>[0039]請繼續(xù)參考圖1，為能完全去除微小間隙G內的助焊劑，本發(fā)明接著執(zhí)行步驟S12，提供一化學清洗液，并使化學清洗液從流入側Gi進入微小間隙G，且進一步自流出側Go排出。值得說明的是，本步驟使用一供液裝置12搭配一抽液裝置13來達成上述目的。
[0040]當供液裝置12及抽液裝置13于使用時，由供液裝置12在基板S上施加化學清洗液，且施加位置鄰近于流入側Gi，并配合使用抽液裝置13從流出側Go提供吸力，使化學清洗液沿著基板S表面從流入側Gi流動進入微小間隙G，進一步流通過微小間隙G自流出側Go流動排出，以帶走微小間隙G內的助焊劑。需說明的是，本發(fā)明并不限制化學清洗液的種類，所采用的化學清洗液可根據助焊劑的種類而有所改變。
[0041]請參考圖3，為了能據以實施上述有關晶片堆迭結構W的清洗作業(yè)(步驟S12)，本發(fā)明特提供一種洗凈設備1，使用時只需要將晶片堆迭結構W置入其中便可完全去除微小間隙G內殘留的助焊劑。如圖所示，洗凈設備I包括一清洗腔室10、一承載平臺11、一供液裝置12、一抽液裝置13及一加熱裝置14。
[0042]在本具體實施例中，承載平臺11被一支撐結構(未標示)固設于清洗腔室10內，用于承載待清洗的晶片堆迭結構W ;供液裝置12與抽液裝置13分別通過懸吊結構(未繪示)可移動地設置于承載平臺11上方，提供并控制化學清洗液以去除助焊劑；加熱裝置14固設于支撐結構上且鄰近于承載平臺11，可使晶片堆迭結構W在一適當溫度下進行清洗，所述的適當溫度優(yōu)選為介于70至80°C之間，其中又以75°C為更佳。
[0043]需提及的是，所述的支撐結構及懸吊結構只要能達到固定特定元件的效果即可，本發(fā)明并不限制支撐結構及懸吊結構的具體態(tài)樣；故舉凡使用位于承載平臺11上方的供液裝置12與抽液裝置13提供化學清洗液，并控制化學清洗液的流動方向者，均落入本發(fā)明的范疇。
[0044]更詳細地說，供液裝置12具有一輸液管121及一噴嘴122，其中輸液管121連接至一清洗液供應端(未繪示)，噴嘴122固接于輸液管121的一端且兩者彼此連通，可從晶片C及基板S上方施加化學清洗液到微小間隙G內；較佳地,輸液管121上可設置一電磁閥(未繪示)以控制化學清洗液的輸送量。
[0045]抽液裝置13包含一排液管131及一抽液座132，所述的排液管131具有一第一端及一第二端，其中第一端連接至一真空吸取裝置(未繪示)，第二端則與抽液座132的底端相連接；再者，抽液座132的底端還設有一滑移結構1321，其可為滾輪型滑動結構1321a或毛刷型滑動結構1321b，以便于在基板S上滑動并準確位移至任一待清洗位置。需說明的是，本發(fā)明并不限制滑移結構1321的具體態(tài)樣，所述的滑移結構1321只要能使抽液座132在基板S上任意滑動便可。
[0046]根據本發(fā)明的較佳實施例，在完成化學清洗液的清洗作業(yè)后，所述晶片堆迭結構的洗凈方法更進一步包括步驟S14，改換純水并利用相同清洗方式將化學清洗液移除。具體地說，本步驟同樣通過所述供液裝置12搭配抽液裝置13使純水從微小間隙G的流入側Gi進入微小間隙G，且進一步自流出側Go排出，以帶走微小間隙G內的化學清洗液，進而晶片堆迭結構W的后續(xù)干燥程序可以達到良好的干燥效果。值得一提的是，采用本發(fā)明晶片堆迭結構的洗凈方法所洗凈的晶圓/晶片堆迭結構W可適用任合干燥方式，例如IPA蒸氣干燥，本發(fā)明非對此施加限制。
[0047]綜上所述，相較現(xiàn)有晶圓洗凈工藝中去除助焊劑的方式，本發(fā)明通過一供液裝置搭配一抽液裝置以提供化學清洗液，并控制化學清洗液以特定方向流通過三維、垂直互連的晶片堆迭結構中20?30 μ m的微小間隙，可避免造成基板上的圖案及/或晶片損傷，并且可完全帶走微小間隙內殘留的助焊劑，以獲得較佳潔凈度的晶片堆迭結構，確保產品的電性特性。
[0048]惟以上所述僅為本發(fā)明之較佳實施例，非意欲局限本發(fā)明之專利保護范圍，故舉凡運用本發(fā)明說明書及附圖內容所為之等效變化，均同理皆包含于本發(fā)明之權利保護范圍內，合予陳明。
【主權項】
1.一種晶片堆迭結構的洗凈方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一晶片堆迭結構，該晶片堆迭結構具有至少一位于晶片與基板之間的微小間隙，該微小間隙具有可讓液體流通的一流入側及一流出側；以及 提供一化學清洗液，并使該化學清洗液從所述流入側進入所述微小間隙，且自所述流出側排出。
2.根據權利要求1的晶片堆迭結構的洗凈方法，其中在所述提供一化學清洗液的步驟中，以一供液裝置將所述化學清洗液施加于所述基板上，并使所述化學清洗液沿著所述基板從所述流入側進入所述微小間隙，以及以一抽液裝置驅使所述化學清洗液流通過所述微小間隙并自所述流出側排出。
3.根據權利要求1的晶片堆迭結構的洗凈方法，其中在所述提供一化學清洗液的步驟之后，還包括一純水清洗步驟，使純水從所述流入側進入所述微小間隙，且自所述流出側排出，以帶走所述微小間隙內的所述化學清洗液。
4.根據權利要求3的晶片堆迭結構的洗凈方法，其中在所述純水清洗步驟之后，還包括一干燥步驟，用以移除所述晶片堆迭結構上殘留的純水。
5.一種洗凈設備，用于去除一晶片堆迭結構上殘留的助焊劑，其中該晶片堆迭結構具有至少一位于所述晶片與基板之間的微小間隙，且所述微小間隙具有可讓液體流通的一流入側及一流出側，其特征在于，所述洗凈設備包括: 一清洗腔室； 一承載平臺，設置于所述清洗腔室內； 一供液裝置，設置于所述承載平臺的上方，用以將一化學清洗液施加于所述基板上，并使所述化學清洗液沿著所述基板從所述流入側進入所述微小間隙；及 一抽液裝置，設置于所述承載平臺的上方，用以驅使所述化學清洗液流通過所述微小間隙并自所述流出側排出，以完全帶走殘留于所述微小間隙內的助焊劑。
6.根據權利要求5的洗凈設備，其中所述供液裝置包括一輸液管及與該輸液管相連通的一噴嘴，所述抽液裝置包括一排液管及與該排液管相連通的一抽液座。
7.根據權利要求6的洗凈設備，其中所述抽液座的底端進一步設有一滑移結構。
8.根據權利要求7的洗凈設備，其中所述滑移結構為一滾輪型滑動結構或一毛刷型滑動結構。
9.根據權利要求5的洗凈設備，更包括一加熱裝置，該加熱裝置設置于所述承載平臺的下方。
【專利摘要】本發(fā)明揭示一種晶片堆迭結構的洗凈方法，其特征在于，先提供一晶片堆迭結構，該晶片堆迭結構具有至少一位于晶片與基板之間的微小間隙，該微小間隙約為20～50μm，尚具有可讓液體流通的空間，之后提供一化學清洗液，并使該化學清洗液以毛細現(xiàn)象進入該微小間隙，再進一步以特定模式自該微小間隙排出。采用本發(fā)明的方法，可有效去除三維、垂直互連的晶片堆迭結構中微小間隙內的助焊劑或其他雜質。
【IPC分類】B08B3-04, B08B3-08
【公開號】CN104624548
【申請?zhí)枴緾N201310589200
【發(fā)明人】黃富源, 張修凱, 王璽鈞, 王志成
【申請人】弘塑科技股份有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2013年11月20日
【公告號】CN203659818U