專利名稱：微機電裝置及應(yīng)用于一微機電裝置的復(fù)合基材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種微機電裝置，特別關(guān)于一種具有可扭轉(zhuǎn)桿件的微機電裝置。
背景技術(shù)：
一般而言，絕緣層上硅晶片(silicon on insulator，SOI)包括兩層硅基板 (siliconsubstrate)，每一層硅基板的晶格方向均為一致，晶格方向一致主因有二 一、一般半導(dǎo)體業(yè)遵守SEMI規(guī)格，而SEMI規(guī)格對200mm晶片定義是其晶格方向為 <100> 方向(200mm orientation of notch axis 為 <110>士 1° )。所以在市場上能取得的 200mm晶片以<100>方向為大宗，其它晶格方向的硅芯片則需進行特殊采購方能取得。二、在半導(dǎo)體設(shè)備上大都有對位系統(tǒng)，對200mm晶片制造系統(tǒng)來說都是以切口 (notch)為對位基準(zhǔn)，所以采用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體設(shè)備系統(tǒng)所能產(chǎn)出的SOI晶片其晶格方向是一致的。當(dāng)采用此等絕緣層上硅基板制作半導(dǎo)體裝置或微機電裝置時，受到晶格方向的影響，便容易造成裝置的電性特質(zhì)難以提升、蝕刻量無法控制等問題。為解決上述缺失以提高產(chǎn)品良率，產(chǎn)業(yè)界相繼提出改善方案，例如日本專利公開號JP 6151887及美國專利公開號US 2004/0266128。在這兩篇專利中，絕緣層上硅基板的兩層硅基板具有相異的晶格方向，此舉可改善半導(dǎo)體裝置的電性特性及蝕刻方面的缺失。然而，對于微機電裝置而言，機械性質(zhì)(例如扭轉(zhuǎn)剛性或彎曲剛性)的改善更為重要，但是上述各篇專利所揭露者僅涉及半導(dǎo)體電性特性或其相關(guān)制程控制，并未觸及與微機電裝置領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容，以致于目前微機電領(lǐng)域的通常知識者，仍無法應(yīng)用現(xiàn)有硅基板制程技術(shù)改善微機電裝置的機械性質(zhì)。有鑒于此，于傳統(tǒng)硅基板上改善現(xiàn)今微機電裝置的至少一種機械性質(zhì)，乃為此業(yè)界亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種微機電裝置，于現(xiàn)有傳統(tǒng)晶片材料及加工制程的基礎(chǔ)上，解決習(xí)知微機電裝置扭轉(zhuǎn)剛性或彎曲剛性不足，抑或其它機械性質(zhì)的缺失，配合不同微機電裝置的功能需求，配置不同晶格方向的硅晶片，以提升其微機電裝置的機械性質(zhì)，例如提供一種微機電裝置，其具有一扭轉(zhuǎn)剛性較佳的可扭轉(zhuǎn)桿件。為達上述目的，本發(fā)明所揭露的微機電裝置包含一第一硅結(jié)構(gòu)層及一第二硅結(jié)構(gòu)層。第一硅結(jié)構(gòu)層具有一可扭轉(zhuǎn)的第一桿件及一第一平面，第一硅結(jié)構(gòu)層定義有數(shù)個第一晶格方向及數(shù)個第二晶格方向，第一晶格方向的米勒指標(biāo)為<100>，第二晶格方向的米勒指標(biāo)為<110>，第一晶格方向及第二晶格方向平行第一平面，第一桿件具有一轉(zhuǎn)軸方向，轉(zhuǎn)軸方向平行第一平面，且與第二晶格方向交錯。第二硅結(jié)構(gòu)層固定地連接第一硅結(jié)構(gòu)層，第二硅結(jié)構(gòu)層具有一加強結(jié)構(gòu)及一第二平面，且第二平面平行第一平面。本發(fā)明的另一目的在于提供一種應(yīng)用于微機電裝置的復(fù)合基材，于現(xiàn)有傳統(tǒng)晶片材料及加工制程的基礎(chǔ)上，結(jié)合不同晶格方向的至少二硅晶片，以對應(yīng)后續(xù)微機電裝置的機械性質(zhì)，例如剛性矩陣(stiffness matrix)中的一張量(tensor)。為讓上述目的、技術(shù)特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文以較佳實施例配合附圖進行詳細說明。


圖1為本發(fā)明微機電裝置的第一較佳實施例的立體圖；圖2為本發(fā)明微機電裝置的第一較佳實施例的另一視角立體圖；圖3A為第一較佳實施例采用的一硅晶片的剖面示意圖；圖3B為另一硅晶片的剖面示意圖。圖4A為第一較佳實施例采用的硅晶片上第一硅基板的晶格方向示意圖；圖4B為第一較佳實施例采用的硅晶片上第二硅基板的晶格方向示意圖；圖5為米勒指標(biāo)<100>的硅基板的剛性與晶格方向的關(guān)系示意圖；圖6A為第一較佳實施例中形成于第一硅基板的第一硅結(jié)構(gòu)層的方向示意圖；圖6B為第一較佳實施例中形成于第二硅基板的第二硅結(jié)構(gòu)層的方向示意圖；圖7為本發(fā)明的微機電裝置的第二較佳實施例的立體圖；圖8A為第二較佳實施例中形成于第一硅基板的第一硅結(jié)構(gòu)層的方向示意圖；圖8B為第二較佳實施例中形成于第二硅基板的第二硅結(jié)構(gòu)層的方向示意圖；圖9為米勒指標(biāo)<110>的硅基板的剛性與晶格方向的關(guān)系示意圖；圖IOA為第二較佳實施例中形成于另一第一硅基板的第一硅結(jié)構(gòu)層的方向示意圖；圖IOB為第二較佳實施例中形成于第二硅基板的第二硅結(jié)構(gòu)層的方向示意圖；以及圖11為米勒指標(biāo)<111>的硅基板的剛性與晶格方向的關(guān)系示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明提出一微機電裝置，微機電裝置的部分組件可扭轉(zhuǎn)，藉以達成一特定機械目的，舉例而言，本發(fā)明的微機電裝置可應(yīng)用于微鏡面裝置、角位移傳感器(例如陀輪儀) 或微泵浦等裝置，但并不僅限于此。在以下說明中，本發(fā)明的微機電裝置的各實施例皆將以微鏡面裝置為例，但非用以局限本發(fā)明。請參閱圖1及圖2，其為本發(fā)明的微機電裝置的第一較佳實施例的立體圖。微機電裝置1為雙軸微鏡面裝置，包括一第一硅結(jié)構(gòu)層11及一第二硅結(jié)構(gòu)層12，第一硅結(jié)構(gòu)層11 及第二硅結(jié)構(gòu)層12主要是由單晶硅制成，且可摻雜或沉積其它材料。第二硅結(jié)構(gòu)層12固定地連接第一硅結(jié)構(gòu)層11，達成兩硅結(jié)構(gòu)層11、12固定連接的方式有多種，例如通過凡得爾力(Vender Walls force)直接鏈接(directly bonding)，或通過親水性鏈接(hydrophilic bonding)等方式，但本發(fā)明并不限于上述連接方式。第一硅結(jié)構(gòu)層11具有一可扭轉(zhuǎn)的第一桿件111、一可扭轉(zhuǎn)的第二桿件112、一鏡面結(jié)構(gòu)113及一第一平面114。鏡面結(jié)構(gòu)113與第一桿件111直接地相連，鏡面結(jié)構(gòu)113與第二桿件112間接地相連，而第二桿件112與第一桿件111間接地相連，第一平面114則是垂直于第一桿件111、第二桿件112及鏡面結(jié)構(gòu)113的厚度方向。由于第一桿件111及第二桿件112可扭轉(zhuǎn)，因此第一桿件111具有一第一轉(zhuǎn)軸方向1111，第二桿件112具有一第二轉(zhuǎn)軸方向1121，第一轉(zhuǎn)軸方向1111與第二轉(zhuǎn)軸方向1121 相互垂直，且平行第一平面114。當(dāng)鏡面結(jié)構(gòu)113受到外力(例如電磁力)作用時，如外力所造成的力矩是指向第一轉(zhuǎn)軸方向1111，鏡面結(jié)構(gòu)113會相對第一轉(zhuǎn)軸方向1111擺動，第一桿件111會因此扭轉(zhuǎn)變形；如外力所造成的力矩是指向第二轉(zhuǎn)軸方向1121，鏡面結(jié)構(gòu)113及第一桿件111會同時相對第二轉(zhuǎn)軸方向1121擺動時，第二桿件121會因此扭轉(zhuǎn)變形。第二硅結(jié)構(gòu)層12具有一加強結(jié)構(gòu)121及一第二平面122，加強結(jié)構(gòu)121與第一硅結(jié)構(gòu)層11的某些部分相連，以加強這些部分的機械強度，使這些部分不易變形。以本實施例而言，與加強結(jié)構(gòu)121相連的第一硅結(jié)構(gòu)層11部分包含鏡面結(jié)構(gòu)113及第一平面114，然而熟知此項領(lǐng)域技術(shù)者亦可推及其它加強實施態(tài)樣，故于此不另贅述。如圖1及圖2所示，加強結(jié)構(gòu)121定義有相互垂直的一第一延伸方向1211及一第二延伸方向1212，第一延伸方向1211與第一桿件111的第一轉(zhuǎn)軸方向1111平行，第二延伸方向1212則與第二桿件112的第二轉(zhuǎn)軸方向1121平行。第二平面122平行于第一平面 114，并且垂直于加強結(jié)構(gòu)121的厚度方向。請參閱圖3A所示，為一硅晶片2的剖面示意圖。本實施例的微機電裝置1系由硅晶片2所制作出。本發(fā)明的至少一特征在于形成微機電裝置1的硅晶片2是一復(fù)合基材， 該復(fù)合基材系由具相異晶格方向的至少二硅基板所組成，以本實施例而言硅晶片2包括一第一硅基板(silicone substrate) 21及一第二硅基板22，第一硅基板21與第二硅基板22 固定地連接。兩硅基板21、22的固定連接方式具有如上所述通過凡得爾力直接鏈接，或通過親水性鏈接等方式?；蛘撸鐖D3B的硅晶片2’剖面示意圖所示，第一硅基板21及第二硅基板22之間可選擇性地形成一絕緣層23。絕緣層23可為二氧化硅〈silicon dioxide〉，而具有此絕緣層23的硅晶片2’即為一絕緣層上硅晶片(Silicon On Insulator，SOI)。請參閱圖4A及圖4B，第一硅基板21的表面211及第二硅基板22的表面221的米勒指標(biāo)(Miller index)皆為<100>。第一硅基板21另定義有平行表面211的四個米勒指標(biāo)為<100>的第一晶格方向及四個米勒指標(biāo)為<110>的第二晶格方向，而第二硅基板22也具有平行表面221的四個第三晶格方向<110>及四個第四晶格方向<100>。如上所述，本發(fā)明的至少一特征乃第一硅基板21與第二硅基板22的晶格方向并不一致。詳言之，第一硅基板21的第一晶格方向<100>并無對齊第二硅基板22的第四晶格方向<100>，而是相差一角度，此角度較佳為45度。同樣地，第一硅基板21的第二晶格方向<110>并無對齊第二硅基板22的第三晶格方向<110>，而是相差一角度，此角度較佳為45度。上述構(gòu)成微機電裝置1的硅晶片2須由具相異晶格方向的至少二硅基板所組成的原因在于硅基板的扭轉(zhuǎn)剛性(torsional stiffness)及彎曲剛性(bending stiffness) 的大小受到晶格方向影響，若欲同時提升微機電裝置1的機械性質(zhì)，例如增加扭轉(zhuǎn)剛性及彎曲剛性，上述硅基板間的晶格方向須視不同微機電裝置的機械特性而做適當(dāng)?shù)钠ヅ?。以本發(fā)明第一較佳實施例而言，第一硅基板21及第二硅基板22的表面的米勒指標(biāo)皆為<100>，而此類硅基板的晶格方向與剛性的關(guān)系示意圖如圖5所示(以極坐標(biāo)方式表示)，其中的 C12、C22、C33、C44、C66 等為剛性矩陣(stiffness matrix)中的張量(tensor)，而張量C66與第一硅基板21及第二硅基板22的扭轉(zhuǎn)剛性有關(guān)。由圖5所示可知，張量C66在晶格方向<100>上趨近極大值，在晶格方向<110>上則趨近極小值。而由于扭轉(zhuǎn)剛性與彎曲剛性為反比，因此彎曲剛性在晶格方向<110>最大，在晶格方向<100>最小。請參閱圖6A及圖6B，分別為微機電裝置1形成于第一及第二硅基板21、22上的第一及第二硅結(jié)構(gòu)層11、12的方向示意圖。如圖6A所示，于本實施例中，第一硅結(jié)構(gòu)層11系由第一硅基板21制作出，第一硅結(jié)構(gòu)層11的第一平面114與第一硅基板21的表面21為共平面或平行，因此第一平面114 的米勒指標(biāo)與表面21同為<100>。此外，第一硅結(jié)構(gòu)層11的晶格方向與第一硅基板21的晶格方向一致，因此第一硅結(jié)構(gòu)11具有如圖所示的與第一平面114平行的四個米勒指標(biāo)為 <100>的第一晶格方向及四個米勒指標(biāo)為<110>的第二晶格方向。第一桿件111的第一轉(zhuǎn)軸方向1111與第一晶格方向<100>平行，且與第二晶格方向<110>交錯；第二桿件112的第二轉(zhuǎn)軸方向1121則與另一個第一晶格方向<100>平行， 且與另一個第二晶格方向<110>交錯。于上方描述中，交錯亦可稱的為非平行，其表示第一轉(zhuǎn)軸方向1111與第二晶格方向<110>之間有夾角，第二轉(zhuǎn)軸方向1121與另一個第二晶格方向<110>之間有夾角，而夾角透過改變第一硅基板21的晶格方向<110>與第二硅基板22 的晶格方向<110>的夾角即可實現(xiàn)。配合圖5可知，只要晶格方向非<110>，扭轉(zhuǎn)剛性皆可提升，因此與第一晶格方向 <100>平行的第一桿件111及第二桿件112的扭轉(zhuǎn)剛性皆具有良好的扭轉(zhuǎn)剛性。透過此扭轉(zhuǎn)剛性的提升，使得第一桿件111及第二桿件112可承受以特定扭力進行高頻率地往復(fù)扭轉(zhuǎn)。值得一提的是，第一轉(zhuǎn)軸方向1111或第二轉(zhuǎn)軸方向1121并不限定平行第一晶格方向 <100>，僅需與第二晶格方向<110>交錯，第一桿件111及第二桿件112的扭轉(zhuǎn)剛性即可獲得一定程度的提升。如圖6B所示，于本實施例中，第二硅結(jié)構(gòu)層12系由第二硅基板22制作出，第二硅結(jié)構(gòu)層12的第二平面122與第二硅基板22的表面221為共平面或平行，因此第二平面122 的米勒指標(biāo)同為<100>。此外，第二硅結(jié)構(gòu)層12的晶格方向與第二硅基板22的晶格方向一致，因此第二硅結(jié)構(gòu)層12具有如圖所示的與第二平面122平行的四個米勒指標(biāo)為<110>的第三晶格方向及四個米勒指標(biāo)為<100>的第四晶格方向。第二硅結(jié)構(gòu)層12中，加強結(jié)構(gòu)121的第一延伸方向1211與第三晶格方向<110>平行，且與第四晶格方向<100>交錯；第二延伸方向1212則與另一個第三晶格方向<110>平行，且與另一個第四晶格方向<100>交錯。如同上述，交錯亦即非平行，其表示第一延伸方向1211與第四晶格方向<100>之間有夾角，第二延伸方向1212則與另一個第四晶格方向 <100>之間有夾角，而夾角透過改變第一硅基板21的晶格方向<110>與第二硅基板22的晶格方向<110>的夾角即可實現(xiàn)。配合由圖5及前述扭轉(zhuǎn)剛性與彎曲剛性的反比關(guān)系，只要晶格方向非<100>，彎曲剛性即可改善，因此本實施例中延伸方向1211、1212與第三晶格方向<110>平行的加強結(jié)構(gòu)121，便具有最佳的彎曲剛性。此外，第一延伸方向1211及第二延伸方向1212并不限定平行第三晶格方向<110>，僅需與第四晶格方向<100>交錯，加強結(jié)構(gòu)121即可具有一定強度的彎曲剛性。
請參閱圖7，其是本發(fā)明的微機電裝置的第二較佳實施例的立體圖。第二較佳實施例的微機電裝置3與第一較佳實施例的微機電裝置1差異在于微機電裝置3的第一硅結(jié)構(gòu)層11只具有一可扭轉(zhuǎn)的第一桿件111。換言之，微機電裝置3為單軸微鏡面裝置。請配合參閱圖8A及圖8B，其分別為微機電裝置3形成于第一及第二硅基板21、22 上的第一及第二硅結(jié)構(gòu)層11、12的方向示意圖。如同前述，第一硅基板21的表面211及第二硅基板22的表面221的米勒指標(biāo)皆為<100>。第一硅基板21另定義有平行表面211的四個米勒指標(biāo)為<100>的第一晶格方向及四個米勒指標(biāo)為<110>的第二晶格方向(圖僅部份示出)，而第二硅基板22也具有平行表面221的四個第三晶格方向<110>及四個第四晶格方向<100>(圖僅部份示出)。如圖8A所示，于本實施例中，第一桿件111的第一轉(zhuǎn)軸方向1111與第一晶格方向 <100>平行，且與第二晶格方向<110>交錯，因此第一桿件111具有較佳的扭轉(zhuǎn)剛性。此外， 第一轉(zhuǎn)軸方向1111不限定與第一晶格方向<100>平行，僅需與第二晶格方向<110>交錯， 第一桿件111的扭轉(zhuǎn)剛性即可獲得一定程度的提升。請參閱圖9，其系硅基板的表面的米勒指標(biāo)為<110>的晶格方向與剛性的關(guān)系示意圖(以極坐標(biāo)方式表示)。由圖可知，與表面的米勒指標(biāo)為<100>的硅基板相似地，影響扭轉(zhuǎn)剛性的張量C66在晶格方向<100>最大，在晶格方向<110>最?。粨Q言之，彎曲剛性在晶格方向<100>最小，在晶格方向<110>最大。由于微機電裝置3的第一硅結(jié)構(gòu)層11除了可使用表面米勒指標(biāo)為<100>的第一硅基板21來制造外，也可使用表面米勒指標(biāo)為<110>的第一硅基板21’來制造。此時，第一硅結(jié)構(gòu)層的第一平面114與表面211的米勒指標(biāo)均為<110>。另一方面，第二硅結(jié)構(gòu)層 12仍可采用表面221米勒指標(biāo)為<100>的第二硅基板22來制造，以下將針對此類型的實施態(tài)樣進行說明。請參閱圖IOA及圖IOB所示，其分別為微機電裝置3形成第一及第二硅基板21’、 22上的第一及第二硅結(jié)構(gòu)層11、12的方向示意圖，其中第一硅基板21’的表面211的米勒指標(biāo)為<110>。由于第一硅結(jié)構(gòu)層11系由第一硅基板21’制成，因此第一硅結(jié)構(gòu)層11與第一硅基板21’具有相同的晶格方向。此時，第一硅結(jié)構(gòu)層11具有兩個第一晶格方向<100>及兩個第二晶格方向<110>。第一桿件111的第一轉(zhuǎn)軸方向1111平行于第一晶格方向<100>， 且與第二晶格方向<110>交錯，此時第一桿件111具有較佳的扭轉(zhuǎn)剛性。此外，即使第一轉(zhuǎn)軸方向1111不與第一晶格方向<100>平行，只要第一轉(zhuǎn)軸方向1111與第二晶格方向<110> 交錯，第一桿件111的扭轉(zhuǎn)剛性亦可獲得改善。除了上方各實施例及實施態(tài)樣所述，本發(fā)明的微機電裝置的第二硅結(jié)構(gòu)層亦可使用表面米勒指標(biāo)為<110>或<111>的第二硅基板來制造。此時，第二硅結(jié)構(gòu)層的第二平面的米勒指標(biāo)將隨的變?yōu)?lt;110>或<111>;配合前述的第二硅結(jié)構(gòu)層，第一硅結(jié)構(gòu)層則可選擇使用表面米勒指標(biāo)為<100>或<110>的第一硅基板來制造。配合圖9的前文描述，當(dāng)采用表面米勒指標(biāo)為<110>的第二硅基板制作第二硅結(jié)構(gòu)層時，加強結(jié)構(gòu)的第一延伸方向與第四晶格方向<100>交錯，加強結(jié)構(gòu)的彎曲剛性即可獲得改善。而針對使用表面米勒指標(biāo)為<111>的第二硅基板的情形，則請先參閱圖11。此圖是硅基板的表面的米勒指標(biāo)為<111>的晶格方向與剛性的關(guān)系示意圖(以極坐標(biāo)方式表示)。由圖可知，影響扭轉(zhuǎn)剛性的張量C66在任何晶格方向均相同，換言的，彎曲剛性在任何晶格方向也都為一樣。因此當(dāng)采用表面米勒指標(biāo)為<111>的第二硅基板制作第二硅結(jié)構(gòu)層時，無論加強結(jié)構(gòu)的延伸方向偏向何種晶格方向，加強結(jié)構(gòu)的彎曲剛性都為一致；換言的， 加強結(jié)構(gòu)將具有等向性的彎曲剛性。綜合上述，本發(fā)明的微機電裝置具有至少如下所示的特點1、當(dāng)使用表面米勒指標(biāo)為<100>或<110>的第一硅基板制造第一硅結(jié)構(gòu)層時，將桿件的第一轉(zhuǎn)軸方向與晶格方向<110>交錯，即可在不改變桿件的幾何形狀之前提下，明顯改善其扭轉(zhuǎn)剛性。2、當(dāng)使用表面米勒指標(biāo)為<100>或<110>的第二硅基板制造第二硅結(jié)構(gòu)層時，將加強結(jié)構(gòu)的延伸方向與晶格方向<100>交錯，即可在不改變加強結(jié)構(gòu)的幾何形狀之前提下，明顯改善其彎曲剛性。3、當(dāng)使用表面米勒指標(biāo)為<111>的第二硅基板制造第二硅結(jié)構(gòu)層時，加強結(jié)構(gòu)將具有等向性的彎曲剛性。上述的實施例僅用來例舉本發(fā)明的實施態(tài)樣，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用來限制本發(fā)明的保護范疇。任何熟悉此技術(shù)者可輕易完成的改變或均等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利保護范圍應(yīng)以申請專利范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種微機電裝置，包含一第一硅結(jié)構(gòu)層，包含可扭轉(zhuǎn)的一第一桿件及一第一平面，該第一硅結(jié)構(gòu)層具有至少一第一晶格方向及至少一第二晶格方向，該至少一第一晶格方向的米勒指標(biāo)為<100>，該至少一第二晶格方向的米勒指標(biāo)為<110>，其中該第一平面與該至少一第一晶格方向及該至少一第二晶格方向平行，該第一桿件具有一第一轉(zhuǎn)軸方向，該第一轉(zhuǎn)軸方向與該第一平面平行，且與該至少一第二晶格方向交錯；以及一第二硅結(jié)構(gòu)層，固定地連接該第一硅結(jié)構(gòu)層，該第二硅結(jié)構(gòu)層包含與該第一平面平行的一第二平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機電裝置，其特征在于，該第一轉(zhuǎn)軸方向與該至少一第一晶格方向平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微機電裝置，其特征在于，該第一平面的米勒指標(biāo)為 <100>。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微機電裝置，其特征在于，該第一硅結(jié)構(gòu)層還包含可扭轉(zhuǎn)的一第二桿件，該第二桿件連接該第一桿件，該第二桿件具有一第二轉(zhuǎn)軸方向，該第二轉(zhuǎn)軸方向平行該第一平面，且垂直于該第一轉(zhuǎn)軸方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微機電裝置，其特征在于，該第一平面的米勒指標(biāo)為 <110>。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微機電裝置，其特征在于，該第二硅結(jié)構(gòu)層還包含一加強結(jié)構(gòu)，且該第二硅結(jié)構(gòu)層具有至少一第三晶格方向及至少一第四晶格方向，該至少一第三晶格方向的米勒指標(biāo)為<110>，該至少一第四晶格方向的米勒指標(biāo)為<100>，該至少一第三晶格方向及該至少一第四晶格方向平行該第二平面，該加強結(jié)構(gòu)具有一延伸方向，該延伸方向與該第一轉(zhuǎn)軸方向平行，且與該至少一第四晶格方向交錯。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微機電裝置，其特征在于，該第二平面的米勒指標(biāo)為<100>。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微機電裝置，其特征在于，該第二平面的米勒指標(biāo)為<110>。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微機電裝置，其特征在于，該延伸方向與該至少一第三晶格方向平行。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微機電裝置，其特征在于，該第二平面的米勒指標(biāo)為 <111>。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微機電裝置，其特征在于，該第一硅結(jié)構(gòu)層還包含一鏡面結(jié)構(gòu)，該鏡面結(jié)構(gòu)直接連接該第一桿件。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機電裝置，其特征在于，該第一硅結(jié)構(gòu)層還包含一鏡面結(jié)構(gòu)，該鏡面結(jié)構(gòu)直接連接該第一桿件且間接連接該第二桿件。
13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機電裝置，其特征在于，該第二轉(zhuǎn)軸方向與該至少一第一晶格方向平行。
14.一種應(yīng)用于一微機電裝置的復(fù)合基材，包含一第一硅基板；以及一第二硅基板，該第一硅基板的一晶格方向與該第二硅基板的一晶格方向相異，以對應(yīng)該微機電裝置的一張量。
全文摘要
本發(fā)明提供一種微機電裝置及應(yīng)用于一微機電裝置的復(fù)合基材。微機電裝置包含一第一硅結(jié)構(gòu)層及一第二硅結(jié)構(gòu)層，第二硅結(jié)構(gòu)層固定地連接第一硅結(jié)構(gòu)層。第一硅結(jié)構(gòu)層具有一可扭轉(zhuǎn)的桿件及一第一平面，并定義有一第一晶格方向及一第二晶格方向，第一晶格方向的米勒指標(biāo)為，第二晶格方向的米勒指標(biāo)為，第一晶格方向及第二晶格方向平行第一平面，桿件具有一轉(zhuǎn)軸方向，轉(zhuǎn)軸方向平行第一平面，且與第二晶格方向交錯。藉此，便可改善微機電裝置中桿件的扭轉(zhuǎn)剛性。
文檔編號B81B7/02GK102442631SQ20101050950
公開日2012年5月9日 申請日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月8日
發(fā)明者李柏勛, 林弘毅, 陳明發(fā) 申請人:探微科技股份有限公司