本發(fā)明總體上涉及一種廢氣系統(tǒng)，且更具體地涉及氨氣在廢氣系統(tǒng)中的生成和輸送。

背景技術(shù)：

廢氣系統(tǒng)用于還原和處理各種可在燃燒過程中形成的氮氧化物(其在本文中統(tǒng)稱為nox氣體)。廢氣系統(tǒng)通常采用選擇性催化還原(scr)裝置，該裝置使用能夠與nox氣體發(fā)生反應(yīng)的還原劑。噴射器通常用于將還原劑選擇性地噴射入選擇性催化還原裝置中。還原劑的直接噴射可能會(huì)留下沉淀物，該沉淀物會(huì)限制并減少可用還原劑的量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

用于產(chǎn)生廢氣的發(fā)動(dòng)機(jī)的廢氣系統(tǒng)包括被配置成接收廢氣的廢氣管。微粒過濾器與廢氣管流體連通，并被配置成在微粒過濾器中的廢氣加熱至再生溫度以上時(shí)進(jìn)行熱再生。生成器單元位于微粒過濾器的下游處，并包括第一催化劑。槽可操作地連接至生成器單元，并被配置成儲(chǔ)存前驅(qū)體材料。生成器單元被配置成在第一催化劑的存在下，采用前驅(qū)體材料和產(chǎn)生用于微粒過濾器的熱再生的熱量來由前驅(qū)體材料生成氨氣。

系統(tǒng)可包括具有處理器和有形非瞬變存儲(chǔ)器的控制器，其中該有形非瞬變存儲(chǔ)器中記錄指令，這些指令用于執(zhí)行控制氨氣在生成器單元中的生成和氨氣到廢氣管的輸送的方法。第一流量控制裝置可位于槽與生成器單元之間。處理器對指令的執(zhí)行致使控制器確定熱再生是否發(fā)生。如果熱再生發(fā)生了，則控制器被配置成打開第一流量控制裝置以至少部分地允許前驅(qū)體材料從槽流向生成器單元。

系統(tǒng)可包括熱交換單元，其具有被配置成用于第一流體的流動(dòng)的第一通路和被配置成用于第二流體的流動(dòng)的第二通路。第一通路和第二通路被至少一個(gè)壁間隔開，使得第一和第二流體在物理上不會(huì)相混合，且產(chǎn)生用于熱再生的熱量通過該至少一個(gè)壁從第一流體傳遞至第二流體。

第二流量控制裝置可以可操作地連接至控制器，并可位于微粒過濾器與生成器單元之間。生成器單元和熱交換單元可共用共同殼體，使得生成器單元的第一催化劑放置在熱交換單元的第二通路中?？刂破骺杀痪幊坛稍谖⒘＿^濾器的熱再生期間引導(dǎo)第二流量控制裝置來至少部分地允許廢氣從微粒過濾器流向熱交換單元的第一通路。

儲(chǔ)存單元可以可操作地連接至生成器單元，并包括被配置成吸附在生成器單元中生成的氨氣的儲(chǔ)存材料。第三流量控制裝置可以可操作地連接至控制器，并可位于生成器單元與儲(chǔ)存單元之間?？刂破骺杀痪幊坛稍谖⒘＿^濾器的熱再生期間引導(dǎo)第三流量控制裝置來至少部分地允許氨氣從生成器單元流向儲(chǔ)存單元。

熱源可以可操作地連接至控制器，且控制器可被編程成引導(dǎo)熱源來選擇性地向儲(chǔ)存單元提供熱能，以釋放儲(chǔ)存材料所吸附的氨氣。第四流量控制裝置可以可操作地連接至控制器，并可位于儲(chǔ)存單元與廢氣管之間?？刂破骺杀痪幊坛梢龑?dǎo)第四流量控制裝置來至少部分地允許氨氣從儲(chǔ)存單元流向廢氣管，無論微粒過濾器的熱再生是否發(fā)生。選擇性催化還原裝置可與廢氣管流體連通，并包括第二催化劑。氨氣被配置成與選擇性催化還原裝置中的第二催化劑相互作用，以降低廢氣中的nox水平。

通過以下結(jié)合附圖對實(shí)施本公開的最佳方式進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的上述特征和優(yōu)點(diǎn)以及其他特征和優(yōu)點(diǎn)是顯而易見的。

附圖說明

圖1是示出了廢氣系統(tǒng)和控制器的示意圖；

圖2是示出了用于圖1的控制器的方法的示意性流程圖；以及

圖3是示出了圖1的廢氣系統(tǒng)的示例性信號圖。

具體實(shí)施方式

參照附圖，其中，在幾幅附圖中，相同的參考標(biāo)號對應(yīng)于相同或類似的部件。圖1示出了裝置10的部分。裝置10可為汽車、自行車、機(jī)器人、農(nóng)用機(jī)具、與運(yùn)動(dòng)相關(guān)的設(shè)備或任何其他移動(dòng)平臺(tái)。裝置10可包括產(chǎn)生廢氣14的發(fā)動(dòng)機(jī)12。在一個(gè)示例中，發(fā)動(dòng)機(jī)12為柴油發(fā)動(dòng)機(jī)。然而，本公開適用于任何類似的發(fā)動(dòng)機(jī)。裝置10包括用于處理廢氣14中的成分(例如，氮氧化物(nox))的廢氣系統(tǒng)16。廢氣管18與發(fā)動(dòng)機(jī)12或裝置10的任何其他產(chǎn)生廢氣14的部分流體連通，并被配置成從其接收廢氣14。

參照圖1，廢氣系統(tǒng)16包括與廢氣管18流體連通的微粒過濾器20。微粒過濾器20被配置成濾除發(fā)動(dòng)機(jī)12所產(chǎn)生的顆?；蛭⒘Ｎ镔|(zhì)。這些顆粒可包括煙灰、碳?xì)浠衔?、灰和硫酸。微粒過濾器20必須定期進(jìn)行熱再生，以移除積聚的顆粒。參照圖1，微粒過濾器20可包括多個(gè)流道22，該多個(gè)流道為單端流道，并具有相應(yīng)的多孔壁。廢氣14流動(dòng)穿過流道22的多孔壁，進(jìn)而使得顆粒被過濾在流道22的壁上。流道22可由陶瓷或任何其他合適的材料構(gòu)成。微粒過濾器20被配置成在微粒過濾器20中的廢氣14加熱至再生或燃燒溫度以上時(shí)進(jìn)行熱再生，由此使得能夠燃燒或燒毀顆粒。在一個(gè)示例中，再生溫度在600℃至750℃之間?？刹捎萌魏魏线m的再生執(zhí)行方法，包括但不限于使用燃料燃燒器、使用電阻加熱線圈和使用微波能。

參照圖1，生成器單元24位于微粒過濾器的下游處，并包括第一催化劑26。第一催化劑26可為具有第一層和第二層的固體，其中該第一層由活性材料構(gòu)成，且該第二層由基底金屬衍生物構(gòu)成，并剛性地附著至生成器單元24的內(nèi)表面28。生成器單元24被配置成在第一催化劑26的存在下，采用前驅(qū)體材料32和微粒過濾器20的熱再生所產(chǎn)生的熱量來生成氨氣30。槽34可操作地連接至生成器單元24，并被配置成儲(chǔ)存前驅(qū)體材料32。參照圖1，第一流量控制裝置36位于槽34與生成器單元24之間，以控制前驅(qū)體材料32從槽34到生成器單元24的流動(dòng)。

將理解的是，可采用任何類型的本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的前驅(qū)體材料32和第一催化劑26。前驅(qū)體材料32可為脲[(nh2)2co]，第一催化劑26可為水解催化劑。在另一示例中，前驅(qū)體材料32為柴油機(jī)廢氣流體[(nh2)2co+h2o(32.5wt％)]。前驅(qū)體材料32可為液態(tài)氨(nh3)。前驅(qū)體材料32的其他示例包括但不限于：氨基甲酸銨[nh4coonh2]、碳酸銨[(nh4)2co3]、甲酸銨[nh4cho2]、鎂氯化胺[mg(nh3)6cl2]、鈣氯化胺[ca(nh3)8cl2]和鍶氯化胺[sr(nh3)8cl2]。前驅(qū)體材料32可為聚脲，聚脲是一種彈性體，該彈性體從異氰酸酯成分和合成樹脂摻和物成分通過嵌段-生長聚合反應(yīng)得到的反應(yīng)產(chǎn)物中獲得。異氰酸酯本質(zhì)上可為芳香族或脂肪族。其可為單體、聚合物或異氰酸酯、半預(yù)聚物或預(yù)聚物的任何變體反應(yīng)物。預(yù)聚物或半預(yù)聚物可由胺封端聚合物樹脂或羥基封端聚合物樹脂制成。樹脂摻合物可由胺封端聚合物樹脂和/或胺封端擴(kuò)鏈劑制成。

參照圖1，廢氣系統(tǒng)16包括熱交換單元38。熱交換單元38包括被配置成用于第一流體42的流動(dòng)的第一通路40和被配置成用于第二流體46的流動(dòng)的第二通路44。為了清楚起見，第二通路44在圖1中被輕微地遮蔽住。第一通路40和第二通路44被間隔開，使得第一和第二流體42、46在物理上不會(huì)相混合。第一通路40和第二通路44被至少一個(gè)壁48間隔開，使得熱量通過該至少一個(gè)壁48從第一流體42傳遞至第二流體46，或反之亦然。參照圖1，第一通路40可構(gòu)造為一系列由嵌板62支撐的管。第一通路40可包括第一管50、第二管52、第三管54和第四管56。第二通路44可包括多個(gè)互連的通道，其包括第一通道57、第二通道58和第三通道60。多個(gè)管和通道使得能夠獲得較大的熱傳遞面積，并因此獲得高效的熱傳遞。

參照圖1，生成器單元24和熱交換單元38可共用共同殼體，使得生成器單元24的第一催化劑26放置在熱交換單元38的第二通路44中。在微粒過濾器20的熱再生期間，廢氣加熱至再生溫度以上；熱廢氣由14a指示(冷卻廢氣由14b指示)。第一通路40被配置成從微粒過濾器20接收熱廢氣14a，且第二通路44被配置成從槽34接收前驅(qū)體材料32。熱量從熱廢氣14a傳遞至第二通路44。由于生成器單元24的第一催化劑26放置在第二通路44中，且來自槽34的前驅(qū)體材料32流入第二通路44，因此氨氣30在第二通路44中生成。在一個(gè)示例中，前驅(qū)體材料32為脲，且第一催化劑26為水解催化劑。在該示例中，水解反應(yīng)在第二通路44中進(jìn)行，從而將脲轉(zhuǎn)化成氨氣30。水解反應(yīng)為兩嵌段反應(yīng)，且一個(gè)脲分子轉(zhuǎn)變?yōu)閮蓚€(gè)氨(nh3)分子，如下所示：

co(nh2)2→nh3+hnco

hnco+h2o→nh3+co2

因此，通過使用第一催化劑26和前驅(qū)體材料32，生成器單元24利用從微粒過濾器20的熱再生獲得的熱量來生成氨氣30。參照圖1，熱量可傳遞穿過至少一個(gè)壁48以及額外的壁(包括第二壁64、第三壁66和第四壁68)。參照圖1，熱交換單元38包括允許冷卻廢氣14b(廢氣通過熱交換單元38進(jìn)行熱量消除后冷卻)再流入廢氣管18的再流入流道69。熱交換單元38還可與生成器單元24分開容納。

參照圖1，儲(chǔ)存單元70可以可操作地連接至生成器單元24，并包括被配置成吸附在生成器單元24中生成的氨氣30的儲(chǔ)存材料72。儲(chǔ)存單元70可由惰性材料(例如，不銹鋼)制成。儲(chǔ)存單元70可為碳聚合物。在一個(gè)示例中，儲(chǔ)存單元70能夠承受高達(dá)5巴的壓力和高達(dá)150～200℃的溫度。在一個(gè)示例中，儲(chǔ)存材料72為氨基甲酸銨[nh4coonh2]。在另一示例中，儲(chǔ)存材料72為硼酸[(nh4)3bo3]。儲(chǔ)存材料72的其他示例包括但不限于：碳酸銨[(nh4)2co3]、甲酸銨[nh4cho2]、鎂氯化胺[mg(nh3)6cl2]、鈣氯化胺[ca(nh3)8cl2]、鍶氯化胺[sr(nh3)8cl2]和def[(nh2)2co+h2o(32.5wt％)]?？刹捎萌魏晤愋偷谋绢I(lǐng)域技術(shù)人員已知的儲(chǔ)存材料72。

參照圖1，第二流量控制裝置74可位于微粒過濾器20與生成器單元24之間。第三流量控制裝置76可位于生成器單元24與儲(chǔ)存單元70之間，并可被配置成控制氨氣30從生成器單元24到儲(chǔ)存單元70的流動(dòng)。第四流量控制裝置78可位于儲(chǔ)存單元70與廢氣通路之間。第四流量控制裝置78使得能夠快速地進(jìn)行響應(yīng)，并準(zhǔn)確地控制要輸送至廢氣管18的氨氣30的量。

參照圖1，控制器80可操作地連接至第一流量控制裝置36，并包括處理器82和有形非瞬變存儲(chǔ)器84，該有形非瞬變存儲(chǔ)器中記錄指令，這些指令用于執(zhí)行控制氨氣30在生成器單元24中的生成和氨氣30到廢氣管18的輸送的方法200。下面參照圖2對方法200的執(zhí)行進(jìn)行描述。

作為對來自控制器80的控制信號的響應(yīng)，圖1的第一、第二、第三和第四流量控制裝置36、74、76、78均可獨(dú)立地由螺線管、機(jī)械恒溫器、蠟電機(jī)、真空致動(dòng)器或其他裝置進(jìn)行移動(dòng)或操作。第一、第二、第三和第四流量控制裝置36、74、76、78均可在二元模式(即“開啟”(允許100％流量)或“關(guān)閉”(允許0％流量或不允許任何流量))中進(jìn)行操作。第一、第二、第三和第四流量控制裝置36、74、76、78均可包括多個(gè)模式，例如，用于允許0％流量或不允許任何流量的第一模式、用于允許25％流量的第二模式、用于允許75％流量的第三模式和用于允許100％流量的第四模式。將理解的是，第一、第二、第三和第四流量控制裝置36、74、76、78均可采用任何本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的機(jī)構(gòu)，并可包括任何數(shù)量的模式。

參照圖1，選擇性催化還原裝置86與廢氣管18流體連通。選擇性催化還原裝置86包括第二催化劑88，其目的在于通過將廢氣14中的氮氧化物(nox)轉(zhuǎn)化成氮和水蒸氣來還原氮氧化物。第二催化劑88可為基底金屬的氧化物，例如釩、鉬、鎢和沸石。在一個(gè)示例中，第二催化劑為鐵或銅交換沸石。第二催化劑88可包含在涂層中，該涂層覆蓋在選擇性催化還原裝置86上。

參照圖1，廢氣系統(tǒng)16可包括氧化催化劑90，其位于選擇性催化還原裝置86的上游處。氧化催化劑90將no(一氧化氮)氣體轉(zhuǎn)化成no2，其易于在選擇性催化還原裝置86中進(jìn)行處理。廢氣系統(tǒng)16可在各種位置處包括一個(gè)或多個(gè)用于感測廢氣14的溫度、壓力、nox水平和各種其他性能的傳感器。

現(xiàn)參照圖2中的方法200，將理解的是，控制器80可消除一個(gè)或多個(gè)框，或可以以不同于上述順序的順序確定這些框。開始和結(jié)束函數(shù)在圖2中分別表示為“s”和“e”。方法200可開始于框202，在該框中，圖1的控制器80確定微粒過濾器20中是否發(fā)生熱再生。如果沒有發(fā)生熱再生，則方法200可進(jìn)行到框210，如線203所示，該內(nèi)容將在下文中進(jìn)行描述。如果微粒過濾器20的熱再生發(fā)生了，則方法200進(jìn)行到框204。

在圖2的框204中，控制器80被編程成打開第一流量控制裝置36以至少部分地允許前驅(qū)體材料32從槽34流向生成器單元24。控制器80可基于若干因素確定被允許進(jìn)入生成器單元24的前驅(qū)體材料32的量。這些因素可包括但不限于微粒過濾器20上游和下游的廢氣14中的nox的相應(yīng)量以及發(fā)動(dòng)機(jī)12的廢氣管18處的廢氣流率。

方法200從框204進(jìn)行到框206。在圖2的框206中，(在微粒過濾器20的熱再生發(fā)生的條件下)，控制器80被編程成引導(dǎo)第二流量控制裝置74(其位于微粒過濾器20與生成器單元24之間)來至少部分地允許熱廢氣14a從微粒過濾器流向熱交換單元38的第一通路40，使得熱量通過至少一個(gè)壁48從熱廢氣14a傳遞至前驅(qū)體材料32。在第一催化劑26的存在下，利用前驅(qū)體材料32來將微粒過濾器的再生所產(chǎn)生的熱量用于生成氨氣30。

方法200從框206進(jìn)行到框208。在圖2的框208中，控制器80可被編程成引導(dǎo)第三流量控制裝置76來至少部分地允許所生成的氨氣30從生成器單元24流向儲(chǔ)存單元70。如上所述，儲(chǔ)存單元70采用儲(chǔ)存材料72來吸附或結(jié)合氨氣30。

在圖2的框210中，控制器80被編程成選擇性地引導(dǎo)或控制氨氣30從儲(chǔ)存單元70的釋放。例如，在框210中，控制器80可被編程成通過熱源92引導(dǎo)熱量到儲(chǔ)存單元70的施加。熱源92可為由開關(guān)致動(dòng)的電線。熱量的施加釋放結(jié)合至儲(chǔ)存材料72的氨氣30。所施加的熱量的程度和持續(xù)時(shí)間可基于廢氣管18中所需的氨氣30的量進(jìn)行確定，而該量可基于通過廢氣系統(tǒng)16中的各種傳感器(未示出)測得的廢氣14中的nox水平之上。

在框212中，控制器80被編程成引導(dǎo)第四流量控制裝置78來至少部分地允許(其可基于上文確定的所需氨氣30的量之上)氨氣30流入廢氣管18中。一旦輸送入廢氣管18中，氨氣30就與選擇性催化還原裝置86形成流體連通，在該裝置中，nox在第二催化劑88的幫助下進(jìn)行還原反應(yīng)，由此減少廢氣14中的nox排放物的量。相較于將前驅(qū)體材料32(例如，脲)直接噴射入廢氣管18中，將氨氣30添加入選擇性催化還原裝置86中可消除將前驅(qū)體材料32直接噴射入廢氣管18中所引起的沉淀物問題。此外，由于氨氣30相對易于與廢氣相混合，因此減少了廢氣管18中的混合長度。由于氨氣30是通過利用微粒過濾器20的再生所產(chǎn)生的熱能在生成器單元24中生成的，因此節(jié)省了能量，且不需要額外的熱能輸入。

方法200可從框208(微粒過濾器的熱再生在該框中發(fā)生)或如線203所示的框202(在該框中沒有發(fā)生熱再生)進(jìn)行到框210和212。換言之，控制器80可引導(dǎo)儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元70中的氨氣30到廢氣管18的輸送，無論熱再生是否發(fā)生。方法200可在發(fā)動(dòng)機(jī)12的操作期間連續(xù)地執(zhí)行。

參照圖3，示出了用于廢氣系統(tǒng)16的示例性信號圖，其中時(shí)間t示出在橫軸中。圖3所示的示例意在成為非限制性示例?？v軸示出了微粒過濾器再生信號302、前驅(qū)體進(jìn)入信號304和氨氣添加信號306。在所示實(shí)施例中，信號302、304和306中的每一個(gè)都可設(shè)置至“開啟”或“關(guān)閉”狀態(tài)。微粒過濾器再生信號302表示微粒過濾器20的熱再生是否發(fā)生。前驅(qū)體進(jìn)入信號304表示前驅(qū)體材料32是否被引導(dǎo)入生成器單元24中。氨氣添加信號306表示氨氣30是否被輸送入廢氣管18中。

參照圖3，在初始時(shí)間(例如，t＝0)與t1之間，微粒過濾器20的熱再生沒有發(fā)生，且微粒過濾器再生信號302(參見部分302a)和前驅(qū)體進(jìn)入信號304(參見部分304a)都設(shè)置至“關(guān)閉”狀態(tài)。氨氣添加信號306(參見部分306a)可設(shè)置至“開啟”狀態(tài)。參照圖3，在時(shí)間t1與時(shí)間t2之間，微粒過濾器20的熱再生發(fā)生，且微粒過濾器再生信號302(參見部分302b)和前驅(qū)體進(jìn)入信號304(參見部分304b)都設(shè)置至“開啟”狀態(tài)。氨氣添加信號306可設(shè)置至“開啟”狀態(tài)(參見部分308)或“關(guān)閉”狀態(tài)(參見部分310)。

參照圖3，在時(shí)間t2之后，微粒過濾器20的熱再生不再發(fā)生，且微粒過濾器再生信號302(參見部分302c)和前驅(qū)體進(jìn)入信號304(參見部分304c)都設(shè)置至“關(guān)閉”狀態(tài)，而氨氣添加信號306(參見部分306c)可設(shè)置至“開啟”狀態(tài)?？傊?，氨氣30在微粒過濾器20的熱再生期間生成，并儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元70中(例如，通過結(jié)合至儲(chǔ)存材料72)，以用于選擇性地輸送至廢氣管18(例如，通過應(yīng)用熱源92)。根據(jù)廢氣系統(tǒng)16的要求，控制器80可隨時(shí)引導(dǎo)儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元70中的氨氣30到廢氣管18的輸送，無論熱再生是否發(fā)生。

圖1的控制器80可包括具有中央處理單元、存儲(chǔ)器(ram和/或rom)和相關(guān)聯(lián)的輸入和輸出總線的微處理器或計(jì)算機(jī)?？刂破?0可為專用集成電路，或可由其他本領(lǐng)域中已知的邏輯裝置形成?？刂破?0可包括組合成單個(gè)集成控制模塊的中央車輛主控制單元(例如，發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊(ecm))通路、交互車輛動(dòng)態(tài)模塊、主控制模塊和具有電源的控制電路，或可為獨(dú)立的控制模塊。

圖1的控制器80可包括計(jì)算裝置，該計(jì)算裝置采用用于存儲(chǔ)和執(zhí)行計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的操作系統(tǒng)或處理器。計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令可根據(jù)利用各種編程語言和/或技術(shù)創(chuàng)建的計(jì)算機(jī)程序進(jìn)行編譯或解釋，其中這些編程語言和/或技術(shù)單獨(dú)或組合地包括但不限于：java^tm、c、c++、visualbasic、javascript、perl等。一般而言，例如，處理器(例如，微處理器)從存儲(chǔ)器、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)等接收指令，并執(zhí)行這些指令，由此執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)流程，包括本文所述的流程中的一個(gè)或多個(gè)?？衫酶鞣N計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)來儲(chǔ)存和傳輸此類指令和其他數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(也被稱為處理器可讀介質(zhì))包括任何非瞬變(例如，有形)介質(zhì)，該非瞬變介質(zhì)參與提供可由計(jì)算機(jī)(例如，由計(jì)算機(jī)的處理器)讀取的數(shù)據(jù)(例如，指令)。此類介質(zhì)可采取多種形式，包括但不限于非易失性介質(zhì)和易失性介質(zhì)。例如，非易失性介質(zhì)可包括光盤或磁盤以及其他持久性存儲(chǔ)器。例如，易失性介質(zhì)可包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)，其可構(gòu)成主存儲(chǔ)器。此類指令可通過一個(gè)或多個(gè)傳輸介質(zhì)進(jìn)行傳輸，該傳輸介質(zhì)包括同軸電纜、銅線和光纖，該光纖包括包含耦接至計(jì)算機(jī)處理器的系統(tǒng)總線的線纜。例如，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的某些形式包括軟盤片、軟盤、硬盤、磁帶、任何其他磁性介質(zhì)、cd-rom、dvd、任何其他光學(xué)介質(zhì)、穿孔卡、紙帶、任何其他帶有穿孔圖案的物理介質(zhì)、ram、prom、eprom、閃速-eeprom、任何其他存儲(chǔ)芯片或存儲(chǔ)盒或任何其他計(jì)算機(jī)可讀的介質(zhì)。

詳細(xì)描述和附圖或圖支持并描述本公開，但是本公開的范圍僅由權(quán)利要求書進(jìn)行限定。雖然已詳細(xì)描述了用于實(shí)施要求保護(hù)的本公開的一些最佳方式和其他實(shí)施例，但是存在各種用于實(shí)踐所附權(quán)利要求書所限定的本公開的可選設(shè)計(jì)和實(shí)施例。此外，附圖所示的實(shí)施例或本說明書中提及的各種實(shí)施例的特征不一定要理解為相互獨(dú)立的實(shí)施例。相反，可能的是，在實(shí)施例的示例中的一個(gè)中描述的每一特征都可與一個(gè)或多個(gè)來自其他實(shí)施例的其他所需特征組合在一起，從而導(dǎo)致不通過文字或不參照附圖對其他實(shí)施例進(jìn)行描述。因此，此類其他實(shí)施例落入所附權(quán)利要求書的范圍的構(gòu)架之內(nèi)。