專利名稱：一種防止晶片背面腐蝕的夾具和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濕法腐蝕技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種防止晶片背面腐蝕的夾具和方法。
背景技術(shù)：
在微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-MechanicalSystems, MEMS)工藝中，通常需要將晶片裝載在夾具上進(jìn)行單面濕法腐蝕?，F(xiàn)有的夾具在使用時(shí)通常會出現(xiàn)腐蝕溶液滲漏至晶片背面，即不需要進(jìn)行腐蝕的一面的情形，造成晶片背面受損?，F(xiàn)有夾具的結(jié)構(gòu)放入腐蝕溶液后內(nèi)部空腔的壓力為大氣壓力，略小于外部為大氣壓力和溶液壓力，造成會有部分溶液滲漏至夾具內(nèi)部，從而腐蝕到晶片的背面，降低了工藝的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種防止晶片背面腐蝕的夾具和方法，能夠防止溶液滲漏至晶片背面，造成晶片背面受損。為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案一種防止晶片背面腐蝕的夾具，包括底座、密封蓋和平衡管，晶片通過密封圈固定在所述底座上并與所述底座之間形成空腔，所述密封蓋通過密封圈固定在所述底座和晶片邊緣上并壓緊所述晶片，設(shè)置于所述底座上的所述平衡管設(shè)有通孔，所述底座底部設(shè)有出氣孔，所述通孔和出氣孔均與所述空腔連通，從所述通孔通入非腐蝕性氣體，經(jīng)過所述空腔后從所述出氣孔排出。所述底座的兩側(cè)分別固定一個(gè)晶片并形成一個(gè)所述空腔，所述平衡管設(shè)有兩個(gè)所述通孔，所述兩個(gè)通孔各與一個(gè)所述空腔連通，所述底座底部設(shè)有兩個(gè)所述出氣孔，所述兩個(gè)出氣孔各與一個(gè)所述空腔連通。所述底座的兩側(cè)各固定一個(gè)晶片并形成一個(gè)所述空腔，所述平衡管設(shè)有一個(gè)所述通孔，所述通孔同時(shí)與底座兩側(cè)的所述空腔連通，所述底座底部設(shè)有兩個(gè)所述出氣孔，所述兩個(gè)出氣孔各與一個(gè)所述空腔連通。所述非腐蝕性氣體是氮?dú)?。所述密封圈為O型密封圈。所述出氣孔的直徑為lmnT2mm。一種防止晶片背面腐蝕的方法，該方法包括通過密封圈將晶片固定在夾具的底座上并和所述底座之間形成空腔；密封蓋通過密封圈固定在所述底座和晶片邊緣上并壓緊所述晶片；向平衡管的通孔中通入非腐蝕性氣體，所述非腐蝕性氣體經(jīng)過所述空腔后從所述底座的出氣孔排出；將夾具的底座浸入腐蝕溶液對晶片的待腐蝕面進(jìn)行腐蝕。所述非腐蝕性氣體是氮?dú)?；所使用的密封圈為O型密封圈。
采用本發(fā)明的技術(shù)方案，夾具結(jié)構(gòu)簡單實(shí)用，可有效防止晶片背面滲漏的出現(xiàn)，提升了工藝品質(zhì)。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的防止晶片背面腐蝕的夾具的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的防止晶片背面腐蝕的夾具的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施例三提供的防止晶片背面腐蝕的夾具的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的防止晶片背面腐蝕的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式
來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種防止晶片背面腐蝕的夾具，包括底座7、密封蓋2和平衡管1，晶片4通過密封圈3固定在所述底座7上并與所述底座之間形成空腔5，所述密封蓋2通過密封圈固定在所述底座7和晶片邊緣上并壓緊所述晶片4。所述底座的側(cè)部設(shè)有平衡管1，所述平衡管I設(shè)有通孔6，所述底座7的底部設(shè)有出氣孔8，所述通孔6和出氣孔8均與所述空腔5連通，從所述通孔6通入非腐蝕性氣體，經(jīng)過所述空腔5后從所述出氣孔8排出。將裝載好晶片的夾具浸入腐蝕溶液后，為防止腐蝕溶液從所述密封圈處出現(xiàn)滲漏，所述通入的非腐蝕性氣體的壓力要大于所述底座的出氣孔8處的液體壓力，使所述非腐蝕性氣體通過出氣孔8排到腐蝕溶液中，保證夾具內(nèi)部氣體壓力大于外部腐蝕溶液的壓力，從而使腐蝕溶液不會從密封圈出滲漏進(jìn)來腐蝕到晶片的背面。使用的非腐蝕性氣體，要保證其不會與腐蝕溶液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而影響腐蝕溶液對晶片待腐蝕面的腐蝕效果。所述非腐蝕性氣體優(yōu)選為氮?dú)饣蛘叨趸?。所述密封圈?yōu)選為O形密封圈，使用O型密封圈可以使所述底座、密封蓋上相應(yīng)的溝槽加工更為方便。所述出氣孔8的直徑為lmnT2mm，在保證夾具本身穩(wěn)定性的同時(shí)又便于觀察非腐蝕性氣體的排出的情況。圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種防止晶片背面腐蝕的夾具，其與實(shí)施例一的不同之處在于所述底座7的兩側(cè)分別固定一個(gè)晶片4并形成一個(gè)所述空腔5，所述平衡管I設(shè)有兩個(gè)所述通孔6，所述兩個(gè)通孔6各與一個(gè)所述空腔5連通，所述底座7的底部設(shè)有兩個(gè)所述出氣孔8，所述兩個(gè)出氣孔8各與一個(gè)所述空腔5連通。本實(shí)施例提供的夾具可同時(shí)對兩片晶片進(jìn)行腐蝕，向平衡管I的兩個(gè)通孔6中分別通入非腐蝕性氣體，所述非腐蝕性氣體分別從底座的兩個(gè)出氣孔8排出。通入的兩路非腐蝕性氣體的壓力都要大于所述出氣孔8處外部腐蝕溶液的壓力。圖3是本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種防止晶片背面腐蝕的夾具，其與實(shí)施例二的不同之處在于所述平衡管I設(shè)有一個(gè)所述通孔6，所述通孔6同時(shí)與底座兩側(cè)的所述空腔5連通，所述底座底部設(shè)有兩個(gè)所述出氣孔8，所述兩個(gè)出氣孔8各與一個(gè)所述空腔5連通。這種結(jié)構(gòu)利用操作人員通入非腐蝕性氣體，操作更加方便。圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種防止晶片背面腐蝕的方法流程圖，該方法包括S401,通過密封圈將晶片固定在夾具的底座上并和所述底座之間形成空腔。將晶片的待腐蝕面向外，不需要進(jìn)行腐蝕的背面朝向夾具的底座進(jìn)行固定。S402，密封蓋通過密封圈固定在所述底座和晶片邊緣上并壓緊所述晶片。S403，向平衡管的通孔中通入非腐蝕性氣體，所述非腐蝕性氣體經(jīng)過所述空腔后從所述底座的出氣孔排出。使用的非腐蝕性氣體，要保證其不會與腐蝕溶液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而影響腐蝕溶液對晶片待腐蝕面的腐蝕效果。所述非腐蝕性氣體優(yōu)選為氮?dú)饣蛘叨趸肌Ｍㄈ氲姆歉g性氣體的壓力要大于所述底座的出氣孔8處的液體壓力，使所述非腐蝕性氣體通過出氣孔8排到腐蝕溶液中，保證夾具內(nèi)部氣體壓力大于外部腐蝕溶液的壓力，從而使腐蝕溶液不會從密封圈出滲漏進(jìn)來腐蝕到晶片的背面。所述出氣孔8的直徑為lmnT2mm。所使用的密封圈為O型密封圈，使所述底座、密封蓋上相應(yīng)的溝槽加工更為方便。S404，將夾具的底座浸入腐蝕溶液對晶片的待腐蝕面進(jìn)行腐蝕。注意觀察出氣孔處氣體的排出情況，確保輸入非腐蝕性氣體的壓力足夠以防止?jié)B漏。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，夾具結(jié)構(gòu)簡單實(shí)用，可有效防止晶片背面滲漏的出現(xiàn)，提升了工藝品質(zhì)。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種防止晶片背面腐蝕的夾具，其特征在于，包括底座、密封蓋和平衡管，晶片通過密封圈固定在所述底座上并和所述底座之間形成空腔，所述密封蓋通過密封圈固定在所述底座和晶片邊緣上并壓緊所述晶片，設(shè)置于所述底座上的所述平衡管設(shè)有通孔，所述底座底部設(shè)有出氣孔，所述通孔和出氣孔均與所述空腔連通，從所述通孔通入非腐蝕性氣體，經(jīng)過所述空腔后從所述出氣孔排出。
2.如權(quán)利要求1所述的夾具，其特征在于，所述底座的兩側(cè)分別固定一個(gè)晶片并形成一個(gè)所述空腔，所述平衡管設(shè)有兩個(gè)所述通孔，所述兩個(gè)通孔各與一個(gè)所述空腔連通，所述底座底部設(shè)有兩個(gè)所述出氣孔，所述兩個(gè)出氣孔各與一個(gè)所述空腔連通。
3.如權(quán)利要求1所述的夾具，其特征在于，所述底座的兩側(cè)各固定一個(gè)晶片并形成一個(gè)所述空腔，所述平衡管設(shè)有一個(gè)所述通孔，所述通孔同時(shí)與底座兩側(cè)的所述空腔連通，所述底座底部設(shè)有兩個(gè)所述出氣孔，所述兩個(gè)出氣孔各與一個(gè)所述空腔連通。
4.如權(quán)利要求1所述的夾具，其特征在于，所述非腐蝕性氣體是氮?dú)狻?br> 5.如權(quán)利要求1所述的夾具，其特征在于，所述密封圈為O型密封圈。
6.如權(quán)利要求1-5任一所述的夾具，其特征在于，所述出氣孔的直徑為lmnT2mm。
7.一種防止晶片背面腐蝕的方法，其特征在于，該方法包括 通過密封圈將晶片固定在夾具的底座上并和所述底座之間形成空腔； 密封蓋通過密封圈固定在所述底座和晶片邊緣上并壓緊所述晶片； 向平衡管的通孔中通入非腐蝕性氣體，所述非腐蝕性氣體經(jīng)過所述空腔后從所述底座的出氣孔排出； 將夾具的底座浸入腐蝕溶液對晶片的待腐蝕面進(jìn)行腐蝕。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述非腐蝕性氣體是氮?dú)狻?br> 9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所使用的密封圈為O型密封圈。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種防止晶片背面腐蝕的夾具，包括底座、密封蓋和平衡管，晶片通過密封圈固定在所述底座上并和所述底座之間形成空腔，所述密封蓋通過密封圈固定在所述底座和晶片邊緣上并壓緊所述晶片，所述平衡管設(shè)有通孔，所述底座底部設(shè)有出氣孔，所述通孔和出氣孔均與所述空腔連通，從所述通孔通入非腐蝕性氣體，經(jīng)過所述空腔后從所述出氣孔排出。本發(fā)明夾具結(jié)構(gòu)簡單實(shí)用，可有效防止晶片背面滲漏的出現(xiàn)，提升了工藝品質(zhì)。本發(fā)明還提供了一種防止晶片背面腐蝕的方法。
文檔編號B81C1/00GK103058130SQ20131001169
公開日2013年4月24日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者孫其梁 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司