本發(fā)明涉及表面清潔技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種表面清潔裝置、溫控臺(tái)系統(tǒng)及表面清潔方法。

背景技術(shù)：

曝光機(jī)的溫控臺(tái)的表面上往往會(huì)殘留顆粒物。這些顆粒物如果沒有及時(shí)清理掉，則基板與溫控臺(tái)的表面在多次擠壓后，可能會(huì)使顆粒物嵌入到溫控臺(tái)的表面的涂層中，使得基板與溫控臺(tái)的表面接觸造成基板表面也產(chǎn)生凹點(diǎn)?，F(xiàn)有技術(shù)中，為了解決該問題，定期清潔溫控臺(tái)的表面。但是，由于基板的表面也會(huì)有顆粒物，該清潔過程沒有清潔基板的表面，并且在清潔的過程中又會(huì)引入新的顆粒物，從而使得清潔的效率較低，影響產(chǎn)能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種表面清潔裝置、溫控臺(tái)系統(tǒng)及表面清潔方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)不能同時(shí)清潔溫控臺(tái)和基板表面的顆粒物的問題。

第一方面，提供一種表面清潔裝置，包括：可沿溫控臺(tái)的表面移動(dòng)的支架，連接在所述支架上的噴頭，以及向所述噴頭輸送氣體的氣體輸入單元；所述噴頭設(shè)置在所述溫控臺(tái)上方，所述噴頭包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述噴頭的第一表面上設(shè)置至少一個(gè)第一出風(fēng)口；所述噴頭的第二表面上設(shè)置至少一個(gè)第二出風(fēng)口；所述第一出風(fēng)口沿噴頭移動(dòng)方向向所述溫控臺(tái)的表面出風(fēng)；所述第二出風(fēng)口沿噴頭移動(dòng)方向向基板的表面出風(fēng)。

進(jìn)一步，還包括：設(shè)置在所述噴頭內(nèi)部的高壓放電單元，所述高壓放電單元將所述氣體輸入單元輸入的氣體離子化后輸入第一出風(fēng)口和第二出風(fēng)口。

進(jìn)一步：所述噴頭的第一表面上設(shè)置至少一個(gè)第一吸附口；所述噴頭的第二表面上設(shè)置至少一個(gè)第二吸附口。

進(jìn)一步，還包括：至少一個(gè)吸附單元，至少一個(gè)所述吸附單元用于設(shè)置在所述溫控臺(tái)的與所述噴頭的移動(dòng)方向同向的一側(cè)，吸附所述第一出風(fēng)口和所述第二出風(fēng)口去除的顆粒物。

進(jìn)一步：所述第一出風(fēng)口與所述噴頭的第一表面的自由端之間隔有第一距離，所述噴頭的第一表面的自由端為與所述噴頭的移動(dòng)方向同向的一端；所述第二出風(fēng)口與所述噴頭的第二表面的自由端之間隔有第二距離，所述噴頭的第二表面的自由端為與所述噴頭的移動(dòng)方向同向的一端。

進(jìn)一步：所述噴頭的第一表面上設(shè)置有至少一條與所述噴頭的移動(dòng)方向平行的第一導(dǎo)流槽，所述第一導(dǎo)流槽的一端延伸到所述第一出風(fēng)口處，所述第一導(dǎo)流槽的另一端延伸到所述溫控臺(tái)的第一表面的自由端；所述噴頭的第二表面上設(shè)置有至少一條與所述噴頭的移動(dòng)方向平行的第二導(dǎo)流槽，所述第二導(dǎo)流槽的一端延伸到所述第二出風(fēng)口處，所述第二導(dǎo)流槽的另一端延伸到所述溫控臺(tái)的第二表面的自由端。

進(jìn)一步，還包括：控制單元，所述控制單元與所述噴頭電連接，用于控制所述噴頭的第一出風(fēng)口和第二出風(fēng)口的風(fēng)力和/或所述第一出風(fēng)口的出風(fēng)溫度。

進(jìn)一步，還包括：顆粒物檢測(cè)單元和/或溫度測(cè)量單元，其中，所述顆粒物檢測(cè)單元與所述控制單元電連接，用于檢測(cè)所述溫控臺(tái)的表面的顆粒物，并將所述溫控臺(tái)的表面的顆粒物的位置發(fā)送到所述控制單元；所述控制單元用于根據(jù)所述顆粒物的位置，控制所述噴頭移動(dòng)到所述顆粒物的位置處時(shí)，增大第一出風(fēng)口的風(fēng)力；所述溫度測(cè)量單元與所述控制單元電連接，用于檢測(cè)所述溫控臺(tái)的表面的溫度，并將所述溫控臺(tái)的表面的溫度發(fā)送到所述控制單元；所述控制單元用于根據(jù)所述溫控臺(tái)的表面的溫度和所述溫控臺(tái)的表面的設(shè)定溫度，調(diào)節(jié)所述第一出風(fēng)口的出風(fēng)溫度。

第二方面，提供一種溫控臺(tái)系統(tǒng)，包括：溫控臺(tái)和上述的表面清潔裝置；所述溫控臺(tái)包括多個(gè)可升降的支撐針，所述多個(gè)可升降的支撐針與所述溫控臺(tái)的表面平行，所述多個(gè)可升降的支撐針用于支撐基板；所述表面清潔裝置的噴頭的第一表面正對(duì)所述溫控臺(tái)的表面。

第三方面，一種表面清潔方法，用于上述的溫控臺(tái)系統(tǒng)，所述方法包括：將所述溫控臺(tái)的多個(gè)可升降的支撐針升高，使所述支撐針與所述溫控臺(tái)的表面分離，并使所述支撐針的高度高于表面清潔裝置的噴頭的高度；將基板放置在所述支撐針上；開啟所述表面清潔裝置的氣體輸入單元、所述噴頭的第一出風(fēng)口和所述噴頭的第二出風(fēng)口，使所述氣體輸入單元向所述噴頭輸送氣體；開啟表面清潔裝置的支架，使所述支架帶動(dòng)所述支架上的噴頭沿所述溫控臺(tái)的表面移動(dòng)，所述第一出風(fēng)口沿噴頭移動(dòng)方向向所述溫控臺(tái)的表面出風(fēng)，所述第二出風(fēng)口沿噴頭移動(dòng)方向向基板的表面出風(fēng)。

這樣，本發(fā)明實(shí)施例中，通過在噴頭的第一表面上設(shè)置第一出風(fēng)口，以便去除溫控臺(tái)的表面上的顆粒物；在噴頭的第二表面上設(shè)置第二出風(fēng)口，以便去除基板的表面上的顆粒物；通過移動(dòng)的支架帶動(dòng)噴頭移動(dòng)，可同時(shí)去除溫控臺(tái)和基板的整個(gè)表面上的顆粒物，以便提高產(chǎn)線稼動(dòng)率以及產(chǎn)品良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置與溫控臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置與溫控臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置與溫控臺(tái)的俯視圖；

圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置的噴頭的第一表面的示意圖；

圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置的一端的端面的示意圖；

圖6是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置的噴頭的第一表面的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置的第一導(dǎo)流槽的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖8是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置的第一導(dǎo)流槽的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖9是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置的顆粒物檢測(cè)單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明第一實(shí)施例的表面清潔裝置的顆粒物檢測(cè)單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明第二實(shí)施例的溫控臺(tái)系統(tǒng)的溫控臺(tái)的輔助支撐針支撐基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是本發(fā)明第二實(shí)施例的溫控臺(tái)系統(tǒng)的溫控臺(tái)的支撐針支撐基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13是本發(fā)明第二實(shí)施例的溫控臺(tái)系統(tǒng)的溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元的分布示意圖；

圖14是本發(fā)明第二實(shí)施例的溫控臺(tái)系統(tǒng)的溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元和溫度調(diào)節(jié)單元的分布是有圖；

圖15是本發(fā)明第三實(shí)施例的表面清潔方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲取的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

第一實(shí)施例

本發(fā)明第一實(shí)施例公開了一種表面清潔裝置。如圖1～10所示，該表面清潔裝置包括：可沿溫控臺(tái)8的表面移動(dòng)的支架1，連接在支架1上的噴頭2，以及向噴頭2輸送氣體的氣體輸入單元。

例如，該支架1具體可由兩個(gè)支撐桿組成。每一支撐桿設(shè)置在溫控臺(tái)8的兩端。本實(shí)施例中，該溫控臺(tái)8的兩端為垂直于支架1的移動(dòng)方向的兩端。噴頭2的兩端分別與兩個(gè)支撐桿連接，則噴頭2的兩端所在的平面平行于噴頭2的移動(dòng)方向。支架1可在軌道3上進(jìn)行移動(dòng)。具體的，該支架1可以向一個(gè)方向移動(dòng)，也可以向兩個(gè)相對(duì)的方向移動(dòng)，如圖3的箭頭所示。

該噴頭2設(shè)置在溫控臺(tái)8上方。該噴頭2包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面。

噴頭2的第一表面上設(shè)置至少一個(gè)第一出風(fēng)口21。例如，該第一出風(fēng)口21的形狀可以為從噴頭2的一端延伸到另一端的狹長(zhǎng)的條形。該噴頭2上還設(shè)置有進(jìn)氣口25。氣體輸入單元與進(jìn)氣口25連通，通過進(jìn)氣口25將氣體輸送到噴頭2內(nèi)。例如，進(jìn)氣口25可以設(shè)置在噴頭2的兩端的表面上。噴頭2內(nèi)設(shè)置有第一出風(fēng)通道26，該第一出風(fēng)通道26與第一出風(fēng)口21連通，并且第一出風(fēng)通道26與噴頭2的第一表面之間的夾角為鈍角，有利于第一出風(fēng)口21吹出的風(fēng)向噴頭2的移動(dòng)方向流動(dòng)。因此，第一出風(fēng)口21沿噴頭2移動(dòng)方向向溫控臺(tái)8的表面出風(fēng)，用于去除溫控臺(tái)8的表面的顆粒物。若該噴頭2的第一表面上只設(shè)置有一個(gè)第一出風(fēng)口21，由于第一出風(fēng)口21吹出的風(fēng)具有特定的方向，則噴頭2在移動(dòng)到溫控臺(tái)8的一側(cè)后，需回到初始位置，才能進(jìn)行下一次清潔。優(yōu)選的，該第一出風(fēng)口21為兩個(gè)，對(duì)稱設(shè)置在噴頭2的第一表面上。這樣，當(dāng)支架1向著溫控臺(tái)8的一側(cè)移動(dòng)時(shí)，可開啟與溫控臺(tái)8的一側(cè)靠近的第一出風(fēng)口21；當(dāng)支架1向著溫控臺(tái)8的相對(duì)的另一側(cè)移動(dòng)時(shí)，可開啟與溫控臺(tái)8的另一側(cè)靠近的第一出風(fēng)口21，從而可使噴頭2移動(dòng)到溫控臺(tái)8的一側(cè)時(shí)，無需回到初始位置，即可從溫控臺(tái)8的一側(cè)向另一側(cè)移動(dòng)進(jìn)行清潔，可提高清潔的效率。本實(shí)施例中，溫控臺(tái)8的一側(cè)和另一側(cè)為在噴頭2移動(dòng)方向上的兩側(cè)。

噴頭2的第二表面上設(shè)置至少一個(gè)第二出風(fēng)口22。例如，該第二出風(fēng)口22的形狀可以為從噴頭2的一端延伸到另一端的狹長(zhǎng)的條形。噴頭2內(nèi)設(shè)置有第二出風(fēng)通道27，該第二出風(fēng)通道27與第二出風(fēng)口22連通，并且第二出風(fēng)通道27與噴頭2的第二表面之間的夾角為鈍角，使第二出風(fēng)口22吹出的風(fēng)向噴頭2的移動(dòng)方向流動(dòng)。因此，第二出風(fēng)口22沿噴頭2移動(dòng)方向向基板9的表面出風(fēng)，用于去除基板9的表面的顆粒物。若該噴頭2的第二表面上只設(shè)置有一個(gè)第二出風(fēng)口22，由于第二出風(fēng)口22吹出的風(fēng)具有特定的方向，則噴頭2在移動(dòng)到溫控臺(tái)8的一側(cè)后，需回到初始位置，才能進(jìn)行下一次清潔。優(yōu)選的，該第二出風(fēng)口22為兩個(gè)，對(duì)稱設(shè)置在噴頭2的第一表面上。這樣，當(dāng)支架1向著溫控臺(tái)8的一側(cè)移動(dòng)時(shí)，可開啟與溫控臺(tái)8的一側(cè)靠近的第二出風(fēng)口22；當(dāng)支架1向著溫控臺(tái)8的相對(duì)的另一側(cè)移動(dòng)時(shí)，可開啟與溫控臺(tái)8的另一側(cè)靠近的第二出風(fēng)口22，從而可使噴頭2移動(dòng)到溫控臺(tái)8的一側(cè)時(shí)，無需回到初始位置，即可從溫控臺(tái)8的一側(cè)向另一側(cè)移動(dòng)進(jìn)行清潔，可提高清潔的效率。

因此，通過上述的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，支架1可帶動(dòng)噴頭2沿溫控臺(tái)8的表面移動(dòng)，通過第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22可同時(shí)去除溫控臺(tái)8和基板9上的顆粒物。

該表面清潔裝置還包括：設(shè)置在噴頭1內(nèi)部的高壓放電單元。該高壓放電單元將氣體輸入單元輸入的氣體離子化后輸入第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22。

在制作基板9的過程中，基板9在曝光機(jī)中可能出現(xiàn)靜電處理不充分的問題。在基板9與掩膜板多次的接觸式曝光中，造成掩膜板自身靜電逐漸加大而導(dǎo)致基板9也帶有靜電而使共同缺陷高發(fā)。因此，通過高壓放電單元將氣體離子化后，使第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22吹出的風(fēng)為離子風(fēng)。該離子風(fēng)不僅可將溫控臺(tái)8和基板9的表面的顆粒物清潔掉，還能去除溫控臺(tái)8和基板9的表面的靜電。

該表面清潔裝置還包括：至少一個(gè)吸附單元4。該吸附單元4用于設(shè)置在溫控臺(tái)8的與噴頭2的移動(dòng)方向同向的一側(cè)，吸附第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22去除的顆粒物。例如噴頭2向溫控臺(tái)8的一側(cè)移動(dòng)，則吸附單元4設(shè)置在溫控臺(tái)8的一側(cè)。若噴頭2可向溫控臺(tái)8的一側(cè)移動(dòng)，也可向溫控臺(tái)8的另一側(cè)移動(dòng)，則可以在溫控臺(tái)8的兩側(cè)各設(shè)置一個(gè)吸附單元4。這樣，當(dāng)噴頭2向溫控臺(tái)8的一側(cè)移動(dòng)時(shí)，開啟溫控臺(tái)8的一側(cè)的吸附單元4進(jìn)行吸附；當(dāng)噴頭2向溫控臺(tái)8的另一側(cè)移動(dòng)時(shí)，開啟溫控臺(tái)8的另一側(cè)的吸附單元4進(jìn)行吸附。

因此，該吸附單元4可吸附第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22清潔掉的顆粒物，避免這些顆粒物在空氣中漂浮，有可能又重新落回到溫控臺(tái)8和基板9的表面，有利于提高去除顆粒物的效果。

噴頭2的第一表面上還可以設(shè)置至少一個(gè)第一吸附口23，用于吸附溫控臺(tái)8的表面上的顆粒物。同樣的，噴頭2的第二表面上還可以設(shè)置至少一個(gè)第二吸附口24，用于吸附基板9的表面上的顆粒物。此外，該裝置還包括抽氣單元，并且該噴頭2的表面上還設(shè)置有至少一個(gè)出氣口28，以配合第一吸附口23和第二吸附口24使用。該出氣口28可設(shè)置在噴頭2的兩端的表面上。抽氣單元與出氣口28連通，出氣口28分別與第一吸附口23和第二吸附口24連通。清潔時(shí)，開啟抽氣單元抽氣，使噴頭2內(nèi)產(chǎn)生負(fù)壓，從而可使第一吸附口23和第二吸附口24吸附溫控臺(tái)8和基板9表面的顆粒物。

因此，除了采用第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22清潔掉顆粒物的方式，還可通過該第一吸附口23和第二吸附口24，同時(shí)吸附溫控臺(tái)8和基板9的表面上的顆粒物，進(jìn)一步去除溫控臺(tái)8和基板9的表面上的顆粒物。

優(yōu)選的，第一出風(fēng)口21與噴頭2的第一表面的自由端之間隔有第一距離。其中，噴頭2的第一表面的自由端為與噴頭2的移動(dòng)方向同向的一端。該第一距離使得第一出風(fēng)口21并不是位于噴頭2的第一表面的邊緣，而是與噴頭2的第一表面的自由端之間形成一個(gè)平臺(tái)。同樣的，第二出風(fēng)口22與噴頭2的第二表面的自由端之間隔有第二距離。其中，噴頭2的第二表面的自由端為與噴頭2的移動(dòng)方向同向的一端。該第二距離使得第二出風(fēng)口22并不是位于噴頭2的第二表面的邊緣，而是與噴頭2的第二表面的自由端之間形成一個(gè)平臺(tái)。

如果沒有該平臺(tái)，則從第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22吹出的風(fēng)由于沒有受到平臺(tái)的阻擋和引導(dǎo)，在分別直接吹向溫控臺(tái)8和基板9的表面后，改變流向形成對(duì)沖漩渦，不利于將溫控臺(tái)8和基板9的表面的顆粒物清潔掉。因此，上述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)形成的平臺(tái)，使得從噴頭2中吹出的氣體在第一出風(fēng)口21的出口面與溫控臺(tái)8的表面、第二出風(fēng)口22的出口面與基板9的表面之間形成水平氣流層，有利于將溫控臺(tái)8或者基板9表面的顆粒物清潔掉，同時(shí)第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22噴出的氣流也不會(huì)紊亂，以便更有效地去除溫控臺(tái)8和基板9的表面的顆粒物和靜電。

更優(yōu)選的，如圖6所示，噴頭2的第一表面上設(shè)置有至少一條與噴頭2的移動(dòng)方向平行的第一導(dǎo)流槽28。第一導(dǎo)流槽28的一端延伸到第一出風(fēng)口21處。第一導(dǎo)流槽28的另一端延伸到溫控臺(tái)8的第一表面的自由端。同樣的，噴頭2的第二表面上設(shè)置有至少一條與噴頭2的移動(dòng)方向平行的第二導(dǎo)流槽。第二導(dǎo)流槽的一端延伸到第二出風(fēng)口22處。第二導(dǎo)流槽的另一端延伸到溫控臺(tái)8的第二表面的自由端。該第一導(dǎo)流槽28和第二導(dǎo)流槽的形狀可以有多種。如圖7所示，該第一導(dǎo)流槽28和第二導(dǎo)流槽的斷面的形狀為長(zhǎng)方體。如圖8所示，該第一導(dǎo)流槽28和第二導(dǎo)流槽的斷面的形狀為倒置的三角形。

通過設(shè)置第一導(dǎo)流槽28和第二導(dǎo)流槽，可分別對(duì)從第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22吹出的風(fēng)進(jìn)行導(dǎo)流，有利于氣流向噴頭2移動(dòng)的方向流動(dòng)，減少氣流紊亂的現(xiàn)象，以便更有效地去除溫控臺(tái)8和基板9的表面的顆粒物和靜電。

該表面清潔裝置還包括：控制單元?？刂茊卧c噴頭2電連接，用于控制噴頭2的第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22的風(fēng)力和/或第一出風(fēng)口21的出風(fēng)溫度。

通過設(shè)置控制單元，可根據(jù)溫控臺(tái)8上的顆粒物的分布情況控制第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22的風(fēng)力，有效去除溫控臺(tái)8和基板9的表面的顆粒物；并且可根據(jù)設(shè)定的溫控臺(tái)的表面溫度，控制第一出風(fēng)口21吹出的風(fēng)的溫度，從而可使溫控臺(tái)8的表面保持設(shè)定的表面溫度。

該表面清潔裝置還包括：顆粒物檢測(cè)單元。其中，該顆粒物檢測(cè)單元與控制單元電連接，用于檢測(cè)溫控臺(tái)8的表面的顆粒物，并將溫控臺(tái)8的表面的顆粒物的位置發(fā)送到控制單元。則控制單元可用于根據(jù)顆粒物的位置，控制噴頭2移動(dòng)到顆粒物的位置處時(shí)，增大第一出風(fēng)口21的風(fēng)力。清潔過程中，溫控臺(tái)8的某一位置的顆粒物可能有殘留，則通過顆粒物檢測(cè)單元檢測(cè)到該顆粒物的位置后，可在再次清潔時(shí)，通過控制單元控制第一出風(fēng)口21在該位置處增大風(fēng)力，以便將殘留的顆粒物吹走。該顆粒物檢測(cè)單元可以通過多種方式檢測(cè)顆粒物，例如，通過紅外的方式檢測(cè)顆粒物，或者，通過光學(xué)影像的方式檢測(cè)顆粒物等等。當(dāng)該顆粒物檢測(cè)單元通過紅外的方式檢測(cè)顆粒物，該顆粒物檢測(cè)單元具體可包括紅外發(fā)射模塊51和紅外接收模塊52。具體的，在一優(yōu)選的實(shí)施例中，該紅外發(fā)射模塊51可設(shè)置在支架1的一個(gè)支撐桿上，紅外接收模塊52設(shè)置在支架1的另一個(gè)支撐桿上，并且正對(duì)紅外發(fā)射模塊51，以便接收紅外發(fā)射模塊51發(fā)出的紅外信號(hào)。該位置的紅外發(fā)射模塊51和紅外接收模塊52隨著支架1的移動(dòng)而移動(dòng)，可以檢測(cè)溫控臺(tái)8的表面的所有位置。在另一優(yōu)選的實(shí)施例中，該紅外發(fā)射模塊51可設(shè)置在溫控臺(tái)8的一端，紅外接收模塊52可設(shè)置在溫控臺(tái)8的另一端。該種形式的紅外發(fā)射模塊51需要沿著溫控臺(tái)8的一端排布，紅外接收模塊52需要沿著溫控臺(tái)8的另一端排布，才能檢測(cè)溫控臺(tái)8的整個(gè)表面。該顆粒物檢測(cè)單元還可以發(fā)出警報(bào)，警示操作人員。若在限定的清潔次數(shù)(例如兩次)后，仍然檢測(cè)到溫控臺(tái)8的同一位置還有殘留的顆粒物，可警示操作人員，以便停機(jī)后由操作人員對(duì)溫控臺(tái)的該位置進(jìn)行處理。

由于基板9的表面的顆粒物在重力的作用下，當(dāng)表面清潔裝置對(duì)其清潔后，極少發(fā)生顆粒物殘留的情況，因此可以不設(shè)置檢查基板9的表面的顆粒物的檢測(cè)單元。應(yīng)當(dāng)理解的是，根據(jù)具體情況，也可以設(shè)置檢測(cè)基板9的表面的顆粒物的檢測(cè)單元。

為了更好地控制風(fēng)力，該表面清潔裝置還包括：風(fēng)力感應(yīng)器6，用于檢測(cè)風(fēng)力的大小。風(fēng)力感應(yīng)器6可設(shè)置在第一出風(fēng)口21的附近，從而使得檢測(cè)到的風(fēng)力的大小更加準(zhǔn)確。

該表面清潔裝置還包括：溫度測(cè)量單元7。溫度測(cè)量單元7與控制單元電連接，用于測(cè)量溫控臺(tái)8的表面的溫度，并將溫控臺(tái)8的表面的溫度發(fā)送到控制單元。則控制單元用于根據(jù)溫控臺(tái)8的表面的溫度和溫控臺(tái)8的表面的設(shè)定溫度，調(diào)節(jié)第一出風(fēng)口21的出風(fēng)溫度。該溫度測(cè)量單元7具體可采用溫度傳感器。該溫度測(cè)量單元7在噴頭2上的位置可根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定。例如，該溫度測(cè)量單元7設(shè)置在噴頭2的兩側(cè)。

通過設(shè)置溫度測(cè)量單元7，可使控制單元根據(jù)測(cè)量的溫控臺(tái)8的表面的實(shí)際溫度，確定其與設(shè)定溫度之間的差距，從而可調(diào)整第一出風(fēng)口21的出風(fēng)的溫度，從而使得溫控臺(tái)8的表面可保持設(shè)定的溫度。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例的表面清潔裝置，通過在噴頭2的第一表面上設(shè)置第一出風(fēng)口21，以便去除溫控臺(tái)8的表面上的顆粒物；在噴頭2的第二表面上設(shè)置第二出風(fēng)口22，以便去除基板9的表面上的顆粒物；通過移動(dòng)的支架1帶動(dòng)噴頭2移動(dòng)，可同時(shí)去除溫控臺(tái)8和基板9的整個(gè)表面上的顆粒物，以便提高產(chǎn)線稼動(dòng)率以及產(chǎn)品良率；通過設(shè)置高壓放電單元，將氣體離子化后，使第一出風(fēng)口21和第二出風(fēng)口22吹出的風(fēng)為離子風(fēng)，可同時(shí)去除溫控臺(tái)8和基板9的表面的靜電；通過設(shè)置第一吸附口23、第二吸附口24和吸附單元4，可吸附溫控臺(tái)8和基板9的表面的顆粒物，有利于去除顆粒物的清潔效果；通過設(shè)置控制單元、顆粒物檢測(cè)單元和溫度測(cè)量單元7，可根據(jù)殘留顆粒物的位置在該處加大第一出風(fēng)口21的風(fēng)力，還可根據(jù)溫控臺(tái)8的表面的溫度與表面的設(shè)定溫度之間的差距，調(diào)節(jié)第一出風(fēng)口21的出風(fēng)溫度。

第二實(shí)施例

本發(fā)明第二實(shí)施例還公開了一種溫控臺(tái)系統(tǒng)。如圖1～14所示，該溫控臺(tái)系統(tǒng)包括：溫控臺(tái)8和上述的表面清潔裝置。溫控臺(tái)8包括多個(gè)可升降的支撐針81。多個(gè)可升降的支撐針81與溫控臺(tái)8的表面平行，從而不會(huì)影響表面清潔裝置的噴頭2的移動(dòng)。多個(gè)可升降的支撐針81用于支撐基板9。該支撐針81的支撐基板9的表面上設(shè)置有支撐吸附孔811。當(dāng)基板置于支撐針81上時(shí)，支撐吸附孔811打開吸附基板9，便于穩(wěn)定地放置基板9。

該溫控臺(tái)8還包括：多個(gè)可升降的輔助支撐針82。該輔助支撐針82也用于支撐基板9，并將基板9轉(zhuǎn)移到支撐針81上。該輔助支撐針82上設(shè)置有輔助支撐吸附孔。同樣的，當(dāng)基板9置于輔助支撐針82上時(shí)，輔助支撐吸附孔打開吸附基板9，便于穩(wěn)定地放置基板9。具體使用時(shí)，可升高輔助支撐針82，打開輔助支撐吸附孔，將基板9置于輔助支撐針82上。支撐針81升高到合適的高度，以便噴頭2的高度位于支撐針81和溫控臺(tái)8的表面之間(支撐針81的高度低于輔助支撐針82的高度)。輔助支撐針82降到支撐針81的高度，使支撐針81支撐基板9，關(guān)閉輔助支撐吸附孔，開啟支撐吸附孔811，輔助支撐針82繼續(xù)降低到溫控臺(tái)8的表面以下，從而實(shí)現(xiàn)將基板9從輔助支撐針82轉(zhuǎn)移到支撐針81上。

該表面清潔裝置的具體結(jié)構(gòu)可參見上述實(shí)施例的表面清潔裝置的結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。該表面清潔裝置的噴頭2的第一表面正對(duì)溫控臺(tái)8的表面，則當(dāng)基板9承載在溫控臺(tái)8的支撐針81上時(shí)，噴頭2的第二表面正對(duì)基板9，從而可使噴頭2第一表面的第一出風(fēng)口21向溫控臺(tái)8的表面出風(fēng)，噴頭2的第二表面的第二出風(fēng)口22向基板9的表面出風(fēng)。

該溫控臺(tái)8的內(nèi)部還可以設(shè)置有溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元83和溫度調(diào)節(jié)單元84。多個(gè)溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元83可間隔均勻地分布在溫控臺(tái)8的內(nèi)部。該溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元83測(cè)量的溫度一般是溫控臺(tái)8的內(nèi)部的溫度。該溫度調(diào)節(jié)單元84由于設(shè)置在溫控臺(tái)8的內(nèi)部，可調(diào)節(jié)溫控臺(tái)8的內(nèi)部的溫度，同時(shí)該溫度調(diào)節(jié)單元84通過調(diào)節(jié)溫控臺(tái)8的內(nèi)部的溫度，由于內(nèi)外接觸傳遞熱量，可輔助調(diào)節(jié)溫控臺(tái)8的表面的溫度。該溫度調(diào)節(jié)單元84可根據(jù)溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元83測(cè)量的溫度與表面的設(shè)定溫度之間的差距，調(diào)節(jié)溫控臺(tái)8的內(nèi)部的溫度。該溫度調(diào)節(jié)單元84還可根據(jù)表面清潔裝置的控制單元的控制指令調(diào)節(jié)溫控臺(tái)8的表面的溫度，有利于使溫控臺(tái)8的表面的溫度與表面的設(shè)定溫度一致。具體的，該溫度調(diào)節(jié)單元84可以采用水循環(huán)傳熱的形式。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例的溫控臺(tái)系統(tǒng)，通過支撐針81的升降，可使噴頭2位于溫控臺(tái)8和基板9之間，并通過支撐針81的支撐吸附孔811可穩(wěn)定地放置基板9；由于該溫控臺(tái)系統(tǒng)包括上述實(shí)施例的表面清潔裝置，因此，也具有上述實(shí)施例的表面清潔裝置的有益效果；此外，該溫控臺(tái)系統(tǒng)還可通過溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元83和溫度調(diào)節(jié)單元84調(diào)節(jié)溫控臺(tái)8的內(nèi)部和表面的溫度。

第三實(shí)施例

本發(fā)明第三實(shí)施例還公開了一種表面清潔方法。該表面清潔方法用于上述的溫控臺(tái)系統(tǒng)。如圖15所示，該方法具體包括如下的步驟：

步驟S1501：將溫控臺(tái)的多個(gè)可升降的支撐針升高。

通過該步驟使支撐針與溫控臺(tái)的表面分離，并使支撐針的高度高于表面清潔裝置的噴頭的高度，這樣噴頭可在支撐針和溫控臺(tái)的表面之間移動(dòng)。

若該溫控臺(tái)還包括輔助支撐針，則在將溫控臺(tái)的多個(gè)可升降的支撐針升高之前，將輔助支撐針升高，輔助支撐針升高的高度高于支撐針的高度。

步驟S1502：將基板放置在支撐針上。

具體的，在一優(yōu)選的實(shí)施例中，可通過機(jī)器手將基板放置在支撐針上，打開支撐針的支撐吸附孔，吸附基板。

此外，若該溫控臺(tái)還包括輔助支撐針，則在另一優(yōu)選的實(shí)施例中，可通過機(jī)器手將基板放置在升高后的輔助支撐針上，打開輔助支撐針上的輔助支撐吸附孔吸附基板，使基板穩(wěn)固地放置在輔助支撐針上。該輔助支撐針的高度高于支撐針的高度。當(dāng)放置了基板后，降低輔助支撐針的高度直到與支撐針的高度相同，則此時(shí)基板同時(shí)放置在支撐針和輔助支撐針上。關(guān)閉輔助支撐針的輔助支撐吸附孔，并打開支撐針的支撐吸附孔，通過支撐針的支撐吸附孔吸附基板。將輔助支撐針的高度降低到溫控臺(tái)的表面以下，完成將基板從輔助支撐針轉(zhuǎn)移到支撐針的操作。

步驟S1503：開啟表面清潔裝置的氣體輸入單元、噴頭的第一出風(fēng)口和噴頭的第二出風(fēng)口。

通過該步驟使氣體輸入單元向噴頭輸送氣體，以便第一出風(fēng)口和第二出風(fēng)口出風(fēng)，進(jìn)行清潔。

步驟S1504：開啟表面清潔裝置的支架，使支架帶動(dòng)支架上的噴頭沿溫控臺(tái)的表面移動(dòng)。

通過該步驟開啟支架，支架移動(dòng)帶動(dòng)噴頭沿溫控臺(tái)的表面移動(dòng)，使第一出風(fēng)口沿噴頭移動(dòng)方向向溫控臺(tái)的表面出風(fēng)，第二出風(fēng)口沿噴頭移動(dòng)方向向基板的表面出風(fēng)，從而可使噴頭對(duì)溫控臺(tái)和基板的整個(gè)表面進(jìn)行清潔。該支架可以只向一個(gè)方向移動(dòng)，也可以在相對(duì)的兩個(gè)方向上做往復(fù)移動(dòng)。當(dāng)該支架做往復(fù)移動(dòng)時(shí)，在基板流走后，可從支架的所在位置開始向相反方向移動(dòng)進(jìn)行下一塊基板的清潔。應(yīng)當(dāng)理解的是，該步驟S1504和步驟S1503也可同時(shí)進(jìn)行。

若該噴頭內(nèi)部還設(shè)置有高壓放電單元，則在步驟S1502之后，還可以開啟高壓放電單元對(duì)輸入的氣體進(jìn)行電離，以便在清潔顆粒物的同時(shí)去除靜電。

若該表面清潔裝置還包括抽氣單元，該噴頭的第一表面和第二表面還分別設(shè)置有第一吸附口和第二吸附口，則在步驟S1502之后，還可以打開抽氣單元、第一吸附口和第二吸附口進(jìn)行吸附清潔。

若該表面清潔裝置還包括吸附單元，則在步驟S1502之后，還可開啟與噴頭的移動(dòng)方向同向的吸附單元，以便吸附單元吸附第一出風(fēng)口和第二出風(fēng)口清潔掉的顆粒物。

若該表面清潔裝置還包括控制單元、顆粒物檢測(cè)單元、溫度測(cè)量單元，則在步驟S1502之后，還可同時(shí)開啟上述的各單元，以便在清潔的過程中，顆粒物檢測(cè)單元可實(shí)時(shí)檢測(cè)溫控臺(tái)的表面的殘留的顆粒物，從而可在下次清潔時(shí)，使控制單元可在該殘留的顆粒物的位置增大第一出風(fēng)口和第二出風(fēng)口的風(fēng)力。該溫度測(cè)量單元可實(shí)時(shí)測(cè)量溫控臺(tái)的表面的溫度，從而可使控制單元實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)第一出風(fēng)口和第二出風(fēng)口的出風(fēng)溫度，以便使溫控臺(tái)的表面的溫度與表面的設(shè)定溫度一致。

若該溫控臺(tái)的內(nèi)部設(shè)置有溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元和溫度調(diào)節(jié)單元，則在步驟S1502之后，還可同時(shí)開啟溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元和溫度調(diào)節(jié)單元。則在表面清潔的過程中，通過溫控臺(tái)溫度測(cè)量單元測(cè)量溫控臺(tái)內(nèi)部的溫度與表面的設(shè)定溫度之間的差距，從而通過溫度調(diào)節(jié)單元調(diào)節(jié)溫控臺(tái)的內(nèi)部的溫度；并且，該溫度調(diào)節(jié)單元還可根據(jù)表面清潔裝置的控制單元的控制指令調(diào)節(jié)溫控臺(tái)的表面的溫度，有利于使溫控臺(tái)的表面的溫度與設(shè)定的表面溫度一致。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例的表面清潔方法，由于采用了上述實(shí)施例的溫控臺(tái)系統(tǒng)，可以同時(shí)去除溫控臺(tái)和基板的整個(gè)表面上的顆粒物，以便提高產(chǎn)線稼動(dòng)率以及產(chǎn)品良率。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

盡管已描述了本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明實(shí)施例范圍的所有變更和修改。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。