本技術(shù)涉及涂布，尤其涉及一種用于硅片涂布的涂布機(jī)。

背景技術(shù)：

1、平板涂布機(jī)即是基板被大理石平臺真空吸附固定，龍門帶動狹縫涂布頭相對于基板作精密運(yùn)動，在運(yùn)動過程中，注射泵擠壓溶液后，溶液從精密模頭之間的狹縫沉積于基板之上，從而形成一定預(yù)設(shè)厚度的薄膜，涂膜厚度可由液體流量與基板移動速度精確計(jì)算，其優(yōu)點(diǎn)為涂膜均勻性高、可適用的溶液粘度范圍廣、涂布速度快、可進(jìn)行大面積涂膜。

2、目前涂布機(jī)存在一個新的使用領(lǐng)域，即硅片涂布。

3、硅片涂布存在的問題：硅片的尺寸較小而且非常薄一般在100-300um厚度左右，而且硅片的厚度不勻，另外硅片形狀如(m6、m10)不規(guī)則，這就需要開發(fā)一種全新涂布技術(shù)來適應(yīng)硅片涂布需求。

4、當(dāng)前平板涂布主要是在玻璃等硬質(zhì)規(guī)則且厚度一致性較好的浮法玻璃基板上進(jìn)行涂布。近年來，鈣鈦礦疊層電池技術(shù)方向備受業(yè)內(nèi)關(guān)注，其中鈣鈦礦/晶硅兩電極疊層的技術(shù)方向不斷更新突破性進(jìn)展，小面積實(shí)驗(yàn)室效率紀(jì)錄迅速攀高。小面積器件效率展現(xiàn)了該技術(shù)路線效率的潛力水平，而大面積器件尺寸更貼近工業(yè)級產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，同時大面積器件的工藝方法和加工難度相比小面積器件有很大跨度，需要更多的從工程角度解決產(chǎn)品問題，因此更受產(chǎn)業(yè)界關(guān)注。進(jìn)行m6-g12工業(yè)級規(guī)格電池的產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)就需要開發(fā)晶硅涂布設(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種用于硅片涂布的涂布機(jī)。

2、本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：一種用于硅片涂布的涂布機(jī)，包括：

3、機(jī)架；

4、樣品臺，所述樣品臺固定設(shè)置在機(jī)架上；

5、調(diào)平機(jī)構(gòu)，所述調(diào)平機(jī)構(gòu)設(shè)置在樣品臺的調(diào)平安裝孔內(nèi)，所述調(diào)平機(jī)構(gòu)包括：硅片吸附平臺和六足位移臺調(diào)平機(jī)構(gòu)，所述硅片吸附平臺位于調(diào)平安裝孔內(nèi)，在所述硅片吸附平臺的上表面設(shè)置吸附槽，所述吸附槽的上端開口與硅片吸附平臺的上表面平齊，在所述吸附槽內(nèi)設(shè)置至少一個吸附連接孔，所述吸附連接孔與真空組件連接；所述六足位移臺調(diào)平機(jī)構(gòu)的上端與硅片吸附平臺連接并對硅片吸附平臺進(jìn)行調(diào)節(jié)，所述六足位移臺調(diào)平機(jī)構(gòu)的下端固定設(shè)置；和

6、涂布機(jī)構(gòu)，所述涂布機(jī)構(gòu)包括沿樣品臺長度方向設(shè)置的第一移動單元，在第一移動單元上沿豎直方向設(shè)置第二移動單元，所述第二移動單元上設(shè)置涂布模頭，且所述涂布模頭的涂布頭沿樣品臺的寬度方向設(shè)置。

7、進(jìn)一步的，所述樣品臺的工作面設(shè)置涂布掩膜板，在所述涂布掩膜板上設(shè)置工作孔，所述工作孔位與調(diào)平安裝孔配合設(shè)置。即工作孔位于調(diào)平安裝孔上方。

8、進(jìn)一步的，所述工作孔高于硅片吸附平臺，且硅片上表面與涂布掩膜板上表面相平。即硅片放置在硅片吸附平臺上，并且硅片位于工作孔內(nèi)，硅片的表面與涂布掩膜板的表面相平，保證了硅片涂布的效果。

9、進(jìn)一步的，樣品臺的側(cè)面還設(shè)置有定位機(jī)構(gòu)，所述定位機(jī)構(gòu)包括位于樣品臺兩個相鄰側(cè)面的至少兩個定位氣缸，所述定位氣缸的伸縮桿豎直朝上設(shè)置，且在所述伸縮桿的端部旋轉(zhuǎn)設(shè)置定位輪。每個側(cè)邊設(shè)置至少一個定位氣缸。

10、進(jìn)一步的，在涂布模頭上還設(shè)置檢測傳感器。檢測傳感器測試硅片上表面的水平度，方便涂布的進(jìn)行。

11、進(jìn)一步的，所述第一移動單元平行設(shè)置兩組，且對稱分布在樣品臺的兩側(cè)。

12、進(jìn)一步的，第二移動單元設(shè)置兩組，且分別設(shè)置在涂布模頭的兩側(cè)。保證了涂布模頭涂布過程中移動的穩(wěn)定。

13、進(jìn)一步的，所述第一移動單元和第二移動單元采用氣缸、電缸、絲桿組件、直線模組中的任一種。

14、進(jìn)一步的，所述吸附槽呈連續(xù)圖形設(shè)置且在硅片吸附平臺的上表面的中心及四周均勻分布。

15、進(jìn)一步的，所述吸附槽的四周呈矩形設(shè)置，在矩形內(nèi)設(shè)置至少一個圓形，且圓形與矩形之間通過沿圓形徑向設(shè)置的連接槽連通。即，保證了四周、中心的吸附效果，保證對硅片的穩(wěn)定吸附，避免對硅片造成損傷。

16、進(jìn)一步的，圓形的圓心設(shè)置在矩形的中心處。

17、進(jìn)一步的，圓形設(shè)置至少兩個，且呈同心圓設(shè)置。保證了吸附的穩(wěn)定。

18、進(jìn)一步的，所述吸附連接孔通過吸附氣嘴與真空組件連接。

19、進(jìn)一步的，所述真空組件為真空泵或負(fù)壓泵。

20、本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是：通過設(shè)置調(diào)平機(jī)構(gòu)將硅片進(jìn)行調(diào)平，保證了硅片涂布的穩(wěn)定，使得硅片涂布更加準(zhǔn)確、簡單高效、快捷方便，有效提高了硅片涂布的效率和質(zhì)量；配合使用涂布設(shè)備、定位機(jī)構(gòu)、檢測機(jī)構(gòu)能對硅片表面的涂布效果和涂布質(zhì)量。

技術(shù)特征：

1.一種用于硅片涂布的涂布機(jī)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片涂布的涂布機(jī)，其特征在于：所述樣品臺(1)的工作面設(shè)置涂布掩膜板(5)，在所述涂布掩膜板(5)上設(shè)置工作孔(6)，所述工作孔(6)位與調(diào)平安裝孔(2)配合設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于硅片涂布的涂布機(jī)，其特征在于：所述工作孔(6)高于硅片吸附平臺(3)，且硅片上表面與涂布掩膜板(5)上表面相平。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片涂布的涂布機(jī)，其特征在于：樣品臺(1)的側(cè)面還設(shè)置有定位機(jī)構(gòu)(9)，所述定位機(jī)構(gòu)(9)包括位于樣品臺(1)兩個相鄰側(cè)面的至少兩個定位氣缸(91)，所述定位氣缸(91)的伸縮桿豎直朝上設(shè)置，且在所述伸縮桿的端部旋轉(zhuǎn)設(shè)置定位輪(92)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片涂布的涂布機(jī)，其特征在于：在涂布模頭(83)前方還設(shè)置檢測傳感器(10)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片涂布的涂布機(jī)，其特征在于：所述吸附槽(31)呈連續(xù)圖形設(shè)置且在硅片吸附平臺(3)的上表面的中心及四周均勻分布。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于硅片涂布的涂布機(jī)，其特征在于：所述吸附槽(31)的四周呈矩形設(shè)置，在矩形內(nèi)設(shè)置至少一個圓形，且圓形與矩形之間通過沿圓形徑向設(shè)置的連接槽連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片涂布的涂布機(jī)，其特征在于：所述吸附連接孔(32)通過吸附氣嘴(33)與真空組件連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種用于硅片涂布的涂布機(jī)，屬于涂布技術(shù)領(lǐng)域。該涂布機(jī)包括：固定設(shè)置在機(jī)架上的樣品臺；在樣品臺的調(diào)平安裝孔內(nèi)設(shè)置調(diào)平機(jī)構(gòu)，調(diào)平機(jī)構(gòu)包括：硅片吸附平臺和六足位移臺調(diào)平機(jī)構(gòu)，硅片吸附平臺位于調(diào)平安裝孔內(nèi)，在硅片吸附平臺的上表面設(shè)置吸附槽，吸附槽的上端開口與硅片吸附平臺的上表面平齊；六足位移臺調(diào)平機(jī)構(gòu)的上端與硅片吸附平臺連接并對硅片吸附平臺進(jìn)行調(diào)節(jié)，涂布模頭的涂布頭沿樣品臺的寬度方向設(shè)置。通過設(shè)置調(diào)平機(jī)構(gòu)將硅片進(jìn)行調(diào)平，保證了硅片涂布的穩(wěn)定，使得硅片涂布更加準(zhǔn)確、簡單高效、快捷方便，有效提高了硅片涂布的效率和質(zhì)量；配合使用涂布設(shè)備、定位機(jī)構(gòu)、檢測機(jī)構(gòu)能對硅片表面的涂布效果和涂布質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：孫中才
受保護(hù)的技術(shù)使用者：大陽(蘇州)智能裝備科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240417
技術(shù)公布日：2024/12/19