專利名稱：銀離子還原裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
銀離子還原裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及廢水處理技術(shù)，尤其涉及一種銀離子還原裝置。
背景技術(shù)：
[0002]目前，許多化工廠排放的廢水中含有Ag+等貴金屬離子，這些離子對環(huán)境有很大的破壞作用，因此研究如何從工業(yè)廢水中回收Ag+等貴金屬離子具有十分重要的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)意義。實(shí)用新型內(nèi)容[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型提供銀離子還原裝置。該銀離子還原裝置是基于磁流體技術(shù)設(shè)計(jì)的，具有結(jié)構(gòu)簡單的特點(diǎn)。[0004]本實(shí)用新型提供的一種銀離子還原裝置，包括:容器、銀離子還原電路、流向控制器；所述銀離子還原電路具有一相對設(shè)置的正、負(fù)極板，且所述正、負(fù)極板之間具有一磁場，所述流向控制器用于控制所述容器中裝的帶銀離子的磁流體沿與所述磁場橫切的方向流過所述正、負(fù)極板之間。[0005]進(jìn)一步:所述銀離子還原電路還包括:電阻單元，所述正極板、負(fù)極板和電阻單元串聯(lián)。[0006]進(jìn)一步:所述銀離子還原電路還包括:微電流表和微電壓表，所述微電流表與所述電阻單元串聯(lián)，所述微電壓表與所述電阻單元并聯(lián)。[0007]進(jìn)一步:所述電阻單元由一個電阻構(gòu)成，或者所述電阻單元由多個電阻串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)構(gòu)成。[0008]進(jìn)一步:所述正、負(fù)板板均為銀極板。[0009]進(jìn)一步:所述流向控制器包括:水泵、水管和漏斗，所述水泵安裝在所述容器的底部，用于將所述磁流體沿所述水管抽入所述漏斗的入口部，并經(jīng)所述漏斗的出口部流回所述容器，所述漏斗的出口部位于所述正、負(fù)極板之間。[0010]進(jìn)一步:所述水管采用矩形水管。[0011]本實(shí)用新型的有益效果:[0012]現(xiàn)有中的銀離子還原裝置一般都是基于化學(xué)方法或電解方法設(shè)計(jì)的，而本實(shí)用新型的銀離子還原裝置是基于磁流體技術(shù)設(shè)計(jì)的，因此通過該銀離子還原裝置，可以很好地將磁流體技術(shù)應(yīng)用到銀離子的回收中，并且該銀離子還原裝置還具有結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點(diǎn)。


[0013]
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:[0014]圖1是本實(shí)用新型的銀離子還原裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0015]請參考圖1，是本實(shí)用新型的銀離子還原裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該銀離子還原裝置包括:容器4、銀離子還原電路(主要由圖示中的正極板5、負(fù)極板和電阻單元7構(gòu)成)、流向控制器(主要由圖中的水泵1、水管2和漏斗3構(gòu)成)。如圖所示，正極板5和負(fù)極板6相對設(shè)置，且在正極板5和負(fù)板極6之間存在一磁場(該磁場可以由磁場產(chǎn)生器等設(shè)備產(chǎn)生)，流向控制器主要用于控制容器4中裝的帶銀離子的磁流體沿與該磁場橫切的方向流過正極板5和負(fù)極板6之間。當(dāng)銀離子還原裝置為圖示結(jié)構(gòu)且磁場方向如圖所示時，沿漏斗自上而下的方向即為與磁場橫切的方向。當(dāng)磁流體沿與磁場橫切的方向流過正極板5和負(fù)極板6時，根據(jù)霍爾效應(yīng)，帶電粒子(即Ag+銀子)將在磁場中偏轉(zhuǎn)，從而在正極板和負(fù)極板之間形成一個電位差，同時在正極板會發(fā)生:Ag++e_=Ag I，負(fù)極板就會發(fā)生:40H_-4e_=2H20+02 ，從而實(shí)現(xiàn)了銀離子的析出，即銀離子的還原。進(jìn)一步，如圖示，正極板5、負(fù)極板6和電阻單元7串聯(lián)，構(gòu)成閉合回路，且正極板
5、負(fù)極板6可以為銀極板，電阻單元7可以由一個電阻構(gòu)成，或者電阻單元7由多個電阻串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)構(gòu)成。進(jìn)一步，銀離子還原電路還可以包括:微電流表和微電壓表(圖中均未示出)，其中微電流表與電阻單元7串聯(lián)，微電壓表與電阻單元7并聯(lián)，從而測量流過電阻單元7的電壓和電流，進(jìn)而確定正極板5和負(fù)極板6之間的電勢差的變化情況，顯然電勢差的變化情況可以反應(yīng)磁流體中銀離子含量的變化情況。進(jìn)一步，水泵I的位置可以是安裝在容器4的底部，用于將容器中的磁流體抽入水管2 (水管2可以采用矩形水管)中，抽入水管2中的磁流體在水泵的作用下，沿水管2流動，最終流入漏斗3的入口部31，然后在重力的作用下，沿漏斗3向下流動，經(jīng)其出口部32流回容器4中，其中出口部32位于正極板5和負(fù)極板6之間，從而使得磁流體沿磁場橫切方向流過正極板5和負(fù)極板6之間；一種實(shí)施方式中,漏斗的出口部32采用矩形結(jié)構(gòu),正極板5和負(fù)極板6分別粘貼在出口部32的內(nèi)表面的從相對側(cè)。最后說明的 是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求1.一種銀離子還原裝置，其特征在于:包括:容器、銀離子還原電路和流向控制器；所述銀離子還原電路具有一相對設(shè)置的正、負(fù)極板，且所述正、負(fù)極板之間具有一磁場，所述流向控制器用于控制所述容器中裝的帶銀離子的磁流體沿與所述磁場橫切的方向流過所述正、負(fù)極板之間。
2.如權(quán)利要求1所述的銀離子還原裝置，其特征在于:所述銀離子還原電路還包括:電阻單元，所述正極板、負(fù)極板和電阻單元串聯(lián)。
3.如權(quán)利要求2所述的銀離子還原裝置，其特征在于:所述銀離子還原電路還包括:微電流表和微電壓表，所述微電流表與所述電阻單元串聯(lián)，所述微電壓表與所述電阻單元并聯(lián)。
4.如權(quán)利要求2所述的銀離子還原裝置，其特征在于:所述電阻單元由一個電阻構(gòu)成，或者所述電阻單元由多個電阻串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的銀離子還原裝置，其特征在于:所述正、負(fù)板板均為銀極板。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的銀離子還原裝置，其特征在于:所述流向控制器包括:水泵、水管和漏斗，所述水泵安裝在所述容器的底部，用于將所述磁流體沿所述水管抽入所述漏斗的入口部，并經(jīng)所述漏斗的出口部流回所述容器，所述漏斗的出口部位于所述正、負(fù)極板之間。
7.如權(quán)利要求6所述的銀離子還原裝置，其特征在于:所述水管采用矩形水管。
專利摘要本實(shí)用新型提供的銀離子還原裝置，包括容器、銀離子還原電路、流向控制器；所述銀離子還原電路具有一相對設(shè)置的正、負(fù)極板，且所述正、負(fù)極板之間具有一磁場，所述流向控制器用于控制所述容器中裝的帶銀離子的磁流體沿與所述磁場橫切的方向流過所述正、負(fù)極板之間。該銀離子還原裝置是基于磁流體技術(shù)設(shè)計(jì)的，具有結(jié)構(gòu)簡單的特點(diǎn)。
文檔編號C02F1/70GK202988823SQ20122066318
公開日2013年6月12日 申請日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月5日
發(fā)明者李賢勇, 榮陽, 譚國定 申請人:李賢勇, 榮陽, 重慶交通大學(xué)