專利名稱：發(fā)電裝置、半導(dǎo)體裝置以及發(fā)電裝置的成形方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)電裝置，特別是有關(guān)于一種可將震動(dòng)能量轉(zhuǎn)換成電能的發(fā)電裝置。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有的發(fā)電裝置或動(dòng)力產(chǎn)生裝置可以具有各種不同的形式，有的是采用機(jī)械或物理的方式來(lái)發(fā)電或產(chǎn)生動(dòng)力，有的則是利用電子電路的設(shè)計(jì)來(lái)達(dá)成發(fā)電或產(chǎn)生動(dòng)力的目的。
舉例來(lái)說(shuō)，一自動(dòng)上發(fā)條(self-winding)的手表可以藉由任何的震動(dòng)而獲得動(dòng)力，以使手表不停的運(yùn)轉(zhuǎn)，故此種自動(dòng)上發(fā)條的手表乃是藉由震動(dòng)而產(chǎn)生動(dòng)力的代表。
在美國(guó)專利第6,515,375號(hào)中揭露有一種電力產(chǎn)生裝置，其具有可自由漂浮在一水面上的一交流發(fā)電機(jī)(alternator)，同時(shí)，該交流發(fā)電機(jī)具有一磁鐵以及一線圈結(jié)構(gòu)。當(dāng)該水面產(chǎn)生波浪運(yùn)動(dòng)時(shí)，該磁鐵以及該線圈結(jié)構(gòu)亦會(huì)隨之產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)，因此可產(chǎn)生流經(jīng)該線圈結(jié)構(gòu)的感應(yīng)電流，然后此感應(yīng)電流可以進(jìn)一步地被輸出使用或儲(chǔ)存。
在美國(guó)專利第6,509,894號(hào)中揭露有一種應(yīng)用于液晶顯示器的電力產(chǎn)生方法，但是此種電力產(chǎn)生方法乃是運(yùn)用一電力產(chǎn)生電路來(lái)達(dá)成，而非采用機(jī)械或物理的方式來(lái)達(dá)成。
雖然美國(guó)專利第6,515,375號(hào)的電力產(chǎn)生裝置是以物理方式來(lái)進(jìn)行電力產(chǎn)生的目的，然而其構(gòu)造方式過(guò)于復(fù)雜，且由于其需要搭配水或液體的存在才可運(yùn)作，因此必須限定于特定的環(huán)境場(chǎng)合使用。
有鑒于此，本發(fā)明的目的是要提供一種可輕易產(chǎn)生電力的發(fā)電裝置，其可將周圍環(huán)境震動(dòng)所產(chǎn)生的能量轉(zhuǎn)換成電能或電力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明基本上采用如下所詳述的特征以為了要解決上述的問(wèn)題。也就是說(shuō)，本發(fā)明的一目的是要提供一種發(fā)電裝置，并且包括一第一基材；一第二基材，設(shè)置于該第一基材之上，其中，該第一基材與該第二基材之間是形成有一腔體；一磁性薄膜，設(shè)置于該第一基材與該第二基材之間，并且是位于該腔體之中，其中，該磁性薄膜具有一固定磁場(chǎng)；一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于該第一基材之下，并且對(duì)應(yīng)于該腔體；一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二基材之上，并且對(duì)應(yīng)于該腔體；以及一電力儲(chǔ)存裝置，電性連接于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層。
同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的上述目的，該發(fā)電裝置是設(shè)置于一半導(dǎo)體芯片之中，用以將震動(dòng)能量轉(zhuǎn)換成電能而獲得電力。
又根據(jù)上述目的，該發(fā)電裝置更包括一第一回路以及一第二回路，該電力儲(chǔ)存裝置是藉由該第一回路而連接于該第一導(dǎo)電層，以及該電力儲(chǔ)存裝置是藉由該第二回路而連接于該第二導(dǎo)電層。
又根據(jù)上述目的，該發(fā)電裝置更包括一第一絕緣控制開(kāi)關(guān)以及一第二絕緣控制開(kāi)關(guān)，該第一絕緣控制開(kāi)關(guān)是設(shè)置于該第一回路之上，該第二絕緣控制開(kāi)關(guān)是設(shè)置于該第二回路之上。
又根據(jù)上述目的，該第一絕緣控制開(kāi)關(guān)以及該第二絕緣控制開(kāi)關(guān)為N型晶體管(NMOS)。
又根據(jù)上述目的，該第一基材以及該第二基材是由絕緣材料所制成。
又根據(jù)上述目的，該第一導(dǎo)電層更具有一第一線圈電路，以及該第二導(dǎo)電層更具有一第二線圈電路。
又根據(jù)上述目的，該第一線圈電路以及該第二線圈電路是以微影蝕刻(photolithography and etching)的方式而分別成形于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層之上。
又根據(jù)上述目的，該第一線圈電路以及該第二線圈電路是以印刷的方式而分別成形于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層之上。
又根據(jù)上述目的，該腔體是處于一真空狀態(tài)。
又根據(jù)上述目的，該真空狀態(tài)為10-6torr。
又根據(jù)上述目的，該電力儲(chǔ)存裝置是一電容器。
又根據(jù)上述目的，該電力儲(chǔ)存裝置是一電池。
本發(fā)明的另一目的是要提供一種發(fā)電裝置的成形方法，其包括下列步驟提供一第一絕緣基材；成形一第一導(dǎo)電層于該第一絕緣基材的下表面；成形一第二絕緣基材于該第一絕緣基材之上；在該第一絕緣基材與該第二絕緣基材之間界定一腔體；在該第一絕緣基材與該第二絕緣基材之間成形一磁性薄膜以分離該腔體；以及成形一第二導(dǎo)電層于該第二絕緣基材之上。
本發(fā)明的另一目的是要提供一種發(fā)電裝置的成形方法，其包括下列步驟提供一第一絕緣材料；成形一第一導(dǎo)電層于該第一絕緣材料的下表面；在該第一絕緣材料之上且對(duì)應(yīng)于該第一導(dǎo)電層之處挖設(shè)一凹入部；填充一第二絕緣材料于該凹入部之中；制作一磁性薄膜于該第一絕緣材料的該凹入部之上；成形一第三絕緣材料于該磁性薄膜之上，其中，該第三絕緣材料是對(duì)應(yīng)于該第二絕緣材料；成形一第四絕緣材料于該第一絕緣材料以及該磁性薄膜之上，其中，該第四絕緣材料是包圍該第三絕緣材料；成形一第五絕緣材料于該第三絕緣材料以及該第四絕緣材料之上；成形至少一第一透槽于該第五絕緣材料之上，其中，該第一透槽是位于該第三絕緣材料之上；成形一第六絕緣材料于該第五絕緣材料之上以及該第一透槽之中；成形多個(gè)第二透槽于該第六絕緣材料之上，其中，所述的第二透槽是位于該第五絕緣材料之上；成形一第七絕緣材料于該第六絕緣材料之上以及所述的第二透槽之中；去除該第二絕緣材料、該第三絕緣材料以及該第六絕緣材料以形成一腔體，其中，該磁性薄膜是位于該腔體之中；使該腔體成為一真空狀態(tài)；濺鍍一第二導(dǎo)電層于該第五絕緣材料以及該第七絕緣材料之上；在該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層之上分別成形一第一線圈電路以及一第二線圈電路；以及連接該第一線圈電路以及該第二線圈電路于一電力儲(chǔ)存裝置。
同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的上述目的，該第一絕緣材料、該第四絕緣材料、該第五絕緣材料以及該第七絕緣材料為氮化硅(SiN)。
又根據(jù)上述目的，該第二絕緣材料、該第三絕緣材料以及該第六絕緣材料是由相同的材料所制成。
又根據(jù)上述目的，該第二絕緣材料、該第三絕緣材料以及該第六絕緣材料為氟硅玻璃(Fluorinated silicate glass，F(xiàn)SG)或旋涂式玻璃(Spin onglass，SOG)。
又根據(jù)上述目的，該第一透槽是以蝕刻(etching)方式所形成。
又根據(jù)上述目的，所述的第二透槽是以蝕刻(etching)方式所形成。
又根據(jù)上述目的，該第二絕緣材料、該第三絕緣材料以及該第六絕緣材料是以濕蝕刻(wet etching)方式而去除。
又根據(jù)上述目的，該濕蝕刻是采用氫氟酸溶液(HF)。
又根據(jù)上述目的，該腔體的真空狀態(tài)為10-6torr。
又根據(jù)上述目的，該第一線圈電路以及該第二線圈電路是以微影蝕刻(photolithography and etching)的方式而分別成形于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層之上。
又根據(jù)上述目的，該第一線圈電路以及該第二線圈電路是以印刷的方式而分別成形于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層之上。
又根據(jù)上述目的，該電力儲(chǔ)存裝置是一電容器。
又根據(jù)上述目的，該電力儲(chǔ)存裝置是一電池。


圖1A是顯示本發(fā)明的發(fā)電裝置的成形結(jié)構(gòu)示意圖；圖1B是顯示根據(jù)圖1A的A-A剖面示意圖；圖1C是顯示根據(jù)圖1A的B-B剖面示意圖；圖2A是顯示本發(fā)明的發(fā)電裝置的成形結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B是顯示根據(jù)圖2A的A-A剖面示意圖；圖2C是顯示根據(jù)圖2A的B-B剖面示意圖；圖3A是顯示本發(fā)明的發(fā)電裝置的成形結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3B是顯示根據(jù)圖3A的A-A剖面示意圖；圖3C是顯示根據(jù)圖3A的B-B剖面示意圖；圖4A是顯示本發(fā)明的發(fā)電裝置的成形結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B是顯示根據(jù)圖4A的A-A剖面示意圖；圖4C是顯示根據(jù)圖4A的B-B剖面示意圖；圖5A是顯示本發(fā)明的發(fā)電裝置的成形結(jié)構(gòu)示意圖；圖5B是顯示根據(jù)圖5A的A-A剖面示意圖；圖5C是顯示根據(jù)圖5A的B-B剖面示意圖；圖6是顯示本發(fā)明的發(fā)電裝置的成形結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖7A是顯示本發(fā)明的發(fā)電裝置的成形結(jié)構(gòu)示意圖；圖7B是顯示根據(jù)圖7A的A-A剖面示意圖；圖7C是顯示根據(jù)圖7A的B-B剖面示意圖；圖8A是顯示本發(fā)明的發(fā)電裝置的成形結(jié)構(gòu)示意圖；圖8B是顯示根據(jù)圖8A的A-A剖面示意圖；以及圖8C是顯示根據(jù)圖8A的B-B剖面示意圖。
符號(hào)說(shuō)明100～發(fā)電裝置110～第一基材120～第二基材130～磁性薄膜140～第一導(dǎo)電層150～第二導(dǎo)電層160～電力儲(chǔ)存裝置
170～腔體180～第一回路181～第一絕緣控制開(kāi)關(guān)190～第二回路191～第二絕緣控制開(kāi)關(guān)210～第一絕緣材料211～下表面212～凹入部230～第二絕緣材料250～第三絕緣材料260～第四絕緣材料270～第五絕緣材料271～第一透槽280～第六絕緣材料281～第二透槽290～第七絕緣材料A、B～方向具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例并配合所附圖式做詳細(xì)說(shuō)明。
茲配合圖式說(shuō)明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
請(qǐng)先參閱圖8B，本發(fā)明的發(fā)電裝置100是設(shè)置(鑲嵌)于一半導(dǎo)體芯片10之中，用以將震動(dòng)能量轉(zhuǎn)換成電能而獲得電力。發(fā)電裝置100主要包括有一第一基材110、一第二基材120、一磁性薄膜130、一第一導(dǎo)電層140、一第二導(dǎo)電層150以及一電力儲(chǔ)存裝置160。第二基材120是設(shè)置于第一基材110之上，并且在第一基材110與第二基材120之間是形成有一腔體(如震動(dòng)腔)170，同時(shí)，第一基材110以及第二基材120是由絕緣材料所制成。磁性薄膜130是設(shè)置于第一基材110與第二基材120之間，并且磁性薄膜130是位于腔體170之中，同時(shí)，磁性薄膜130可以具有一固定磁場(chǎng)。第一導(dǎo)電層140可以是一金屬層，并且是設(shè)置于第一基材110的下方，第一導(dǎo)電層140的位置是對(duì)應(yīng)于腔體170的位置。第二導(dǎo)電層150可以是一金屬層，并且是設(shè)置于第二基材120的上方，第二導(dǎo)電層150的位置是對(duì)應(yīng)于腔體170的位置。電力儲(chǔ)存裝置160則是電性連接于第一導(dǎo)電層140以及第二導(dǎo)電層150。
此外，本發(fā)明的發(fā)電裝置100還包括有一第一回路180以及一第二回路190，故電力儲(chǔ)存裝置160是藉由第一回路180而連接于第一導(dǎo)電層140，以及電力儲(chǔ)存裝置160是藉由第二回路190而連接于第二導(dǎo)電層150。同時(shí)，在第一回路180上還具有一第一絕緣控制開(kāi)關(guān)181，以及在第二回路190上還具有一第二絕緣控制開(kāi)關(guān)191。以下將會(huì)說(shuō)明第一絕緣控制開(kāi)關(guān)181以及第二絕緣控制開(kāi)關(guān)191是用來(lái)控制在第一回路180以及第二回路190中的電流流動(dòng)。此外，第一絕緣控制開(kāi)關(guān)181以及第二絕緣控制開(kāi)關(guān)191可以是一種N型晶體管(NMOS)。
如上所述，在第一導(dǎo)電層140之上還成形有一第一線圈電路(未顯示)，以及在第二導(dǎo)電層150之上還成形有一第二線圈電路(未顯示)。以下將會(huì)說(shuō)明當(dāng)磁性薄膜130震動(dòng)時(shí)，第一線圈電路以及第二線圈電路會(huì)由于磁性薄膜130的變化磁場(chǎng)而產(chǎn)生感應(yīng)電流。第一線圈電路以及第二線圈電路乃是以微影蝕刻(photolithography and etching)的方式或印刷的方式而分別成形于第一導(dǎo)電層140以及第二導(dǎo)電層150之上。
此外，電力儲(chǔ)存裝置160可以是一電容器或一電池等可收集電力的組件。特別地，腔體170是處于一約10-6torr的高真空狀態(tài)。
接下來(lái)將先說(shuō)明本發(fā)明的發(fā)電裝置100的成形方法。
請(qǐng)參閱圖1A、圖1B以及圖1C，首先，提供一第一絕緣材料210。在以下的敘述中，為了清楚敘述發(fā)電裝置100的成形方法，第一絕緣材料210是與圖8B及圖8C中所示的第一基材110相同的。接著，在第一絕緣材料210的下表面211成形一第一導(dǎo)電層140。然后，先在第一絕緣材料210的上方且對(duì)應(yīng)于第一導(dǎo)電層140的位置處挖設(shè)一凹入部212，再填充一第二絕緣材料230于凹入部212之中。接著，制作一磁性薄膜130于第一絕緣材料210的凹入部212之上。
請(qǐng)參閱圖2A、圖2B以及圖2C，成形一第三絕緣材料250于磁性薄膜130之上，并且第三絕緣材料250的位置是對(duì)應(yīng)于第二絕緣材料230的位置。接著，成形一第四絕緣材料260于第一絕緣材料210以及磁性薄膜130之上，并且第四絕緣材料260是包圍著第三絕緣材料250。
請(qǐng)參閱圖3A、圖3B以及圖3C，成形一第五絕緣材料270于第三絕緣材料250以及第四絕緣材料260之上。接著，成形二第一透槽271于第五絕緣材料270之上，并且此二第一透槽271是位于第三絕緣材料250的上方，如圖3A以及圖3C所示。特別地，第一透槽271是以蝕刻(etching)的方式而形成于第五絕緣材料270之上。
第一透槽271是成形于第五絕緣材料270之上，以利進(jìn)行后續(xù)的成形過(guò)程。
請(qǐng)參閱圖4A、圖4B以及圖4C，成形一第六絕緣材料280于第五絕緣材料270之上以及第一透槽271之中。接著，成形多個(gè)第二透槽281于第六絕緣材料280之上，并且此多個(gè)第二透槽281是位于第五絕緣材料270的上方，如圖4A以及圖4C所示。特別地，第二透槽281是以蝕刻(etching)的方式而形成于第六絕緣材料280之上。
請(qǐng)參閱圖5A、圖5B以及圖5C，成形二第七絕緣材料290于第六絕緣材料280之上以及第二透槽281之中。
請(qǐng)參閱圖6，以濕蝕刻(wet etching)方式去除第二絕緣材料230、第三絕緣材料250以及第六絕緣材料280以形成腔體170，同時(shí)，磁性薄膜130是位于腔體170之中。至于上述濕蝕刻(wet etching)的方式，則是利用氫氟酸溶液(HF)來(lái)將第二絕緣材料230、第三絕緣材料250以及第六絕緣材料280腐蝕掉。在此需特別說(shuō)明的是，第一絕緣材料210、第四絕緣材料260、第五絕緣材料270以及第七絕緣材料290是由質(zhì)地較為堅(jiān)硬或較不易被酸所腐蝕的材質(zhì)所制成，例如氮化硅(SiN)。至于第二絕緣材料230、第三絕緣材料250以及第六絕緣材料280，則是由質(zhì)地較為松散或較易被酸所腐蝕的材質(zhì)所制成，例如氟硅玻璃(Fluorinated silicate glass，F(xiàn)SG)或旋涂式玻璃(Spin onglass，SOG)。因此，當(dāng)?shù)诙^緣材料230、第三絕緣材料250以及第六絕緣材料280遇到氫氟酸溶液(HF)時(shí)，其就會(huì)很容易地被腐蝕掉，而當(dāng)?shù)谝唤^緣材料210、第四絕緣材料260、第五絕緣材料270以及第七絕緣材料290遇到氫氟酸溶液(HF)時(shí)，其仍不會(huì)被腐蝕掉。
請(qǐng)參閱圖7A、圖7B以及圖7C，將腔體170抽真空，直到腔體170的真空狀態(tài)至少達(dá)到10-6torr。接著，濺鍍一第二導(dǎo)電層150于第五絕緣材料270以及第七絕緣材料290之上。然后，以微影蝕刻(photolithography andetching)的方式或印刷的方式分別在第一導(dǎo)電層140以及第二導(dǎo)電層150之上成形一第一線圈電路(未顯示)以及一第二線圈電路(未顯示)。
最后，分別連接第一回路180以及第二回路190于電力儲(chǔ)存裝置160，即可完成如圖8B所示的發(fā)電裝置100。在發(fā)電裝置100中，第二基材120是由第四絕緣材料260、第五絕緣材料270以及第七絕緣材料290所構(gòu)成，而第一基材110即為第一絕緣材料210。
接下來(lái)說(shuō)明發(fā)電裝置100的運(yùn)作方式。
請(qǐng)參閱圖8A、圖8B以及圖8C，由于磁性薄膜130的二端是固定于第一基材110與第二基材120之間，而磁性薄膜130的中央部分是懸空于腔體170之中，因此，當(dāng)發(fā)電裝置100被放置于一震動(dòng)源之上并隨之震動(dòng)時(shí)，磁性薄膜130的中央部分便會(huì)產(chǎn)生上下擺動(dòng)，如箭頭A、B所示方向。由于磁性薄膜130具有一固定磁場(chǎng)，故當(dāng)磁性薄膜130的中央部分上下擺動(dòng)時(shí)，會(huì)誘發(fā)第一導(dǎo)電層140的第一線圈電路以及第二導(dǎo)電層150的第二線圈電路產(chǎn)生感應(yīng)電流，這些感應(yīng)電流可以透過(guò)第一回路180以及第二回路190流至電力儲(chǔ)存裝置160之中，以對(duì)電力儲(chǔ)存裝置160充電，或由電力儲(chǔ)存裝置160所收集。
至于在第一回路180以及第二回路190中分別設(shè)置第一絕緣控制開(kāi)關(guān)181以及第二絕緣控制開(kāi)關(guān)191的目的則敘述如下。如圖8B所示，當(dāng)磁性薄膜130的中央部分以A方向移動(dòng)時(shí)，磁性薄膜130會(huì)誘發(fā)第一導(dǎo)電層140的第一線圈電路產(chǎn)生感應(yīng)電流，此時(shí)，第一絕緣控制開(kāi)關(guān)181(N型晶體管)便會(huì)被導(dǎo)通而使第一回路180完全導(dǎo)通，故第一線圈電路上的感應(yīng)電流會(huì)流入電力儲(chǔ)存裝置160之中。當(dāng)磁性薄膜130的中央部分以B方向往回移動(dòng)時(shí)，第一線圈電路上的感應(yīng)電流會(huì)逐漸減少，直到磁性薄膜130的中央部分回到其起始狀態(tài)時(shí)，則不再有感應(yīng)電流。但是當(dāng)磁性薄膜130的中央部分繼續(xù)以B方向朝第二導(dǎo)電層150移動(dòng)時(shí)，同樣會(huì)誘發(fā)第二導(dǎo)電層150的第二線圈電路產(chǎn)生感應(yīng)電流，然而，此時(shí)的第一導(dǎo)電層140的第一線圈電路又會(huì)產(chǎn)生一反向的感應(yīng)電流，因而誘使電力儲(chǔ)存裝置160中的電流往回流入第一導(dǎo)電層140的第一線圈電路之中。因此，為避免此一現(xiàn)象，設(shè)置第一絕緣控制開(kāi)關(guān)181(N型晶體管)來(lái)阻止感應(yīng)電流從電力儲(chǔ)存裝置160中流出。如上所述，第一絕緣控制開(kāi)關(guān)181(N型晶體管)不但可使第一線圈電路的感應(yīng)電流流入電力儲(chǔ)存裝置160之中，還可防止電力儲(chǔ)存裝置160中的電流往回流入第一導(dǎo)電層140的第一線圈電路之中。同樣地，第二回路190的第二絕緣控制開(kāi)關(guān)191(N型晶體管)的功能是與第一絕緣控制開(kāi)關(guān)181完全相同。
綜上所述，本發(fā)明的發(fā)電裝置100可以放置于任何震動(dòng)源之上或鑲嵌于任何可產(chǎn)生震動(dòng)的裝置中，以將震動(dòng)能量轉(zhuǎn)換成電能。因此，本發(fā)明的發(fā)電裝置100不但可輕易取得電力，其更具有極高的環(huán)保效益與利用價(jià)值。此外，本發(fā)明的發(fā)電裝置100并不局限于僅是小體積的發(fā)電裝置，換言之，本發(fā)明的發(fā)電裝置100亦可以依應(yīng)用場(chǎng)合的不同而為大體積的發(fā)電裝置(例如相當(dāng)于房屋或車子大小的發(fā)電裝置)。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)電裝置的成形方法，包括下列步驟提供一第一絕緣材料；成形一第一導(dǎo)電層于該第一絕緣材料的下表面；在該第一絕緣材料之上且對(duì)應(yīng)于該第一導(dǎo)電層之處挖設(shè)一凹入部；填充一第二絕緣材料于該凹入部之中；制作一磁性薄膜于該第一絕緣材料的該凹入部之上；成形一第三絕緣材料于該磁性薄膜之上，其中，該第三絕緣材料是對(duì)應(yīng)于該第二絕緣材料；成形一第四絕緣材料于該第一絕緣材料以及該磁性薄膜之上，其中，該第四絕緣材料是包圍該第三絕緣材料；成形一第五絕緣材料于該第三絕緣材料以及該第四絕緣材料之上；成形至少一第一透槽于該第五絕緣材料之上，其中，該第一透槽是位于該第三絕緣材料之上；成形一第六絕緣材料于該第五絕緣材料之上以及該第一透槽之中；成形多個(gè)第二透槽于該第六絕緣材料之上，其中，所述的第二透槽是位于該第五絕緣材料之上；成形一第七絕緣材料于該第六絕緣材料之上以及所述的第二透槽之中；去除該第二絕緣材料、該第三絕緣材料以及該第六絕緣材料以形成一腔體，其中，該磁性薄膜是位于該腔體之中；使該腔體成為一真空狀態(tài)；濺鍍一第二導(dǎo)電層于該第五絕緣材料以及該第七絕緣材料之上；在該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層之上分別成形一第一線圈電路以及一第二線圈電路；以及連接該第一線圈電路以及該第二線圈電路于一電力儲(chǔ)存裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該第一絕緣材料、該第四絕緣材料、該第五絕緣材料以及該第七絕緣材料為氮化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該第二絕緣材料、該第三絕緣材料以及該第六絕緣材料是由相同的材料所制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該第二絕緣材料、該第三絕緣材料以及該第六絕緣材料為氟硅玻璃或旋涂式玻璃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該第一透槽以及所述的第二透槽是以蝕刻方式所形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該第二絕緣材料、該第三絕緣材料以及該第六絕緣材料是以濕蝕刻方式而去除。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該腔體的真空狀態(tài)為10-6torr。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該第一線圈電路以及該第二線圈電路是以微影蝕刻或印刷的方式而分別成形于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層之上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該電力儲(chǔ)存裝置是一電容器或一電池。
10.一種發(fā)電裝置，包括一第一基材；一第二基材，設(shè)置于該第一基材之上，其中，該第一基材與該第二基材之間是形成有一腔體；一磁性薄膜，設(shè)置于該第一基材與該第二基材之間，并且是位于該腔體之中，其中，該磁性薄膜具有一固定磁場(chǎng)；一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于該第一基材之下，并且對(duì)應(yīng)于該腔體；一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二基材之上，并且對(duì)應(yīng)于該腔體；以及一電力儲(chǔ)存裝置，電性連接于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)電裝置，更包括一第一回路以及一第二回路，該電力儲(chǔ)存裝置是藉由該第一回路而連接于該第一導(dǎo)電層，以及該電力儲(chǔ)存裝置是藉由該第二回路而連接于該第二導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)電裝置，更包括一第一絕緣控制開(kāi)關(guān)以及一第二絕緣控制開(kāi)關(guān)，該第一絕緣控制開(kāi)關(guān)是設(shè)置于該第一回路之上，該第二絕緣控制開(kāi)關(guān)是設(shè)置于該第二回路之上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)電裝置，其中，該第一絕緣控制開(kāi)關(guān)以及該第二絕緣控制開(kāi)關(guān)為N型晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)電裝置，其中，該第一基材以及該第二基材是由絕緣材料所制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)電裝置，其中，該第一導(dǎo)電層更具有一第一線圈電路，該第二導(dǎo)電層更具有一第二線圈電路，以及該第一線圈電路與該第二線圈電路是以微影蝕刻或印刷的方式而分別成形于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層之上。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)電裝置，其中，該腔體是處于一真空狀態(tài)，并且該真空狀態(tài)為10-6torr。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)電裝置，其中，該電力儲(chǔ)存裝置是一電容器或一電池。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)電裝置，其中，該第一基材與該第二基材為氮化硅。
19.一種發(fā)電裝置的成形方法，包括下列步驟提供一第一絕緣基材；成形一第一導(dǎo)電層于該第一絕緣基材的下表面；成形一第二絕緣基材于該第一絕緣基材之上；在該第一絕緣基材與該第二絕緣基材之間界定一腔體；在該第一絕緣基材與該第二絕緣基材之間成形一磁性薄膜以分離該腔體；以及成形一第二導(dǎo)電層于該第二絕緣基材之上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)電裝置的成形方法，其中，該腔體是處于一真空狀態(tài)，并且該真空狀態(tài)為10-6torr。
全文摘要
一種發(fā)電裝置，包括一第一基材、一第二基材、一磁性薄膜、一第一導(dǎo)電層、一第二導(dǎo)電層以及一電力儲(chǔ)存裝置。該第二基材是設(shè)置于該第一基材之上，該第一基材與該第二基材之間是形成有一腔體。該磁性薄膜是設(shè)置于該第一基材與該第二基材之間，并且是位于該腔體之中，同時(shí)，該磁性薄膜具有一固定磁場(chǎng)。該第一導(dǎo)電層是設(shè)置于該第一基材之下，并且對(duì)應(yīng)于該腔體。該第二導(dǎo)電層是設(shè)置于該第二基材之上，并且對(duì)應(yīng)于該腔體。該電力儲(chǔ)存裝置是電性連接于該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)F03G7/00GK1619923SQ200410090428
公開(kāi)日2005年5月25日 申請(qǐng)日期2004年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月19日
發(fā)明者盧乃誠(chéng) 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司