本技術(shù)涉及晶片清洗，特別是涉及一種清洗噴頭。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體襯底晶片清洗技術(shù)發(fā)展，目前大部分半導(dǎo)體襯底采用自動(dòng)清洗機(jī)清洗。清洗在半導(dǎo)體行業(yè)中是指在氧化、光刻以及外延等工序前，采用一系列物理化學(xué)方法對(duì)晶片表面的臟點(diǎn)，污染物，氧化物等進(jìn)行去除，最終表面達(dá)到清潔度符合要求的晶片的工序。

2、在晶片使用清洗機(jī)清洗的過程中，參閱圖1，一般將化學(xué)品藥液通過進(jìn)液管滴落在晶片表面，通過旋轉(zhuǎn)晶片達(dá)到清洗效果。傳統(tǒng)清洗機(jī)清洗藥液滴落，是通過管道直接滴到晶片中間表面，隨后藥液在離心力的作用下流至晶片邊緣，此種清洗方式，進(jìn)液管直接出液，藥液流量較大，對(duì)晶片的沖擊力強(qiáng)，而且藥液僅滴落在晶片中間位置，藥液在離心力的作用下分散至晶片邊緣部分，所需時(shí)間較久，同時(shí)，由于晶片中間的離心力較邊緣的離心力小，藥液容易在中間位置停留時(shí)間較久，對(duì)晶片造成過度腐蝕出現(xiàn)中心圈和不規(guī)則斑點(diǎn)的現(xiàn)象，此外，每次清洗僅能對(duì)晶片的表面進(jìn)行清洗，無法對(duì)晶片的背面進(jìn)行清洗，清洗效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是：提供一種清洗噴頭，可以全面清洗到晶片表面，邊緣以及晶片背面，清洗過程中藥液分布均勻，降低藥液對(duì)晶片表面的沖擊，避免晶片表面出現(xiàn)中心圈和斑點(diǎn)。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種清洗噴頭，包括依次連通的進(jìn)液管、噴頭主體、連接管以及噴管，所述噴頭主體內(nèi)部設(shè)有過液腔，所述過液腔和所述進(jìn)液管的出液口連通，所述過液腔的內(nèi)壁由上至下依次設(shè)有和所述進(jìn)液管同軸的第一臺(tái)階面和第二臺(tái)階面，所述噴頭主體底部對(duì)稱設(shè)有所述連接管，所述連接管的內(nèi)側(cè)壁與所述第二臺(tái)階面相接，所述連接管沿所述噴頭主體徑向內(nèi)彎折形成所述噴管，所述第一臺(tái)階面、所述第二臺(tái)階面、所述連接管以及所述噴管的內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有滴液孔。

3、更進(jìn)一步地，所述第一臺(tái)階面與所述進(jìn)液管的出液口之間的間距在10mm-12mm。

4、更進(jìn)一步地，所述第一臺(tái)階面與所述第二臺(tái)階面之間的間距在5mm-10mm。

5、更進(jìn)一步地，所述滴液孔的孔徑在0.8mm-1.2mm之間。

6、更進(jìn)一步地，所述滴液孔的間距在2.5mm-3.5mm之間。

7、更進(jìn)一步地，所述連接管與所述噴管之間的夾角在60°-90°。

8、更進(jìn)一步地，所述連接管與所述噴管上的滴液孔的孔徑小于所述第一臺(tái)階面以及所述第二臺(tái)階面上的滴液孔的孔徑。

9、更進(jìn)一步地，所述第一臺(tái)階面與所述第二臺(tái)階面之間連接有緩沖錐面。

10、更進(jìn)一步地，所述噴頭主體的橫截面為v形，所述噴頭主體的頂部夾角在120°-150°之間，所述進(jìn)液管設(shè)于所述噴頭主體頂部且與所述噴頭主體同軸設(shè)置。

11、更進(jìn)一步地，所述連接管與所述噴管之間設(shè)有弧形過渡段。

12、本實(shí)用新型實(shí)施例一種清洗噴頭與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：第一臺(tái)階面、第二臺(tái)階面、連接管以及噴管的內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有滴液孔，第一臺(tái)階面上的滴液孔能將進(jìn)液管滴落的藥液進(jìn)行分流，降低藥液對(duì)晶片表面的沖擊，第二臺(tái)階面上的滴液孔能使藥液在晶片邊緣分布，能快速使藥液在晶片表面均勻分布，避免藥液在晶片中間長(zhǎng)時(shí)間停留，從而避免晶片表面出現(xiàn)中心圈和斑點(diǎn)，此外，設(shè)有通過連接管以及噴管可對(duì)晶片的背面進(jìn)行同步清洗，提高晶片的清洗效率。

技術(shù)特征：

1.一種清洗噴頭，其特征在于：包括依次連通的進(jìn)液管、噴頭主體、連接管以及噴管，所述噴頭主體內(nèi)部設(shè)有過液腔，所述過液腔和所述進(jìn)液管的出液口連通，所述過液腔的內(nèi)壁由上至下依次設(shè)有和所述進(jìn)液管同軸的第一臺(tái)階面和第二臺(tái)階面，所述噴頭主體底部對(duì)稱設(shè)有所述連接管，所述連接管的內(nèi)側(cè)壁與所述第二臺(tái)階面相接，所述連接管沿所述噴頭主體徑向內(nèi)彎折形成所述噴管，所述第一臺(tái)階面、所述第二臺(tái)階面、所述連接管以及所述噴管的內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有滴液孔。

2.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述第一臺(tái)階面與所述進(jìn)液管的出液口之間的間距在10mm-12mm。

3.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述第一臺(tái)階面與所述第二臺(tái)階面之間的間距在5mm-10mm。

4.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述滴液孔的孔徑在0.8mm-1.2mm之間。

5.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述滴液孔的間距在2.5mm-3.5mm之間。

6.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述連接管與所述噴管之間的夾角在60°-90°。

7.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述連接管與所述噴管上的滴液孔的孔徑小于所述第一臺(tái)階面以及所述第二臺(tái)階面上的滴液孔的孔徑。

8.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述第一臺(tái)階面與所述第二臺(tái)階面之間連接有緩沖錐面。

9.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述噴頭主體的橫截面為v形，所述噴頭主體的頂部夾角在120°-150°之間，所述進(jìn)液管設(shè)于所述噴頭主體頂部且與所述噴頭主體同軸設(shè)置。

10.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述連接管與所述噴管之間設(shè)有弧形過渡段。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及晶片清洗技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種清洗噴頭，包括依次連通的進(jìn)液管、噴頭主體、連接管以及噴管，所述噴頭主體內(nèi)部設(shè)有過液腔，所述過液腔和所述進(jìn)液管的出液口連通，所述過液腔的內(nèi)壁由上至下依次設(shè)有和所述進(jìn)液管同軸的第一臺(tái)階面和第二臺(tái)階面，所述噴頭主體底部對(duì)稱設(shè)有所述連接管，所述連接管的內(nèi)側(cè)壁與所述第二臺(tái)階面相接，所述連接管沿所述噴頭主體徑向內(nèi)彎折形成所述噴管，所述第一臺(tái)階面、所述第二臺(tái)階面、所述連接管以及所述噴管的內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有滴液孔。本技術(shù)的有益效果：可以全面清洗到晶片表面，邊緣以及晶片背面，清洗過程中藥液分布均勻，降低藥液對(duì)晶片表面的沖擊，避免晶片表面出現(xiàn)中心圈和斑點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：王金靈,田玉蓮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240228
技術(shù)公布日：2024/12/19