本發(fā)明涉及環(huán)保檢測技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高濃度有機(jī)廢水凈水系統(tǒng)及工藝流程。

背景技術(shù)：

隨著工業(yè)迅速發(fā)展，廢水的種類和數(shù)量迅猛增加，對水體的污染也日趨廣泛和嚴(yán)重，威脅人類的健康和安全。由于工業(yè)廢水的成分更復(fù)雜，有機(jī)廢水處理比城市污水處理更困難也更重要。高濃度有機(jī)廢水主要具有以下特點(diǎn)：成分復(fù)雜。含有毒性物質(zhì)廢水中有機(jī)物以芳香族化合物和雜環(huán)化合物居多，還多含有硫化物、和有毒有機(jī)物。 且色度高，有異味。有些廢水散發(fā)出刺鼻惡臭，給周圍環(huán)境造成不良影響。 四是具有強(qiáng)酸強(qiáng)堿性。

工業(yè)產(chǎn)生的超高濃度有機(jī)廢水中，酸、堿類眾多，往往具有強(qiáng)酸或強(qiáng)堿性。一是需氧性危害：由于生物降解作用，高濃度有機(jī)廢水會使受納水體缺氧甚至厭氧，多數(shù)水生物將死亡，從而產(chǎn)生惡臭，惡化水質(zhì)和環(huán)境。二是感觀性污染：高濃度有機(jī)廢水不但使水體失去使用價值，更嚴(yán)重影響水體附近人民的正常生活。三是致毒性危害：超高濃度有機(jī)廢水中含有大量有毒有機(jī)物，會在水體、土壤等自然環(huán)境中不斷累積、儲存，最后進(jìn)入人體，危害人體健康。

廢水處理過程的各個組成部分可以分類為生物處理法、化學(xué)處理法、物理化學(xué)處理法、物理處理法等四種。對于高濃度有機(jī)廢水的治理方法，往往是上述兩種或三種方法進(jìn)行綜合處理。

但在傳統(tǒng)的高濃度有機(jī)廢水進(jìn)行凈化只能夠凈化一種或者類似的有機(jī)廢水，難以適應(yīng)多種混合有機(jī)廢水的處理。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種高濃度有機(jī)廢水凈水系統(tǒng)及工藝流程，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

第一方面，本發(fā)明提供了一種高濃度有機(jī)廢水凈水系統(tǒng)及工藝流程，包括離子檢測裝置，還包括有機(jī)廢水分布槽、設(shè)置在有機(jī)廢水分布槽頂部的有機(jī)廢水注入管道、設(shè)置在廢水分布槽底部的電磁閥門組、電磁泵組以及設(shè)置在有機(jī)廢水分布槽外的控制芯片，所述電磁閥門組底部連接有反應(yīng)槽，所述控制芯片與電磁閥門組電性連接，所述控制芯片與電磁泵組電性連接，所述控制芯片與離子檢測裝置電性連接。

優(yōu)選的，所述電磁閥門組包括硫離子電磁閥門、氫離子電磁閥門和鹵素電磁閥門，所述電磁泵組包括硫離子電磁泵、氫離子電磁泵和鹵素電磁泵，所述反應(yīng)槽包括硫離子反應(yīng)槽、氫離子反應(yīng)槽和鹵素反應(yīng)槽。

優(yōu)選的，所述硫離子反應(yīng)槽設(shè)置在硫離子電磁閥門下方，所述氫離子反應(yīng)槽設(shè)置在氫離子電磁閥門下方，所述鹵素反應(yīng)槽設(shè)置在鹵素電磁閥門下方。

優(yōu)選的，所述硫離子電磁泵連通有機(jī)廢水分布槽和硫離子反應(yīng)槽，所述氫離子電磁泵連通有機(jī)廢水分布槽和氫離子反應(yīng)槽，所述鹵素電磁泵連接有機(jī)廢水分布槽和鹵素反應(yīng)槽。

優(yōu)選的，所述硫離子反應(yīng)槽包括加溫加壓爐、僅含有單質(zhì)氧的濕式氧化反應(yīng)器、離子通入口以及反應(yīng)物出口；所述氫離子反應(yīng)槽包括添加口和計時器，所述計時器設(shè)置在氫離子反應(yīng)槽外壁上，所述添加口外設(shè)置有密封蓋；所述鹵素反應(yīng)槽包括金屬粉末添加口、水添加口以及用于加速反應(yīng)的攪拌裝置。

優(yōu)選的，所述離子通入口通入含有鈣離子或者鋇離子的溶液。

優(yōu)選的，所述用于加速反應(yīng)的攪拌裝置固定設(shè)置在鹵素反應(yīng)槽頂部，所述金屬粉末為鐵粉。

第二方面，本發(fā)明提供了一種基于如上述第一方面中所述的高濃度有機(jī)廢水凈化系統(tǒng)的工藝流程，其特征在于，包括：

S1：離子檢測裝置對于有機(jī)廢水中離子的檢測；

S2：高濃度有機(jī)廢水經(jīng)過稀釋之后通過有機(jī)廢水注入管道進(jìn)入有機(jī)廢水分布槽；

S3：離子檢測裝置檢測到的不同離子信息傳遞至控制芯片；

S4：若僅含有硫離子，則控制芯片控制硫離子電磁閥門打開進(jìn)入硫離子反應(yīng)槽進(jìn)行處理；若僅含有氫離子，則控制芯片控制氫離子電磁閥門打開進(jìn)入氫離子反應(yīng)槽；若僅含有鹵素離子，則控制芯片控制鹵素電磁閥門打開進(jìn)入鹵素反應(yīng)槽；

S5：若含有硫離子和氫離子，則控制芯片控制硫離子電磁閥門打開，當(dāng)有機(jī)廢水在硫離子反應(yīng)槽上處理之后，通過硫離子電磁泵進(jìn)入氫離子反應(yīng)槽，進(jìn)行處理；若含有硫離子和鹵素，則控制芯片控制硫離子電磁閥門打開，當(dāng)有機(jī)廢水在硫離子反應(yīng)槽上處理之后，通過硫離子電磁泵進(jìn)入鹵素反應(yīng)槽，進(jìn)行處理；若含有氫離子和鹵素，則控制芯片控制氫離子電磁閥門打開，當(dāng)有機(jī)廢水在氫離子反應(yīng)槽上處理之后，通過氫離子電磁泵進(jìn)入鹵素反應(yīng)槽，進(jìn)行處理；當(dāng)三者都有，則控制芯片控制硫離子電磁閥門打開，有機(jī)廢水在硫離子反應(yīng)槽上處理之后，通過硫離子電磁泵進(jìn)入氫離子反應(yīng)槽，經(jīng)過反應(yīng)之后通過氫離子電磁泵進(jìn)入鹵素反應(yīng)槽，進(jìn)行處理。

優(yōu)選的，所述硫離子反應(yīng)槽內(nèi)的處理過程為：

有機(jī)廢水進(jìn)入加溫加壓爐，在溫度為320℃、壓強(qiáng)為11MPa下停留30分鐘，通過僅含有單質(zhì)氧的用于出去廢水中的有機(jī)物的濕式氧化反應(yīng)器，之后在離子通入口通入含有鋇離子或者鈣離子的液體形成沉淀之后通過反應(yīng)物出口排出。

優(yōu)選的，所述氫離子反應(yīng)槽內(nèi)的處理過程為：

在添加口依次加入氫氧化鎂粉末和二氧化錳粉末，用計時器計時，分別反應(yīng)一小時；

優(yōu)選的，所述鹵素反應(yīng)槽內(nèi)的處理過程為：

在金屬粉末添加口和水添加口分別添加鐵粉和水，通過攪拌裝置與有機(jī)廢水加速進(jìn)行脫鹵處理，獲得有機(jī)物和水，隨后將有有機(jī)物通過超臨界水氧化法進(jìn)行處理。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，通過增設(shè)離子檢測裝置檢測有機(jī)廢水中的離子給控制芯片，控制芯片控制電磁閥門組和電磁泵組的運(yùn)動，能夠方便有效地凈化一種有機(jī)廢水或者多種有機(jī)廢水的混合廢水，十分方便快捷。

附圖說明

圖1為本發(fā)明系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2為本發(fā)明系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖二

圖3為本發(fā)明的方法步驟圖；

圖4為本發(fā)明控制芯片控制流程示意圖。

圖中：1-離子檢測裝置；2-有機(jī)廢水分布槽；3-有機(jī)廢水注入管道；4-電磁閥門組；5-電磁泵組；6-控制芯片；7-反應(yīng)槽；8-硫離子電磁閥門；9-氫離子電磁閥門；10-鹵素電磁閥門；11-硫離子電磁泵；12-氫離子電磁泵；13-鹵素電磁泵；14-硫離子反應(yīng)槽；15-氫離子反應(yīng)槽；16-鹵素反應(yīng)槽；17-加溫加壓爐；18-濕式氧化反應(yīng)器；19-離子通入口；20-反應(yīng)物出口；21-添加口；22-計時器；23-密封蓋；24-金屬粉末添加口；25-水添加口；26-攪拌裝置。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1和圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高濃度有機(jī)廢水凈水系統(tǒng)，包括離子檢測裝置1，還包括有機(jī)廢水分布槽2、設(shè)置在有機(jī)廢水分布槽2頂部的有機(jī)廢水注入管道3、設(shè)置在廢水分布槽2底部的電磁閥門組4、電磁泵組5以及設(shè)置在有機(jī)廢水分布槽2外的控制芯片6，所述電磁閥門組4底部連接有反應(yīng)槽7，所述控制芯片6與電磁閥門組4電性連接，所述控制芯片6與電磁泵組5電性連接，所述控制芯片6與離子檢測裝置1電性連接；所述電磁閥門組4包括硫離子電磁閥門8、氫離子電磁閥門9和鹵素電磁閥門10，所述電磁泵組5包括硫離子電磁泵11、氫離子電磁泵12和鹵素電磁泵13，所述反應(yīng)槽7包括硫離子反應(yīng)槽14、氫離子反應(yīng)槽15和鹵素反應(yīng)槽16；所述硫離子反應(yīng)槽14設(shè)置在硫離子電磁閥門8下方，所述氫離子反應(yīng)槽15設(shè)置在氫離子電磁閥門9下方，所述鹵素反應(yīng)槽16設(shè)置在鹵素電磁閥門10下方；所述硫離子電磁泵11連通有機(jī)廢水分布槽14和硫離子反應(yīng)槽8，所述氫離子電磁泵12連通有機(jī)廢水分布槽15和氫離子反應(yīng)槽9，所述鹵素電磁泵13連接有機(jī)廢水分布槽16和鹵素反應(yīng)槽10；所述硫離子反應(yīng)槽14包括加溫加壓爐17、僅含有單質(zhì)氧的濕式氧化反應(yīng)器18、離子通入口19以及反應(yīng)物出口20；所述氫離子反應(yīng)槽15包括添加口21和計時器22，所述計時器22設(shè)置在氫離子反應(yīng)槽15外壁上，所述添加口21外設(shè)置有防止內(nèi)部反應(yīng)泄露的密封蓋23；所述鹵素反應(yīng)槽16包括金屬粉末添加口24、水添加口25以及用于加速反應(yīng)的攪拌裝置26；所述離子通入口19通入含有鈣離子或者鋇離子的溶液；所述用于加速反應(yīng)的攪拌裝置26固定設(shè)置在鹵素反應(yīng)槽16頂部，所述金屬粉末為鐵粉。

請參閱圖3和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高濃度有機(jī)廢水凈化系統(tǒng)的工藝流程，包括：

離子檢測裝置1對于有機(jī)廢水中離子的檢測；

高濃度有機(jī)廢水經(jīng)過稀釋之后通過有機(jī)廢水注入管道3進(jìn)入有機(jī)廢水分布槽2；

離子檢測裝置1檢測到的不同離子信息傳遞至控制芯片6；

若僅含有硫離子，則控制芯片6控制硫離子電磁閥門8打開進(jìn)入硫離子反應(yīng)槽14進(jìn)行處理；若僅含有氫離子，則控制芯片6控制氫離子電磁閥門9打開進(jìn)入氫離子反應(yīng)槽15；若僅含有鹵素離子，則控制芯片6控制鹵素電磁閥門10打開進(jìn)入鹵素反應(yīng)槽16；

若含有硫離子和氫離子，則控制芯片6控制硫離子電磁閥門8打開，當(dāng)有機(jī)廢水在硫離子反應(yīng)槽14上處理之后，通過硫離子電磁泵11進(jìn)入氫離子反應(yīng)槽9，進(jìn)行處理；若含有硫離子和鹵素，則控制芯片6控制硫離子電磁閥門8打開，當(dāng)有機(jī)廢水在硫離子反應(yīng)槽14上處理之后，通過硫離子電磁泵11進(jìn)入鹵素反應(yīng)槽16，進(jìn)行處理；若含有氫離子和鹵素，則控制芯片6控制氫離子電磁閥門9打開，當(dāng)有機(jī)廢水在氫離子反應(yīng)槽15上處理之后，通過氫離子電磁泵12進(jìn)入鹵素反應(yīng)槽16，進(jìn)行處理；當(dāng)三者都有，則控制芯片6控制硫離子電磁閥門8打開，有機(jī)廢水在硫離子反應(yīng)槽14上處理之后，通過硫離子電磁泵11進(jìn)入氫離子反應(yīng)槽15，經(jīng)過反應(yīng)之后通過氫離子電磁泵12進(jìn)入鹵素反應(yīng)槽16，進(jìn)行處理。

進(jìn)一步的，所述硫離子反應(yīng)槽14內(nèi)的處理過程為：

有機(jī)廢水進(jìn)入加溫加壓爐17，在溫度為320℃、壓強(qiáng)為11MPa下停留30分鐘，通過僅含有單質(zhì)氧的用于出去廢水中的有機(jī)物的濕式氧化反應(yīng)器18，之后在離子通入口19通入含有鋇離子或者鈣離子的液體形成沉淀之后通過反應(yīng)物出口20排出。

進(jìn)一步的，所述氫離子反應(yīng)槽15內(nèi)的處理過程為：在添加口21依次加入氫氧化鎂粉末和二氧化錳粉末，蓋上密封蓋23，用計時器22計時，分別反應(yīng)一小時；所述鹵素反應(yīng)槽內(nèi)16的處理過程為：在金屬粉末添加口24和水添加口25分別添加鐵粉和水，通過攪拌裝置26與有機(jī)廢水進(jìn)行加速脫鹵處理，獲得有機(jī)物和水，隨后將有有機(jī)物通過超臨界水氧化法進(jìn)行處理。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。