一種點接觸式真空吸盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程中噴膠工藝的晶片真空吸附裝置，具體地說是一種點接觸式真空吸盤。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，對于半導(dǎo)體制程的多樣化，噴膠設(shè)備中很多的工藝處理越來越復(fù)雜，在制程過程中對于晶片的真空吸附的要求也越來越高，在滿足制程所必須真空吸附功能的前提下，還需要保證其吸附的穩(wěn)定性，吸附時晶片自身不發(fā)生變形和翹曲，以實現(xiàn)最好的真空吸附效果來配合噴膠工藝的進行。
[0003]傳統(tǒng)的噴膠工藝中真空吸盤，吸盤在與晶片的接觸面上有多圈同心的環(huán)形槽結(jié)構(gòu)，晶片置于吸盤上時，該環(huán)形槽內(nèi)均為真空的作用空間，直接吸附晶片，真空與晶片作用空間很大，吸附效果良好，但吸盤與晶片的整體接觸范圍受限于吸盤的尺寸，因吸盤為PPS材料，造價非常高，不便將吸盤制作成與8寸或12寸晶片同等大小，因此在環(huán)形槽吸盤真空吸附作用時，晶片與吸盤接觸的范圍內(nèi)，吸附作用明顯，其不直接接觸的范圍內(nèi)，則既無真空吸附，也無接觸，易產(chǎn)生晶片的翹曲。在吸盤的環(huán)形槽處，槽頂與晶片直接接觸，因真空作用，晶片會壓緊槽頂，在制程過程中會在晶片表面產(chǎn)生壓痕，該壓痕與環(huán)形槽的尺寸一致，將大范圍遍布于晶片與吸盤的接觸范圍之中。
[0004]如圖1所示，傳統(tǒng)的吸盤的結(jié)構(gòu)，帶環(huán)形槽吸盤10為中空式，真空形成的負壓通過吸盤的上表面的一系列環(huán)形槽將晶片I吸附，晶片與吸盤上表面接觸，在吸盤上表面的邊緣圓周處可形成真空密封，環(huán)形槽區(qū)域即為真空作用區(qū)域，晶片位于吸盤以外的范圍無真空作用，真空吸附時，吸盤環(huán)形槽邊緣與晶片接觸處易產(chǎn)生擠壓，會導(dǎo)致晶片變形和翹曲以致產(chǎn)生壓痕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種點接觸式真空吸盤。該點接觸式真空吸盤吸附作用良好，可以防止晶片翹曲，使晶片表面均勻接受真空作用，達到良好的效果。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0007]一種點接觸式真空吸盤，吸盤與電機軸連接，所述吸盤的中心位置沿軸向設(shè)有與電機軸的中心孔連通的吸盤中心通孔，所述吸盤內(nèi)沿徑向設(shè)有多條水平通孔，所述多條水平通孔交匯于吸盤的吸盤中心通孔處，所述吸盤的上表面上與各水平通孔相對應(yīng)的設(shè)有多組豎直通孔，每組豎直通孔與相對應(yīng)的水平通孔連通。
[0008]所述各條水平通孔均與吸盤的上表面平行。所述水平通孔為三條，所述三條水平通孔沿周向均布于吸盤內(nèi)。所述每組豎直通孔中的多個豎直通孔沿徑向均布。
[0009]本發(fā)明的優(yōu)點及有益效果是:
[0010]1.本發(fā)明使用晶片全面積范圍內(nèi)均布的點接觸真空布置來實現(xiàn)晶片的真空吸附，更好的實現(xiàn)了其吸附功能。
[0011]2.本發(fā)明因采用點接觸真空吸附取代環(huán)形槽真空吸附，避免了吸附過程中接觸處因真空作用產(chǎn)生的擠壓而致晶片變形和壓痕的出現(xiàn)。
[0012]3.本發(fā)明使用鋁制的吸盤取代PPS材質(zhì)的吸盤，降低成本。
【附圖說明】
[0013]圖1為環(huán)形槽方式真空吸附的吸盤組件裝置剖面立體示意圖；
[0014]圖2為本發(fā)明的剖面立體示意圖；
[0015]圖3為本發(fā)明的正視圖；
[0016]圖4為圖3中A-A剖視圖；
[0017]圖5為圖4中I處局部放大圖；
[0018]圖6為圖3中的B-B剖視圖；
[0019]圖7為圖6中的C-C剖視圖；
[0020]圖8為圖6中的II處局部放大圖；
[0021]圖9為圖6中的III處局部視圖。
[0022]其中:1為晶片,2為吸盤,3為電機軸,4為吸盤中心孔,5為水平通孔,6為豎直通孔，10為帶環(huán)形槽吸盤。
【具體實施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步描述。
[0024]如圖2-9所示，本發(fā)明是吸盤2與電機軸3通過連接盤連接在一起，所述吸盤2的中心位置沿軸向設(shè)有與電機軸3的中心孔連通的吸盤中心通孔4，所述吸盤2內(nèi)沿徑向設(shè)有多條水平通孔5，所述多條水平通孔5相交于吸盤2的吸盤中心通孔4處，所述各條水平通孔5均與吸盤2的上表面平行。所述吸盤2的上表面上與各水平通孔5相對應(yīng)的設(shè)有多組豎直通孔5，每組豎直通孔5勻與相對應(yīng)的水平通孔5連通。所述每組豎直通孔5中的多個豎直通孔沿徑向均布。晶片I位于吸盤2之上，吸盤2的尺寸與晶片I相當(dāng)，可以使晶片I與吸盤2實現(xiàn)全面積接觸。
[0025]實施例
[0026]所述水平通孔5為三條，所述三條水平通孔5沿周向均布于吸盤2內(nèi)、并相貫交匯于吸盤2的吸盤中心通孔4處，而交匯處垂直方向與電機軸3的中心孔交匯。所述三條水平通孔5的孔徑為2mm,而每個直徑為2_的水平通孔5的軌跡上都有4個直徑為1.5mm的垂直于吸盤上表面的豎直通孔5與其貫穿(如圖8所示)，豎直通孔5共12個，在真空作用時該12個Φ 1.5mm的豎直通孔5以及吸盤中心的Φ4_吸盤中心通孔4共同作用于晶片1，(如圖9所示)，這13個真空吸附點均布在吸盤2的上表面，與晶片I均勻作用，吸盤2上表面除該13個“點”之外，其余范圍均與晶片I成平面接觸，吸附作用良好，可以防止晶片I翹曲，使晶片I表面均勻接受真空作用，達到良好的效果。本發(fā)明中的吸盤2為機加工件，材質(zhì)為Α16061。
[0027]本發(fā)明與現(xiàn)有的環(huán)形槽吸盤相比:
[0028]因點吸附相對于環(huán)形槽吸附，真空吸附與晶片的絕對接觸面積變小，但將吸盤整體尺寸變大，將吸附點均布在吸盤上，這樣吸附點與晶圓的實際作用范圍要大于環(huán)形槽吸附的作用范圍；晶片與吸盤的整體接觸面積也大于晶片與環(huán)形槽吸盤的接觸面積，吸附作用時，晶片不會因環(huán)形槽吸盤自身的形狀和結(jié)構(gòu)而在吸附過程中產(chǎn)生變形。
[0029]本發(fā)明的目的在于將傳統(tǒng)的吸盤與晶片的環(huán)形槽真空吸附變?yōu)榫嫉亩帱c吸附，將晶片與吸盤的接觸面積由晶片的中心區(qū)域接觸變?yōu)榫娣e接觸，在確保晶片吸附的同時很好的避免了晶片的翹曲和變形，可實現(xiàn)最佳的吸附效果來進行噴膠工藝制程。
【主權(quán)項】
1.一種點接觸式真空吸盤，其特征在于:吸盤⑵與電機軸⑶連接，所述吸盤⑵的中心位置沿軸向設(shè)有與電機軸(3)的中心孔連通的吸盤中心通孔(4)，所述吸盤(2)內(nèi)沿徑向設(shè)有多條水平通孔(5)，所述多條水平通孔(5)交匯于吸盤(2)的吸盤中心通孔(4)處，所述吸盤(2)的上表面上與各水平通孔(5)相對應(yīng)的設(shè)有多組豎直通孔(5)，每組豎直通孔(5)與相對應(yīng)的水平通孔(5)連通。
2.按權(quán)利要求1所述的點接觸式真空吸盤，其特征在于:所述各條水平通孔(5)均與吸盤(2)的上表面平行。
3.按權(quán)利要求2所述的點接觸式真空吸盤，其特征在于:所述水平通孔(5)為三條，所述三條水平通孔(5)沿周向均布于吸盤(2)內(nèi)。
4.按權(quán)利要求1所述的點接觸式真空吸盤，其特征在于:所述每組豎直通孔(5)中的多個豎直通孔沿徑向均布。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程中噴膠工藝的晶片真空吸附裝置，具體地說是一種點接觸式真空吸盤。吸盤與電機軸連接，所述吸盤的中心位置沿軸向設(shè)有與電機軸的中心孔連通的吸盤中心通孔，所述吸盤內(nèi)沿徑向設(shè)有多條水平通孔，所述多條水平通孔相交于吸盤的吸盤中心通孔處，所述吸盤的上表面上沿徑向設(shè)有多組豎直通孔，每組豎直通孔分別與各水平通孔連通。本發(fā)明吸附作用良好，可以防止晶片翹曲，使晶片表面均勻接受真空作用，達到良好的效果。
【IPC分類】B05C13-02
【公開號】CN104607363
【申請?zhí)枴緾N201310542164
【發(fā)明人】李曉明
【申請人】沈陽芯源微電子設(shè)備有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2013年11月5日