專利名稱：用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微電子制造技術(shù)，尤其涉及一種用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度 轉(zhuǎn)接板的制備方法。
背景技術(shù)：
微電子系統(tǒng)中，芯片上線寬通常是幾十個(gè)納米，而PCB板上通常是幾十個(gè)至幾百 個(gè)微米。通常利用各種轉(zhuǎn)接板(該轉(zhuǎn)接板即英文中的interposer，包括基板)將芯片與PCB 板互連，實(shí)現(xiàn)納米至微米尺度的過渡。對(duì)轉(zhuǎn)接板的要求有很多，例如要求有較低的熱膨脹系 數(shù)，高的密度，高剛度和低的介電常數(shù)等?，F(xiàn)有的有機(jī)材料轉(zhuǎn)接板的問題在于其熱膨脹系數(shù)較高，與芯片的熱失配較大，而 且其模量較低，使基板的翹曲度較高，因此難以實(shí)現(xiàn)高密度互連。現(xiàn)有的硅通孔(TSV)工藝是目前發(fā)展的主要方向，它首先是在硅上采用干法 (DRIE)或者激光加工等方法制作尺度較小的通孔，然后再采用電鍍的方法將孔金屬化，但 是效率較低，成本較高；目前采用將硅片減薄至50微米以下甚至更薄，大大降低了成本，但 是整個(gè)過程需要幾十個(gè)小時(shí)，可靠性也難以滿足工業(yè)界的要求。采用玻璃作為轉(zhuǎn)接板正成為關(guān)注的方向。在玻璃上加工通孔是一個(gè)難題。采用 DRIE的方法利用氣體對(duì)玻璃進(jìn)行刻蝕，刻蝕速率僅為750nm/min，不僅所刻的結(jié)構(gòu)形狀和 尺寸局限性大，無(wú)法實(shí)現(xiàn)大高寬比，而且加工效率低，成本高。目前主要采用激光加工的方 法來(lái)制備通孔，但是激光加工的成本較高，而且加工的孔形狀也不規(guī)則，加工3-10微米的 小孔時(shí)，其速度更慢，加工以后仍然需要采用電化學(xué)方法進(jìn)行金屬化，在要求高密度、小尺 寸引線互連時(shí)，效率較低，成本較高。因此，目前急需發(fā)展一種低成本、高效率、高密度的轉(zhuǎn)接板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要提供一種低成本、高效率的用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的 制備方法。本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，包括以下步驟 第一步，制備定向生長(zhǎng)的碳納米管束陣列2，碳納米管束的直徑為0. 5-30微米，間距為 0. 8-100微米，長(zhǎng)度為40-500微米；
第二步，在上述的定向生長(zhǎng)碳納米管束表面沉積金屬鎢1形成導(dǎo)體陣列； 第三步，使得硼硅玻璃與導(dǎo)體陣列在硼硅玻璃熔融狀態(tài)下形成復(fù)合體， 第四步，對(duì)于形成的復(fù)合體的上下表面進(jìn)行磨拋使得沉積金屬鎢的碳納米管束端部暴 露，從而得到用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板。上述技術(shù)方案中，第三步采用負(fù)壓法使得導(dǎo)體陣列與玻璃形成復(fù)合體，具體步驟 為首先將上述所述的金屬陣列轉(zhuǎn)移到預(yù)先準(zhǔn)備的硅腔中，并將硼硅玻璃與硅在真空中進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，使得硅腔密封；再將上述鍵合好的兩圓片在一個(gè)大氣壓下加熱到玻璃的軟化 溫度以上，熔融玻璃在負(fù)壓的作用下進(jìn)入硅腔與所述碳納米管束陣列形成復(fù)合體，冷卻，退 火。通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法合成所述的碳納米管束陣列。碳納米管束表面 沉積金屬鎢的厚度為0. 5-2微米。在碳納米管束表面沉積金屬鎢的方法為電子束蒸發(fā)的方 式。所述硼硅玻璃為Pyrex7740玻璃，所述第四步的加熱溫度為850°C-900°C。所述硼硅 玻璃為B0R0FL0AT33玻璃。所述第五步的磨拋方法為化學(xué)機(jī)械腐蝕。本發(fā)明獲得如下效果
1.本發(fā)明采用定向生長(zhǎng)的碳納米管束陣列作為模板，采用鎢作為導(dǎo)電金屬和浸潤(rùn)金 屬，制備了玻璃轉(zhuǎn)接板，其中碳納米管陣列與鎢的復(fù)合體作為導(dǎo)體材料。由于本發(fā)明采用定 向生長(zhǎng)的碳納米管束陣列，因此可制備高密度的通孔互連線?，F(xiàn)有碳納米管束可實(shí)現(xiàn)微米 至亞微米直徑，線寬為微米至亞微米，長(zhǎng)度為亞微米至幾毫米的制造，因此采用玻璃與定向 生長(zhǎng)的碳納米管束的復(fù)合可望實(shí)現(xiàn)高密度的互連，導(dǎo)體直徑、線寬、長(zhǎng)度精確可調(diào)，可實(shí)現(xiàn) 幾十微米至亞微米直徑，線寬為幾百微米至亞微米，長(zhǎng)度為亞微米至幾毫米范圍的制造。本 發(fā)明采用鎢金屬與硼硅玻璃具有優(yōu)異的潤(rùn)濕性，因此很容易復(fù)合；此外，鎢與碳納米管陣列 粘結(jié)性好，能夠促進(jìn)玻璃與鎢的復(fù)合程度，從而提高復(fù)合體的可靠性；鎢金屬(約百萬(wàn)分之 5)及碳納米管具有較低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性好，因此制備得到的復(fù)合體在承受較高的 熱循環(huán)載荷時(shí)，具有較高的可靠性；鎢的導(dǎo)電性較好，碳納米管束也具有較高的導(dǎo)電性，鎢 與碳納米管束的復(fù)合體也具有較好的導(dǎo)電性，而且能夠?qū)崿F(xiàn)電互連功能；此外，鎢與碳納米 管束的復(fù)合體在端部很容易與其它金屬，例如銅、錫合金等形成良好的鍵合，形成的焊盤連 接點(diǎn)具有較高的可靠性，這是單一采用碳納米管互連所不具備的。2.硼硅玻璃(包括B0R0FL0AT33，Pyrex7740-美國(guó)康寧公司生產(chǎn))能潤(rùn)濕鎢表 面。它具有著高透光率、較高的強(qiáng)度、高模量和低介電常數(shù)等特點(diǎn)，使得轉(zhuǎn)接板具有良好的 光、電、機(jī)械性能，并具有較高的可靠性。此外，由于碳納米管陣列與鎢形成的復(fù)合導(dǎo)體表面 粗糙度比較低(幾納米至幾十納米)，因此制備的導(dǎo)的玻璃轉(zhuǎn)接板尤其適用于高頻應(yīng)用。由 于碳納米管束、硼硅玻璃以及鎢均可承受高溫，因此該玻璃轉(zhuǎn)接板也適合于高溫應(yīng)用。3.本發(fā)明中是將玻璃熔融直接澆鑄到金屬陣列中，制備速度快，效率高，大大降 低了成本；由于定向生長(zhǎng)碳納米管陣列已經(jīng)可以進(jìn)行圓片級(jí)制造(采用品牌為Blackmagic 氣相沉積設(shè)備制造)，本發(fā)明還可以制備圓片級(jí)的玻璃轉(zhuǎn)接板，因此制備的成本能夠得到進(jìn) 一步降低。4.本發(fā)明中的玻璃的模量比硅的模量高，而且加工過程中不需要將玻璃基片減 薄，因此玻璃基板的防翹曲的能力比硅好基板。5.本發(fā)明中使用的玻璃的介電常數(shù)比硅的低，因此較硅基板減少了電容耦合和 信號(hào)串?dāng)_。本發(fā)明中的硅腔與玻璃的陽(yáng)極鍵合具有很高的強(qiáng)度，密閉性好的特點(diǎn)，在加熱過 程中不易發(fā)生泄漏而導(dǎo)致玻璃在與金屬陣列結(jié)合的過程中產(chǎn)生氣泡。在溫度400° C，電壓 直流600V的鍵合條件下，陽(yáng)極鍵合能夠達(dá)到最好的密封效果。6.本發(fā)明中采用的退火工藝可以有效的消除玻璃承受高溫與金屬陣列結(jié)合過程 中形成的應(yīng)力，從而使其強(qiáng)度韌性更高。退火溫度為550°C 570°C范圍內(nèi)，保溫時(shí)間為 30min,然后緩慢冷卻到室溫。在該條件下退火，能有效退去應(yīng)力，而過低的退火溫度則無(wú)法 有效去除玻璃內(nèi)部應(yīng)力。
7.本發(fā)明中可采用濃度為25%的TMAH溶液去除生長(zhǎng)碳納米管的硅，這樣可以有 效地去除硅片而不腐蝕玻璃，選擇硅片、玻璃比為1000 1。本發(fā)明具有金屬通孔密度高，導(dǎo)熱性好，制備周期短的特點(diǎn)，也可以廣泛應(yīng)用于 MEMS制造中的玻璃基板的制備。


圖1為碳納米管束陣列的截面示意圖。圖2為碳納米管束陣列金屬化后的截面示意圖。圖3為固體金屬通孔的玻璃基板示意圖。
圖4為上下磨拋后露出固體金屬通孔(中心為碳管)端面的玻璃轉(zhuǎn)接板截面示意圖。 圖5為固體金屬通孔的玻璃基板俯視示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1
一種用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，包括以下步驟 第一步，制備定向生長(zhǎng)的碳納米管束陣列2，碳納米管束的直徑為0. 5-30微米，例如為 0. 8微米，2微米，3微米，5微米，10微米，20微米，間距為0. 8-100微米，例如為1微米，3微 米，5微米，8微米，10微米，20微米，30微米，50微米，80微米，長(zhǎng)度為40-500微米，例如可 以為45微米，60微米，100微米，200微米，300微米，400微米；
第二步，在上述的定向生長(zhǎng)碳納米管束表面沉積金屬鎢1形成導(dǎo)體陣列；鎢的厚度為 0. 1-20微米，例如可以為0. 2微米，0. 8微米，1微米，5微米，10微米，15微米。第三步，使得硼硅玻璃與導(dǎo)體陣列在硼硅玻璃熔融狀態(tài)下形成復(fù)合體，
第四步，對(duì)于形成的復(fù)合體的上下表面進(jìn)行磨拋使得沉積金屬鎢的碳納米管束端部暴 露，從而得到用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板。上述技術(shù)方案中，第三步可以采用正的壓力驅(qū)動(dòng)將玻璃滲入導(dǎo)體陣列之間，也可 以采用負(fù)壓力抽吸熔融玻璃形成玻璃與導(dǎo)體陣列的復(fù)合體，再將玻璃冷卻，退火。本發(fā)明可 通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法合成所述的碳納米管束陣列。在碳納米管束表面沉積 金屬鎢的方法為電子束蒸發(fā)的方式。所述硼硅玻璃為Pyrex7740玻璃，對(duì)應(yīng)的所述加熱熔 化溫度為850°C -900°C，例如860°C，880°C。所述硼硅玻璃也可以B0R0FL0AT33玻璃。所述 第五步的磨拋方法為化學(xué)機(jī)械腐蝕。實(shí)施例2
一種用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，包括以下步驟 第一步，制備定向生長(zhǎng)的碳納米管束陣列，碳納米管束的直徑為3微米，間距為5微米， 長(zhǎng)度為200微米；生長(zhǎng)方法是等離子增強(qiáng)氣相沉積方法等，
第二步，在上述所述的碳納米管束表面沉積金屬鎢；可以在碳納米管表面制備一層鎢， 鎢的厚度為3微米，制備的方法可以是濺射或者電子束蒸發(fā)或者電鍍等方法，電子束蒸發(fā) (Ebeam)能使碳納米管陣列的表面覆蓋厚度均勻的鎢，且具有較低的表面粗糙度。第三步，將上述的金屬化后的碳納米管束轉(zhuǎn)移到預(yù)先準(zhǔn)備的硅腔中，并將 Pyrex7740玻璃與硅在真空中進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，使得硅腔密封；真空度小于lPa，例如0. IPa,0. OlPa,陽(yáng)極鍵合；工藝條件為溫度400°C，電壓:600V。第四步，將上述鍵合好的兩圓片在一個(gè)大氣壓下加熱到850°C -900°C下，玻璃在 腔內(nèi)負(fù)壓的作用下進(jìn)入硅腔，并與所述金屬化后的碳納米管束復(fù)合，冷卻，退火，
第五步，對(duì)于形成的復(fù)合體的上下表面進(jìn)行磨拋使得沉積金屬鎢的碳納米管束端部暴 露，從而得到用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板，在將沉積金屬鎢的碳納米管束端部暴露后， 可在其表面制作用于引線互連的金屬焊盤，由于鎢的存在，鎢與金屬形成的焊點(diǎn)的可靠性 較高，從而克服了現(xiàn)有碳納米管與金屬的電連接可靠性差的缺點(diǎn)。上述技術(shù)方案中，通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法合成所述的碳納米管束陣 列，碳納米管束表面沉積金屬鎢的厚度為0. 5-2微米，在碳納米管束表面沉積金屬鎢的方 法為電子束蒸發(fā)的方式，所述第五步的磨拋方法為化學(xué)機(jī)械腐蝕。
實(shí)施例3
一種用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，包括以下步驟第一步，采用 在硅圓片上生長(zhǎng)碳納米管束陣列；第二步，對(duì)上述所述的碳納米管束陣列金屬化；第三步， 將上述所述的金屬陣列放入預(yù)先準(zhǔn)備的硅腔中，并將B0R0FL0AT33玻璃與硅腔進(jìn)行陽(yáng)極鍵 合；第四步，將上述鍵合好的兩圓片在一個(gè)大氣壓下，對(duì)B0R0FL0AT33玻璃加熱，使其熔融， 使其與上述的金屬陣列很好的結(jié)合在一起，冷卻，將上述圓片退火消除應(yīng)力；第五步，去除 生長(zhǎng)碳納米管的硅，最終得到用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法。上述技術(shù)方案中，制備所述的碳納米管束陣列的方法為，對(duì)潔凈的硅圓片進(jìn)行表 面氧化，然后采用原子層淀積的方法淀積一定厚度的鋁氧化層并且采用電子束蒸發(fā)的方法 制作一層鐵催化劑層，并對(duì)其進(jìn)行光刻，最后通過CVD方法合成碳納米管束陣列。制備出一 批直徑為5微米、20微米、50微米、100微米，間距為15微米、50微米、100微米、300微米的 碳納米管束陣列、第二步所述的對(duì)納米碳管束金屬化的方法為，首先將碳納米管氧化，然后 將碳納米管放入活化液后，表面形成一層極薄的膠狀體保護(hù)層，保護(hù)層下是催化活性晶核， 將保護(hù)層去掉，暴露出催化活性層，最后將碳納米管放入化學(xué)鍍液中進(jìn)行相應(yīng)的金屬鍍覆。 第四步將上述鍵合好的片子在一個(gè)大氣壓下加熱至1270° C左右，例如選取為1200° C、 1270° C、1240° C，保溫3-8分鐘，例如可以選取為4 min，5 min，6 min，使玻璃與金屬陣 列結(jié)合起來(lái)，冷卻，再在常溫下退火消除應(yīng)力，退火保溫時(shí)間為30min，然后緩慢風(fēng)冷至常 溫。第五步所述的去除生長(zhǎng)碳納米管的硅的方法為將退火過后的浸泡25%TMAH溶液中，以 大于90° C的溫度水浴加熱，直至完全去除硅層。第三步所述的陽(yáng)極鍵合過程中，硅片與玻 璃基片按照陽(yáng)極鍵合的工藝要求進(jìn)行必要的清洗。實(shí)施例4
一種用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，包括以下步驟 第一步，采用在硅圓片上生長(zhǎng)碳納米管束陣列；在硅襯底上旋涂一層20納米的鈦?zhàn)鳛?緩沖層，然后再鈦上制備一層鋁，再通過電子束蒸發(fā)的方法電極一層鎳催化層，光刻，最后 將上述襯底放入一個(gè)腔內(nèi)，并且用40SCCM氫氣和10SCCM氮?dú)獾入x子體在850度條件下對(duì) 上述襯底加工1分鐘，備出一批直徑為5微米、20微米、50微米、100微米，間距為15微米、 50微米、100微米的碳納米管束陣列。第二步，對(duì)上述所述的碳納米管束陣列金屬化；首先將碳納米管氧化，然后將碳納 米管放入活化液后，表面形成一層極薄的膠狀體保護(hù)層，保護(hù)層下是催化活性晶核，將保護(hù)層去掉，暴露出催化活性層，最后將碳納米管放入化學(xué)鍍液中進(jìn)行相應(yīng)的金屬鍍覆。第三步，將上述所述的金屬陣列放入預(yù)先準(zhǔn)備的硅腔中，并將B0R0FL0AT33玻璃 與硅腔進(jìn)行陽(yáng)極鍵合；工藝條件為溫度400°C，電壓600V。第四步，將上述鍵合好的片子在一個(gè)大氣壓下加熱至1270° C左右，例如選取為 1200° C、1270° C、1240° C，保溫3-8分鐘，例如可以選取為4 min，5 min，6 min，使玻璃 與金屬陣列結(jié)合起來(lái)，冷卻，再在常溫下退火消除應(yīng)力，退火保溫時(shí)間為30min，然后緩慢風(fēng) 冷至常溫。第五步，去除生長(zhǎng)碳納米管的硅，最終得到用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接 板的制備方法。退火過后的浸泡25%TMAH溶液中，以大于90° C的溫度水浴加熱，直至完全 去除硅層。上述技術(shù)方案中，制備所述的碳納米管束陣列的方法為，對(duì)潔凈的硅圓片進(jìn)行表 面氧化，然后淀積一定厚度的鋁氧化層和鐵催化劑層，并對(duì)其進(jìn)行光刻，最后通過CVD方法 合成如圖所示的碳納米管束陣列。淀積鋁氧化層的方法為原子層淀積，所述的制作鐵催化 劑層的方法為電子束蒸發(fā)，所述的CVD方法合成碳納米管的工藝條件為溫度750° C，氣流 比率運(yùn)用水蒸氣輔助。第二步所述的對(duì)納米碳管束金屬化的方法為，首先將碳納米管氧化， 然后將碳納米管活化，最后用化學(xué)鍍的方法鍍金屬。第四步所述的玻璃加熱溫度為1270°C， 退火溫度為560°C，退火保溫時(shí)間為30min，然后緩慢風(fēng)冷至常溫。第五步所述的去除生長(zhǎng) 碳納米管的硅的方法為將退火過后的浸泡25%TMAH溶液中，以大于90° C的溫度水浴加熱， 直至完全去除硅層。第三步所述的陽(yáng)極鍵合過程中，硅片與玻璃基片按照陽(yáng)極鍵合的工藝 要求進(jìn)行必要的清洗。
權(quán)利要求
1.一種用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟第一步，制備定向生長(zhǎng)的碳納米管束陣列O)，碳納米管束的直徑為0. 5-30微米，間距 為0. 8-100微米，長(zhǎng)度為40-500微米；第二步，在上述的定向生長(zhǎng)碳納米管束表面沉積金屬鎢(1)形成導(dǎo)體陣列；第三步，使得硼硅玻璃C3)與導(dǎo)體陣列在硼硅玻璃熔融狀態(tài)下形成復(fù)合體，第四步，對(duì)于形成的復(fù)合體的上下表面進(jìn)行磨拋使得沉積金屬鎢的碳納米管束端部暴 露，從而得到用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征 在于第三步采用負(fù)壓法使得導(dǎo)體陣列與玻璃形成復(fù)合體，具體步驟為首先將上述所述的 金屬陣列轉(zhuǎn)移到預(yù)先準(zhǔn)備的硅腔中，并將硼硅玻璃與硅在真空中進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，使得硅腔 密封；再將上述鍵合好的兩圓片在一個(gè)大氣壓下加熱到玻璃的軟化溫度以上，熔融玻璃在 負(fù)壓的作用下進(jìn)入硅腔與所述碳納米管束陣列形成復(fù)合體，冷卻，退火。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征在于， 通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法合成所述的碳納米管束陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征在 于，碳納米管束表面沉積金屬鎢的厚度為0. 5-2微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征在 于，在碳納米管束表面沉積金屬鎢的方法為電子束蒸發(fā)的方式。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征在于， 所述硼硅玻璃為Pyrex7740玻璃，所述第四步的加熱溫度為850°C _900°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征 在于，所述硼硅玻璃為B0R0FL0AT33玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征 在于，所述第五步的磨拋方法為化學(xué)機(jī)械腐蝕。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于微電子系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板的制備方法，包括以下步驟第一步，制備定向生長(zhǎng)的碳納米管束陣列，碳納米管束的直徑為0.5-30微米，間距為0.8-100微米，長(zhǎng)度為40-500微米；第二步，在上述的定向生長(zhǎng)碳納米管束表面沉積金屬鎢形成導(dǎo)體陣列；第三步，使得硼硅玻璃與導(dǎo)體陣列在硼硅玻璃熔融狀態(tài)下形成復(fù)合體，第四步，對(duì)于形成的復(fù)合體的上下表面進(jìn)行磨拋使得沉積金屬鎢的碳納米管束端部暴露，從而得到用于系統(tǒng)級(jí)封裝的高密度轉(zhuǎn)接板。該發(fā)明采用的材料的熱膨脹系數(shù)低，工藝方法耗時(shí)短，因而具有高密度、可靠性高、低成本的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)B81C1/00GK102070120SQ201010617889
公開日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者于慧, 劉靖東, 尚金堂, 羅新虎, 蔣明霞 申請(qǐng)人:東南大學(xué)