專利名稱：一種mems器件真空封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種對射頻、微波、無線通訊等MEMS 器件進(jìn)行真空封裝的方法。
背景技術(shù)：
MEMS (微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一個(gè)多學(xué)科交叉的 新興技術(shù)領(lǐng)域，涉及常規(guī)集成電路設(shè)計(jì)/工藝技術(shù)和微機(jī)械專門技術(shù)以及物理、生化、自 動(dòng)控制、集成電路等多個(gè)學(xué)科與技術(shù)，其研究對象是集微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行 器以及信號(hào)處理/控制電路、接口、通信和電源等于一體的微型器件或系統(tǒng)。MEMS器件 成本低、功能全、體積小、重量輕、機(jī)械靈活、功耗低、可靠性高、性能優(yōu)異，已經(jīng)開始 廣泛地應(yīng)用于航空航天、信息通信、生物化學(xué)、醫(yī)療、自動(dòng)控制、消費(fèi)電子以及兵器等很 多關(guān)系國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全保障的領(lǐng)域。在MEMS加工工藝流程中，MEMS器件的 封裝與測試是MEMS器件產(chǎn)品最終成形的最后一步，也是不可或缺的一步，其作用是保護(hù) 器件和維持能保證微機(jī)械器件正常工作的內(nèi)環(huán)境，并為器件提供與外界的接口，在很大程 度上決定了MEMS產(chǎn)品的性能、體積、成本、可靠性和壽命的關(guān)鍵。由于MEMS器件針 對多種應(yīng)用領(lǐng)域，工作原理和操作對象差異很大，相應(yīng)的封裝也形式多樣，其工藝要求高 于微電子封裝，難度大，費(fèi)用在產(chǎn)品成本價(jià)格中占有很高的比例(超過50%)。為了遠(yuǎn)離外界污染，降低MEMS器件中靈敏元件的阻尼從而獲得更高的品質(zhì)因子和 更大的靈敏度，MEMS器件大都需要在真空環(huán)境下進(jìn)行封裝。真空封裝能在MEMS產(chǎn)品 芯片(chip)周圍形成一個(gè)真空環(huán)境，可以使MEMS器件處于1(^帕以下的中等和高真空 環(huán)境工作，并保證其中的微機(jī)械結(jié)構(gòu)具有優(yōu)良的振動(dòng)性能(例如使各種機(jī)械諧振器有高的 品質(zhì)因數(shù))或長期穩(wěn)定工作(例如防止射頻微機(jī)械開關(guān)運(yùn)動(dòng)觸點(diǎn)的玷污、粘附或保證真空 微電子器件的電流特性)，使其能正常工作，并提高其可靠性。MEMS真空封裝的實(shí)現(xiàn)常 常采用傳統(tǒng)的用于混合集成電路的金屬、陶瓷封閉外殼或與之類似的專門加工的外殼，或 者利用硅或玻璃等材料，以微機(jī)械方法制作出尺寸與MEMS器件大小相近的外殼，通過鍵 合等方法與MEMS器件封接在一起。存在困難是尺寸小，由于引線和管腳的存在，漏率偏 高，真空度保持困難?，F(xiàn)有的MEMS器件真空封裝技術(shù)主要有-1. 傳統(tǒng)器件級真空封裝技術(shù)這是一門歷史悠久、技術(shù)成熟的技術(shù)，采用低氣體滲透金屬材料(如可伐、無氧銅、 不銹鋼)、塑料、陶瓷作為封裝外殼，輔以強(qiáng)力吸氣劑，經(jīng)高溫處理和釬焊、氬弧焊等熔 封工藝，可實(shí)現(xiàn)從低真空到超高真空級的真空封裝。但這項(xiàng)工藝往往要經(jīng)過多道高溫工藝， 一般都要求單件操作，封裝時(shí)需要特殊夾具，并以高成本的高溫?zé)Y(jié)陶瓷或者耐高溫的合 金作為基板，以可伐等材料為互連引出線，從而保證引線與基板間的氣密性。傳統(tǒng)的真空 封裝技術(shù)屬于器件級封裝，無法同時(shí)對多個(gè)器件實(shí)行大批量的封裝，故封裝效率低，加工 成本高，與現(xiàn)有的硅基微機(jī)械加工流程兼容性不好，應(yīng)用局限于真空電子器件等需要高真 空的電子器件或者對成本要求不嚴(yán)格的MEMS器件封裝。2. 圓片級鍵合封裝技術(shù)在專用真空設(shè)備上，對已通過微機(jī)械加工方法制作出相應(yīng)MEMS器件及封裝腔體結(jié)構(gòu) 的三層玻璃片/硅片/玻璃片或硅片/硅片/硅片疊層結(jié)構(gòu)進(jìn)行對準(zhǔn)，在真空環(huán)境下進(jìn)行鍵 合，形成三明治封裝結(jié)構(gòu)，從而達(dá)到真空條件。這種技術(shù)可以同時(shí)對器件圓片上的眾多芯 片進(jìn)行封裝、老化、測試，最后切割成單個(gè)器件，生產(chǎn)效率大幅度提高。存在的主要問題 是1)電信號(hào)到外界的傳輸需要穿越很厚的結(jié)構(gòu)層，相應(yīng)的通孔加工與填充難度大，或 者，2)當(dāng)電極引線制作在加工有器件的硅圓片表面上、與外界連通時(shí)，厚金屬電極會(huì)使 得鍵合質(zhì)量和漏氣率難于控制；3)器件互連的分布主要是單層的，電氣互連靈活性差；4) 當(dāng)某種微機(jī)械結(jié)構(gòu)需要與集成電路芯片或者其他襯底上加工出來的微機(jī)械結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)封裝 內(nèi)集成時(shí)，這種封裝難以保證集成的順利實(shí)施；5)各個(gè)器件封裝的真空度的控制只能通 過真空封裝設(shè)備來控制，不能針對單個(gè)器件的工作特性進(jìn)行真空度的微調(diào)，另外封裝過程 完成后，真空度的保持能力方面的檢測較為困難?？傮w而言，這些問題影響了 MEMS真空封裝的真空保持效果，制約了相關(guān)MEMS的 研究深入和器件的商品化。低溫共燒陶瓷基板是一種高集成度、高可靠性、高性能及低成本的封裝材料，目前多 應(yīng)用于封裝各種電路。低溫共燒陶瓷屬于陶瓷相一玻璃相復(fù)合介質(zhì)型材料，根據(jù)不同組成 物可分為堿硼硅酸鹽玻璃系、鋅硼硅酸鹽系、鉛硼硅酸鹽系、鋇硼硅酸鹽系，其中堿硼硅酸鹽玻璃系應(yīng)用最為廣泛，包括硼硅酸鉛玻璃+Al203系、硼硅酸玻璃+石英玻璃+堇青石系、 硼硅酸玻璃+Al203+美橄欖石系、硼硅酸玻璃+Al203系、硼硅酸玻璃+八1203處理的氧化鋯 系。低溫共燒陶瓷基板采用多層生瓷材料疊放而成，在90(TC左右的溫度下燒結(jié)成一體化 的基板，每層生瓷材料上用Cu、 Au、 Ag等導(dǎo)電率高的金屬良導(dǎo)體作為互連布線和過孔填 料，基板介電常數(shù)小，只有4-5，低于大多數(shù)常用基板材料，Q值高。這種基板的優(yōu)點(diǎn)是:1)溫度和機(jī)械特性優(yōu)良；2)可高密度多層立體布線，方便地實(shí)現(xiàn)多種電路間的互連和與 外界的電互連；3)基板電路損耗和信號(hào)傳輸延遲非常小，適合于傳輸高頻/高速信號(hào)；4) 加工方法較為成熟，原材料來源廣泛，制作周期短，生產(chǎn)效率高；5)導(dǎo)熱性好，有利于 器件散熱，可以封裝大功率器件。目前利用低溫共燒陶瓷來進(jìn)行MEMS真空封裝尚未見報(bào)道。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供利用高集成度、高可靠性、高性能及低成本的低溫共燒陶瓷基板 對MEMS器件進(jìn)行真空封裝的方法，結(jié)合現(xiàn)有的微機(jī)械加工及封裝工藝，實(shí)現(xiàn)簡便實(shí)用、 高效可靠的MEMS器件的真空封裝。本發(fā)明提出的基于低溫共燒陶瓷基板的MEMS器件真空封裝方法包括以下步驟1) 先根據(jù)MEMS器件需要設(shè)計(jì)互連引出線結(jié)構(gòu)和各種被動(dòng)組件的位置，這里所述的 被動(dòng)組件包括電容、電感、電阻、濾波器、平衡器、非平衡器、雙工器、天線開關(guān)、 諧振腔等；2) 在低溫共燒陶瓷每層生瓷材料上制作出過孔和空腔；3) 在每層生瓷材料上印刷上金屬良導(dǎo)體材料作為布線和過孔填料，將被動(dòng)組件固定在 預(yù)定位置；4) 將多層生瓷材料精確疊層對位，在普通馬福爐中400—50(TC排膠后，放入真空設(shè) 備內(nèi)升溫至800—900。C燒結(jié)成一體化的基板；5) 將需要封裝的MEMS器件嵌入式、半嵌入式或者非嵌入式地固定在做好的低溫共 燒陶瓷基板上，并與低溫共燒陶瓷上的電路相連(參見圖l);6) 以帶有MEMS器件的低溫共燒陶瓷基板整體直接作為封裝外殼的管底，以金屬封 裝外殼做管帽，利用傳統(tǒng)的真空密封方法，例如激光、焊環(huán)或者金屬管密封，獲得 對MEMS器件的真空封裝。上述步驟2)可通過鉆孔、沖孔或激光打孔的方法制作出過孔和空腔。步驟3)所述的金屬良導(dǎo)體材料包括Cu、 Ag、 Au等導(dǎo)電率高的金屬；印刷可以采用絲網(wǎng)印刷、掩模印刷、流延型印刷等方法； 一般通過金屬焊料焊接或釬焊固定被動(dòng)組件。步驟4)多采用定位孔或圖像識(shí)別定位的方法使多層生瓷材料精確疊層對位。步驟5)通過有機(jī)粘合劑粘接、金屬焊料焊接或釬焊的方法將MEMS器件嵌入式、半嵌入式或者非嵌入式地固定在做好的低溫共燒陶瓷基板上。所述的有機(jī)粘合劑如環(huán)氧樹脂，金屬焊料通常用錫、鉛、鋁、銀等低溫金屬焊料。步驟6)封裝外殼可以采用傳統(tǒng)的用于混合集成電路的金屬封裝外殼管帽，如A1、 Cu、 Mo、鋼、可伐合金等制成的管帽，外形多為矩形或圓形，形式可以多樣，可以利用現(xiàn)有的 機(jī)械加工方法和模具進(jìn)行靈活加工，精度高，價(jià)格低，適合批量生產(chǎn)，性能優(yōu)良，可靠性 高，可以得到大面積腔體。由于互連線在燒結(jié)中與基板介質(zhì)材料融為一體，引線的真空密 封性大為提高，封裝的漏率可往大大降低。對于MEMS器件的真空封裝來說，低溫共燒陶瓷基板具備如下優(yōu)勢1) 低溫共燒陶瓷材料的熱膨脹系數(shù)與硅相近，能很好的與各種基于硅工藝的MEMS器件 粘接；2) 基板由多層易于微機(jī)械加工的生瓷材料疊合而成，可以制作多樣化的微結(jié)構(gòu)；3) 能夠在表面和內(nèi)部通過嵌入等方式集成MEMS器件、電路保護(hù)元件等多種元件/結(jié)構(gòu)；4) 電互連與低溫共燒陶瓷燒結(jié)為均勻致密的一體化結(jié)構(gòu)，其氣密性得到充分保證；5) 可實(shí)現(xiàn)MEMS、低頻/高頻器件的混合集成，實(shí)現(xiàn)器件平面尺寸和成本的節(jié)約。低溫共燒陶瓷基板除了在其中布置電路傳輸線外，其多層電路結(jié)構(gòu)、三維布線可將電 路和模塊中需要用到的各種被動(dòng)組件(如電容、電感、電阻、濾波器、平衡/非平衡器，雙 工器、天線開關(guān)、諧振腔等)內(nèi)埋入基板中，特別適用于多塊高頻/微波集成電路的封裝， 可廣泛應(yīng)用于手機(jī)通訊、藍(lán)芽(Bluetooth)、無線網(wǎng)絡(luò)(WLAN)、全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)、 筆記本電腦、高性能計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域?？傊?，本發(fā)明在制作有多層立體化互連的低溫共燒陶瓷基板上粘接MEMS器件，并結(jié) 合激光焊接、儲(chǔ)能焊等封接技術(shù)將專門設(shè)計(jì)的封蓋固定在低溫共燒陶瓷基板上，從而獲得 在互連靈活性、密封性、可檢測性、易加工性大大優(yōu)于傳統(tǒng)真空封裝和圓片級真空封裝的 一種MEMS器件真空封裝方法。該方法具有成本低、便于批量加工、成品率高、真空保持 時(shí)效長、真空度高等特點(diǎn)，特別適用于面向射頻/微波、慣性等應(yīng)用的MEMS器件的真空 封裝。本發(fā)明的真空封裝方法保證了其封裝的元器件能在惡劣環(huán)境下正常工作，可以廣泛 地應(yīng)用于航空航天、信息通信、生物化學(xué)、醫(yī)療、自動(dòng)控制、消費(fèi)電子以及兵器等很多關(guān) 系國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全保障的領(lǐng)域。


圖1是連接了 MEMS器件的低溫共燒陶瓷基板示意圖。 圖2是采用激光密封方法進(jìn)行真空封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是采用焊環(huán)密封方法進(jìn)行真空封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖4是采用金屬管密封方法進(jìn)行真空封裝的結(jié)構(gòu)示意圖,射1——低溫共燒陶瓷基板4——通孔7——被激光焊化金屬區(qū) 10——夾具2--MEMS器件-金屬外殼管帽11--焊環(huán)一環(huán)氧樹脂或金屬焊料3——電路傳輸線 6——真空腔 9——細(xì)軟金屬管具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖，通過實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明，但不以任何方式限制本發(fā)明。 實(shí)施例1以低溫共燒陶瓷為基板，采用激光密封的方法對MEMS器件進(jìn)行真空封裝(參見圖2)， 其步驟為1. 根據(jù)MEMS器件需要設(shè)計(jì)互連引出線結(jié)構(gòu)和各種被動(dòng)組件(如電容、電感、電阻、濾 波器、平衡/非平衡器，雙工器、天線開關(guān)、諧振腔等)的位置；2. 將低溫共燒陶瓷每層生瓷材料放入沖床中，通過沖孔的方法制作出過孔和空腔；3. 在每層生瓷材料上利用不銹鋼做掩模，通過掩模印刷的方法印刷上金屬作為互連布線 和過孔填料，將被動(dòng)組件釬焊在指定位置；4. 多層生瓷材料采用定位孔的方法進(jìn)行精確疊層對位，在普通馬福爐45(TC左右的溫度下 進(jìn)行排膠3 — 5h，再放入真空設(shè)備內(nèi)升溫至85(TC左右，保持該溫度約10 min燒結(jié)成 一體化的基板；5. 將MEMS器件釬焊在布好線的低溫共燒陶瓷基板上，并與低溫共燒陶瓷上的電路相連， 形成如圖l所示的結(jié)構(gòu)，MEMS器件2連接在低溫共燒陶瓷基板1上，與基板中的電 路傳輸線3連通，而基板的各層之間通過通孔4連通；6. 將已通過微機(jī)械加工方法做好的封裝外殼管帽和帶有MEMS器件的低溫共燒陶瓷基板 1放置在各自的定位架上， 一起移入帶有真空獲得系統(tǒng)的真空室中；7. 啟動(dòng)真空獲得系統(tǒng)，使真空室內(nèi)的真空度達(dá)到10—3帕以上或任何所需的真空度值；8. 用機(jī)械手將管帽與低溫共燒陶瓷基板對接，利用激光束將被焊金屬加熱至融化溫度以 上使管帽與低溫共燒陶瓷基板緊密地熔合在一起；9. 在真空狀態(tài)下逐步降溫，完成全部封裝過程，如圖2所示，MEMS器件2被封裝在一個(gè)真空腔6中，被激光焊化的金屬區(qū)7將金屬外殼管帽5緊密連接在低溫共燒陶瓷基板1上。 實(shí)施例2
以低溫共燒陶瓷為基板，采用焊環(huán)密封的方法對MEMS器件進(jìn)行真空封裝(參見圖3)， 其步驟為-
1. 根據(jù)MEMS器件需要設(shè)計(jì)互連引出線結(jié)構(gòu)和各種被動(dòng)組件(如電容、電感、電阻、濾 波器、平衡/非平衡器，雙工器、天線開關(guān)、諧振腔等)的位置；
2. 將低溫共燒陶瓷每層生瓷材料放入沖床中，通過沖孔的方法制作出過孔和空腔；
3. 每層生瓷材料上利用不銹鋼做掩模，通過掩模印刷的方法印刷上金屬作為互連布線和 過孔填料，將被動(dòng)組件釬焊在指定位置；
4. 多層生瓷材料采用定位孔的方法進(jìn)行精確疊層對位，在普通馬福爐45(TC左右的溫度下 進(jìn)行排膠，再放入真空設(shè)備內(nèi)升溫至85(TC左右燒結(jié)成一體化的基板；
5. 將MEMS器件釬焊在布好線的低溫共燒陶瓷基板上，并與低溫共燒陶瓷上的電路相連；
6. 在微機(jī)械加工方法做好的封裝外殼管帽上用環(huán)氧樹脂或低溫金屬焊料(錫、鉛、鋁、 銀等)做焊環(huán)；
7. 將封裝外殼管帽和帶有MEMS器件的低溫共燒陶瓷基板放置在各自的定位架上， 一起 移入帶有真空獲得系統(tǒng)的真空室中；
8. 啟動(dòng)真空獲得系統(tǒng)，使真空室內(nèi)的真空度達(dá)到10—3帕以上或任何所需的真空值；
9. 用機(jī)械手將管帽與低溫共燒陶瓷基板對接，啟動(dòng)加熱裝置，加熱至焊接溫度，直到焊 環(huán)將基板與殼帽完全銜接。
10. 在真空狀態(tài)下逐步降溫，完成全部封裝過程，如圖3所示，MEMS器件2被封裝在一 個(gè)真空腔6中，焊環(huán)8將金屬外殼管帽5銜接在低溫共燒陶瓷基板1上。
實(shí)施例3
以低溫共燒陶瓷為基板，采用金屬管密封的方法對MEMS器件進(jìn)行真空封裝(參見圖 4)，其步驟為
1. 根據(jù)MEMS器件需要設(shè)計(jì)互連引出線結(jié)構(gòu)和各種被動(dòng)組件(如電容、電感、電阻、濾 波器、平衡/非平衡器，雙工器、天線開關(guān)、諧振腔等)的位置；
2. 將低溫共燒陶瓷每層生瓷材料放入沖床中，通過沖孔的方法制作出過孔和空腔；
3. 每層生瓷材料上利用不銹鋼做掩模，通過掩模印刷的方法印刷上金屬作為互連布線和 過孔填料，將被動(dòng)組件釬焊在指定位置；
4. 多層生瓷材料采用定位孔的方法進(jìn)行精確疊層對位，在普通馬福爐45(TC左右的溫度下 進(jìn)行排膠，再放入真空設(shè)備內(nèi)升溫至850'C左右燒結(jié)成一體化的基板；
5. 將MEMS器件釬焊在布好線的低溫共燒陶瓷基板上，并與低溫共燒陶瓷上的電路相連;
6. 在微機(jī)械加工方法做好的封裝外殼管帽上做細(xì)軟金屬管通道；
7. 用環(huán)氧樹脂或低溫金屬焊料(錫、鉛、鋁、銀等)11在大氣常壓下將封裝外殼管帽5 和帶有MEMS器件2的低溫共燒陶瓷基板1固定、密封(參見圖4);
8. 經(jīng)細(xì)軟金屬管9抽氣至所需真空度值，用夾具10將金屬管收緊夾死，完成全部封裝過 程(參見圖4)。
權(quán)利要求
1.一種MEMS器件真空封裝方法，包括以下步驟1)根據(jù)MEMS器件需要設(shè)計(jì)互連引出線結(jié)構(gòu)和各種被動(dòng)組件的位置；2)在低溫共燒陶瓷每層生瓷材料上制作出過孔和空腔；3)在每層生瓷材料上印刷金屬良導(dǎo)體材料作為布線和過孔填料，并將被動(dòng)組件固定在預(yù)定位置；4)將多層生瓷材料精確疊層對位，在普通馬福爐中400-500℃排膠后，放入真空設(shè)備內(nèi)升溫至800-900℃燒結(jié)成一體化的基板；5)將需要封裝的MEMS器件固定在低溫共燒陶瓷基板上，并與低溫共燒陶瓷基板上的電路相連；6)以帶有MEMS器件的低溫共燒陶瓷基板整體作為封裝外殼的管底，以金屬封裝外殼做管帽，進(jìn)行真空密封。
2. 如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于所述步驟2)通 過鉆孔、沖孔或激光打孔的方法制作出過孔和空腔。
3. 如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于步驟3)所述的 金屬良導(dǎo)體材料選自Cu、 Ag、 Au。
4. 如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于步驟3)的印刷 方法選自絲網(wǎng)印刷、掩模印刷、流延型印刷。
5. 如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于步驟3)中通過 金屬悍料焊接或釬焊固定被動(dòng)組件。
6. 如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于步驟4)采用定 位孔或圖像識(shí)別定位的方法使多層生瓷材料精確疊層對位。
7. 如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于步驟5)通過有 機(jī)粘合劑粘接、金屬焊料焊接或釬焊的方法將MEMS器件嵌入式、半嵌入式或 者非嵌入式地固定在低溫共燒陶瓷基板上。
8. 如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于步驟6)所述的 金屬封裝外殼管帽材料選自Al、 Cu、 Mo、鋼、可伐合金。
9. 如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于所述步驟6)是 在真空條件下，利用激光焊化金屬或者加熱焊環(huán)的方法實(shí)現(xiàn)管帽和管底的緊密 連接。
10.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件真空封裝方法，其特征在于所述步驟6)在管帽上做有細(xì)軟金屬管通道，在大氣壓下將管帽和管底緊密連接，然后經(jīng)細(xì)軟金屬管抽氣使MEMS器件所至的腔體達(dá)到所需真空度值，再用夾具將細(xì)軟金屬 管收緊夾死。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種利用低溫共燒陶瓷基板對MEMS器件進(jìn)行真空封裝的方法首先利用低溫共燒陶瓷的多層電路結(jié)構(gòu)、三維布線把電路中應(yīng)用的各種無源元器件和傳輸線等完全掩埋在基板介質(zhì)中；然后把MEMS器件粘接或焊接在基板上，并完成電氣連接；最后將帶有MEMS器件的低溫共燒陶瓷基板整體直接作為封裝外殼的管底，以傳統(tǒng)的混合集成電路用金屬封裝外殼做管帽，結(jié)合傳統(tǒng)的密封方法，如激光密封、焊環(huán)密封和金屬管密封，獲得對MEMS器件的真空封裝。此方法工藝條件實(shí)現(xiàn)簡單，成本低，便于批量加工，實(shí)現(xiàn)了對引線的真空密封，使漏偏率大大降低，增強(qiáng)真空保持性能，特別適用于面向射頻/微波、慣性等應(yīng)用的MEMS器件的真空封裝。
文檔編號(hào)B81C3/00GK101301993SQ20071010684
公開日2008年11月12日 申請日期2007年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月11日
發(fā)明者張楊飛, 白樹林, 旻 繆, 金玉豐 申請人:北京大學(xué)