本實(shí)用新型涉及污水處理領(lǐng)域，尤其涉及一種用于電鍍污水處理的絮凝池。

背景技術(shù)：

電鍍廠排出的污水和廢液中的金屬離子，有的以簡(jiǎn)單的陽離子形態(tài)存在，有的以酸根形式存在，有的還屬于致癌和致畸變的劇毒物質(zhì)。電鍍污水多有毒，危害性較大，未經(jīng)處理達(dá)標(biāo)的電鍍污水排入河道、池塘或深入地下，不但會(huì)危害環(huán)境，而且會(huì)污染飲用水和工業(yè)用水。電鍍污水中含有的六價(jià)鉻會(huì)對(duì)環(huán)境污染且嚴(yán)重危害人類健康，因此必須認(rèn)真地加以處理。

目前，常見用于電鍍污水處理的系統(tǒng)，廣泛采用的有以下幾個(gè)不同類型的處理方法：化學(xué)沉淀法，又分為中和沉淀法和硫化物沉淀法；溶劑萃取分離法；吸附法；氧化還原處理法，又分為化學(xué)還原法、鐵氧體法和電解法；離子交換法；膜分離法技術(shù)；生物處理技術(shù)。

但無論采用上述哪一種處理方法，對(duì)污水進(jìn)行沉淀都是必不可少的環(huán)節(jié)，污水沉淀通常在沉降池體和絮凝池體中進(jìn)行，現(xiàn)有的絮凝池體通常都是直接將污水從反應(yīng)池引入后，再使污水靜置，并加入絮凝劑，待微粒沉降后，再將沉淀后的污水引出，然后進(jìn)行下一步處理，本方法由于需要將污水靜止一段時(shí)間，因此處理效率不高；因?yàn)樾跄齽┲苯右灶w粒加入，不利于絮凝劑在污水中分散；且而有時(shí)為了提高污水處理效率，在進(jìn)行沉淀的同時(shí)，絮凝池體也會(huì)引入和排出污水，但由于此時(shí)絮凝池體內(nèi)的污水處于流動(dòng)狀態(tài)，若要使絮凝劑能均勻的分散到污水中，就要不停的攪拌污水，但攪拌污水則不利于微粒沉淀。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型意在提供一種用于電鍍污水處理的絮凝池，以在保證效率的同時(shí)，絮凝劑能均勻的分布在污水中，且污水中的微粒也能充分沉降。

本實(shí)用新型的基礎(chǔ)方案用于電鍍污水處理的絮凝池，包括絮凝池體，所述絮凝池體由等高的墻體圍成；所述絮凝池體內(nèi)設(shè)置有分隔墻，分隔墻將絮凝池體分隔為絮凝反應(yīng)區(qū)和沉淀區(qū)；所述分隔墻上設(shè)置有連通絮凝反應(yīng)區(qū)和沉淀區(qū)的緩沖區(qū)，緩沖區(qū)設(shè)置有上端開口和下端開口，上端開口位于絮凝反應(yīng)區(qū)內(nèi)，下端開口位于沉淀區(qū)內(nèi)；所述絮凝反應(yīng)區(qū)的上方設(shè)置絮凝劑分布管，且絮凝劑分布管上連接有絮凝劑輸送管，絮凝劑分布管上設(shè)置有若干漏液孔，絮凝劑輸送管上設(shè)置有閥門；所述絮凝反應(yīng)區(qū)的側(cè)壁上設(shè)置有進(jìn)水口，所述沉淀區(qū)側(cè)壁的上部設(shè)置有出水口；所述絮凝反應(yīng)區(qū)內(nèi)還設(shè)有攪拌機(jī)。

本方案的原理在于：

污水經(jīng)過進(jìn)水口進(jìn)入絮凝池體的絮凝反應(yīng)區(qū)，然后打開絮凝劑輸送管上的閥門，絮凝劑將進(jìn)入到絮凝劑分布管中，且絮凝劑會(huì)經(jīng)漏液孔灑落到污水中；為了保證絮凝劑能夠均勻分布在污水中，攪拌機(jī)將在添加絮凝劑的同時(shí)攪拌污水。添加絮凝劑主要是為了污水中的微粒能夠聚集成絮團(tuán)狀，以有助于微粒的沉降，但由于絮凝反應(yīng)區(qū)內(nèi)設(shè)置有攪拌機(jī)，因此污水在絮凝反應(yīng)區(qū)內(nèi)無法完成沉淀；因此污水將通過緩沖區(qū)流入沉淀區(qū)內(nèi)進(jìn)行沉淀，由于絮凝反應(yīng)區(qū)內(nèi)設(shè)置有攪拌機(jī)，因此絮凝反應(yīng)區(qū)中的污水會(huì)產(chǎn)生振蕩，而分隔墻一方面具有阻擋絮凝反應(yīng)區(qū)內(nèi)污水的波浪，另一方面污水從緩沖區(qū)的下端開口進(jìn)入沉淀池，由于下部的水壓更大，因此污水進(jìn)入沉淀區(qū)的流速更穩(wěn)定，且產(chǎn)生的沖擊更小，即緩沖區(qū)可以避免振蕩傳遞到沉淀區(qū)；另外出水口設(shè)置在沉淀區(qū)側(cè)壁的上部，則出水口處的水壓較小，可以避免形成較大的漩渦，減小沉淀區(qū)內(nèi)污水的流動(dòng)，使沉淀效果更佳。

本方案產(chǎn)生的有益效果是：

絮凝劑以溶液的形式加入，且設(shè)置了攪拌機(jī)，因此更有利于絮凝劑均勻的分布在污水中；而將絮凝池體分成絮凝反應(yīng)池和沉淀池，從上述的原理可知，可以使污水的沉淀更加充分；由于設(shè)置了緩沖區(qū)，避免了絮凝反應(yīng)區(qū)內(nèi)污水的振蕩傳遞到沉淀區(qū)，使得沉淀區(qū)內(nèi)形成了一個(gè)較好的靜態(tài)環(huán)境；另外沉降池中的污水在流入的同時(shí)，也在流出，因此效率也可以得到保證。

優(yōu)選方案一，作為對(duì)基礎(chǔ)方案的進(jìn)一步優(yōu)化，所述分隔墻包括分隔墻一和分隔墻二，分隔墻一的高度低于絮凝池體墻體的高度，分隔墻二與絮凝池體墻體等高，分隔墻二的下端與絮凝池體的底部具有間隙，分隔墻一和分隔墻二也具有間隙，且分隔墻一和分隔墻二之間具有相互重疊的部分，所述緩沖區(qū)位于分隔墻一和分隔墻相互重疊的部分之間。

在優(yōu)選方案一中，由于緩沖區(qū)的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，因此可以達(dá)到較好的阻擋作用，更好的分散波浪，進(jìn)而減小波浪對(duì)沉淀池中的污水產(chǎn)生的不均勻的壓力；但優(yōu)選方案一的結(jié)構(gòu)在建造時(shí)較為復(fù)雜。

優(yōu)選方案二，作為對(duì)基礎(chǔ)方案的進(jìn)一步優(yōu)化，所述分隔墻與絮凝池體墻體等高，所述分隔墻上設(shè)置有至少一個(gè)缺口，分隔墻上還設(shè)置有與缺口對(duì)應(yīng)的C形墻體，C形墻體上端與分隔墻等高，C形墻體的下端與所述絮凝池體的底部具有間隙，且C形墻體上下貫通，所述緩沖區(qū)位于C形墻體與分隔墻之間；優(yōu)選方案二與優(yōu)選方案一相比，在建造時(shí)更加簡(jiǎn)單。

優(yōu)選方案三，作為對(duì)基礎(chǔ)方案的進(jìn)一步優(yōu)化，所述絮凝劑分布管為環(huán)形，且絮凝劑分布管通過管卡固定在所述絮凝反應(yīng)區(qū)的側(cè)壁上；絮凝劑分布管設(shè)置成環(huán)形，一方面可以延長(zhǎng)絮凝劑分布管的程度，另一方面方便固定。

優(yōu)選方案四，作為對(duì)基礎(chǔ)方案的進(jìn)一步優(yōu)化，所述緩沖區(qū)內(nèi)設(shè)置有多層過濾網(wǎng)；緩沖區(qū)內(nèi)設(shè)置有過濾網(wǎng)，一方面可以過濾一些較大的可以，另一方面也可以具有減弱波浪的作用。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二的俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面通過具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明：

說明書附圖中的附圖標(biāo)記包括：絮凝反應(yīng)區(qū)1、分隔墻2、沉淀區(qū)3、進(jìn)水口11、攪拌機(jī)12、絮凝劑分布管13、絮凝劑輸送管14、分隔墻一21、分隔墻二22、上端開口23、下端開口24、過濾網(wǎng)25、C形墻體26、缺口27、出水口31。

實(shí)施例一：

如圖1所示：用于電鍍污水處理的絮凝池包括絮凝池體，所述絮凝池體由等高的墻體圍成；所述絮凝池體內(nèi)設(shè)置有分隔墻2，分隔墻2將絮凝池體分隔為絮凝反應(yīng)區(qū)1和沉淀區(qū)3。所述分隔墻2包括分隔墻一21和分隔墻二22，分隔墻一21和分隔墻二22的高度均為絮凝池體墻體高度的2/3，分隔墻一21的下端與絮凝墻底部接觸，但分隔墻二22的上端與絮凝池體墻體等高，而分隔墻二22的下端與絮凝池體的底部具有間隙，另外分隔墻一21和分隔墻二22具有10cm的間隙；分隔墻一21和分隔墻2相互重疊的部分之間的區(qū)域?yàn)榫彌_區(qū)，緩沖區(qū)的上端開口23位于絮凝反應(yīng)區(qū)1內(nèi)，而緩沖區(qū)的下端開口24位于沉淀區(qū)3內(nèi)；另外在緩沖區(qū)內(nèi)還設(shè)置有四層過濾網(wǎng)25。所述絮凝反應(yīng)區(qū)1的側(cè)壁的中部設(shè)置有進(jìn)水口11，所述沉淀區(qū)3側(cè)壁的上部設(shè)置有出水口31；且絮凝反應(yīng)區(qū)1內(nèi)還設(shè)有攪拌機(jī)12，本實(shí)施例采用的攪拌機(jī)12為專用于污水處理的真空攪拌機(jī)，其型號(hào)為H45-3HP-45。

所述絮凝反應(yīng)區(qū)1的上方設(shè)置絮凝劑分布管13，且絮凝劑分布管13上連接有絮凝劑輸送管14，絮凝劑分布管13上設(shè)置有若干漏液孔，絮凝劑輸送管14上設(shè)置有閥門；絮凝劑分布管13為環(huán)形，并通過管卡固定在所述絮凝反應(yīng)區(qū)1的側(cè)壁上。

本實(shí)施例用于電鍍污水處理的絮凝池的工作過程為：

污水經(jīng)過進(jìn)水口11進(jìn)入絮凝池體的絮凝反應(yīng)區(qū)1，然后打開絮凝劑輸送管14上的閥門，絮凝劑將進(jìn)入到絮凝劑分布管13中，且絮凝劑會(huì)經(jīng)漏液孔灑落到污水中；為了保證絮凝劑能夠均勻分布在污水中，攪拌機(jī)12將在添加絮凝劑的同時(shí)攪拌污水；絮凝劑在絮凝反應(yīng)區(qū)1內(nèi)分散到污水中后，將從緩沖區(qū)的上端開口23進(jìn)入緩沖區(qū)，并從緩沖區(qū)的下端開口24進(jìn)入沉淀區(qū)3；污水經(jīng)過緩沖區(qū)進(jìn)入沉淀區(qū)3時(shí)，由于分隔墻2的阻擋，波浪將被分散，且污水通過下端開口24進(jìn)入沉淀區(qū)3，由于絮凝池體下部的水壓更大，因此污水流入沉淀區(qū)3時(shí)的流速將更穩(wěn)定，且沖擊也更小，所以沉淀區(qū)3中的污水將處于相對(duì)靜止的狀態(tài)，以便于絮團(tuán)沉降；污水在沉淀時(shí)，處于上部的污水將從出水口31流出；另外污水經(jīng)過緩沖區(qū)的過濾網(wǎng)25時(shí)，較大的顆粒將被阻擋。

實(shí)施例二：

如圖2、圖3所示，實(shí)施例二與實(shí)施例一的區(qū)別在于，分隔墻2與絮凝池體墻體等高，所述分隔墻2上設(shè)置有兩個(gè)寬50cm、高30cm的缺口27，分隔墻2上還設(shè)置有與缺口27對(duì)應(yīng)的C形墻體26，C形墻體26上端與分隔墻2等高，C形墻體26的下端與所述絮凝池體的底部具有30cm的間隙，且C形墻體26上下貫通，C形墻體26與分隔墻2之間形成緩沖區(qū)。當(dāng)污水從絮凝反應(yīng)區(qū)1進(jìn)入沉淀區(qū)3時(shí)，需先從缺口27流入緩沖區(qū)，然后再從緩沖區(qū)的下端流入沉淀區(qū)3。