本實用新型涉及石墨容器領域，尤其涉及一種HCL合成爐專用分布器的氣體導向管。

背景技術：

在化工行業(yè)中合成爐主要是用來完成硫化、硝化、氫化、烴化、聚合、縮合等工藝工程的壓力容器，原理是將合成爐中的各種液體通過攪拌器攪拌，使物料分散均勻，發(fā)生反應；一般的在合成爐中用于HCL的合成反應中需要將氫氣和氯氣氣體通入在合成爐中，氫氣和氯氣在進入合成爐之中會經(jīng)過分布器進行氣體的分布，經(jīng)過分布器后再進入到合成爐中有燈頭點火進行反應。

一般的氫氣和氯氣直接通過導向管進入合成爐中，這樣導致氫氣和氯氣在合成爐中的反應不充分，大量的混合氣體不能夠一次徹底進行反應，造成合成效果不理想。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型要解決的技術問題是提供一種HCL合成爐專用分布器的氣體導向管，能夠氫氣和氯氣在合成之間經(jīng)過氣體導向管后螺旋上升充分攪拌，混合均勻，使得氫化反應更加充分。

為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案為：一種HCL合成爐專用的分布器氣體導向管，該氣體導向管安裝在分布器上；其創(chuàng)新點在于：該氣體導向管呈底端開口頂端封閉圓筒狀，氣體導向管的側(cè)壁頂端上和頂面均設置有若個腰型孔，氣體導向管的底端向外翻邊；

所述氣體導向管側(cè)壁頂端的腰型孔展開狀態(tài)，水平方向相鄰的腰型孔呈階梯分布，高度差為10mm；豎直方向上相鄰的腰型孔錯位設置水平差10mm；氣體導向管側(cè)壁頂端的腰型孔兩端的圓弧直徑為15mm，兩圓弧圓心高度差為30mm；豎直方向上相鄰兩個腰型孔的間距為4mm；

所述導向管頂面的腰型孔在氣體導向管的頂面上呈圓形陣列分布；每個頂面腰型孔的距離氣體導向管軸線最近的點均分布在以氣體導向管頂面中心點為圓心，30mm為半徑的圓上；氣體導向管頂面腰型孔兩端的圓弧直徑為10mm。

進一步的，所述氣體導向管為石墨粉整體壓鑄成型，氣體導向管的壁厚為5mm。

本實用新型的優(yōu)點在于：通過在在氣體導向管上設置有若干個螺旋孔，氫氣和氯氣分別在通過氣體導向管上升，使得氫氣和氯氣在分別經(jīng)過各自的氣體導向管后進行混合時，氫氣和氯氣均呈螺旋狀旋轉(zhuǎn)上升充分攪拌，使得氫氣和氯氣在合成爐中接觸更加充分，合成時的氫化反應更加充分。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

圖1為HCL合成爐專用分布器的氣體導向管主視圖。

圖2為HCL合成爐專用分布器的氣體導向管俯視圖。

圖3為HCL合成爐專用分布器的氣體導向管側(cè)邊展開圖。

如圖1至圖3所示：1、氣體導向管；11、側(cè)壁；12、頂面；13、腰型孔。

具體實施方式

下面的實施例可以使本專業(yè)的技術人員更全面地理解本實用新型，但并不因此將本實用新型限制在所述的實施例范圍之中。

如圖1至圖3所示的一種HCL合成爐專用的分布器氣體導向管，該氣體導向管1安裝在分布器上；該氣體導向管1呈底端開口頂端封閉圓筒狀，氣體導向管的側(cè)壁11頂端上和頂面12均設置有若個腰型孔13，氣體導向管1的底端向外翻邊。

氣體導向管側(cè)壁11頂端的腰型孔13展開狀態(tài)，水平方向相鄰的腰型孔13呈階梯分布，高度差為10mm；豎直方向上相鄰的腰型孔13錯位設置水平差10mm；氣體導向管側(cè)壁11頂端的腰型孔13兩端的圓弧直徑為15mm，兩圓弧圓心高度差為30mm；豎直方向上相鄰兩個腰型孔13的間距為4mm。

導向管頂面12的腰型孔13在氣體導向管的頂面上呈圓形陣列分布；每個頂面12腰型孔13的距離氣體導向管1軸線最近的點均分布在以氣體導向管1頂面12中心點為圓心，30mm為半徑的圓上；氣體導向管1頂面12腰型孔13兩端的圓弧直徑為10mm。

氣體導向管1為石墨粉整體壓鑄成型，氣體導向管1的壁厚為5mm。

本行業(yè)的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。