二甲基硅氧烷薄膜層可以是由預(yù)聚物和固化劑按照20:1的比例制成的的帶有通孔的聚二甲基硅氧烷薄膜層。附圖2示例的微陣列柱模板表面旋涂了第一聚二甲基硅氧烷薄膜層后的示意圖如附圖3所示，其中，標(biāo)記為301、在圖中以格狀示意的部分為第一聚二甲基硅氧烷薄膜層。
[0026]S102，將帶有多通道的第二聚二甲基硅氧烷薄膜層按照微陣列柱的每一微柱都位于對應(yīng)通道中間位置的標(biāo)準(zhǔn)貼合到第一聚二甲基硅氧烷薄膜層之上。
[0027]在本發(fā)明實(shí)施例中，第二聚二甲基硅氧烷薄膜層可以可以是由預(yù)聚物和固化劑按照5:1的比例制成的的帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層。第二聚二甲基硅氧烷薄膜層是帶有一系列通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層，例如，可以根據(jù)最終成型的固態(tài)量子點(diǎn)芯片傳感器的玻片尺寸，第二聚二甲基硅氧烷薄膜層可以是帶有5個通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層，每個通道高度為50微米至60微米，寬度在80微米左右。本發(fā)明實(shí)施例給出的第二聚二甲基硅氧烷薄膜層示意圖如附圖4，其中，標(biāo)記為401的圖中空白部分即為第二聚二甲基硅氧烷薄膜層的通道。
[0028]S103，將具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜層和第二聚二甲基硅氧烷薄膜層的微陣列柱模板置于烘箱中以70°C至90°C烘烤20分鐘至30分鐘后取出，得到帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層。
[0029]原則上，在70°C至90°C的范圍內(nèi)，烘箱溫度越低的話，烘烤的時(shí)間可以在20分鐘至30分鐘內(nèi)選擇一個稍長的時(shí)間，烘箱溫度越高的話，烘烤的時(shí)間可以在20分鐘至30分鐘內(nèi)選擇一個稍短的時(shí)間。作為本發(fā)明一個實(shí)施例，可以將粘合有第一聚二甲基硅氧烷薄膜層和第二聚二甲基硅氧烷薄膜層的微陣列柱模板置于烘箱中以80°C烘烤20分鐘后取出，貼合在一起的第一聚二甲基硅氧烷薄膜層和第二聚二甲基硅氧烷薄膜層就構(gòu)成帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層。
[0030]S104，將步驟S103得到的帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層可逆鍵合至玻片。
[0031]將步驟S103得到的帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層可逆鍵合至玻片后的示意圖如附圖5，其中，標(biāo)記為501的是兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層的通孔，標(biāo)記為502的是玻片。
[0032]S105，向所述通孔注入水溶性量子點(diǎn)孵育預(yù)定時(shí)間后，將所述帶有通孔的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層從所述玻片上剝離，得到量子點(diǎn)微陣列。
[0033]預(yù)定時(shí)間可以根據(jù)實(shí)際需要確定，例如，可以是0.5小時(shí)、I小時(shí)或0.5小時(shí)至I小時(shí)之間的任意時(shí)長。水溶性量子點(diǎn)孵育預(yù)定時(shí)間后，將兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層從玻片上輕輕剝離，便可以得到量子點(diǎn)微陣列。
[0034]S106，將帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層按照所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層的通道的幾何中心與所述量子點(diǎn)微陣列的量子點(diǎn)陣列的幾何中心對齊的標(biāo)準(zhǔn)，不可逆鍵合在所述玻片上。
[0035]在本發(fā)明實(shí)施例中，帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層可以為預(yù)聚物和固化劑按照10:1的比例制成的聚二甲基硅氧烷薄膜層。由于量子點(diǎn)微陣列的量子點(diǎn)尺寸非常小，因此，可以借助熒光顯微鏡等工具，在熒光顯微鏡下，將帶有通道的第三聚二甲基硅氧烷薄膜層按照第三聚二甲基硅氧烷薄膜層的通道的幾何中心與量子點(diǎn)微陣列的幾何中心對齊的標(biāo)準(zhǔn)，不可逆鍵合在玻片上，即構(gòu)成微陣列化的固態(tài)量子點(diǎn)芯片傳感器，其示意圖如附圖6所示。
[0036]從上述本發(fā)明實(shí)施例提供的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法可知，制造固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的工藝流程簡單，相對于現(xiàn)有液態(tài)量子點(diǎn)傳感器只能檢測單一組分目標(biāo)分析物和不能實(shí)現(xiàn)高通量檢測的不足，本發(fā)明實(shí)施例提供的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器，充分結(jié)合了微流控芯片高通量的優(yōu)勢和量子點(diǎn)耐光漂，一元激發(fā)多元發(fā)射等熒光特性，具有熒光信號穩(wěn)定、靈敏度較高，特別是基于分子信標(biāo)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)同時(shí)無標(biāo)記檢測多種目標(biāo)分析物，極大地?cái)U(kuò)大了量子點(diǎn)傳感器在生物醫(yī)學(xué)及DNA檢測過程中的應(yīng)用。
[0037]下面對固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法的本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的進(jìn)行說明。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器包括玻片、帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層和量子點(diǎn)微陣列，其中，量子點(diǎn)微陣列為若干水溶性量子點(diǎn)通過帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層注入到所述玻片上孵育預(yù)定時(shí)間而成，量子點(diǎn)微陣列中量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的數(shù)量與所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層中通孔的數(shù)量相等，量子點(diǎn)微陣列中量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的排列方式與所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層中通孔的排列方式相同，帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層貼合在所述玻片上，并且所述量子點(diǎn)微陣列的每個量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的幾何中心與所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層的每個通道的幾何中心對應(yīng)對齊。
[0039]在上述本發(fā)明實(shí)施例提供的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器中，水溶性量子點(diǎn)通過帶有通孔的聚二甲基硅氧烷薄膜層的通孔注入到玻片上，在玻片上孵育的預(yù)定時(shí)間可以為0.5小時(shí)、I小時(shí)或0.5小時(shí)至I小時(shí)之間的任意時(shí)長。帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層可以為預(yù)聚物和固化劑按照10:1的比例制成的聚二甲基硅氧烷薄膜層。帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層為第二聚二甲基硅氧烷薄膜層貼合在第一聚二甲基硅氧烷薄膜層之上制成，其中，第二聚二甲基硅氧烷薄膜層為帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層，其為預(yù)聚物和固化劑按照5:1的比例制成，第一聚二甲基硅氧烷薄膜層為帶有通孔的聚二甲基硅氧烷薄膜層，其為預(yù)聚物和固化劑按照20:1的比例制成。在本發(fā)明實(shí)施例中，玻片可以是硅烷化處理后的玻片。
[0040]以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器及其制造方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器，其特征在于，所述固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器包括玻片、帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層和量子點(diǎn)微陣列； 所述量子點(diǎn)微陣列為若干水溶性量子點(diǎn)通過帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層注入到所述玻片上孵育預(yù)定時(shí)間而成，所述量子點(diǎn)微陣列中量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的數(shù)量與所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層中通孔的數(shù)量相等，所述量子點(diǎn)微陣列中量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的排列方式與所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層中通孔的排列方式相同； 所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層不可逆鍵合在所述玻片上，并且所述量子點(diǎn)微陣列的每個量子點(diǎn)陣列點(diǎn)的幾何中心與所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層的每個通道的幾何中心對應(yīng)對齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器，其特征在于，所述預(yù)定時(shí)間為0.5小時(shí)、I小時(shí)或0.5小時(shí)至I小時(shí)之間的任意時(shí)長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器，其特征在于，所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層為預(yù)聚物和固化劑按照10:1的比例制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器，其特征在于，所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層為第二聚二甲基硅氧烷薄膜層貼合在第一聚二甲基硅氧烷薄膜層之上制成，所述第二聚二甲基硅氧烷薄膜層為帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層，所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜層為帶有通孔的聚二甲基硅氧烷薄膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器，其特征在于，所述第二聚二甲基硅氧烷薄膜層為預(yù)聚物和固化劑按照5:1的比例制成，所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜層為預(yù)聚物和固化劑按照20:1的比例制成。
6.一種固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下次序的工藝步驟: 在微陣列柱模板表面旋涂第一聚二甲基硅氧烷薄膜層； 將帶有多通道的第二聚二甲基硅氧烷薄膜層按照所述微陣列柱的每一微柱都位于所述對應(yīng)通道中間位置的標(biāo)準(zhǔn)貼合到所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜層之上； 將所述具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜層和第二聚二甲基硅氧烷薄膜層的微陣列柱模板置于烘箱中以70°C至90°C烘烤20分鐘至30分鐘后取出，得到帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層； 將所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層可逆鍵合至玻片； 向所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層的通孔注入水溶性量子點(diǎn)孵育預(yù)定時(shí)間后，將所述帶有通孔通道的兩層聚二甲基硅氧烷薄膜層從所述玻片上剝離，得到量子點(diǎn)微陣列； 將帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層按照所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層的通道的幾何中心與所述量子點(diǎn)微陣列的量子點(diǎn)陣列的幾何中心對齊的標(biāo)準(zhǔn)，不可逆鍵合在所述玻片上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法，其特征在于，所述預(yù)定時(shí)間為0.5小時(shí)、I小時(shí)或0.5小時(shí)至I小時(shí)之間的任意時(shí)長。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法，其特征在于，所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜層為預(yù)聚物和固化劑按照20:1的比例制成的帶有通孔的聚二甲基硅氧烷薄膜層，。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法，其特征在于，所述第二聚二甲基硅氧烷薄膜層為預(yù)聚物和固化劑按照5:1的比例制成的帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法，其特征在于，所述帶有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜層為預(yù)聚物和固化劑按照10:1的比例制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)量子點(diǎn)微陣列芯片傳感器的制造方法，其特征在于，所述將所述具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜層和第二聚二甲基硅氧烷薄膜層的微陣列柱模板置于烘箱中以70°C至90°C烘烤20分鐘至30分鐘后取出具體為: 將所述具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜層和第二聚二甲基硅氧烷薄膜層的微陣列柱模板置于烘箱中以80°C烘烤20分鐘后取出。
【文檔編號】B81B7/04GK104515755SQ201310446848
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】劉宏偉, 陳艷 申請人:中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院