專利名稱：：改進除污系統(tǒng)操作的方法及設備的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明一般是涉及電子裝置制造系統(tǒng)，特別是一種改進除污系統(tǒng)(abatementsystem)操作的方法及設備。
背景技術：
：電子裝置制造工具傳統(tǒng)地是利用適以進行工藝(例如化學氣相沉積、外延硅生長、蝕刻等)以制造電子裝置的反應室或其它適合設備。該些工藝可能會產(chǎn)生具有不希望存在的化學物質(zhì)的廢棄物(工藝的副產(chǎn)物)。傳統(tǒng)的電子裝置制造系統(tǒng)是利用除污設備來處理上述的廢棄物。傳統(tǒng)的除污單元及工藝利用多種來源(例如試劑、水、電力等)來處理廢棄物。而此種除污單元一般對于其所處理的廢棄物僅有些許了解，因此，傳統(tǒng)的除污單元僅次最佳化地(sub-optimally)使用該些來源。然而，來源的次最佳化使用對于生產(chǎn)設備造成不預期的花費重擔。另外，對于未最佳化地使用來源的除污單元需要較頻繁的維護。因此，需要用于除污廢棄物的改進方法及設備。
發(fā)明內(nèi)容于本發(fā)明的一方面，提供一種設備，其包括(1)接口，是適以分析關于電子裝置制造系統(tǒng)的信息，此電子裝置制造系統(tǒng)是產(chǎn)生具有不希望存在的物質(zhì)的廢棄物，而該接口并適以提供關于該廢棄物的信息；以及(2)除污系統(tǒng)，適以接收關于該廢棄物的信息、接收該廢棄物，并減弱不希望存在的物質(zhì)。在本發(fā)明的另一方面，提供一種方法，其包括以除污系統(tǒng)接收信息，而此信息是關于具有不希望存在的物質(zhì)的廢棄物。本方法更包括接收該廢棄物。本發(fā)明的其它特征及方面通過下方詳細描述、權利要求及伴隨的圖式而變得更加明顯。圖1,繪示一電子裝置制造系統(tǒng)的示意圖，其包括電子裝置制造工具、泵、接口及根據(jù)本發(fā)明的除污系統(tǒng)。圖2,繪示根據(jù)本發(fā)明的一實施例而調(diào)整除污系統(tǒng)的方法流程圖。圖3，繪示破壞效率以及采用根據(jù)本發(fā)明的示范性除污處理的等離子除污系統(tǒng)所使用的等離子功率之間的示范性關系。圖4，繪示破壞效率以及采用根據(jù)本發(fā)明的示范性除污處理的等離子除污系統(tǒng)中作為反應物的水的流速兩者之間的示范性關系。主要組件符號說明<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>具體實施方式本發(fā)明是關于使電子裝置制造過程中產(chǎn)生的不希望存在的物質(zhì)除污最佳化的方法及設備。更特定的說，本發(fā)明是關于除污系統(tǒng)的最佳化，使其適于減弱或消除電子裝置制造工具的廢棄物中的不希望存在的物質(zhì)。經(jīng)最佳化的除污系統(tǒng)是可于除污處理中減弱或消除不希望存在的物質(zhì)。除污處理針對廢棄物中不同的不希望存在的物質(zhì)，而使用不同種類及/或量的來源。通過針對不希望存在的物質(zhì)使用最佳化的來源的量及/或種類，則此最佳化的除污系統(tǒng)可使得來源的使用最小化。除污來源的最佳化是透過對于待除污的物質(zhì)的量及/或種類的了解。因此，在本發(fā)明的至少一實施例中，待從廢棄物中除污的物質(zhì)的量及/或種類是于除污處理過程中(例如原位及/或?qū)崟r)判定，及/或基于自參考系統(tǒng)而先獲得的信息(將于下述)。舉例而言，通過僅使用減弱不希望存在的物質(zhì)所需的功率量，則相對于傳統(tǒng)的所需而可使用較少的功率，藉此，降低了除污系統(tǒng)的操作花費。其它的實例包括延長除污系統(tǒng)的周期性維護之間的時間，以及對于不希望存在的物質(zhì)具有較高的破壞效率，等等。廢棄物中不希望存在的物質(zhì)的種類及量是根據(jù)電子裝置制造工具所執(zhí)行的處理而有所不同。廢棄物中不希望存在的物質(zhì)可被量測及預測，而此信息是提供至一接口或適以分析此信息的適合設備。接口是提供分析結果至除污系統(tǒng)，而除污系統(tǒng)則利用此結果以最佳化地使用除污來源或增進除污來源的使用。除污處理可使用水、RF功率、溫度、天然氣等來除污廢棄物。除污處理的破壞效率是與所使用的來源量有關，而除污處理亦與廢棄物的種類及組成有關。在至少一實施例中，提供與廢棄物的種類及組成相關信息至除污系統(tǒng)(例如原位及/或?qū)崟r及/或基于參考系統(tǒng))，除污系統(tǒng)則利用此信息來修改來源的使用。因此，在不過度使用來源的前提下，可達到所期望的破壞效率。圖1繪示具有電子裝置制造工具、泵、接口及根據(jù)本發(fā)明的除污系統(tǒng)的電子裝置制造系統(tǒng)。電子裝置制造系統(tǒng)100可包括電子裝置制造工具102、泵104及除污系統(tǒng)106。電子裝置制造工具102包括一處理室108，處理室108是通過真空管路110而耦接至除污系統(tǒng)106。泵104則通過導管112而耦接至除污系統(tǒng)106。處理室108亦通過流體管路116而耦接至化學物質(zhì)輸送單元114。接口118可通過信號線路120而耦接至處理室108、化學物質(zhì)輸送單元114、泵104及除污系統(tǒng)106。除污系統(tǒng)106可包括一反應器122,而反應器122可耦接至電力/燃料源124、反應物源126及冷卻源128。電子裝置制造工具102是適以使用工藝而制造電子裝置。該些工藝是在低于周圍壓力(例如1大氣壓；1atm)的壓力下于處理室108中進行。舉例來說，部分工藝可于約8~700毫托(mTorr)的壓力下進行，但亦可采用其它壓力值。為了達到此壓力，泵104需將廢棄物(例如氣體、等離子等)自處理室108中移除。廢棄物可經(jīng)由真空管路110運送。待以泵104移除的廢棄物的化學前驅(qū)物(例如SiH4、NF3、CF4、BCl3等)是可經(jīng)由多種方法而添加入處理室108中。舉例來說，化學前驅(qū)物可自化學物質(zhì)輸送單元114經(jīng)由流體管路116而流至處理室108。另外，化學物質(zhì)輸送單元114是適以通過信號線路120而提供由化學物質(zhì)輸送單元114所提供的化學前驅(qū)物的信息(例如壓力、化學組成、流速等)。接口118是適以接收來自電子裝置制造系統(tǒng)100的信息。舉例來說，接口118可接收與處理室108中的工藝相關的信息。而該些信息包括工藝信息(例如工藝步驟時間、壓力、流體流速等)，并可以由傳感器、控制器或其它適合設備提供。接口118可使用此種信息以判定額外信息，例如廢棄物的參數(shù)。在一或多個實施例中，接口118可接收來自一或多個數(shù)據(jù)庫的信息，而該些數(shù)據(jù)庫包括與工藝相關的參數(shù)的已知行為。如先前并入的美國專利申請第—/——號，數(shù)據(jù)庫是總括來自所建構的參考系統(tǒng)(圖中未示)的信息，而此參考系統(tǒng)具有與電子裝置制造系統(tǒng)100相同的設計，并精密地量測此參考系統(tǒng)的系統(tǒng)參數(shù)隨著時間的變化。參考系統(tǒng)所得的參數(shù)量測值可用于推導描述一或多個參數(shù)隨著時間變化的行為的函數(shù)(例如最佳適配曲線、常態(tài)分布方程式等)，或是作為一或多個其它參數(shù)的函數(shù)。該些函數(shù)可以常數(shù)描迷，并組織于一數(shù)據(jù)庫中而可由接口118取得。接口118可使用數(shù)據(jù)庫中的信息以判定所期望及/或最佳的數(shù)值，藉以調(diào)整電子裝置制造系統(tǒng)100的真實參數(shù)。接口118可提供與廢棄物相關的信息至除污系統(tǒng)106，而該些信息可用于調(diào)整除污系統(tǒng)106的參數(shù)。廢棄物可經(jīng)由真空管路110而由處理室108運送至除污系統(tǒng)106。泵104可自處理室108移除廢棄物，并將廢棄物移至除污系統(tǒng)106。除污系統(tǒng)106是適以利用電力/燃料源124、反應物源126及/或冷卻源128來減弱廢棄物中不希望存在的物質(zhì)。在一實施例中，除污系統(tǒng)106可以為一等離子除污系統(tǒng)。示范性的等離子除污系統(tǒng)可以為購自力口州圣荷西的MetronTechnologylnc.的Litmas系統(tǒng)，但亦可采用其它除污系統(tǒng)。除污系統(tǒng)可以使用電力/燃料源124所供應的燃料/電力、反應物源126所供應的反應物(例如水、水蒸氣、氧氣、氬氣)，以及冷卻源128所供應的冷卻水或其它適當流體。除污系統(tǒng)106可形成等離子，其可用于減弱或消除廢棄物中的不希望存在的物質(zhì)，于下將更詳細描述。在相同或選擇性的實施例中，亦可包括后泵(post-pump)除污系統(tǒng)。舉例來說，除污系統(tǒng)106不存在于電子裝置制造系統(tǒng)100中，取而代之的，在泵104的下游是包括后泵除污系統(tǒng)。可選擇地，除了除污系統(tǒng)106之外，亦使用后泵除污系統(tǒng)。與廢棄物相關的信息亦提供至后泵除污系統(tǒng)。圖2是繪示根據(jù)本發(fā)明而調(diào)整除污系統(tǒng)的方法流程圖。方法200開始于步驟202，接著，在步驟204中，接口或其它適合設備可獲取關于參數(shù)組的信息。在步驟204中，接口可以自電子裝置制造系統(tǒng)、數(shù)據(jù)庫、預測性解決方法(predictivesolution)、參考系統(tǒng)等獲取信息。該些信息是關于電子裝置制造系統(tǒng)100所產(chǎn)生的廢棄物。而該些信息亦可包括電子裝置制造系統(tǒng)100可采用的除污系統(tǒng)106的種類。接著，步驟206開始。在步驟206中，接口118及/或除污系統(tǒng)106可分析于步驟204中所獲取的信息，以判定至少一所期望的除污參數(shù)值。舉例來說，接口118可分析信息以根據(jù)除污系統(tǒng)106的種類而判定需要經(jīng)調(diào)整的除污系統(tǒng)106參數(shù)。舉例來說，針對用于減弱氣態(tài)化學物質(zhì)(例如全氟化碳PFCs、所選的有機化合物VOCs等)的前泵(pre-pump)等離子除污系統(tǒng)106，則可調(diào)整其等離子功率。減弱的氣態(tài)化學物質(zhì)的量是與施加至氣態(tài)化學物質(zhì)的等離子功率量成比例。舉例來說，每分子PFCs需要數(shù)十個電子以造成任何實質(zhì)的解離，用以將PFCs減弱至所期望的層級。通過將等離子功率調(diào)整至最佳量，則可將除污處理最佳化。過量(例如高于最佳量)的等離子會對于反應器122的壁面造成不期望的破壞。更特定的說，對于反應器122壁面的破壞是與等離子中每分子的電子量成比例。因此，通過提供適當量的等離子功率，則反應器122可較不常進行替換。在一選擇性實施例中，于步驟206中需針對不同類型的除污系統(tǒng)106而做調(diào)整。舉例來說，可采用后泵等離子、催化性及/或燃燒除污系統(tǒng)106。在后泵等離子除污系統(tǒng)106中，可經(jīng)最佳化調(diào)整的參數(shù)包括功率、洗滌氣體(purgegas)流速、反應物及冷卻劑流速。針對后泵催化性除污系統(tǒng)106，可調(diào)整的參數(shù)包括洗滌氣體流速、反應物及冷卻劑流速。針對后泵燃燒催化性除污系統(tǒng)106,可經(jīng)最佳化調(diào)整的參數(shù)包括燃料流速、洗滌氣體流速、反應物及冷卻劑流速。于步驟208中，在分析上述信息之后，除污系統(tǒng)可調(diào)整除污參數(shù)以符合所期望的除污參數(shù)值。舉例來說，等離子功率可基于廢棄物中PFCs量的升高而升高至所期望量。接著，方法200可于步驟210結束。圖3是為顯示破壞效率與采用根據(jù)本發(fā)明的示范性除污處理的等離子除污系統(tǒng)所使用的等離子功率之間的關系的曲線圖。關系300是介于破壞效率302與除污處理的等離子功率304之間。待減弱的不希望存在的物質(zhì)可以為PFCs。所期望的破壞效率306繪示為水平虛線。低PFC流速曲線308、中等PFC流速曲線310及高PFC流速曲線312是可代表針對通過除污系統(tǒng)106的流速的破壞效率302與等離子功率304之間的關系300。低功率線314、中等功率線316及高功率線318是指出施加至PFCs的等離子功率304量。PFCs的破壞效率302是與PFCs的流速相關。舉例來說，PFCs流經(jīng)除污系統(tǒng)106的流速愈高，則在一特定等離子功率304下的PFCs破壞效率302愈低。因此，可調(diào)整等離子功率304以達到所期望的破壞效率306。所期望的破壞效率306可介于約85%~100%之間。針對高PFC流速，則可使用高PFC流速曲線312來判定于高PFC流速下達到所期望的破壞效率306所需的等離子功率304量。高功率線318指出達到所期望的破壞效率306所需的等離子功率304量。藉此方式，則可選擇適當?shù)牡入x子功率304層級。在選擇性的實施例中，可選擇更高或更低的等離子功率304。舉例來說，超過三種的等離子功率304層級可供選擇。更特定的說，等離子功率304的連續(xù)范圍是可供選擇?？蛇x擇地，針對低PFC流速層級，則可于等離子功率304的開啟/關閉應用上使用單一功率層級。同樣地，可提供超過三種的流速曲線以選擇適當?shù)墓β蕦蛹墸逡赃_到所期望的破壞效率306。舉例來說，等離子功率304與破壞效率302之間的關系是可界定超過PFC流速的連續(xù)范圍。圖4是為顯示破壞效率與采用根據(jù)本發(fā)明的示范性等離子除污處理的等離子除污系統(tǒng)中作為反應物的水的流速兩者之間的關系的曲線圖。破壞效率302與水流速402之間的關系400是由低PFC流速曲線404及高PFC流速曲線406來說明的。低水流速線408說明低PFC流速曲線404的峰值；高水流速線410說明高PFC流速曲線406的峰值?？赏ㄟ^調(diào)整水流速402至適當?shù)姆逯邓魉俣蛇_到所期望的破壞效率306。雖然圖中是繪示兩種PFC流速曲線，但本發(fā)明也可能僅使用單一曲線。可選擇地，本發(fā)明也可使用PFC流速的連續(xù)范圍。本發(fā)明可利用此種關系來判定適當?shù)乃魉伲宰罴鸦販p弱廢棄物中的PFC?？蛇x擇地，關系400是可關于除污處理中的化學反應。舉例來說，針對四氟化碳(CF4)的除污，根據(jù)反應CF4+2H20—C02+4HF而以氧化氫(水)的形式供應氫。可由上方反應得知，一份的CF4需要兩份的水，以完成轉(zhuǎn)化。因此，水流速可為CF4流速的兩倍。于部分實施例中，可利用為CF4或其它PFC氣體流速的高達7倍的水流速。上述的說明僅揭示本發(fā)明的示范實施例。對于上述設備及方法所做的落入本發(fā)明范圍的修改，對于熟悉本發(fā)明
技術領域：
的人士是明顯的。舉例來說，接口是可包括于電子裝置制造工具之中，其中除污系統(tǒng)是與電子裝置制造工具連通耦合，以獲取與廢棄物相關的信息。雖然本發(fā)明雖以較佳實施例說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)所作的更動與潤飾，仍應屬本發(fā)明的技術范疇。權利要求1.一種設備，包括接口，是適以分析關于電子裝置制造系統(tǒng)的信息，該電子裝置制造系統(tǒng)是產(chǎn)生具有不希望存在的物質(zhì)的廢棄物，而該接口并適以提供關于該廢棄物的信息；以及除污系統(tǒng)，是適以接收關于該廢棄物的該信息、接收該廢棄物，并減弱該不希望存在的物質(zhì)。2.如權利要求1所述的設備，其中該系統(tǒng)信息包括由該電子裝置制造系統(tǒng)所提供的信息。3.如權利要求1所述的設備，其中該系統(tǒng)信息包括預測性解決方法。4.如權利要求1所述的設備，其中該除污系統(tǒng)利用關于該廢棄物的該信息以減弱該不希望存在的物質(zhì)。5.如權利要求1所述的設備，其中該除污系統(tǒng)為等離子除污系統(tǒng)。6.如權利要求1所述的設備，其中該除污系統(tǒng)為催化性除污系統(tǒng)。7.如權利要求1所述的設備，其中該除污系統(tǒng)為燃燒除污系統(tǒng)。8.如權利要求1所述的設備，其中該廢棄物是由處理室產(chǎn)生。9.如權利要求8所述的設備，其中該廢棄物通過泵而由該處理室中移除。10.—種方法，包括以除污系統(tǒng)接收信息，其中該信息關于具有不希望存在的物質(zhì)的廢棄物；以及接收該廢棄物。11.如權利要求10所述的方法，其中關于該不希望存在的物質(zhì)的該信息是包括預測性解決方法。12.如權利要求10所述的方法，其中該信息是由接口提供。13.如權利要求12所述的方法，其更包括將與電子裝置制造系統(tǒng)相關的操作信息提供給該接口。14.如權利要求10所述的方法，其更包括以該除污系統(tǒng)來減弱該不希望存在的物質(zhì)。15.如權利要求14所述的方法，其中以該除污系統(tǒng)來減弱該不希望存在的物質(zhì)的步驟包括將該不希望存在的物質(zhì)與多個反應物進行反應。全文摘要根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種設備，其包括(1)接口，適以分析關于電子裝置制造系統(tǒng)的信息，此電子裝置制造系統(tǒng)產(chǎn)生具有不希望存在的物質(zhì)的廢棄物，而該接口并適以提供關于該廢棄物的信息；以及(2)除污系統(tǒng)，適以接收關于該廢棄物的信息、接收該廢棄物，并減弱不希望存在的物質(zhì)。本發(fā)明亦提供數(shù)種其它方面。文檔編號F01N3/10GK101400875SQ200780008980公開日2009年4月1日申請日期2007年3月14日優(yōu)先權日2006年3月16日發(fā)明者M·W·柯里,P·波西內(nèi)夫,S·拉烏申請人:應用材料股份有限公司