專利名稱：基于單晶硅pn結(jié)的非制冷紅外探測器陣列及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及紅外探測器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特 性的非制冷紅外探測器及其陣列的制造方法。
背景技術(shù)：
紅外成像技術(shù)廣泛應(yīng)用于軍事、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、森林防火、環(huán)境保 護等各領(lǐng)域，其核心部件是紅外焦平面陣列(Infrared Focal Plane Array, IRFPA)。才艮據(jù)工作原理分類，可分為光子型紅外4笨測器和非制冷紅外〗笨測 器。光子型紅外探測器采用窄禁帶半導(dǎo)體材料，如HgCdTe、 InSb等，利用光 電效應(yīng)實現(xiàn)紅外光信號向電信號的轉(zhuǎn)換；因而需要工作在77K或更低的溫度 下，這就需要笨重而又復(fù)雜的制冷設(shè)備，難以小型化，攜帶不方便。另一方 面，HgCdTe和InSb等材料價格昂貴、制備困難，且與CMOS工藝不兼容， 所以光子型紅外探測器的價格一直居高不下。這些都極大地阻礙了紅外攝像 機的廣泛應(yīng)用，特別是在民用方面，迫切需要開發(fā)一種性能適中、價格低廉 的新型紅外揭:像機。非制冷紅外探測器利用紅外輻射的熱效應(yīng)，由紅外吸收 材料將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為熱能，引起敏感元件溫度上升，敏感元件的某個物 理參數(shù)隨之發(fā)生變化，再通過所設(shè)計的某種轉(zhuǎn)換機制轉(zhuǎn)換為電信號或可見光 信號。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是基于單晶硅PN結(jié)溫度特性提供了一種非制冷紅外探測 器陣列及其制備方法，利用紅外輻射的熱效應(yīng)，由紅外吸收材料將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為熱能，引起單晶硅PN結(jié)溫度上升，單晶硅PN結(jié)的伏安特性隨之發(fā) 生變化，再通過所設(shè)計的讀出電路將電信號取出，以獲得紅外輻射強弱的探 測結(jié)果。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了 一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷 紅外探測器陣列，包括數(shù)個紅外探測單元，其中每一紅外探測單元沿縱向包 括底硅層，空腔，埋氧層，以及埋氧層以上的頂硅層區(qū)域； 所述空腔，由深槽、埋氧層以及底硅層圍成， 所述頂硅層區(qū)域包括紅外敏感區(qū)域，電氣連接線與鈍化層， 所述紅外敏感區(qū)域，包括設(shè)置在頂硅層中數(shù)個串聯(lián)的單晶硅PN結(jié)，所述 單晶硅PN之間通過絕緣隔離槽實現(xiàn)電隔離；
所述電氣連接線由懸空的絕熱懸臂梁支撐，所述紅外敏感區(qū)域通過懸空 的絕熱懸臂梁與底硅層連接，所述紅外敏感區(qū)通過電氣連接線與外界信號處 理電路連接；
所述鈍化層位于紅外敏感區(qū)與電氣連接線之上，用于吸收紅外輻射。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了 一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制 冷紅外探測器陣列的制備方法，其中包括
步驟A、硅片氧化還原，在縱向形成所述底硅層，埋氧層與頂硅層，同 時通過底硅刻蝕，形成深槽，填充及平坦化，以在橫向劃分紅外探測單元；
步驟B、在每一紅外探測單元中的頂硅層設(shè)置數(shù)個串聯(lián)的單晶硅PN結(jié)；
步驟C、在每一紅外探測單元中形成電氣連接布線，在所述單晶硅PN結(jié) 與所述電氣連接線上形成鈍化層；
步驟D、在每一紅外探測單元中制作懸空的絕熱懸臂梁，刻蝕所述底硅 層，形成所述空腔。
本發(fā)明基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列及其制備方 法，利用單晶硅PN結(jié)具有良好的溫度特性，例如，當采用恒流偏置時，如果 溫度升高，則單晶硅PN結(jié)兩端的電壓降低。因而，通過測量單晶硅PN結(jié)兩端的電壓的變化，可以探測出紅外輻射的強弱。采用常規(guī)IC工藝和MEMS 工藝，在SOI硅片上，將PN結(jié)(IC中的典型單元)與懸臂梁(MEMS中的 典型單元)制作在同一個像素單元上，實現(xiàn)MEMS結(jié)構(gòu)與IC紅外敏感單元 的單片集成。其制作工藝與CMOS工藝完全兼容，易于單片集成，非常適合 于大批量生產(chǎn)，易于降低成本，實現(xiàn)工業(yè)化量產(chǎn)；采用絕熱懸空結(jié)構(gòu)，可以 有效地降低熱量流失，提高探測靈敏度；采用氟化氙干法腐蝕釋放絕熱懸臂 梁，可以有效地避免濕法腐蝕中的粘連問題，極大地提高成品率。


圖1為本發(fā)明一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列的 結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1中單個紅外探測單元的剖面圖示意圖； 圖3為圖1中單個紅外探測單元的俯視圖示意圖4為本發(fā)明 一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列的 制備方法的流程圖。
附圖標記
l陽深槽
4-電氣連4妄線
7 -底硅層
10-鈍化層
2-腐蝕槽 5-紅外壽丈感區(qū) 8 -埋氧層 11 -空腔
3 -懸臂梁 6-單晶硅PN結(jié) 9-頂硅層區(qū)域 12-絕緣隔離槽
具體實施例方式
本發(fā)明提供了 一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列， 如圖1所示，包括數(shù)個依次排列的紅外探測單元。其中每一紅外探測單元， 如圖2、圖3所示，沿縱向包括底硅層7，空腔ll，埋氧層8，以及埋氧層 8以上的頂硅層區(qū)域9。
8所述空腔ll，由深槽l、埋氧層8以及底硅層7圍成；
所述深槽l,為進行橫向底硅刻蝕時，該紅外探測單元與其他紅外探測單 元之間的橫向阻擋層；
所述埋氧層8，為進行縱向底硅刻蝕時，保護頂硅層及設(shè)置在頂硅層中的 紅外敏感元件不受刻蝕的縱向阻擋層。
所述頂硅層區(qū)域9包括紅外敏感區(qū)域5，電氣連接線4與鈍化層10。
所述紅外敏感區(qū)域5,包括設(shè)置在頂硅層中數(shù)個串聯(lián)的單晶硅PN結(jié)6, 所述單晶硅PN之間通過絕緣隔離槽12實現(xiàn)電隔離；
所述電氣連接線4由懸空的絕熱懸臂梁3支撐，所述紅外敏感區(qū)域5通 過懸空的絕熱懸臂梁3與底硅層7連接，所述紅外敏感區(qū)5通過電氣連接線4 與外界信號處理電路連接。信號處理電路可以制作在紅外焦平面陣列的周邊， 與紅外^:感單元集成在同一芯片上；也可以制作在另一芯片上，通過引線4建 合等方式與紅外^:感區(qū)連接。
所述鈍化層10位于紅外敏感區(qū)5與電氣連接線4之上。其中位于紅外敏 感區(qū)5之上的鈍化層，用作紅外輻射吸收層,用于吸收紅外輻射。
所述紅外探測單元中的單晶硅PN結(jié)可以為單晶硅P+ZN-結(jié)或單晶硅 N+ZP-結(jié)。
所述懸空的絕熱懸臂梁3可以為直的，也可以如圖3所示的回折結(jié)構(gòu)。 上述每一紅外探測單元的制作過程為在SOI硅片上，首先制作介質(zhì)隔 離深槽l,然后在頂硅層制作若干個串聯(lián)的PN結(jié)6，刻蝕紅外敏感區(qū)域5之 外的頂硅，制作電氣連接線，刻蝕鈍化層和埋氧層得到腐蝕槽2，最后通過腐 蝕槽2通入氟化氙等反應(yīng)氣體干法刻蝕底硅，釋放絕熱懸臂梁3,形成空腔 11。
紅外探測單元鈍化層可以為二氧化硅，或氮化硅，或二者的復(fù)合結(jié)構(gòu)。 非制冷紅外4笨測器陣列中的紅外4笨測單元可以單獨使用，也可以由多個 紅外探測單元排列組成紅外焦平面陣列。本發(fā)明基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列，利用單晶硅 PN結(jié)具有良好的溫度特性，例如，當采用恒流偏置時，如果溫度升高，則單 晶硅PN結(jié)兩端的電壓降低。因而，通過測量單晶硅PN結(jié)兩端的電壓的變化， 可以探測出紅外輻射的強弱。
本發(fā)明還提供了一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣 列的制備方法，在SOI硅片上，結(jié)合采用常規(guī)IC工藝和MEMS工藝。圖4 為本發(fā)明一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列的制備方 法的流程圖，具體包括
步驟A、硅片氧化還原，在縱向形成所述底石圭層，埋氧層與頂硅層，同 時通過底硅刻蝕，形成深槽，填充及平坦化，以在橫向劃分紅外探測單元；
步驟B、在每一紅外探測單元中的頂硅層設(shè)置數(shù)個串聯(lián)的單晶硅PN結(jié)；
步驟C、在每一紅外探測單元中形成所述電氣連接布線，在所述單晶硅 PN結(jié)與所述電氣連接線上形成鈍化層；
步驟D、在每一紅外探測單元中制作懸空的絕熱懸臂梁，刻蝕所述底硅 層，形成所述空腔。
所述步驟A包括以下步驟
All、采用低壓化學(xué)氣相淀積的方法在SOI硅片正面生長二氧化硅； A12、刻蝕二氧化硅，形成深槽刻蝕的掩蔽層； A13、反應(yīng)離子刻蝕頂硅、埋氧層、底硅，形成深槽； A14、在曝露隔離溝槽的側(cè)壁上低壓化學(xué)氣相淀積或表面熱氧化生長一層 二氧化硅；
A15、采用低壓化學(xué)氣相淀積多晶硅，填充深槽； A16、反刻多晶石圭；
A17、用氧化硅蝕刻緩沖液漂去步驟All所生長的二氧化硅； 或包括以下步驟
A21、低壓化學(xué)氣相淀積或表面熱氧化方法在SOI硅片正面生長一層二氧化硅薄膜；
A22 、低壓化學(xué)氣相淀積氮化硅；
A23、反應(yīng)離子刻蝕氮化硅、表面薄氧層、頂硅、埋氧層、底硅，形成深
槽；
A24、在曝露隔離溝槽的側(cè)壁上表面熱氧化的方法生長一層二氧化硅薄
膜；
A25、采用4氐壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅，填充深槽；A26、化學(xué)機械拋光； A27、用磷酸溶液漂去步驟A22所淀積的氮化硅。
所述步驟B中制作所述單晶硅PN結(jié)的步驟，如果所述單晶硅PN結(jié)為單 晶硅P+ZN-結(jié)，包括以下步驟 Bll、 N阱注入石岸或石申； B12、局部氧^f匕隔離或淺槽隔離； B13、陽極注入硼；
B14、 N+歐姆接觸區(qū)重4參雜注入磷或砷； B15、快速熱退火；
如果所述單晶硅PN結(jié)為單晶硅N+7P-結(jié)，包括以下步驟
B21、 P阱注入硼；
B22、局部氧化隔離或淺槽隔離；
B23、陰極注入磷或砷；
B24、 P+歐姆接觸區(qū)重摻雜注入硼；
B25、快速熱退火。
所述步驟B12或步驟B22，
如果是局部氧化隔離，包括以下步驟
(1) 、表面熱氧化生長一層二氧化硅薄膜；
(2) 、低壓化學(xué)氣相淀積氮化硅；
(3) 、反應(yīng)離子刻蝕氮化硅、表面薄氧層、60%的頂硅層厚度；(4) 、局部熱氧化；
(5) 、用磷酸溶液漂去步驟(2)所淀積的氮化硅； 如果是淺槽隔離，包括以下步驟
(1) 、低壓化學(xué)氣相淀積或表面熱氧化生長一層二氧化硅薄膜；
(2) 、低壓化學(xué)氣相淀積氮化硅；
(3) 、反應(yīng)離子刻蝕氮化硅、表面薄氧層、頂硅層至埋氧層；
(4) 、在曝露隔離溝槽的側(cè)壁上表面熱氧化生長一層二氧化硅薄膜;
(5) 、低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅填充淺槽；
(6) 、化學(xué)機械拋光；
(7) 、用磷酸溶液漂去步驟(2)所淀積的氮化硅。 所述步驟C包括以下步驟
Cl、刻蝕紅外敏感區(qū)域之外的頂硅至埋氧層； C2、形成第一層金屬布線； C3、懸臂梁上金屬布線； C4、形成第二層金屬布線； C5、合金化；
C6、低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅和氮化硅，形成鈍化層。 所述步驟C2包括以下步驟
(1) 、低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅；
(2) 、刻蝕二氧化硅，形成第一層金屬布線的接觸孔；
(3) 、濺射鋁(AL);
(4) 、反刻，形成第一層金屬布線。 所述步驟C4包括以下步驟
(1) 、低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅；
(2) 、刻蝕二氧化硅，形成第二層金屬布線的通孔；
(3) 、濺射鋁；
12(4)、反刻，形成第二層金屬布線。 所述步驟D包括以下步驟
(1) 、反應(yīng)離子刻蝕表面鈍化層和埋氧層至底硅，形成刻蝕孔；
(2) 、氟化氛等反應(yīng)氣體干法刻蝕底硅。
本發(fā)明基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列及其制備方 法，采用常規(guī)IC工藝和MEMS工藝，在SOI硅片上，將PN結(jié)(IC中的典 型單元)與懸臂梁(MEMS中的典型單元)制作在同一個像素單元上，實現(xiàn) MEMS結(jié)構(gòu)與IC紅外敏感單元的單片集成。整個加工工藝流程與常規(guī)IC工 藝兼容，非常適合于大批量生產(chǎn)，易于降低成本，實現(xiàn)工業(yè)化量產(chǎn)；采用絕 熱懸空結(jié)構(gòu)，可以有效地降低熱量流失，提高探測靈敏度；采用氟化氣干法 腐蝕釋放絕熱懸臂梁，可以有效地避免濕法腐蝕中的粘連問題，極大地提高 成品率。
最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的4支術(shù)方案，而非對其 限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或 者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技 術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列，包括數(shù)個紅外探測單元，其特征在于，每一紅外探測單元沿縱向包括底硅層(7)，空腔(11)，埋氧層(8)，以及埋氧層(8)以上的頂硅層區(qū)域(9)；所述空腔(11)，由深槽(1)、埋氧層(8)以及底硅層(7)圍成，所述頂硅層區(qū)域(9)包括紅外敏感區(qū)域(5)，電氣連接線(4)與鈍化層(10)，所述紅外敏感區(qū)域(5)，包括設(shè)置在頂硅層中數(shù)個串聯(lián)的單晶硅PN結(jié)(6)，所述單晶硅PN之間通過絕緣隔離槽(12)實現(xiàn)電隔離；所述電氣連接線(4)由懸空的絕熱懸臂梁(3)支撐，所述紅外敏感區(qū)域(5)通過懸空的絕熱懸臂梁(3)與底硅層(7)連接，所述紅外敏感區(qū)(5)通過電氣連接線(4)與外界信號處理電路連接；所述鈍化層(10)位于紅外敏感區(qū)(5)與電氣連接線(4)之上，用于吸收紅外輻射。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測 器陣列，其特征在于，所述單晶硅PN結(jié)為單晶硅P+/N-結(jié)或單晶硅N+/P-結(jié)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測 器陣列，其特征在于，所述鈍化層(10)為二氧化硅，或氮化硅，或二者的復(fù)合 結(jié)構(gòu)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測 器陣列，其特征在于，所述的紅外探測單元可以單獨使用，也可以由多個紅 外#:測單元排列組成紅外焦平面陣列。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測 器陣列，其特征在于，所述懸空的絕熱懸臂梁(3)為直的或回折結(jié)構(gòu)。
6、 一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列的制備方法， 其特征在于，包括步驟A、硅片氧化還原，在縱向形成所述底硅層，埋氧層與頂硅層，同 時通過底硅刻蝕，形成深槽，填充及平坦化，以在橫向劃分紅外探測單元；步驟B、在每一紅外探測單元中的頂硅層設(shè)置數(shù)個串聯(lián)的單晶硅PN結(jié)；步驟C、在每一紅外探測單元中形成所述電氣連接布線，在所述單晶硅 PN結(jié)與所述電氣連接線上形成鈍化層；步驟D、在每一紅外探測單元中制作懸空的絕熱懸臂梁，刻蝕所述底硅 層，形成所述空腔。
7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A包括以下All、采用低壓化學(xué)氣相淀積的方法在SOI硅片正面生長二氧化硅； A12、刻蝕二氧化硅，形成深槽刻蝕的掩蔽層； A13、反應(yīng)離子刻蝕頂硅、埋氧層、底硅，形成深槽； A14、在曝露隔離溝槽的側(cè)壁上低壓化學(xué)氣相淀積或表面熱氧化生長一層 二氧化硅；A15、采用低壓化學(xué)氣相淀積多晶硅，填充深槽； A16、反刻多晶硅；A17、用氧化硅蝕刻緩沖液漂去步驟All所生長的二氧化硅； 或包括以下步驟A21 、低壓化學(xué)氣相淀積或表面熱氧化方法在SOI硅片正面生長一層二氧 化硅薄膜；A22、低壓化學(xué)氣相淀積氮化硅；A23、反應(yīng)離子刻蝕氮化硅、表面薄氧層、頂硅、埋氧層、底硅，形成深在曝露隔離溝槽的側(cè)壁上表面熱氧化的方法生長一層二氧化硅薄釆用低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅，填充深槽； 化學(xué)機械拋光；膜;A24、A25、 A26、A27、用磷酸溶液漂去步驟A22所淀積的氮化硅。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟B中制作所 述單晶硅PN結(jié)的步驟，如果所述單晶硅PN結(jié)為單晶硅P+ZN-結(jié)，包括以下 步驟Bll、 N阱注入石舞或砷；B12、局部氧化隔離或淺槽隔離；B13、陽才及注入硼；B14 、 N+歐姆接觸區(qū)重摻雜注入磷或砷； B15、快速熱退火；如果所述單晶硅PN結(jié)為單晶硅N+ZP-結(jié)，包括以下步驟B21、 P阱注入硼；B22、局部氧4b隔離或淺槽隔離；B23、陰極注入石岸或砷；B24 、 P+歐姆接觸區(qū)重摻雜注入硼；B25、快速熱退火。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述步驟B12或步驟B22,如果是局部氧化隔離，包括以下步驟(1) 、表面熱氧化生長一層二氧化硅薄膜；(2) 、低壓化學(xué)氣相淀積氮化硅；(3) 、反應(yīng)離子刻蝕氮化硅、表面薄氧層、60%的頂硅層厚度；(4) 、局部熱氧化；(5) 、用磷酸溶液漂去步驟(2)所淀積的氮化硅； 如果是淺槽隔離，包括以下步驟(1) 、低壓化學(xué)氣相淀積或表面熱氧化生長一層二氧化硅薄膜；(2) 、低壓化學(xué)氣相淀積氮化硅；(3) 、反應(yīng)離子刻蝕氮化硅、表面薄氧層、頂硅層至埋氧層；(4) 、在曝露隔離溝槽的側(cè)壁上表面熱氧化生長一層二氧化硅薄膜；(5) 、低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅填充淺槽；(6) 、化學(xué)機械拋光；(7) 、用磷酸溶液漂去步驟(2)所淀積的氮化硅。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟C包括以 下步驟Cl、刻蝕紅外41感區(qū)域之外的頂硅至埋氧層； C2、形成第一層金屬布線； C3、懸臂梁上金屬布線； C4、形成第二層金屬布線； C5、合金化；C6、低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅和氮化硅，形成鈍化層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述步驟C2包括 以下步驟(1)、低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅；(2) 、刻蝕二氧化硅，形成第一層金屬布線的接觸孔；(3) 、'減射鋁；(4) 、反刻，形成第一層金屬布線。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述步驟C4包括 以下步驟(1) 、低壓化學(xué)氣相淀積二氧化硅；(2) 、刻蝕二氧化硅，形成第二層金屬布線的通孔；(3) 、濺射鋁；(4) 、反刻，形成第二層金屬布線。
13、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟D包括以 下步驟(1) 、反應(yīng)離子刻蝕表面鈍化層和埋氧層至底硅，形成刻蝕孔；(2) 、氟化氙等反應(yīng)氣體干法刻蝕底硅。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列及其制備方法。該陣列的制備方法包括步驟A.硅片氧化還原，在縱向形成所述底硅層，埋氧層與頂硅層，同時通過底硅刻蝕，形成深槽，填充及平坦化，以在橫向劃分紅外探測單元；步驟B.在每一紅外探測單元中的頂硅層設(shè)置數(shù)個串聯(lián)的單晶硅PN結(jié)；步驟C.在每一紅外探測單元中形成所述電氣連接布線，在所述單晶硅PN結(jié)與所述電氣連接線上形成鈍化層；步驟D、在每一紅外探測單元中制作懸空的絕熱懸臂梁，刻蝕所述底硅層，形成所述空腔。本發(fā)明利用單晶硅PN結(jié)的良好的溫度特性，通過測量單晶硅PN結(jié)兩端的電壓的變化，以獲得紅外輻射強弱的探測結(jié)果。
文檔編號B81C1/00GK101441112SQ20081024027
公開日2009年5月27日 申請日期2008年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月18日
發(fā)明者偉 何, 明安杰, 毅 歐, 焦斌斌, 薛惠瓊, 陳大鵬 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所