技術(shù)編號(hào)：5266965
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及紅外探測(cè)器，尤其涉及一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特 性的非制冷紅外探測(cè)器及其陣列的制造方法。背景技術(shù)紅外成像技術(shù)廣泛應(yīng)用于軍事、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、森林防火、環(huán)境保 護(hù)等各領(lǐng)域，其核心部件是紅外焦平面陣列(Infrared Focal Plane Array, IRFPA)。才艮據(jù)工作原理分類，可分為光子型紅外4笨測(cè)器和非制冷紅外〗笨測(cè) 器。光子型紅外探測(cè)器采用窄禁帶半導(dǎo)體材料，如HgCdTe、 InSb等，利用光 電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)紅外光信號(hào)向電信號(hào)的轉(zhuǎn)換；...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。