用于捕獲二氧化碳的氫氣分離膜組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于捕獲二氧化碳（CO2)的氫氣分離膜組件，且更具體地涉及采用 可以抑制與分離膜組件中的碳源反應(yīng)以阻止由副反應(yīng)引起的碳的發(fā)生（occurrence Of carbon)以及氫氣局部壓力下降的組件材料用于捕獲二氧化碳的氫氣分離膜組件。
【背景技術(shù)】
[0002] 在整體煤氣化聯(lián)合循環(huán)（integrated gasification combined cycle，IGCC)過(guò)程 中，碳捕獲與封存（CCS)是通過(guò)煤氣化、脫硫、水煤氣變換（WGS)反應(yīng)、水分離和采用分離膜 的二氧化碳和氫氣分離的五個(gè)步驟完成的。WGS反應(yīng)是如在下面公式中所示的用于制備氫 氣和二氧化碳的反應(yīng)，并用氫氣分離膜捕獲在WGS反應(yīng)中產(chǎn)生的氫氣和二氧化碳中的二氧 化碳以制備高純度的氫氣。
[0003]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于捕獲二氧化碳的氫氣分離膜組件，其包含： 作為所述組件的材料的含有20-30wt%鉻（Cr)和12-35wt%鎳（Ni)的奧氏體不銹鋼， 以抑制與在所述氫氣分離膜組件的表面上產(chǎn)生的碳源進(jìn)行反應(yīng)并防止碳攝取。
2. -種用于捕獲二氧化碳的氫氣分離膜組件，其包含： 作為所述組件的材料的含有20-30wt%鉻（Cr)、12-35wt%鎳（Ni)和1.5-3wt%硅 (Si)的奧氏體不銹鋼，以抑制與在所述氫氣分離膜組件的表面上產(chǎn)生的碳源進(jìn)行反應(yīng)并防 止碳攝取。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫氣分離膜組件，其包含作為所述組件的材料的含有 22-26wt%鉻（Cr)和12-22wt%鎳（Ni)的奧氏體不銹鋼。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的氫氣分離膜組件，其包含作為所述組件的材料的含有 22-26wt%鉻（Cr)、12-22wt%鎳（Ni)和 1.5-3wt%硅（Si)的奧氏體不銹鋼。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫氣分離膜組件，其中所述奧氏體不銹鋼為AISI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) SS309S和SS310S中的任意一種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的氫氣分離膜組件，其中所述奧氏體不銹鋼為AISI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) SS314〇
【專利摘要】本發(fā)明提供用于捕獲二氧化碳的氫氣分離膜組件。根據(jù)本發(fā)明，組件材料用于抑制由在碳捕獲與封存(CCS)過(guò)程期間分離膜組件中碳源的反應(yīng)性，并且能阻止碳的發(fā)生和由副反應(yīng)引起的氫氣局部壓力的下降。
【IPC分類】B01D53-62, B01D63-00, B01D53-22, B01D71-02
【公開號(hào)】CN104870076
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380066410
【發(fā)明人】李信根, 樸種洙, 李春枎, 李晟旭
【申請(qǐng)人】韓國(guó)能源技術(shù)研究院
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2013年10月30日
【公告號(hào)】WO2014092332A1