接觸和分離柱和盤的制作方法
【專利摘要】一種接觸和分離柱(1)，其包圍一個或多個接觸和分離小室(3)的堆垛。各小室包括：盤(4)，該盤有多個氣流開口(6)，這些氣流開口通向接觸和分離單元(7)；下導管(16)，該下導管確定了液體排出裝置；以及液體供給源(17)。各接觸和分離單元(7)包括具有液體進口(12)的上游接觸區(qū)域(8、9)以及一個或多個下游分離區(qū)域(10)，該下游分離區(qū)域設(shè)有旋流器(13)以及具有氣體出口(14)的頂端。旋流器(13)布置在離氣體進口一定距離處，該距離為接觸和分離區(qū)域的總長度的50至90％。還公開了用于通過該柱來處理氣體的方法。
【專利說明】接觸和分離柱和盤
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種接觸和分離柱，特別是用于高容量的氣體/液體質(zhì)量傳遞，具有一個或多個接觸和分離小室的堆垛，其中，氣體與液體強烈接觸，該液體首先由氣流夾帶，隨后通過旋流器的離心作用而從氣流中除去。本發(fā)明還涉及一種用于這種柱中的盤以及用于通過這種柱來處理氣體的方法。
[0002]所述柱例如能夠是傳熱柱、分懼柱、汽提(stripping)柱或處理柱,特別是處理柱，更特別是用于處理天然氣的柱，以便除去污染物，例如二氧化碳和/或硫化氫。
【背景技術(shù)】
[0003]這里使用的術(shù)語氣體也包括蒸汽，而術(shù)語液體也包括包含氣體的液體，例如泡沫?！疤幚硪后w”用于表示化合物，優(yōu)選是液體，該化合物通過物理和/或化學現(xiàn)象而選擇地除去污染物，例如硫化氫和/或二氧化碳。
[0004]包含旋流氣體/液體分離裝置的、用于氣體/液體質(zhì)量傳遞的盤與常規(guī)質(zhì)量傳遞盤的區(qū)別在于它們的應(yīng)用范圍。盤(其中，氣體和液體接觸并隨后通過旋流氣體/液體裝置而分離)能夠制得比常規(guī)盤(其中，在氣體和液體之間的分離是通過重力，而不是離心力)明顯更緊湊。
[0005]US-A-6227524介紹了用于高速質(zhì)量傳遞盤的接觸和分離元件(CSE)，在該高速質(zhì)量傳遞盤中，液體進入CSE，通過環(huán)形排的孔進入豎直葉片的柵格網(wǎng)中，該葉片使得液體分散成小液滴，這些小液滴與氣體一起運動至直接位于豎直葉片上方的軸向旋流器的葉片，在該旋流器中，液體-氣體流受到旋轉(zhuǎn)運動，因此產(chǎn)生向上運動的旋轉(zhuǎn)液體膜。最終的氣體/液體分離在位于CSE的上部部分中的分離區(qū)域內(nèi)進行，而質(zhì)量傳遞主要在恰好位于液體進口孔上方的較小區(qū)域中進行。進入接觸區(qū)域的液體量取決于力平衡，其中，在CSE周圍的液體水平(由堰的高度來設(shè)置)提供了用于液體進入CES的靜液壓力。另外，在CSE內(nèi)部的氣流引起吸力，該吸力增加了液體向CSE內(nèi)的流入。這兩個力通過由于在CSE上的壓力降(特別是由旋流器和在上游接觸區(qū)域和下游分離區(qū)域之間的變窄過渡部分引起)引起的反力而平衡。最終，該CSE的最大容量將取決于壓力平衡:當通向裝置的氣體速率增加時，壓力降將增加。當接觸區(qū)域內(nèi)部的壓力降超過特定值(該值取決于環(huán)繞CSE的液體高度)時，氣體的一部分將通過液體進口逸出，這時質(zhì)量傳遞性能將顯著下降。
[0006]EP-A-0048508介紹了一種用于在高流速和/或高液體負載下處理液體和氣體混合物的裝置。液體以一次通過的方式流過，即沒有內(nèi)部再循環(huán)。而且，接觸區(qū)域的容積與分離區(qū)域的容積相比較小，且旋流器布置在接觸和分離單元的底部部分中。
[0007]質(zhì)量傳遞率與在接觸區(qū)域中每單位氣體夾帶的液體量相關(guān)。所需的容積質(zhì)量傳遞率隨著要吸收的雜質(zhì)(例如CO2)的較高局部壓力而增加。不過，通過現(xiàn)有技術(shù)的接觸和分離柱可獲得的質(zhì)量傳遞率有限。
[0008]在海上采氣時，接觸和分離柱用于浮動用途，例如在浮動裝置或船上。引起液體潑濺或波動的海洋運動嚴重地限制了可獲得的質(zhì)量傳遞和柱的效果。[0009]本發(fā)明的目的是提供一種能夠提高質(zhì)量傳遞的接觸和分離設(shè)備。
[0010]本發(fā)明的另一目的是提供緊固的接觸和分離設(shè)備，該設(shè)備能夠用于浮動用途。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]這里公開了一種接觸和分離柱，它包括柱壁，該柱壁包圍一個或多個接觸和分離小室的堆垛，其中，各小室包括:
[0012]盤，該盤有多個氣流開口，這些氣流開口通向一個或多個接觸和分離單元，其中，各接觸和分離單元包括具有液體進口的上游接觸區(qū)域以及一個或多個分離區(qū)域，該分離區(qū)域設(shè)有旋流器以及具有氣體出口的頂端；
[0013]下導管，該下導管確定了用于溢出下導管的液體的液體排出裝置，該液體排出裝置的高度超過液體進口的高度；
[0014]液體供給源，用于將液體供給接觸和分離小室；
[0015]其中，旋流器布置在離氣體進口一定距離處，該距離為接觸和分離區(qū)域的總長度的50至90%。
[0016]在第二方面，公開了一種接觸和分離盤，用于所述柱中。
[0017]在第三方面，公開了一種用于處理氣體的方法，該方法使用所述柱。
[0018]詳細說明
[0019]通過有布置在離氣體進口一定距離處的旋流器，可用于接觸的容積變得更大，這用于大大增加在接觸區(qū)域中的平均滯留時間，因此增加容積氣體/液體質(zhì)量傳遞率。
[0020]旋流器布置在離氣體進口一定距離處，該距離為接觸和分離區(qū)域的總長度的50至90 %，優(yōu)選是從60至90 %，更優(yōu)選是從65至85 %。
[0021]通過保證接觸區(qū)域具有比在所述單元中的一個或多個分離區(qū)域更大的截面面積而能夠使容積氣體/液體質(zhì)量傳遞率進一步提高。截面面積是與接觸和分離小室的最長軸線成直角地由切割所述區(qū)域的中部的平面產(chǎn)生的截面的表面面積。沿接觸和分離區(qū)域一起的最長軸線方向來獲取區(qū)域的中部。
[0022]所述單元的分離區(qū)域(或多個分離區(qū)域)的截面面積是與所述接觸區(qū)域流體連接的全部分離區(qū)域的截面面積的總和。
[0023]當接觸區(qū)域的截面面積大于該一個或多個分離區(qū)域時，氣體在接觸區(qū)域中的流速通常將低于在分離區(qū)域中的流速。較低的流速導致增強了在接觸區(qū)域中的質(zhì)量傳遞，而在分離區(qū)域中的更快的流速導致增強了分離。流速能夠由Souders-Brown密度校正的氣體負載系數(shù) Cs = UGas* ( P J ( P Liquid- P Gas))1/2 表示。
[0024]為了在旋流器處獲得良好的離心分離，該系數(shù)能夠例如在0.3m/s〈Cs〈l.5m/s的范圍內(nèi)。該速度非常高，特別是與常規(guī)現(xiàn)有技術(shù)接觸裝置(例如帶有盤或包裝)相比，現(xiàn)有技術(shù)接觸裝置通常在低于0.lm/s的Cs系數(shù)下工作。在接觸區(qū)域中，這樣的流速將導致非常短的氣體/液體接觸時間和較低質(zhì)量傳遞率。由于在接觸區(qū)域中的更大的截面面積，流速能夠明顯更低。氣體在接觸區(qū)域中的流速通常能夠為分離區(qū)域中的流速的最多90%，優(yōu)選是最多80%，或者甚至更優(yōu)選是最多50%。
[0025]接觸區(qū)域的更大截面面積的附加優(yōu)點是它提供了用于更大氣體進口區(qū)域和更大液體進口區(qū)域的空間，這將減小用于氣體和液體進入接觸區(qū)域的壓力降，因此導致更高的液體吸入率，同時也有利于更好的質(zhì)量傳遞。
[0026]本發(fā)明的另一優(yōu)點是它允許液體在接觸和分離單元中再循環(huán)，這使得發(fā)送給所述單元的新鮮液體的容積有靈活性。
[0027]在特定實施例中，盤的下導管能夠能夠布置得相對于下一個盤的下導管偏離，例如交替地在相鄰小室的相對側(cè)，其中，上部接觸和分離小室的液體排出裝置形成下部接觸和分離小室的液體供給源。流入上部小室的下導管中的液體流入下面的小室中，其中，它再次循環(huán)，直到它流入下一個下導管。
[0028]“上游”和“下游”是相對于旋流器而言。
[0029]接觸區(qū)域的截面面積能夠例如比單個分離區(qū)域的截面面積大至少30%，更特別是至少50%，更優(yōu)選是至少80%，最優(yōu)選是至少100%。
[0030]優(yōu)選是，接觸區(qū)域的截面面積比屬于與該接觸區(qū)域相同的單元的全部分離區(qū)域的截面面積大至少5%，更特別是至少8%，更優(yōu)選是至少10%。最優(yōu)選是，接觸區(qū)域的截面面積比屬于與該接觸區(qū)域相同的單元的全部分離區(qū)域的截面面積大至少50%。
[0031]而且，接觸區(qū)域的容積優(yōu)選是比與所述接觸區(qū)域直接流體連通的全部分離區(qū)域的容積大至少50%，更特別是至少80%，更優(yōu)選是至少大100%。
[0032]在盤邊緣處的下導管能夠包括堰，該堰和邊緣與柱壁間隔開，以便確定液體排出裝置，用于溢出堰的液體。該堰能夠是盤的一部分，或者它能夠是單獨部件。在可選實施例中，下導管例如能夠是管或者任意其它合適類型的導管。盤可以有相同或不同類型的一個或多個下導管。
[0033]接觸區(qū)域設(shè)有用于將液體供給氣流中的一個或多個進口，該進口在比下導管的頂端更低的高度處。在使用中，液體進口浸沒在盤上的液體中，即液體進口低于正常工作的液體高度。優(yōu)選是，液體進口在盤的基板中的氣流開口處或附近，最優(yōu)選是，液體進口由氣體進口覆蓋。液體進口例如可以是狹縫或者圓形、正方形或三角形的孔或者為任意合適的可選形狀。
[0034]可選地，液體分配裝置能夠用于將液體分配至盤中的氣流開口區(qū)域上面。這樣，液體不僅沿周向引入氣流中，而且在全部氣流區(qū)域上獲得更均勻的液體分布。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這大大增加質(zhì)量傳遞率。而且，能夠使用更大的氣流開口和具有更大截面面積的接觸區(qū)域，同時保持較高的質(zhì)量傳遞率。能夠應(yīng)用的引導裝置的實例是葉片或溝槽，例如具有矩形、半圓形或V形截面。
[0035]旋流器例如能夠是葉片組件，該葉片組件使得氣體/液體混合物產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)運動。通過這種旋轉(zhuǎn)運動，氣體/液體混合物的液滴向外拋出，以便撞擊和聚結(jié)在導管的內(nèi)表面上。
[0036]在特定實施例中，接觸區(qū)域是這樣的，S卩，它的截面為正方形或矩形。優(yōu)選是，接觸區(qū)域可以有箱的形狀，承載一個或多個管形分離區(qū)域，例如柱形或錐形分離區(qū)域。由于箱形形狀，接觸區(qū)域能夠布置成靠攏，從而利用在各小室中的最大比例的可用空間。
[0037]優(yōu)選是，分離區(qū)域的頂端的氣體出口由液體流動偏轉(zhuǎn)器來界定。
[0038]可選地，液體流動偏轉(zhuǎn)器包括返回裙緣，該返回裙緣有U形徑向截面，其具有布置在分離區(qū)域的頂邊緣上面的開口側(cè)。由于旋流器的離心作用，由經(jīng)過的氣體運載的液體被收集在分離區(qū)域的柱形或錐形內(nèi)壁上，在該處，它在經(jīng)過的氣流的作用下向上流動。在接觸區(qū)域的上邊緣處，氣體向上流過出口，而分離的液體通過返回裙緣而偏轉(zhuǎn)，以便在接觸區(qū)域的外部再次向下流動。
[0039]在特定實施例中，接觸區(qū)域的截面面積總共占據(jù)盤表面的大部分，通常至少60 %，更特別是至少70%，優(yōu)選是至少80%。在該方面，接觸區(qū)域的截面面積是指與所述盤連接的全部接觸區(qū)域的聯(lián)合截面面積。并不考慮分離區(qū)域的截面面積。
[0040]接觸和分離區(qū)域的高密度減小了對于海洋運動引起的傾斜和運動的敏感性，這使得該裝置非常適合浮動用途。在接觸和分離區(qū)域內(nèi)部的流體性能實際上獨立于外部運動，并由在接觸和分離區(qū)域內(nèi)部的較高氣體流速來支配。由于傾斜或運動而形成的波紋可能在接觸和分離區(qū)域之間的液體表面處產(chǎn)生。不過，由于在接觸和分離區(qū)域之間的有限空間，波紋不能發(fā)展，因為接觸和分離區(qū)域?qū)⒆枘崴霾y的形成。
[0041]當由于傾斜或運動而形成波紋時，在盤上的液體高度將變化，但是影響將保持非常小，只要波紋高度與盤上的平均液體高度相比相對較小。在盤上的液體高度能夠通過增加堰高度和(可選的)盤間距而進一步增加。對于該目的，已經(jīng)成功測試了比常規(guī)盤高10倍的堰高度(高達700_)。
[0042]所述一個或多個接觸和分離盤可以形成接觸和分離柱的單獨或整體部件。盤包括基板，該基板有多個氣流開口，這些氣流開口通向位于基板上側(cè)的一個或多個接觸和分離單元內(nèi)。在特定實施例中，各接觸和分離單元包括:上游接觸區(qū)域，該上游接觸區(qū)域有液體進口，該液體進口優(yōu)選是在氣流開口的范圍內(nèi)；一個或多個下游分離區(qū)域，該下游分離區(qū)域設(shè)有旋流器以及具有氣體出口的頂端，該氣體出口由液體流動偏轉(zhuǎn)器來界定；
[0043]其中，接觸區(qū)域有比分離區(qū)域更大的截面面積。
[0044]盤能夠包括在一個或多個盤邊緣處的堰，該堰能夠是盤自身的一部分，或者它能夠是柱壁的分開部件或者部件。
[0045]在盤的特定示例實施例中，接觸和分離區(qū)域包括箱形接觸區(qū)域，該箱形接觸區(qū)域通向一個或多個管形分離區(qū)域中，通常為柱形和/或錐形分離區(qū)域。
[0046]接觸區(qū)域能夠排空，從而允許經(jīng)過的氣體自由流動，或者它可以整個或局部包含填充材料，例如波紋板材和/或線網(wǎng)材料。這樣的填充材料增加了液體在接觸區(qū)域中的滯留時間，因此，這種填充進一步支持質(zhì)量傳遞。
[0047]本發(fā)明的柱還將設(shè)有液體進口、液體出口、氣體進口和氣體出口。
[0048]所公開的接觸和分離柱能夠用于以液體處理氣體的方法。因此，氣體通過氣流開口而被引入接觸和分離區(qū)域，而在接觸和分離柱的下部接觸和分離小室中的液體進口處處理流體。
[0049]該方法例如能夠用于處理包含水、二氧化碳和/或硫化氫的氣體，例如天然氣或頁巖氣。當主要除去水時，該方法通常被稱為脫水。最優(yōu)選地，該方法用于除去二氧化碳和/或硫化氫。
[0050]天然氣是包含大量甲烷的烴氣體混合物，通常包含至少40wt %的甲烷，特別是至少50wt%，最特別是從60至95wt%。通常暫時液化該天然氣，以便容易儲存或輸送。為了制備天然氣用于液化，對其進行處理，以便除去將在液化條件下冰凍或者將損壞液化設(shè)備的組分，例如水、硫化氫和二氧化碳。用于處理氣體的液體能夠是已知適合該目的的任何液體。通常，用于除去不合適的化合物的液體將包含水、乙二醇、甲醇和/或胺，更特別是一種或多種胺的水溶液，更特別是烷基胺，更特別是從以下組中選擇的一種或多種化合物，該組包括:單乙醇胺、二乙醇胺、四基二乙醇胺、二異丙醇胺和aminoethoxyethanol。
[0051]還能夠通過添加稱為加速劑的化合物來增強質(zhì)量傳遞，該加速劑進一步增加在天然氣和處理液體之間的化學和/或物理相互作用的速度。能夠通過使用更高溫度而進一步增強質(zhì)量傳遞，例如高于正常工作溫度(直到最大30°C )。
[0052]在本發(fā)明的接觸區(qū)域中發(fā)生強烈混合的另一優(yōu)點是增加了用于除去具有更高液體吸收速率的污染物的選擇性。例如，強烈混合將有利于吸收硫化氫(優(yōu)于二氧化碳)，這在處理天然氣時是很大的優(yōu)點。公開的方法通常設(shè)計成給出幾乎純凈的甲烷。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0053]下面將參考附圖通過實例更詳細地介紹本發(fā)明，附圖中:
[0054]圖1示意表示了本發(fā)明的接觸和分離柱的平面圖；
[0055]圖2表示了圖1的柱沿圖1中的線A-A的縱剖圖；
[0056]圖3表示了圖1的柱的內(nèi)部的一部分的透視圖；
[0057]圖4表示了圖3中所示的部分的不同透視圖。
【具體實施方式】
[0058]圖1-4表示了接觸和分離柱1，該接觸和分離柱I包括柱壁2，該柱壁2包圍兩個接觸和分離小室3的堆垛。各小室3包括盤4，該盤4有基板5，該基板5設(shè)有多個氣流開口 6，該氣流開口 6通向位于盤4上側(cè)的各接觸和分離單元7中。各接觸和分離單元7包括箱形上游接觸區(qū)域8、9和在該接觸區(qū)域8、9頂部的柱形分離區(qū)域10。箱形接觸區(qū)域8、9包括較大的中間箱8和在該較大中間箱兩側(cè)的兩個較小箱9。較大的中間接觸區(qū)域8承載一排三個分離區(qū)域10，而兩個較小的箱只承載兩個分離區(qū)域10，如圖1中所示。這樣，各接觸區(qū)域8、9的截面面積大于與單個接觸區(qū)域流體連接的分離區(qū)域10的聯(lián)合截面面積。而且，因為接觸區(qū)域比分離區(qū)域高得多，因此接觸區(qū)域的容積比與單個接觸區(qū)域流體連接的分離區(qū)域10的容積大得多。
[0059]接觸和分離單元7在它們的下端包括一組平行豎直板11，該組平行豎直板11橋接氣流開口 6并使得接觸區(qū)域8、9與基板5隔開。氣體能夠通過在豎直板11之間的空間而流過氣流開口 6進入接觸區(qū)域8、9。豎直板11確定了用于存在于小室3中的液體的進口12。
[0060]柱形分離區(qū)域10設(shè)有在它們的下端內(nèi)的旋流器13。分離區(qū)域的頂端14形成氣體出口，該氣體出口由液流偏轉(zhuǎn)器15來界定，該液流偏轉(zhuǎn)器15由具有U形徑向截面的環(huán)形成，其中開口側(cè)布置在分離區(qū)域10的頂邊緣上面。
[0061]盤4還包括具有堰的邊緣，該堰與柱壁2間隔開，以便確定液體排出裝置17，用于將溢出堰的液體排出至下部小室3。堰的高度確定了存在于小室3中的液體的高度。在盤4的下側(cè)，堰延伸至高于下部盤4的基板5 —定距離。該距離對應(yīng)于豎直板11的高度。這樣，堰和柱壁2的相鄰部分確定了下導管16，用作用于下面的下一小室的液體供給源17。
[0062]在柱I中的盤4相對于相鄰的上部或下部盤布置在鏡像位置中。因此，各盤4的堰布置在所述柱的、與上面或下面的盤4的堰所布置的一側(cè)相反的一側(cè)。通過這樣的布置，各盤4的堰形成將液體供給下一個下部小室3的下導管16。在可選實施例中，也能夠使用其它類型的下導管，例如管。
[0063]液體從下導管16向下流入小室3中，在該小室中，對液體進行收集，直到它達到堰的上邊緣的高度。同時，氣體沿由圖2中的箭頭A表示的方向流動。氣體通過氣流開口6而向上流入小室3中，經(jīng)由接觸區(qū)域8、9和分離區(qū)域10流入下一個上部小室3的氣流開口6中。在接觸區(qū)域8、9的液體進口 12處，液體通過靜液壓力和由通過的氣流施加的吸力而被迫流入接觸區(qū)域8、9中。這些力通過反力來平衡，該反力由在氣流中的、由于截面面積變窄而引起的壓力降產(chǎn)生。液體將逐漸進入接觸區(qū)域8、9，并分散至經(jīng)過的氣流中。由于豎直板11，液體不僅在接觸區(qū)域周邊處進入氣流，而且還在氣流的更大區(qū)域上進入，從而增進了液體進入氣流的質(zhì)量傳遞。接觸區(qū)域8、9相對較高，這有助于在液體和氣體之間的更強烈接觸。當經(jīng)過旋流器13時，氣流受到離心力。因此，由氣體帶有的液體將掃過分離區(qū)域10的內(nèi)壁并由通過的氣流向上推動。氣流通過出口 14而離開分離區(qū)域10。到達分離區(qū)域8的頂邊緣的分離的液體通過返回裙緣15而偏轉(zhuǎn)至柱形壁的外側(cè)，它在該處向下流回至小室3的液體中。
【權(quán)利要求】
1.一種接觸和分離柱(I)，包括柱壁(2)，該柱壁包圍一個或多個接觸和分離小室的堆垛，其中，各小室包括: 盤(4)，該盤有多個氣流開口(6)，這些氣流開口通向位于盤(4)上側(cè)的一個或多個接觸和分離單元(7)，其中，各接觸和分離單元(7)包括具有液體進口(12)的上游接觸區(qū)域(8,9)以及一個或多個下游分離區(qū)域(10)，該下游分離區(qū)域設(shè)有旋流器(13)以及具有氣體出口 (14)的頂端； 下導管(16)，該下導管限定了液體排出裝置； 液體供給源(17)，用于將液體供給接觸和分離小室； 其中，旋流器(13)布置在離氣體進口一定距離處，該距離是接觸和分離區(qū)域的總長度的50至90%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸和分離柱，其中:接觸區(qū)域(8、9)具有比一個或多個分離區(qū)域(10)更大的截面面積。
3.根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱，其中:接觸區(qū)域的容積比所述接觸和分離單元(7)的分離區(qū)域的聯(lián)合容積大至少50%。
4.根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱，其中:接觸區(qū)域(8、9)的截面為正方形或矩形。
5.根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱，其中:接觸和分離單元(7)包括單個接觸區(qū)域(8、9)和 多個分離區(qū)域(10)。
6.根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱，其中:氣體出口(14)由液流偏轉(zhuǎn)器(15)來界定。
7.根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱，其中:液流偏轉(zhuǎn)器(15)包括返回裙緣，該返回裙緣有U形徑向截面，其中開口側(cè)布置在分離區(qū)域(10)的頂邊緣上面。
8.根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱，其中:接觸區(qū)域(8、9)的至少一部分充滿填充材料。
9.根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱，其中:在相鄰小室中的下導管(16)相對于彼此而偏離，且上部接觸和分離小室的液體排出裝置形成下部接觸和分離小室的液體供給源。
10.根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱，其中:在盤(4)的邊緣處，下導管(16)包括堰，該堰和柱壁(2)確定液體排出裝置。
11.一種接觸和分離盤，用于根據(jù)前述任意一項權(quán)利要求所述的接觸和分離柱中，其中:盤(4)包括基板(5)，該基板(5)有多個氣流開口 (6)，這些氣流開口(6)通向定位在該盤(4)上側(cè)的一個或多個接觸和分離單元(7)中，其中，各接觸和分離單元(7)包括具有液體進口(12)的上游接觸區(qū)域(8、9)以及一個或多個下游分離區(qū)域(10)，該下游分離區(qū)域設(shè)有旋流器(13)以及具有氣體出口(14)的頂端，該氣體出口(14)由液流偏轉(zhuǎn)器(15)來界定；其中，接觸區(qū)域(8、9)具有比分離區(qū)域(10)更大的截面面積。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的接觸和分離盤，其中:堰存在于盤(4)的邊緣處，該堰和柱壁(2)限定了液體排出裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的接觸和分離盤，其中:接觸和分離單元(7)包括箱形接觸區(qū)域(8、9)，該箱形接觸區(qū)域(8、9)通向一個或多個管形分離區(qū)域(10)中。
14.一種用液體處理氣體的方法，該方法包括:在根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項所述的接觸和分離柱(I)的下部接觸和分離小室(3)中，在氣體進口(6)處引入氣體并在液體進口(12)處引入液體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中:氣體在接觸區(qū)域(8、9)中的流速低于在分離區(qū)域(10)中的流速。
16.根據(jù) 權(quán)利要求15所述的方法，其中:氣體是天然氣。
【文檔編號】B01D45/16GK104039409SQ201280067064
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月16日
【發(fā)明者】J·克蓬, E·J·沃斯, P·M·威爾金森 申請人:國際殼牌研究有限公司